【課題】磁気記録媒体のような被エッチング材料の表裏両面へのプラズマ処理を行う際、基板の材質に関わらず被エッチング材料両表面に効率よくバイアスを印加し、両面処理ができるプラズマエッチング装置及びその方法を提供する。
【解決手段】略円環状の被エッチング材料に高周波電力を印加する一対の導電体を有し、略円環状の被エッチング材料の内縁を一対の導電体で挟持することで、略円環状の被エッチング材料の両面をエッチングするプラズマエッチング装置において、前記一対の導電体の一方に設置された導電体接続部材により、該略円環状の被エッチング材料の両面が電気的に導通するようにした。 （もっと読む）

【課題】ウェハ表面のエッチング量の均一さを悪化させずに、エッチング量を増加せしめる酸化膜除去方法及びこの方法に用いるバッチ式半導体デバイス製造装置の提供。
【解決手段】フッ化水素又はフッ化アンモニウムをシリコンウェハ表面上の酸化膜と反応させる第１の工程と、この反応によって生じた反応生成物を２００℃乃至５３０℃で加熱・蒸発させて除去する第２の工程とを有するドライエッチング工程を、隣接するシリコンウェハ同士の間隔を２ｍｍ乃至５ｍｍに設定して実施する。エッチング室と、マイクロ波励起機構と、ロードロック室と、クリーンブースとで構成され、処理されるシリコンウェハの隣接するウェハ同士を２ｍｍ乃至５ｍｍの間隔で載置し得るウェハボートを有している。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を抑制することができるシリコン膜の形成方法およびその形成装置を提供する。
【解決手段】シリコン膜の形成方法は、第１成膜工程と、エッチング工程と、第２成膜工程とを備えている。第１成膜工程では、被処理体の溝を埋め込むようにシリコン膜を成膜する。エッチング工程では、第１成膜工程で成膜されたシリコン膜をエッチングして前記溝の開口部を広げる。第２成膜工程では、エッチング工程で開口部が広げられた溝にシリコン膜を埋め込むように成膜する。これにより、表面に溝が形成された被処理体の溝にシリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】複数の基板保持具を用い、移載及び回収位置が反応炉直下ではなかった場合でも基板の保持状態を確認でき、一方の基板保持具にて異常を検知した場合に該一方の基板保持具から正常な基板を回収すると共に、他方の基板保持具からも同様に正常な基板を回収できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板７を保持する複数の基板保持具２１a、２１bと、基板７に所定の処理を行う反応炉１１と、前記基板保持具２１a、２１bに対して基板７の移載と回収を行う基板移載機４１と、前記基板保持具２１a、２１bを識別する識別手段と、基板７の保持状態を検知する検知部と、前記基板移載機４１を制御する制御部とを具備し、該検知部が基板７の異常を検知した際には、前記制御部は検知した基板７の保持状態、前記識別手段による識別結果に基づき、基板７を前記基板移載機４１により回収する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ区画壁の内壁面がエッチングされることを防止してパーティクルや金属汚染の発生を抑制し且つ、電極面積を増大させてラジカルの発生量を増加させることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた筒体状の処理容器１４と、被処理体を保持して処理容器内へ挿脱される保持手段２２と、ガスを供給するガス供給手段３８、４０、４２と、ガスをプラズマにより活性化する活性化手段６０とを有して被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、活性化手段は、処理容器の外側へ突出された状態で処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁７２により区画形成されたプラズマ形成ボックス６４と、プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられた誘導結合型の電極６６と、電極に接続された高周波電源６８とよりなる。 （もっと読む）

【課題】円筒状の基材の外周面を容易に且つ精度良く処理することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置は、真空容器５内に立設された円柱状のカソード電極７とこの外周面と内周面とが対向するように配置された円筒状の防着部材１４とを有している。電極７の外周部には処理対象物である円筒状の基材１１が配置される。基材１１の内径寸法は電極７の外径寸法と略同じに設定されており、基材１１の内周面と電極７の外周面とはほぼ密着する。真空容器５内にエッチングガスを導入し、電極７に高周波電力を供給すると電極７と防着部材１４との間にプラズマが形成される。これにより、マスクパターンに覆われていない基材１１の表面が垂直にエッチングされて基材１１自身の表面全体に凹凸パターンが均一に形成される。 （もっと読む）

【課題】処理対象層に、半導体デバイスの小型化要求を満たす小さい寸法の開口部を形成することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理対象基板であるウエハＷのマスク層としてのフォトレジスト膜５３上に補強膜を形成すると共に、開口パターンを形成する線状部分の線幅ａをトリミングする成膜トリミングステップは、フォトレジスト膜５３の表面に１価のアミノシランを吸着させる吸着ステップと、吸着したアミノシランを、酸素をプラズマ励起した酸素ラジカルを用いて酸化し、これによってアミノシランをＳｉ酸化膜に改質すると共にフォトレジスト膜５３の線状部分の線幅ａをトリミングする酸化ステップを有する。 （もっと読む）

【課題】処理ガスをプラズマ励起させるための放電電極の変質を防止または抑制し、放電電極の寿命向上を図ることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板を収容する反応管２０３を外部から囲うように配置された加熱手段と、加熱手段の内側に設けられ、処理ガスをプラズマ励起させる一対の電極２６９と、一対の電極間に接続された結合コイル３１１と、一対の電極２６９と結合コイル３１１とを気密に収容し、その内部が不活性ガス雰囲気に設定された保護容器２７５と、結合コイル３１１と誘導結合されるように保護容器２７５の外側に配置され、高周波電力が印加される誘導コイル３１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】対向するカソード／アノードの放電空間を複数有するプラズマ処理装置において、配線とカソードとの間に異常放電を発生させず、基板面内のプラズマ処理の均一化を図る。
【解決手段】プラズマ処理装置１００は、チャンバ３と、カソード１と、複数のアノード２とを備える。複数のアノード２は、カソード放電面に対してアノード放電面が対向するように配置されている。カソード１は、カソード端面に給電部５を有し、カソード放電面およびアノード放電面は、共通する一定の対称軸に関して線対称な形状である。カソード放電面およびアノード放電面の前記対称軸方向の最大幅は、前記対称軸に垂直な方向の最大幅よりも小さい。給電部５は、前記対称軸を含みカソード放電面に対して垂直な面である基準面とカソード端面との交差線上にある。アノード２は、前記基準面に対し面対称な位置に、接地部４３を有している。 （もっと読む）

【課題】成膜ガスノズルの交換の時期を延長させ、成膜ガスノズル交換に要していた時間をなくし、反応炉のダウンタイムを短縮する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２００を反応炉３１内に搬入するステップと、少なくとも一つの成膜ガスノズル４０より反応炉３１内に成膜ガスを供給して基板２００上に薄膜を成膜するステップと、成膜後の基板２００を反応炉３１内から搬出するステップと、成膜ガスノズル４０内にクリーニングガスを供給して成膜ガスノズル４０内に堆積した生成膜を除去する第１のクリーニングステップと、反応炉３１内に成膜ガスノズル４０とは異なるクリーニングガス供給口４６よりクリーニングガスを供給して反応炉３１内に堆積した生成膜を除去する第２のクリーニングステップとを有し、第１のクリーニングステップを第２のクリーニングステップよりも先行して行う。 （もっと読む）

【課題】反応槽のクリーニングのためのドライエッチングの終点判断を正確に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】製造装置の反応槽内で基板上に構造膜を形成することにより半導体装置を製造するプロセスにおいて、反応槽内のクリーニングを行う。すなわち、反応槽の内壁にホウ素を含有したシリコン窒化膜からなるプレコート膜を堆積させ（ステップＳ１１）、反応槽内において基板上に構造膜としてホウ素を含まないシリコン窒化膜を形成し（ステップＳ１２）、反応槽の内壁をドライエッチングしてクリーニングする（ステップＳ１３）。このとき、ドライエッチングは、反応槽から排出されるガスにホウ素が検出された後で終了させる。 （もっと読む）

【課題】占拠床面積を減少しつつウエハ面内均一性を向上させる。
【解決手段】複数枚のウエハ２００を保持して待機室と処理室との間を移動するボート２１７と、待機室に設置されボートに複数枚のウエハを一括して授受する授受装置５０と、授受装置にウエハを移載するウエハ移載機構１２５とを備えた基板処理装置において、ボートにウエハをそれぞれ載置する載置面を複数設け、授受装置にはロータリーアクチュエータ５３を設け、ロータリーアクチュエータの回転台５５には支柱５６を垂直に立設し、支柱には載置面外周を半分取り囲む形状の支持部５７を載置面と同数設ける。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を効率良く製造できるようにする。
【解決手段】減圧されるチャンバ６２と、チャンバ６２内において、露出するレジスト膜４９を有する半導体基板１を複数支持する基板ホルダ６４と、基板ホルダ６４の配置領域の外側に設けられ、チャンバ６２内に酸素ガスを供給する供給孔７２が複数箇所に形成されたガス供給管７１と、チャンバ６２内の流体を吸い込む排気孔が設けられた排気管７４と、レジスト膜４９をアッシングさせるための酸素ガスを活性化する高周波電源６６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ドライクリーニングにおいてガス供給管の破損を防ぎ、メンテナンス効率を高めるようにする。
【解決手段】ウエハ２００を処理室２０１内に搬入する工程と、ガス供給管１６５，１６６，１６７に原料ガスを供給して処理室２０１内に原料ガスを導入し、基板２００にシリコン又はシリコン化合物の膜を形成する工程と、処理室２０１内から基板を搬出する工程と、処理室２０１内を加熱する加熱工程と、加熱工程後に処理室２０１内の温度を低下させる降温工程と、降温工程後にガス供給管１６５，１６６，１６７にクリーニングガスを供給して処理室２０１内にクリーニングガスを導入するクリーニングガス導入工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】各電極体への電力供給を安定化させ、プラズマ密度の均一性を基板間で向上できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室２０１と、処理室２０１内で複数枚の基板２００を水平姿勢で多段に積層した状態で保持する基板保持具２１７と、各基板２００の表面から所定の距離にそれぞれ配置される電極体３０１ａ，ｂが多段に積層してなり、各電極体３０１ａ，ｂにそれぞれ電力が供給されることで隣接する基板２００間にプラズマを発生させる電極体群と、各電極体３０１ａ，ｂにそれぞれ接続される導電性部材３０２ａ，ｂが基板２００の積層方向に沿って多段に連結してなる電力供給機構と、処理室の壁面を貫通するように電力供給機構に接続され、電力供給機構を介して各電極体にそれぞれ電力を供給する電力導入部４１０ａ，ｂと、を備え、隣接する導電性部材３０２ａ，ｂは、基板の積層方向に沿って直線上に並ばないように連結されている。 （もっと読む）

【課題】
基板処理装置に於いて、処理室の上流側、下流側に亘って不足なく処理ガスを供給し得る様にし、膜厚分布の向上、歩留りの向上を図る。
【解決手段】
基板を積層して収納する処理室２７と、前記基板を加熱する加熱手段２４と、前記処理室に所望の処理ガスを供給するガス供給系２８，２９と、前記処理室の雰囲気を排気するガス排気系５７，５８，５９と、制御部７０とを具備し、前記ガス供給系は、常圧で液体である１つの液体原料を気化する複数の気化ユニット４１，４４と、該気化ユニットにそれぞれ連通され前記処理室に気化されたガスを供給する複数のガス供給ノズル６５，６６とを有し、該ガス供給ノズルは、それぞれ前記積層方向に沿って開口する複数のガス供給口を有し、前記複数の気化ユニットは前記制御部によりそれぞれ個別に気化量が制御される。
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【課題】スループットを向上した基板処理方法、及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、４つのボートを搬送ステージ２２の周方向に沿って等配し、各ボートの上方に、ＬＬ室１２Ａ、エッチング室１３Ａ、及び冷却室１５Ａを有する。そして、基板処理装置１０は、搬送ステージ２２の上動と回動とを繰り返すことにより、全てのボートにある基板群を同じタイミングで直上の処理室に搬入及び搬出し、かつ、各ボートにある基板群をそれぞれＬＬ室１２Ａ、エッチング室１３Ａ、冷却室１５Ａの順に搬送する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置間でのデータのコピー、移動に使用される可搬性の記憶媒体で、信頼性の低い記憶媒体であっても、コピー、移動が高精度に実行できる様にした半導体製造装置を提供する。
【解決手段】処理実行用データの第１格納手段４３と一時的に格納する第２格納手段間４５でデータの移動を制御する制御手段４２を具備し、前記第１格納手段４３からコピー元ファイルをテンポラリフォルダに１時ファイルとしてコピーし、前記コピー元ファイルを前記第２格納手段４５のコピー先フォルダにコピー先ファイルとしてコピーし、前記１時ファイル及び前記コピー先ファイルを所定バイト単位で各々比較し、差異があればファイル異常として前記第２格納手段４５の前記コピー先ファイル及び前記テンポラリフォルダの前記１時ファイルを削除し、ファイル全ての比較で差異がない場合は、前記テンポラリフォルダの前記１時ファイルを削除する。 （もっと読む）

【課題】 基板面内、面間の処理を均一化するとともに、併せてグリッドのスパッタを抑制することを可能にする。
【解決手段】 被処理基板を処理する半導体デバイス製造装置において、プラズマを発生するプラズマ発生室１７と、プラズマ発生室で生成されたプラズマから電子を集束させるグリッド１９と、グリッドで集束させた電子を加速させるアノード２０と、アノードで加速させた電子が導入される処理室４６と、グリッド１９と処理室４６との間に設けられ正の電圧を印加される制御電極２９とを備え、処理室４６内に導入される加速電子により処理室４６内のガスをプラズマ化して被処理基板を処理するように構成される。 （もっと読む）

【課題】電極体の位置決めが容易なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】反応室内に被処理基板を所定の間隔をおいて多段に且つ同心に配置する共に、処理ガスを供給し、所定の圧力の下で前記被処理基板を処理する基板処理装置において、前記被処理基板の各々の表面から所定の距離にプラズマを発生させて基板を処理する電極体２０１を配置し、前記各電極体２０１には互いを同心に位置決めさせる位置決め部２２０を設け、前記各位置決め部にはこれらを一括に位置決めする位置決め機構２２４，２２５を設ける。 （もっと読む）