半導体装置の製造方法
【課題】ドライクリーニングにおいてガス供給管の破損を防ぎ、メンテナンス効率を高めるようにする。
【解決手段】ウエハ２００を処理室２０１内に搬入する工程と、ガス供給管１６５，１６６，１６７に原料ガスを供給して処理室２０１内に原料ガスを導入し、基板２００にシリコン又はシリコン化合物の膜を形成する工程と、処理室２０１内から基板を搬出する工程と、処理室２０１内を加熱する加熱工程と、加熱工程後に処理室２０１内の温度を低下させる降温工程と、降温工程後にガス供給管１６５，１６６，１６７にクリーニングガスを供給して処理室２０１内にクリーニングガスを導入するクリーニングガス導入工程と、を含む半導体装置の製造方法。
【解決手段】ウエハ２００を処理室２０１内に搬入する工程と、ガス供給管１６５，１６６，１６７に原料ガスを供給して処理室２０１内に原料ガスを導入し、基板２００にシリコン又はシリコン化合物の膜を形成する工程と、処理室２０１内から基板を搬出する工程と、処理室２０１内を加熱する加熱工程と、加熱工程後に処理室２０１内の温度を低下させる降温工程と、降温工程後にガス供給管１６５，１６６，１６７にクリーニングガスを供給して処理室２０１内にクリーニングガスを導入するクリーニングガス導入工程と、を含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に基板を処理する際に装置内の各部に形成された膜を除去することができる半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ホットウォール型ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置を用いてＳｉ系膜の成膜を行う場合、ガス供給管を介して原料ガス及びエッチングガスを反応炉内に供給する。しかし、ガス供給源よりガスを供給すると、ウエハのみならず、石英部品（反応管、ボート、ガス供給管（ノズルを含む）等）に膜が堆積され、累積膜厚が３μｍを超えると膜はがれが生じパーティクルの発生原因となる。
そのため、周期的にこれらの石英部品のクリーニングを行う必要があり、また石英部品の消耗度合によっては新品に交換する必要もある。ウエハの処理毎にウエットクリーニング（フッ硝酸、フッ酸などのＳｉ系膜エッチング溶液）を行う方法もあるが、洗浄及び乾燥工程が入るためメンテナンスに時間がかかり、メンテナンス性が悪い。また、石英部品を取り外す際、反応炉内を大気に曝すことになり汚染原因となるため高洗浄化を保つのに好ましくない。
そこで、石英部品を装置に取り付けた状態で、Ｎ２雰囲気中でクリーニングガス（例えばＣｌＦ３）を反応炉内に導入することで、Ｓｉ系膜のドライエッチングによるクリーニングを行うことがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、Ｓｉ系膜の成膜の際、原料ガス用のガス供給管（ノズルを含む）内部では反応炉よりも圧力が高くなるため、炉内よりも膜が厚く堆積してしまう。そのため、ガス供給管には膜による応力が蓄積される。ガス供給管に応力が蓄積された状態でクリーニングガスをガス供給管に流通させると、ガス供給管内の膜が急激にエッチングされるため、応力の開放が急激である。そのため、ガス供給管にひび割れ等の破損が生ずる。またこれによりパーティクルの発生及びドライクリーニング後のガス供給管交換により、メンテナンス効率が悪化する問題がある。
【０００４】
そこで本発明の課題は、ドライクリーニングにおいてガス供給管の破損を防ぐとともにメンテナンス効率を向上させることである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以上の課題を解決するために、本発明によれば、
基板を処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内のガス供給管に原料ガスを供給して前記処理室内に前記原料ガスを導入し、前記処理室内の基板にシリコン又はシリコン化合物の膜を形成する工程と、
前記処理室内から基板を搬出する工程と、
前記処理室内を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程後、前記処理室内の温度を低下させる降温工程と、
前記降温工程後、前記ガス供給管にクリーニングガスを供給して前記処理室内に前記クリーニングガスを導入するクリーニングガス導入工程と、を含む半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、処理室内にクリーニングガスを供給する前に、クリーニングガスを供給する際の処理室内の温度よりも高温になるような加熱処理を行うことで、装置内部に形成された膜による応力の開放を緩やかにし、ノズルの破損を防ぐことができる。これにより、ノズルの破損によるパーティクルの発生を低減することができ、メンテナンス性の向上にもつながる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、図面を参照しながら本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
本実施例に係る基板処理装置は、半導体装置集積回路（ＩＣ（Integrated Circuits））の製造に使用される半導体製造装置の一例として構成されているものである。下記の説明では、基板処理装置の一例として、基板に対し熱処理等をおこなう縦型の装置を使用した場合について述べる。
【０００８】
図１は、本発明の実施形態における基板処理装置１０１の概略構成図である。
【０００９】
図１に示す通り基板処理装置１０１は、ガス供給系３００、移載機１０６、カセット１１０、処理炉２０２、ボート２１７、コントローラ２４０及び真空排気装置２４６を備える。
【００１０】
基板処理装置１０１内には複数のカセット１１０が収容されており、カセット１１０は、複数のウエハ２００を水平姿勢に整列させた状態で保持している。ウエハ２００はシリコン等の材料から構成され、円板状に形成されている。
【００１１】
移載機１０６は、ウエハ２００をカセット１１０からボート２１７へ移載したり、ボート２１７からカセット１１０へ移載したりするためのものであり、ウエハ２００をピックアップすることができるように構成されている。即ち、移載機１０６はウエハ２００をボート２１７に対し装填（ウエハチャージング）及び脱装（ウエハディスチャージング）が可能となっている。ボート２１７は、成膜処理前は処理炉２０２の真下に位置する。
【００１２】
処理炉２０２はヒータ２０６及びプロセスチューブ２０３等を有する。プロセスチューブ２０３の周囲にヒータ２０６が設けられており、プロセスチューブ２０３を加熱することができるようになっている。更に処理炉２０２には、各種処理ガスを供給するガス供給系３００及び内部を真空排気する真空排気装置２４６が接続されている。処理炉２０２の詳細については後述する。
【００１３】
コントローラ２４０は基板処理装置１０１の各種動作を制御する。
【００１４】
図２は、基板処理装置１０１の処理炉２０２の概略構成図であり、縦断面図として示されている。なお、図２はウエハ２００及びボート２１７が処理室２０１内に搬入された後の図である。図２を参照して処理炉２０２について説明する。
【００１５】
図１でも示したように、処理炉２０２は加熱機構としてのヒータ２０６を有する。ヒータ２０６は円筒形状であり、ヒータ素線とその周囲に設けられた断熱材より構成され、図示しない保持体に支持されることにより垂直に据え付けられている。
【００１６】
ヒータ２０６の内側には、ヒータ２０６と同心円状にプロセスチューブ２０３が配設されている。プロセスチューブ２０３は内部反応管としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ２０５とからなる。
【００１７】
アウターチューブ２０５は、石英（ＳｉＯ２）、炭化シリコン（ＳｉＣ）その他の耐熱性材料からなる。アウターチューブ２０５が円筒形状に形成されており、アウターチューブ２０５の上端が閉塞し、アウターチューブ２０５の下端が開口している。
【００１８】
インナーチューブ２０４は、石英、炭化シリコンその他の耐熱性材料からなる。インナーチューブ２０４が円筒形状に形成されており、インナーチューブ２０４の上端及び下端が開口している。インナーチューブ２０４がアウターチューブ２０５内に設けられている。インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５が同心となるよう配置され、インナーチューブ２０４の外径がアウターチューブ２０５の内径よりも小さい。このためインナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との間には筒状空間２５０が形成される。また、インナーチューブ２０４の上端がアウターチューブ２０５の上端天井部から下に離れており、インナーチューブ２０４の中空２１２と筒状空間２５０がその上側で連通している。
【００１９】
インナーチューブ２０４及びアウターチューブ２０５の下方には、マニホールド２０９が設けられている。マニホールド２０９はステンレスその他金属材料からなる。マニホールド２０９が円筒形状に設けられ、マニホールド２０９の上端及び下端が開口している。マニホールド２０９の上下中間部であってその内側には中板２１０が形成され、その中板２１０の中央部に通し孔２１１が貫通している。
マニホールド２０９の径がアウターチューブ２０５の径に等しく、マニホールド２０９の上端がアウターチューブ２０５の下端に連結され、アウターチューブ２０５がマニホールド２０９に支持されている。インナーチューブ２０４は中板２１０の上に立てた状態に設けられ、通し孔２１１がインナーチューブ２０４内にある。マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間にはシール部材としてのＯリングが設けられている。マニホールド２０９が図示しない保持体に支持されることにより、プロセスチューブ２０３は垂直に据え付けられた状態となっている。
【００２０】
プロセスチューブ２０３とマニホールド２０９により反応容器が形成されている。そして、反応容器内の処理室２０１が、インナーチューブ２０４の中空２１２と、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５の間の筒状空間２５０と、マニホールド２０９の中空であって中板２１０よりも下側部分の下部空間２１３とに分けられる。
【００２１】
マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９はステンレスその他の金属からなり、円板状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリングが設けられている。シールキャップ２１９には、回転機構２５４が設けられている。回転機構２５４の回転軸２５５はシールキャップ２１９を貫通してボート２１７に接続されている。回転機構２５４は、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９は、処理炉２０２の外側に設けられた昇降機構としての昇降モータ２４８によって垂直方向に昇降される。これによりボート２１７を処理室２０１に対し搬入搬出することが可能となっている。回転機構２５４及びボートエレベータ１１５には、駆動制御部２３７が電気的に接続されており、所望の動作をするよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００２２】
基板保持具としてのボート２１７は、石英、炭化珪素その他の耐熱性材料からなり、複数枚（例えば５０〜１５０枚程度）のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。なおボート２１７の下部には、石英、炭化珪素その他の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板２１６が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ２０６からの熱がマニホールド２０９側に伝わりにくくなるよう構成されている。
【００２３】
また、インナーチューブ２０４の内部には温度センサ２６３が設けられている。
ヒータ２０６と温度センサ２６３には、電気的に温度制御部２３８が接続されており、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合を調整することにより処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００２４】
ガス供給管１６５，１６７及び４本のガス供給管１６６がマニホールド２０９に設けられている。これらガス供給管１６５，１６６，１６７はマニホールド２０９の外からマニホールド２０９を貫通して、処理室２０１内まで配管されている。ガス供給管１６５，１６６，１６７の下流側端部がノズルになっている。
【００２５】
ガス供給管１６５の下流側端部がマニホールド２０９内の下部空間２１３内にある。ガス供給管１６５の上流側が方向切替弁３３１に接続されている。方向切替弁３３１は３ポートの方向切替弁である。方向切替弁３３２の第１のポートがガス供給管１６５に接続されている。方向切替弁３３２の第２のポートがバルブ３２１及びＭＦＣ（マスフローコントローラ）３１１を介して原料ガス供給源３０１に接続されているとともに、バルブ３２２及びＭＦＣ３１２を介して希釈ガス供給源３０２に接続されている。方向切替弁３３２の第３のポートがバルブ３２５及びＭＦＣ３１５を介して不活性ガス供給源３０５に接続されているとともにバルブ３２６及びＭＦＣ３１６を介してクリーニングガス供給源３０６に接続されている。方向切替弁３３１の切替位置は２位置であり、第１の切替位置では、ガス供給管１６５がバルブ３２１及びバルブ３２２に通じた状態になり、第２の切替位置では、ガス供給管１６５がバルブ３２５及びバルブ３２６に通じた状態になる。
【００２６】
４本のガス供給管１６６のうち１本のガス供給管１６６の下流側端部が下部空間２１３内にあり、他の３本のガス供給管１６６の下流側端部がインナーチューブ２０４の中空２１２内にあり、これら３本のガス供給管１６６の下流側端部の高さが異なっている。ガス供給管１６６の上流側が方向切替弁３３３の第１のポートに接続されている。方向切替弁３３３の第２のポートがバルブ３２３及びＭＦＣ３１３を介して原料ガス供給源３０３に接続され、第３のポートがバルブ３２５及びＭＦＣ３１５を介して不活性ガス供給源３０５に接続されているとともにバルブ３２６及びＭＦＣ３１６を介してクリーニングガス供給源３０６に接続されている。方向切替弁３３３の切替位置は２位置であり、第１の切替位置では、ガス供給管１６６がバルブ３２３に通じた状態になり、第２の切替位置では、ガス供給管１６６がバルブ３２５及びバルブ３２６に通じた状態になる。
【００２７】
ガス供給管１６７の下流側端部が下部空間２１３内にある。ガス供給管１６７の上流側が方向切替弁３３４の第１のポートに接続されている。方向切替弁３３４の第２のポートがバルブ３２４及びＭＦＣ３１４を介してエッチングガス供給源３０４に接続され、第３のポートがバルブ３２５及びＭＦＣ３１５を介して不活性ガス供給源３０５に接続されているとともにバルブ３２６及びＭＦＣ３１６を介してクリーニングガス供給源３０６に接続されている。方向切替弁３３４の切替位置は２位置であり、第１の切替位置では、ガス供給管１６７がバルブ３２４に通じた状態になり、第２の切替位置では、ガス供給管１６７がバルブ３２５及びバルブ３２６に通じた状態になる。
【００２８】
原料ガス供給源３０１には、モノシランガス（ＳｉＨ４）等その他のシランガスが封入されている。希釈ガス供給源３０２には、水素ガス、ヘリウムガスその他の希釈ガスが封入されている。原料ガス供給源３０３には、モノゲルマンガス（ＧｅＨ４）等その他のゲルマンガスが封入されている。エッチングガス供給源３０４には、塩素ガス、塩化水素ガスその他のエッチングガスが封入されている。不活性ガス供給源３０５には、窒素ガス、アルゴンガスその他の不活性ガスが封入されている。クリーニングガス供給源３０６には、三フッ化塩素ガス（ＣｌＦ３）等その他のクリーニングガスが封入されている。
【００２９】
ＭＦＣ３１１〜３１６は、それに流れるガスの流量を検出するとともに、流量を調節するガス流量制御装置である。
【００３０】
ＭＦＣ３１１〜３１６及びバルブ３２１〜３２６にはガス流量制御部２３５が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の流量となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。方向切替弁３３１，３３３，３３４にはガス流量制御部２３５が電気的に接続されており、方向切替弁３３１，３３３，３３４の切替位置がガス流量制御部２３５によって制御される。
【００３１】
マニホールド２０９にガス排気管２３１が設けられ、このガス排気管２３１が筒状空間２５０に通じている。ガス排気管２３１の下流側には、圧力検出器としての圧力センサ２４３及び圧力調整器としてのＡＰＣバルブ２４２を介して、真空ポンプ等の真空排気装置２４６が接続されている。圧力センサ２４３及びＡＰＣバルブ２４２には、圧力制御部２３６が電気的に接続されており、圧力センサ２４３により検出された圧力に基づいてＡＰＣバルブ２４２の開度を調節することにより、処理室２０１内の圧力が所望の圧力となるように所望のタイミングにて制御するよう構成されている。
【００３２】
ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置１０１全体を制御する主制御部２３９に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８、主制御部２３９は、コントローラ２４０として構成されている。
【００３３】
次に、上記構成に係る基板処理装置１０１の主な動作とともに、半導体デバイスの製造方法について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ２４０により制御される。
【００３４】
基板処理動作について説明する。
工場内搬送装置（図示略）によって複数のカセット１１０が基板処理装置１０１内に搬入されると、移載機１０６はウエハ２００をカセット１１０からボート２１７に装填（ウエハチャージング）する。ボート２１７にウエハ２００を受け渡した移載機１０６は、カセット１１０に戻り後続のウエハ２００をボート２１７に装填する。
【００３５】
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージング）されると、コントローラ２４０が駆動制御部２３７によりボートエレベータ１１５を上昇動作させる。そうすると、ウエハ２００群を保持したボート２１７がボートエレベータ１１５の上昇動作により処理炉２０２内に搬入（ボートローディング）され、マニホールド２０９の下端の開口がシールキャップ２１９によって閉塞される。そして、コントローラ２４０が駆動制御部２３７によりボートエレベータ１１５を作動させる。
【００３６】
続いて、コントローラ２４０が圧力制御部２３６により真空排気装置２４６を動作させると、処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように真空排気装置２４６によって真空排気される。この際、処理室２０１内の圧力は圧力センサ２４３で測定され、この測定された圧力に基づきＡＰＣバルブ２４２がコントローラ２４０の圧力制御部２３６によりフィードバック制御される。
また、コントローラ２４０が温度制御部２３８によりヒータ２０６を発熱させると、処理室２０１内が所望の温度となるようにヒータ２０６によって加熱される。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合がコントローラ２４０の温度制御部２３８によってフィードバック制御される。
続いて、コントローラ２４０が駆動制御部２３７によって回転機構２５４を回転させる。回転機構２５４により、ボート２１７が回転されることでウエハ２００が回転される。回転機構２５４の回転はその後も継続される。
【００３７】
続いて、コントローラ２４０がガス流量制御部２３５によって方向切替弁３３１の切替位置を切り替え、方向切替弁３３１によってガス供給管１６５がバルブ３２１，３２２に通じた状態になる。同様に、方向切替弁３３３，３３４の切り替え位置が切り替えられ、方向切替弁３３３によってガス供給管１６６がバルブ３２３に通じた状態になり、方向切替弁３３４によってガス供給管１６７がバルブ３２４に通じた状態になる。
【００３８】
そして、コントローラ２４０がガス流量制御部２３５によってＭＦＣ３１１〜３１４の設定流量を設定した後、バルブ３２１〜３２４を開く。そうすると、シランガスと希釈ガスとの混合ガスがガス供給管１６５を流通して処理室２０１内に導入され、ゲルマンガスがガス供給管１６６を流通して処理室２０１内に導入され、エッチングガスがガス供給管１６７を流通して処理室２０１内に導入される。処理室２０１内に導入された各種ガスは、インナーチューブ２０４の中空２１２内を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０に流出してガス排気管２３１から排気される。これらガスが処理室２０１内を通過する際にウエハ２００と接触することにより、ウエハ２００の表面上にＥｐｉ−ＳｉＧｅ膜が選択成長する。また、ボート２１７、インナーチューブ２０４及びアウターチューブ２０５等にも膜（例えば、Ｅｐｉ−ＳｉＧｅ膜）が成長し、ガス供給管１６５，１６６，１６７の内壁にも膜が成長する。
なお、コントローラ２４０がバルブ３２３を開かず、バルブ３２１，３２２，３２４のみを開いてもよい。これにより、ゲルマンガスが処理室２０１内に導入されないから、ウエハ２００の表面上にＥｐｉ−Ｓｉ膜が選択成長する。そのため、基板処理装置１０１がウエハ２００にＥｐｉ−Ｓｉ膜を形成するためだけの装置であれば、原料ガス供給源３０３、ＭＦＣ３１３、バルブ３２３、方向切替弁３３３及びガス供給管１６６が設けられていない。
また、コントローラ２４０がバルブ３２４を開かず、バルブ３２１，３２２，３２３を開いてもよい。そうすると、エッチングガスが処理室２０１内に導入されないから、ウエハ２００の表面上にｐｏｌｙ−ＳｉＧｅ膜が堆積（デポジション）される。
また、コントローラ２４０がバルブ３２３，３２４を開かず、バルブ３２１，３２２を開いてもよい。そうすると、エッチングガス及びゲルマンガスが処理室２０１内に導入されないから、ウエハ２００の表面上にＥｐｉ−Ｓｉ膜が堆積（デポジション）される。
【００３９】
ガス導入後、予め設定された時間が経過すると、コントローラ２４０がバルブ３２１〜３２４を閉じる。そして、コントローラ２４０が方向切替弁３３１，３３３，３３４の切替位置を切り替える。そうすると、方向切替弁３３１によってガス供給管１６５がバルブ３２５に通じた状態になり、方向切替弁３３３によってガス供給管１６６がバルブ３２５に通じた状態になり、方向切替弁３３４によってガス供給管１６７がバルブバルブ３２５に通じた状態になる。
【００４０】
そして、コントローラ２４０がＭＦＣ３１５の設定流量を設定した後、バルブ３２５を開く。そうすると、不活性ガス供給源３０５内の不活性ガスがガス供給管１６５，１６６，１６７を流通して処理室２０１内に導入される。これにより、処理室２０１内が不活性ガスで置換されると共に、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される。
【００４１】
続いて、コントローラ２４０が駆動制御部２３７により回転機構２５４を停止させるとともにボートエレベータ１１５を下降動作させる。シールキャップ２１９及びボート２１７がボートエレベータ１１５の下降動作により下降されて、マニホールド２０９の下端が開口されるとともに、ウエハ２００を保持したボート２１７が処理室２０１の外部に搬出（ボートアンローディング）される。続いて移載機１０６により、処理済ウエハ２００がボート２１７からカセット１１０に移載される。処理済ウエハ２００が載置されたカセット１１０は、工場内搬送装置（図示略）によって基板処理装置１０１から取り出される。
【００４２】
以後、上述の基板処理動作が繰り返されることで、ウエハ２００が次々に処理されていく。そして、上述の基板処理動作が繰り返されている際に、処理炉２０２のクリーニング処理動作が行われる。クリーニング処理動作は、上述の基板処理動作が１回又は複数回行われる毎に行われる。以下、クリーニング処理動作について具体的に説明する。
【００４３】
処理済ウエハ２００がカセット１１０に移載された後、ボート２１７にウエハ２００が載置されてない状態で、コントローラ２４０がボートエレベータ１１５を上昇動作させる。
【００４４】
次に、コントローラ２４０が方向切替弁３３１，３３３，３３４の切替位置を切り替える。そうすると、方向切替弁３３１によってガス供給管１６５がバルブ３２５，３２６に通じた状態になり、方向切替弁３３３によってガス供給管１６６がバルブ３２５，３２６に通じた状態になり、方向切替弁３３４によってガス供給管１６７がバルブ３２５，３２６に通じた状態になる。
【００４５】
次に、コントローラ２４０がバルブ３２５を開放状態にする。更に、コントローラ２４０が圧力センサ２４３による検出圧力を入力して、その検出圧力基づいてＡＰＣバルブ２４２の開度を調節するフィードバック制御を行う。そうすると、不活性ガスが処理室２０１内に導入されて処理室２０１内が不活性ガス雰囲気になるとともに、処理室２０１内の圧力が５０〜５００Ｐａになる。
【００４６】
次に、コントローラ２４０が温度制御部２３８によってヒータ２０６を発熱させ、処理室２０１及びその内部のガス供給管１６５，１６６，１６７がヒータ２０６によって加熱される。ここで、コントローラ２４０は、温度センサ２６３による検出温度を入力することによって、ヒータ２０６による昇温速度を１０〜３０℃／ｍｉｎにフィードバック制御する。処理室２０１の温度が加熱開始後３０分間で７５０〜８００℃に達することが好ましい。
【００４７】
加熱処理中、コントローラ２４０が温度センサ２６３による検出温度を上閾値（上閾値は６００〜９００℃の範囲内であり、好ましくは７５０〜８００℃範囲内である。）と比較する。そして、処理室２０１及びガス供給管１６５，１６６，１６７が６００〜９００℃、好ましくは７５０〜８００℃にまで昇温して、コントローラ２４０が温度センサ２６３による検出温度が上閾値に達したことを認識したら、ヒータ２０６による加熱を停止するか又はヒータ２０６の発熱量を低下させる。そうすると、処理室２０１及びガス供給管１６５，１６６，１６７の温度が降温する。このように、ガス供給管１６５，１６６，１６７が６００〜９００℃にまで加熱されると、ガス供給管１６５，１６６，１６７内に形成された薄膜にクラックが生じ、これによりガス供給管１６５，１６６，１６７に生じた残留応力が緩和される。同様に、ボート２１７、インナーチューブ２０４及びアウターチューブ２０５の表面に形成された膜にもクラックが生じ、ボート２１７、インナーチューブ２０４及びアウターチューブ２０５の表面の残留応力が緩和される。
【００４８】
降温処理中、コントローラ２４０が温度センサ２６３による検出温度を下閾値（下閾値は３５０〜５５０℃の範囲内である。）と比較する。そして、処理室２０１及びガス供給管１６５，１６６，１６７が３５０〜５５０℃まで低下し、コントローラ２４０が温度センサ２６３による検出温度が下閾値に達したことを認識したら、ＭＦＣ３１５の設定流量を１０００〜４５００ｓｃｃｍに設定するとともに、ＭＦＣ３１６の設定流量を５００〜２５００ｓｃｃｍに設定する。更に、コントローラ２４０がバルブ３２５，３２６を開放状態にする。
【００４９】
これにより、クリーニングガス及び不活性ガスがガス供給管１６５，１６６，１６７を流通して、処理室２０１内に導入される。クリーニングガスがガス供給管１６５，１６６，１６７を流通することで、ガス供給管１６５，１６６，１６７内に形成された膜がドライエッチングされて除去される。上記のように予め加熱処理されて膜にクラックが生じているから、膜がエッチングされても、ガス供給管１６５，１６６，１６７の残留応力が急激に変化することはない。そのため、膜のエッチングによるガス供給管１６５，１６６，１６７の破損を防止することができる。
【００５０】
処理室２０１内に導入されたクリーニングガス及び不活性ガスはインナーチューブ２０４の中空２１２内を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０に流出してガス排気管２３１から排気される。処理室２０１内をクリーニングガスが流動することで、ボート２１７、インナーチューブ２０４及びアウターチューブ２０５の表面に形成された膜がエッチングされる。
【００５１】
クリーニングガス及び不活性ガスが導入されている際に、クリーニングガスの流量がＭＦＣ３１６によって設定流量（５００〜２５００ｓｃｃｍ）に調整され、不活性ガスの流量がＭＦＣ３１５によって設定流量（１０００〜４５００ｓｃｃｍ）に調整される。なお、不活性ガスはクリーニングガスを希釈するためのものである。
【００５２】
また、クリーニングガス及び不活性ガスが導入されている際に、コントローラ２４０が圧力センサ２４３による検出圧力を入力して、その検出圧力に基づいてＡＰＣバルブ２４２の開度を調節するフィードバック制御を行う。これにより、処理室２０１内の圧力が５０〜５００Ｐａに保たれる。
【００５３】
また、クリーニングガス及び不活性ガスが導入されている際に、コントローラ２４０が温度センサ２６３による検出温度を入力して、その検出温度に基づきヒータ２０６の通電具合を調整するフィードバック制御（等温度制御）を行う。これにより、処理室２０１の温度が３５０〜５５０℃に保たれる。
【００５４】
コントローラ２４０がバルブ３２５，３２６を開放状態にして、クリーニングガス及び不活性ガスが導入され始めた時から予め設定された時間が経過すると、コントローラ２４０がバルブ３２６を閉じた状態にする。これにより、クリーニングガスの供給が止まり、不活性ガスのみが処理室２０１内に導入されることで、処理室２０１内が不活性ガスで置換されるとともに、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される。
【００５５】
続いて、基板処理装置１０１内の石英部品（インナーチューブ２０４、アウターチューブ２０５、ボート２１７、ノズルを含むガス供給管１６５，１６６，１６７）にＳｉコーティングを行う。これは、処理時に石英が基板に対して汚染するのを防止する為である。
【００５６】
続いて、コントローラ２４０が圧力制御部２３６により真空排気装置２４６を動作させると、処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように真空排気装置２４６によって真空排気される。この際、処理室２０１内の圧力は圧力センサ２４３で測定され、この測定された圧力に基づきＡＰＣバルブ２４２がコントローラ２４０の圧力制御部２３６によりフィードバック制御される。
また、コントローラ２４０が温度制御部２３８によりヒータ２０６を発熱させると、処理室２０１内が所望の温度となるようにヒータ２０６によって加熱される。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合がコントローラ２４０の温度制御部２３８によってフィードバック制御される。
続いて、コントローラ２４０が駆動制御部２３７によって回転機構２５４を回転させる。回転機構２５４により、ボート２１７が回転されることでウエハ２００が回転される。回転機構２５４の回転はその後も継続される。
【００５７】
続いて、コントローラ２４０がガス流量制御部２３５によって方向切替弁３３１の切替位置を切り替え、方向切替弁３３１によってガス供給管１６５がバルブ３２１，３２２に通じた状態になる。そして、コントローラ２４０がガス流量制御部２３５によってＭＦＣ３１１，３１２の設定流量を設定した後、バルブ３２１，３２２を開く。そうすると、シランガスと希釈ガスとの混合ガスがガス供給管１６５を流通して処理室２０１内に導入される。処理室２０１内に導入されたシランガスと希釈ガスは、インナーチューブ２０４の中空２１２内を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０に流出してガス排気管２３１から排気される。これらのガスが処理室２０１内を通過する際に基板処理装置１０１内の石英部品と接触することにより、石英部品にＳｉをコーティングする。
【００５８】
続いて、コントローラ２４０がボートエレベータ１１５を下降動作させる。そうすると、シールキャップ２１９及びボート２１７がボートエレベータ１１５によって下降される。
【００５９】
その後、上述の基板処理動作が再び行われる。
【００６０】
以上に示された本発明の実施形態によれば、クリーニングガス導入前に昇温処理を行うことによって、原料ガスによってガス供給管１６５，１６６，１６７に形成された膜にクラックが導入され、ガス供給管１６５，１６６，１６７の応力が緩和される。このため、その後、ガス供給管１６５，１６６，１６７内の膜がクリーニングガスによって急激にエッチングされても、ガス供給管１６５，１６６，１６７の応力の解放が急激でない。そのため、ガス供給管１６５，１６６，１６７の破損及び劣化を防止できる。従って、ガス供給管１６５，１６６，１６７の破損によるパーティクル発生を防止できるとともに、ガス供給管１６５，１６６，１６７の交換頻度を減少させることができる。そのため、基板処理装置１０１のメンテナンス性が向上するとともに、メンテナンスに要するコスト及び時間も低減することができる。
【００６１】
また、ガス供給管１６５，１６６，１６７と同様に、エッチングによるボート２１７、インナーチューブ２０４及びアウターチューブ２０５の表面の破損及び劣化を防止することができる。
【００６２】
本実施形態ではＳｉ系ポリシリコン膜成膜後のＣｌＦ３ガスクリーニングについて示したが、気相反応と表面反応を利用して成膜するＣＶＤ法を用いて成膜したＳｉＮ系膜や、ＡＬＤ法を用いて成膜したＳｉＮ系膜成膜後のＦ２ガスクリーニング工程にも適用可能である。
【００６３】
また、ガス供給管１６５，１６６，１６７にヒータを固着させ、クリーニングガス導入前の加熱処理においてそのヒータによってガス供給管１６５，１６６，１６７を直接加熱するようにしてもよい。温度センサについても、ガス供給管１６５，１６６，１６７に固着してもよい。同様に、ボート２１７、インナーチューブ２０４及びアウターチューブ２０５の表面にヒータ又は温度センサを固着してもよい。
【００６４】
以上、本発明の好ましい実施形態を説明したが、本発明の好ましい第１の態様によれば、
基板を処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内のガス供給管に原料ガスを供給して前記処理室内に前記原料ガスを導入し、前記処理室内の基板にシリコン又はシリコン化合物の膜を形成する工程と、
前記処理室内から基板を搬出する工程と、
前記処理室内を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程後、前記処理室内の温度を低下させる降温工程と、
前記降温工程後、前記ガス供給管にクリーニングガスを供給して前記処理室内に前記クリーニングガスを導入するクリーニングガス導入工程と、を含む半導体装置の製造方法が提供される。
【００６５】
好ましくは、前記第１の態様において、
前記加熱工程において前記処理室内の温度を６００〜９００℃まで加熱し、
前記降温工程において前記処理室内の温度を３５０〜５５０℃に低下させ、
前記クリーニングガス導入工程において前記処理室内の温度を３５０〜５５０℃とする。
【００６６】
本発明の好ましい第２の態様によれば、
基板を処理する処理室と、
前記処理室内を加熱するヒータと、
前記処理室内に設置されたガス供給管と、
少なくともクリーニングガスを前記ガス供給管に供給し、前記クリーニングガスを前記処理室内に導入させるガス供給系と、
前記ヒータにより前記処理室内を加熱する加熱工程と、前記加熱工程後に前記ヒータの発熱を停止し、又は前記ヒータの発熱量を低下させる降温工程と、前記降温工程後に前記ガス供給系により前記クリーニングガスを前記ガス供給管に供給するクリーニングガス供給工程と、を行う制御部と、を備える基板処理装置が提供される。
【００６７】
好ましくは、前記第２の態様において、
前記基板処理装置が前記処理室内の温度を検出する温度検出部を備え、
前記制御部が、前記加熱工程において前記温度検出部による検出温度を６００〜９００℃と認識したら、前記降温工程を行い、前記降温工程において前記温度検出部による検出温度を３５０〜５５０℃と認識したら、前記クリーニングガス供給工程を行う。
【００６８】
本発明の好ましい第３の態様によれば、
基板を処理する処理室と、前記処理室内に設置されたガス供給管と、クリーニングガスを前記ガス供給管に供給し、前記クリーニングガスを前記処理室内に導入させるガス供給系と、を備える基板処理装置をクリーニングする方法において、
前記処理室内を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程後、前記処理室内の温度を低下させる降温工程と、
前記降温工程後、前記ガス供給管にクリーニングガスを供給して前記処理室内に前記クリーニングガスを導入するクリーニングガス導入工程と、を含む基板処理装置のクリーニング方法が提供される。
【００６９】
好ましくは、前記第３の態様において、
前記加熱工程において前記処理室内の温度を６００〜９００℃まで加熱し、
前記降温工程において前記処理室内の温度を３５０〜５５０℃に低下させ、
前記クリーニングガス導入工程において前記処理室内の温度を３５０〜５５０℃とする。
【００７０】
本発明の第４の態様によれば、
基板を処理する処理室と、前記処理室内に設置されたガス供給管と、クリーニングガスを前記ガス供給管に供給し、前記クリーニングガスを前記処理室内に導入させるガス供給系と、を備える基板処理装置をクリーニングする方法において、
前記ガス供給管を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程後、前記ガス供給管の温度を低下させる降温工程と、
前記降温工程後、前記ガス供給管にクリーニングガスを供給して前記処理室内に前記クリーニングガスを導入するクリーニングガス導入工程と、を含む基板処理装置のクリーニング方法が提供される。
【００７１】
好ましくは、前記第４の態様において、
前記加熱工程において前記ガス供給管の温度を６００〜９００℃まで加熱し、
前記降温工程において前記ガス供給管の温度を３５０〜５５０℃に低下させ、
前記クリーニングガス導入工程において前記処理室内の温度を３５０〜５５０℃とする。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】基板処理装置の概略構成図である。
【図２】処理炉の概略構成図である。
【符号の説明】
【００７３】
１０１ 基板処理装置
１６５〜１６７ ガス供給管
２００ 基板
２０１ 処理室
２０３ プロセスチューブ
２０４ インナーチューブ
２０５ アウターチューブ
２０６ ヒータ
２４０ コントローラ
２６３ 温度センサ
３００ ガス供給系
３０１ 原料ガス供給源
３０２ 希釈ガス供給源
３０３ 原料ガス供給源
３０４ エッチングガス供給源
３０５ 不活性ガス供給源
３０６ クリーニングガス供給源
３１１〜３１６ ＭＦＣ
３２１〜３２６ バルブ
３３１、３３３、３３４ 方向切替弁
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に基板を処理する際に装置内の各部に形成された膜を除去することができる半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ホットウォール型ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置を用いてＳｉ系膜の成膜を行う場合、ガス供給管を介して原料ガス及びエッチングガスを反応炉内に供給する。しかし、ガス供給源よりガスを供給すると、ウエハのみならず、石英部品（反応管、ボート、ガス供給管（ノズルを含む）等）に膜が堆積され、累積膜厚が３μｍを超えると膜はがれが生じパーティクルの発生原因となる。
そのため、周期的にこれらの石英部品のクリーニングを行う必要があり、また石英部品の消耗度合によっては新品に交換する必要もある。ウエハの処理毎にウエットクリーニング（フッ硝酸、フッ酸などのＳｉ系膜エッチング溶液）を行う方法もあるが、洗浄及び乾燥工程が入るためメンテナンスに時間がかかり、メンテナンス性が悪い。また、石英部品を取り外す際、反応炉内を大気に曝すことになり汚染原因となるため高洗浄化を保つのに好ましくない。
そこで、石英部品を装置に取り付けた状態で、Ｎ２雰囲気中でクリーニングガス（例えばＣｌＦ３）を反応炉内に導入することで、Ｓｉ系膜のドライエッチングによるクリーニングを行うことがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、Ｓｉ系膜の成膜の際、原料ガス用のガス供給管（ノズルを含む）内部では反応炉よりも圧力が高くなるため、炉内よりも膜が厚く堆積してしまう。そのため、ガス供給管には膜による応力が蓄積される。ガス供給管に応力が蓄積された状態でクリーニングガスをガス供給管に流通させると、ガス供給管内の膜が急激にエッチングされるため、応力の開放が急激である。そのため、ガス供給管にひび割れ等の破損が生ずる。またこれによりパーティクルの発生及びドライクリーニング後のガス供給管交換により、メンテナンス効率が悪化する問題がある。
【０００４】
そこで本発明の課題は、ドライクリーニングにおいてガス供給管の破損を防ぐとともにメンテナンス効率を向上させることである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以上の課題を解決するために、本発明によれば、
基板を処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内のガス供給管に原料ガスを供給して前記処理室内に前記原料ガスを導入し、前記処理室内の基板にシリコン又はシリコン化合物の膜を形成する工程と、
前記処理室内から基板を搬出する工程と、
前記処理室内を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程後、前記処理室内の温度を低下させる降温工程と、
前記降温工程後、前記ガス供給管にクリーニングガスを供給して前記処理室内に前記クリーニングガスを導入するクリーニングガス導入工程と、を含む半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、処理室内にクリーニングガスを供給する前に、クリーニングガスを供給する際の処理室内の温度よりも高温になるような加熱処理を行うことで、装置内部に形成された膜による応力の開放を緩やかにし、ノズルの破損を防ぐことができる。これにより、ノズルの破損によるパーティクルの発生を低減することができ、メンテナンス性の向上にもつながる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、図面を参照しながら本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
本実施例に係る基板処理装置は、半導体装置集積回路（ＩＣ（Integrated Circuits））の製造に使用される半導体製造装置の一例として構成されているものである。下記の説明では、基板処理装置の一例として、基板に対し熱処理等をおこなう縦型の装置を使用した場合について述べる。
【０００８】
図１は、本発明の実施形態における基板処理装置１０１の概略構成図である。
【０００９】
図１に示す通り基板処理装置１０１は、ガス供給系３００、移載機１０６、カセット１１０、処理炉２０２、ボート２１７、コントローラ２４０及び真空排気装置２４６を備える。
【００１０】
基板処理装置１０１内には複数のカセット１１０が収容されており、カセット１１０は、複数のウエハ２００を水平姿勢に整列させた状態で保持している。ウエハ２００はシリコン等の材料から構成され、円板状に形成されている。
【００１１】
移載機１０６は、ウエハ２００をカセット１１０からボート２１７へ移載したり、ボート２１７からカセット１１０へ移載したりするためのものであり、ウエハ２００をピックアップすることができるように構成されている。即ち、移載機１０６はウエハ２００をボート２１７に対し装填（ウエハチャージング）及び脱装（ウエハディスチャージング）が可能となっている。ボート２１７は、成膜処理前は処理炉２０２の真下に位置する。
【００１２】
処理炉２０２はヒータ２０６及びプロセスチューブ２０３等を有する。プロセスチューブ２０３の周囲にヒータ２０６が設けられており、プロセスチューブ２０３を加熱することができるようになっている。更に処理炉２０２には、各種処理ガスを供給するガス供給系３００及び内部を真空排気する真空排気装置２４６が接続されている。処理炉２０２の詳細については後述する。
【００１３】
コントローラ２４０は基板処理装置１０１の各種動作を制御する。
【００１４】
図２は、基板処理装置１０１の処理炉２０２の概略構成図であり、縦断面図として示されている。なお、図２はウエハ２００及びボート２１７が処理室２０１内に搬入された後の図である。図２を参照して処理炉２０２について説明する。
【００１５】
図１でも示したように、処理炉２０２は加熱機構としてのヒータ２０６を有する。ヒータ２０６は円筒形状であり、ヒータ素線とその周囲に設けられた断熱材より構成され、図示しない保持体に支持されることにより垂直に据え付けられている。
【００１６】
ヒータ２０６の内側には、ヒータ２０６と同心円状にプロセスチューブ２０３が配設されている。プロセスチューブ２０３は内部反応管としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ２０５とからなる。
【００１７】
アウターチューブ２０５は、石英（ＳｉＯ２）、炭化シリコン（ＳｉＣ）その他の耐熱性材料からなる。アウターチューブ２０５が円筒形状に形成されており、アウターチューブ２０５の上端が閉塞し、アウターチューブ２０５の下端が開口している。
【００１８】
インナーチューブ２０４は、石英、炭化シリコンその他の耐熱性材料からなる。インナーチューブ２０４が円筒形状に形成されており、インナーチューブ２０４の上端及び下端が開口している。インナーチューブ２０４がアウターチューブ２０５内に設けられている。インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５が同心となるよう配置され、インナーチューブ２０４の外径がアウターチューブ２０５の内径よりも小さい。このためインナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との間には筒状空間２５０が形成される。また、インナーチューブ２０４の上端がアウターチューブ２０５の上端天井部から下に離れており、インナーチューブ２０４の中空２１２と筒状空間２５０がその上側で連通している。
【００１９】
インナーチューブ２０４及びアウターチューブ２０５の下方には、マニホールド２０９が設けられている。マニホールド２０９はステンレスその他金属材料からなる。マニホールド２０９が円筒形状に設けられ、マニホールド２０９の上端及び下端が開口している。マニホールド２０９の上下中間部であってその内側には中板２１０が形成され、その中板２１０の中央部に通し孔２１１が貫通している。
マニホールド２０９の径がアウターチューブ２０５の径に等しく、マニホールド２０９の上端がアウターチューブ２０５の下端に連結され、アウターチューブ２０５がマニホールド２０９に支持されている。インナーチューブ２０４は中板２１０の上に立てた状態に設けられ、通し孔２１１がインナーチューブ２０４内にある。マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間にはシール部材としてのＯリングが設けられている。マニホールド２０９が図示しない保持体に支持されることにより、プロセスチューブ２０３は垂直に据え付けられた状態となっている。
【００２０】
プロセスチューブ２０３とマニホールド２０９により反応容器が形成されている。そして、反応容器内の処理室２０１が、インナーチューブ２０４の中空２１２と、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５の間の筒状空間２５０と、マニホールド２０９の中空であって中板２１０よりも下側部分の下部空間２１３とに分けられる。
【００２１】
マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９はステンレスその他の金属からなり、円板状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリングが設けられている。シールキャップ２１９には、回転機構２５４が設けられている。回転機構２５４の回転軸２５５はシールキャップ２１９を貫通してボート２１７に接続されている。回転機構２５４は、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９は、処理炉２０２の外側に設けられた昇降機構としての昇降モータ２４８によって垂直方向に昇降される。これによりボート２１７を処理室２０１に対し搬入搬出することが可能となっている。回転機構２５４及びボートエレベータ１１５には、駆動制御部２３７が電気的に接続されており、所望の動作をするよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００２２】
基板保持具としてのボート２１７は、石英、炭化珪素その他の耐熱性材料からなり、複数枚（例えば５０〜１５０枚程度）のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。なおボート２１７の下部には、石英、炭化珪素その他の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板２１６が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ２０６からの熱がマニホールド２０９側に伝わりにくくなるよう構成されている。
【００２３】
また、インナーチューブ２０４の内部には温度センサ２６３が設けられている。
ヒータ２０６と温度センサ２６３には、電気的に温度制御部２３８が接続されており、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合を調整することにより処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００２４】
ガス供給管１６５，１６７及び４本のガス供給管１６６がマニホールド２０９に設けられている。これらガス供給管１６５，１６６，１６７はマニホールド２０９の外からマニホールド２０９を貫通して、処理室２０１内まで配管されている。ガス供給管１６５，１６６，１６７の下流側端部がノズルになっている。
【００２５】
ガス供給管１６５の下流側端部がマニホールド２０９内の下部空間２１３内にある。ガス供給管１６５の上流側が方向切替弁３３１に接続されている。方向切替弁３３１は３ポートの方向切替弁である。方向切替弁３３２の第１のポートがガス供給管１６５に接続されている。方向切替弁３３２の第２のポートがバルブ３２１及びＭＦＣ（マスフローコントローラ）３１１を介して原料ガス供給源３０１に接続されているとともに、バルブ３２２及びＭＦＣ３１２を介して希釈ガス供給源３０２に接続されている。方向切替弁３３２の第３のポートがバルブ３２５及びＭＦＣ３１５を介して不活性ガス供給源３０５に接続されているとともにバルブ３２６及びＭＦＣ３１６を介してクリーニングガス供給源３０６に接続されている。方向切替弁３３１の切替位置は２位置であり、第１の切替位置では、ガス供給管１６５がバルブ３２１及びバルブ３２２に通じた状態になり、第２の切替位置では、ガス供給管１６５がバルブ３２５及びバルブ３２６に通じた状態になる。
【００２６】
４本のガス供給管１６６のうち１本のガス供給管１６６の下流側端部が下部空間２１３内にあり、他の３本のガス供給管１６６の下流側端部がインナーチューブ２０４の中空２１２内にあり、これら３本のガス供給管１６６の下流側端部の高さが異なっている。ガス供給管１６６の上流側が方向切替弁３３３の第１のポートに接続されている。方向切替弁３３３の第２のポートがバルブ３２３及びＭＦＣ３１３を介して原料ガス供給源３０３に接続され、第３のポートがバルブ３２５及びＭＦＣ３１５を介して不活性ガス供給源３０５に接続されているとともにバルブ３２６及びＭＦＣ３１６を介してクリーニングガス供給源３０６に接続されている。方向切替弁３３３の切替位置は２位置であり、第１の切替位置では、ガス供給管１６６がバルブ３２３に通じた状態になり、第２の切替位置では、ガス供給管１６６がバルブ３２５及びバルブ３２６に通じた状態になる。
【００２７】
ガス供給管１６７の下流側端部が下部空間２１３内にある。ガス供給管１６７の上流側が方向切替弁３３４の第１のポートに接続されている。方向切替弁３３４の第２のポートがバルブ３２４及びＭＦＣ３１４を介してエッチングガス供給源３０４に接続され、第３のポートがバルブ３２５及びＭＦＣ３１５を介して不活性ガス供給源３０５に接続されているとともにバルブ３２６及びＭＦＣ３１６を介してクリーニングガス供給源３０６に接続されている。方向切替弁３３４の切替位置は２位置であり、第１の切替位置では、ガス供給管１６７がバルブ３２４に通じた状態になり、第２の切替位置では、ガス供給管１６７がバルブ３２５及びバルブ３２６に通じた状態になる。
【００２８】
原料ガス供給源３０１には、モノシランガス（ＳｉＨ４）等その他のシランガスが封入されている。希釈ガス供給源３０２には、水素ガス、ヘリウムガスその他の希釈ガスが封入されている。原料ガス供給源３０３には、モノゲルマンガス（ＧｅＨ４）等その他のゲルマンガスが封入されている。エッチングガス供給源３０４には、塩素ガス、塩化水素ガスその他のエッチングガスが封入されている。不活性ガス供給源３０５には、窒素ガス、アルゴンガスその他の不活性ガスが封入されている。クリーニングガス供給源３０６には、三フッ化塩素ガス（ＣｌＦ３）等その他のクリーニングガスが封入されている。
【００２９】
ＭＦＣ３１１〜３１６は、それに流れるガスの流量を検出するとともに、流量を調節するガス流量制御装置である。
【００３０】
ＭＦＣ３１１〜３１６及びバルブ３２１〜３２６にはガス流量制御部２３５が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の流量となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。方向切替弁３３１，３３３，３３４にはガス流量制御部２３５が電気的に接続されており、方向切替弁３３１，３３３，３３４の切替位置がガス流量制御部２３５によって制御される。
【００３１】
マニホールド２０９にガス排気管２３１が設けられ、このガス排気管２３１が筒状空間２５０に通じている。ガス排気管２３１の下流側には、圧力検出器としての圧力センサ２４３及び圧力調整器としてのＡＰＣバルブ２４２を介して、真空ポンプ等の真空排気装置２４６が接続されている。圧力センサ２４３及びＡＰＣバルブ２４２には、圧力制御部２３６が電気的に接続されており、圧力センサ２４３により検出された圧力に基づいてＡＰＣバルブ２４２の開度を調節することにより、処理室２０１内の圧力が所望の圧力となるように所望のタイミングにて制御するよう構成されている。
【００３２】
ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置１０１全体を制御する主制御部２３９に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８、主制御部２３９は、コントローラ２４０として構成されている。
【００３３】
次に、上記構成に係る基板処理装置１０１の主な動作とともに、半導体デバイスの製造方法について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ２４０により制御される。
【００３４】
基板処理動作について説明する。
工場内搬送装置（図示略）によって複数のカセット１１０が基板処理装置１０１内に搬入されると、移載機１０６はウエハ２００をカセット１１０からボート２１７に装填（ウエハチャージング）する。ボート２１７にウエハ２００を受け渡した移載機１０６は、カセット１１０に戻り後続のウエハ２００をボート２１７に装填する。
【００３５】
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージング）されると、コントローラ２４０が駆動制御部２３７によりボートエレベータ１１５を上昇動作させる。そうすると、ウエハ２００群を保持したボート２１７がボートエレベータ１１５の上昇動作により処理炉２０２内に搬入（ボートローディング）され、マニホールド２０９の下端の開口がシールキャップ２１９によって閉塞される。そして、コントローラ２４０が駆動制御部２３７によりボートエレベータ１１５を作動させる。
【００３６】
続いて、コントローラ２４０が圧力制御部２３６により真空排気装置２４６を動作させると、処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように真空排気装置２４６によって真空排気される。この際、処理室２０１内の圧力は圧力センサ２４３で測定され、この測定された圧力に基づきＡＰＣバルブ２４２がコントローラ２４０の圧力制御部２３６によりフィードバック制御される。
また、コントローラ２４０が温度制御部２３８によりヒータ２０６を発熱させると、処理室２０１内が所望の温度となるようにヒータ２０６によって加熱される。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合がコントローラ２４０の温度制御部２３８によってフィードバック制御される。
続いて、コントローラ２４０が駆動制御部２３７によって回転機構２５４を回転させる。回転機構２５４により、ボート２１７が回転されることでウエハ２００が回転される。回転機構２５４の回転はその後も継続される。
【００３７】
続いて、コントローラ２４０がガス流量制御部２３５によって方向切替弁３３１の切替位置を切り替え、方向切替弁３３１によってガス供給管１６５がバルブ３２１，３２２に通じた状態になる。同様に、方向切替弁３３３，３３４の切り替え位置が切り替えられ、方向切替弁３３３によってガス供給管１６６がバルブ３２３に通じた状態になり、方向切替弁３３４によってガス供給管１６７がバルブ３２４に通じた状態になる。
【００３８】
そして、コントローラ２４０がガス流量制御部２３５によってＭＦＣ３１１〜３１４の設定流量を設定した後、バルブ３２１〜３２４を開く。そうすると、シランガスと希釈ガスとの混合ガスがガス供給管１６５を流通して処理室２０１内に導入され、ゲルマンガスがガス供給管１６６を流通して処理室２０１内に導入され、エッチングガスがガス供給管１６７を流通して処理室２０１内に導入される。処理室２０１内に導入された各種ガスは、インナーチューブ２０４の中空２１２内を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０に流出してガス排気管２３１から排気される。これらガスが処理室２０１内を通過する際にウエハ２００と接触することにより、ウエハ２００の表面上にＥｐｉ−ＳｉＧｅ膜が選択成長する。また、ボート２１７、インナーチューブ２０４及びアウターチューブ２０５等にも膜（例えば、Ｅｐｉ−ＳｉＧｅ膜）が成長し、ガス供給管１６５，１６６，１６７の内壁にも膜が成長する。
なお、コントローラ２４０がバルブ３２３を開かず、バルブ３２１，３２２，３２４のみを開いてもよい。これにより、ゲルマンガスが処理室２０１内に導入されないから、ウエハ２００の表面上にＥｐｉ−Ｓｉ膜が選択成長する。そのため、基板処理装置１０１がウエハ２００にＥｐｉ−Ｓｉ膜を形成するためだけの装置であれば、原料ガス供給源３０３、ＭＦＣ３１３、バルブ３２３、方向切替弁３３３及びガス供給管１６６が設けられていない。
また、コントローラ２４０がバルブ３２４を開かず、バルブ３２１，３２２，３２３を開いてもよい。そうすると、エッチングガスが処理室２０１内に導入されないから、ウエハ２００の表面上にｐｏｌｙ−ＳｉＧｅ膜が堆積（デポジション）される。
また、コントローラ２４０がバルブ３２３，３２４を開かず、バルブ３２１，３２２を開いてもよい。そうすると、エッチングガス及びゲルマンガスが処理室２０１内に導入されないから、ウエハ２００の表面上にＥｐｉ−Ｓｉ膜が堆積（デポジション）される。
【００３９】
ガス導入後、予め設定された時間が経過すると、コントローラ２４０がバルブ３２１〜３２４を閉じる。そして、コントローラ２４０が方向切替弁３３１，３３３，３３４の切替位置を切り替える。そうすると、方向切替弁３３１によってガス供給管１６５がバルブ３２５に通じた状態になり、方向切替弁３３３によってガス供給管１６６がバルブ３２５に通じた状態になり、方向切替弁３３４によってガス供給管１６７がバルブバルブ３２５に通じた状態になる。
【００４０】
そして、コントローラ２４０がＭＦＣ３１５の設定流量を設定した後、バルブ３２５を開く。そうすると、不活性ガス供給源３０５内の不活性ガスがガス供給管１６５，１６６，１６７を流通して処理室２０１内に導入される。これにより、処理室２０１内が不活性ガスで置換されると共に、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される。
【００４１】
続いて、コントローラ２４０が駆動制御部２３７により回転機構２５４を停止させるとともにボートエレベータ１１５を下降動作させる。シールキャップ２１９及びボート２１７がボートエレベータ１１５の下降動作により下降されて、マニホールド２０９の下端が開口されるとともに、ウエハ２００を保持したボート２１７が処理室２０１の外部に搬出（ボートアンローディング）される。続いて移載機１０６により、処理済ウエハ２００がボート２１７からカセット１１０に移載される。処理済ウエハ２００が載置されたカセット１１０は、工場内搬送装置（図示略）によって基板処理装置１０１から取り出される。
【００４２】
以後、上述の基板処理動作が繰り返されることで、ウエハ２００が次々に処理されていく。そして、上述の基板処理動作が繰り返されている際に、処理炉２０２のクリーニング処理動作が行われる。クリーニング処理動作は、上述の基板処理動作が１回又は複数回行われる毎に行われる。以下、クリーニング処理動作について具体的に説明する。
【００４３】
処理済ウエハ２００がカセット１１０に移載された後、ボート２１７にウエハ２００が載置されてない状態で、コントローラ２４０がボートエレベータ１１５を上昇動作させる。
【００４４】
次に、コントローラ２４０が方向切替弁３３１，３３３，３３４の切替位置を切り替える。そうすると、方向切替弁３３１によってガス供給管１６５がバルブ３２５，３２６に通じた状態になり、方向切替弁３３３によってガス供給管１６６がバルブ３２５，３２６に通じた状態になり、方向切替弁３３４によってガス供給管１６７がバルブ３２５，３２６に通じた状態になる。
【００４５】
次に、コントローラ２４０がバルブ３２５を開放状態にする。更に、コントローラ２４０が圧力センサ２４３による検出圧力を入力して、その検出圧力基づいてＡＰＣバルブ２４２の開度を調節するフィードバック制御を行う。そうすると、不活性ガスが処理室２０１内に導入されて処理室２０１内が不活性ガス雰囲気になるとともに、処理室２０１内の圧力が５０〜５００Ｐａになる。
【００４６】
次に、コントローラ２４０が温度制御部２３８によってヒータ２０６を発熱させ、処理室２０１及びその内部のガス供給管１６５，１６６，１６７がヒータ２０６によって加熱される。ここで、コントローラ２４０は、温度センサ２６３による検出温度を入力することによって、ヒータ２０６による昇温速度を１０〜３０℃／ｍｉｎにフィードバック制御する。処理室２０１の温度が加熱開始後３０分間で７５０〜８００℃に達することが好ましい。
【００４７】
加熱処理中、コントローラ２４０が温度センサ２６３による検出温度を上閾値（上閾値は６００〜９００℃の範囲内であり、好ましくは７５０〜８００℃範囲内である。）と比較する。そして、処理室２０１及びガス供給管１６５，１６６，１６７が６００〜９００℃、好ましくは７５０〜８００℃にまで昇温して、コントローラ２４０が温度センサ２６３による検出温度が上閾値に達したことを認識したら、ヒータ２０６による加熱を停止するか又はヒータ２０６の発熱量を低下させる。そうすると、処理室２０１及びガス供給管１６５，１６６，１６７の温度が降温する。このように、ガス供給管１６５，１６６，１６７が６００〜９００℃にまで加熱されると、ガス供給管１６５，１６６，１６７内に形成された薄膜にクラックが生じ、これによりガス供給管１６５，１６６，１６７に生じた残留応力が緩和される。同様に、ボート２１７、インナーチューブ２０４及びアウターチューブ２０５の表面に形成された膜にもクラックが生じ、ボート２１７、インナーチューブ２０４及びアウターチューブ２０５の表面の残留応力が緩和される。
【００４８】
降温処理中、コントローラ２４０が温度センサ２６３による検出温度を下閾値（下閾値は３５０〜５５０℃の範囲内である。）と比較する。そして、処理室２０１及びガス供給管１６５，１６６，１６７が３５０〜５５０℃まで低下し、コントローラ２４０が温度センサ２６３による検出温度が下閾値に達したことを認識したら、ＭＦＣ３１５の設定流量を１０００〜４５００ｓｃｃｍに設定するとともに、ＭＦＣ３１６の設定流量を５００〜２５００ｓｃｃｍに設定する。更に、コントローラ２４０がバルブ３２５，３２６を開放状態にする。
【００４９】
これにより、クリーニングガス及び不活性ガスがガス供給管１６５，１６６，１６７を流通して、処理室２０１内に導入される。クリーニングガスがガス供給管１６５，１６６，１６７を流通することで、ガス供給管１６５，１６６，１６７内に形成された膜がドライエッチングされて除去される。上記のように予め加熱処理されて膜にクラックが生じているから、膜がエッチングされても、ガス供給管１６５，１６６，１６７の残留応力が急激に変化することはない。そのため、膜のエッチングによるガス供給管１６５，１６６，１６７の破損を防止することができる。
【００５０】
処理室２０１内に導入されたクリーニングガス及び不活性ガスはインナーチューブ２０４の中空２１２内を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０に流出してガス排気管２３１から排気される。処理室２０１内をクリーニングガスが流動することで、ボート２１７、インナーチューブ２０４及びアウターチューブ２０５の表面に形成された膜がエッチングされる。
【００５１】
クリーニングガス及び不活性ガスが導入されている際に、クリーニングガスの流量がＭＦＣ３１６によって設定流量（５００〜２５００ｓｃｃｍ）に調整され、不活性ガスの流量がＭＦＣ３１５によって設定流量（１０００〜４５００ｓｃｃｍ）に調整される。なお、不活性ガスはクリーニングガスを希釈するためのものである。
【００５２】
また、クリーニングガス及び不活性ガスが導入されている際に、コントローラ２４０が圧力センサ２４３による検出圧力を入力して、その検出圧力に基づいてＡＰＣバルブ２４２の開度を調節するフィードバック制御を行う。これにより、処理室２０１内の圧力が５０〜５００Ｐａに保たれる。
【００５３】
また、クリーニングガス及び不活性ガスが導入されている際に、コントローラ２４０が温度センサ２６３による検出温度を入力して、その検出温度に基づきヒータ２０６の通電具合を調整するフィードバック制御（等温度制御）を行う。これにより、処理室２０１の温度が３５０〜５５０℃に保たれる。
【００５４】
コントローラ２４０がバルブ３２５，３２６を開放状態にして、クリーニングガス及び不活性ガスが導入され始めた時から予め設定された時間が経過すると、コントローラ２４０がバルブ３２６を閉じた状態にする。これにより、クリーニングガスの供給が止まり、不活性ガスのみが処理室２０１内に導入されることで、処理室２０１内が不活性ガスで置換されるとともに、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される。
【００５５】
続いて、基板処理装置１０１内の石英部品（インナーチューブ２０４、アウターチューブ２０５、ボート２１７、ノズルを含むガス供給管１６５，１６６，１６７）にＳｉコーティングを行う。これは、処理時に石英が基板に対して汚染するのを防止する為である。
【００５６】
続いて、コントローラ２４０が圧力制御部２３６により真空排気装置２４６を動作させると、処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように真空排気装置２４６によって真空排気される。この際、処理室２０１内の圧力は圧力センサ２４３で測定され、この測定された圧力に基づきＡＰＣバルブ２４２がコントローラ２４０の圧力制御部２３６によりフィードバック制御される。
また、コントローラ２４０が温度制御部２３８によりヒータ２０６を発熱させると、処理室２０１内が所望の温度となるようにヒータ２０６によって加熱される。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合がコントローラ２４０の温度制御部２３８によってフィードバック制御される。
続いて、コントローラ２４０が駆動制御部２３７によって回転機構２５４を回転させる。回転機構２５４により、ボート２１７が回転されることでウエハ２００が回転される。回転機構２５４の回転はその後も継続される。
【００５７】
続いて、コントローラ２４０がガス流量制御部２３５によって方向切替弁３３１の切替位置を切り替え、方向切替弁３３１によってガス供給管１６５がバルブ３２１，３２２に通じた状態になる。そして、コントローラ２４０がガス流量制御部２３５によってＭＦＣ３１１，３１２の設定流量を設定した後、バルブ３２１，３２２を開く。そうすると、シランガスと希釈ガスとの混合ガスがガス供給管１６５を流通して処理室２０１内に導入される。処理室２０１内に導入されたシランガスと希釈ガスは、インナーチューブ２０４の中空２１２内を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０に流出してガス排気管２３１から排気される。これらのガスが処理室２０１内を通過する際に基板処理装置１０１内の石英部品と接触することにより、石英部品にＳｉをコーティングする。
【００５８】
続いて、コントローラ２４０がボートエレベータ１１５を下降動作させる。そうすると、シールキャップ２１９及びボート２１７がボートエレベータ１１５によって下降される。
【００５９】
その後、上述の基板処理動作が再び行われる。
【００６０】
以上に示された本発明の実施形態によれば、クリーニングガス導入前に昇温処理を行うことによって、原料ガスによってガス供給管１６５，１６６，１６７に形成された膜にクラックが導入され、ガス供給管１６５，１６６，１６７の応力が緩和される。このため、その後、ガス供給管１６５，１６６，１６７内の膜がクリーニングガスによって急激にエッチングされても、ガス供給管１６５，１６６，１６７の応力の解放が急激でない。そのため、ガス供給管１６５，１６６，１６７の破損及び劣化を防止できる。従って、ガス供給管１６５，１６６，１６７の破損によるパーティクル発生を防止できるとともに、ガス供給管１６５，１６６，１６７の交換頻度を減少させることができる。そのため、基板処理装置１０１のメンテナンス性が向上するとともに、メンテナンスに要するコスト及び時間も低減することができる。
【００６１】
また、ガス供給管１６５，１６６，１６７と同様に、エッチングによるボート２１７、インナーチューブ２０４及びアウターチューブ２０５の表面の破損及び劣化を防止することができる。
【００６２】
本実施形態ではＳｉ系ポリシリコン膜成膜後のＣｌＦ３ガスクリーニングについて示したが、気相反応と表面反応を利用して成膜するＣＶＤ法を用いて成膜したＳｉＮ系膜や、ＡＬＤ法を用いて成膜したＳｉＮ系膜成膜後のＦ２ガスクリーニング工程にも適用可能である。
【００６３】
また、ガス供給管１６５，１６６，１６７にヒータを固着させ、クリーニングガス導入前の加熱処理においてそのヒータによってガス供給管１６５，１６６，１６７を直接加熱するようにしてもよい。温度センサについても、ガス供給管１６５，１６６，１６７に固着してもよい。同様に、ボート２１７、インナーチューブ２０４及びアウターチューブ２０５の表面にヒータ又は温度センサを固着してもよい。
【００６４】
以上、本発明の好ましい実施形態を説明したが、本発明の好ましい第１の態様によれば、
基板を処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内のガス供給管に原料ガスを供給して前記処理室内に前記原料ガスを導入し、前記処理室内の基板にシリコン又はシリコン化合物の膜を形成する工程と、
前記処理室内から基板を搬出する工程と、
前記処理室内を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程後、前記処理室内の温度を低下させる降温工程と、
前記降温工程後、前記ガス供給管にクリーニングガスを供給して前記処理室内に前記クリーニングガスを導入するクリーニングガス導入工程と、を含む半導体装置の製造方法が提供される。
【００６５】
好ましくは、前記第１の態様において、
前記加熱工程において前記処理室内の温度を６００〜９００℃まで加熱し、
前記降温工程において前記処理室内の温度を３５０〜５５０℃に低下させ、
前記クリーニングガス導入工程において前記処理室内の温度を３５０〜５５０℃とする。
【００６６】
本発明の好ましい第２の態様によれば、
基板を処理する処理室と、
前記処理室内を加熱するヒータと、
前記処理室内に設置されたガス供給管と、
少なくともクリーニングガスを前記ガス供給管に供給し、前記クリーニングガスを前記処理室内に導入させるガス供給系と、
前記ヒータにより前記処理室内を加熱する加熱工程と、前記加熱工程後に前記ヒータの発熱を停止し、又は前記ヒータの発熱量を低下させる降温工程と、前記降温工程後に前記ガス供給系により前記クリーニングガスを前記ガス供給管に供給するクリーニングガス供給工程と、を行う制御部と、を備える基板処理装置が提供される。
【００６７】
好ましくは、前記第２の態様において、
前記基板処理装置が前記処理室内の温度を検出する温度検出部を備え、
前記制御部が、前記加熱工程において前記温度検出部による検出温度を６００〜９００℃と認識したら、前記降温工程を行い、前記降温工程において前記温度検出部による検出温度を３５０〜５５０℃と認識したら、前記クリーニングガス供給工程を行う。
【００６８】
本発明の好ましい第３の態様によれば、
基板を処理する処理室と、前記処理室内に設置されたガス供給管と、クリーニングガスを前記ガス供給管に供給し、前記クリーニングガスを前記処理室内に導入させるガス供給系と、を備える基板処理装置をクリーニングする方法において、
前記処理室内を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程後、前記処理室内の温度を低下させる降温工程と、
前記降温工程後、前記ガス供給管にクリーニングガスを供給して前記処理室内に前記クリーニングガスを導入するクリーニングガス導入工程と、を含む基板処理装置のクリーニング方法が提供される。
【００６９】
好ましくは、前記第３の態様において、
前記加熱工程において前記処理室内の温度を６００〜９００℃まで加熱し、
前記降温工程において前記処理室内の温度を３５０〜５５０℃に低下させ、
前記クリーニングガス導入工程において前記処理室内の温度を３５０〜５５０℃とする。
【００７０】
本発明の第４の態様によれば、
基板を処理する処理室と、前記処理室内に設置されたガス供給管と、クリーニングガスを前記ガス供給管に供給し、前記クリーニングガスを前記処理室内に導入させるガス供給系と、を備える基板処理装置をクリーニングする方法において、
前記ガス供給管を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程後、前記ガス供給管の温度を低下させる降温工程と、
前記降温工程後、前記ガス供給管にクリーニングガスを供給して前記処理室内に前記クリーニングガスを導入するクリーニングガス導入工程と、を含む基板処理装置のクリーニング方法が提供される。
【００７１】
好ましくは、前記第４の態様において、
前記加熱工程において前記ガス供給管の温度を６００〜９００℃まで加熱し、
前記降温工程において前記ガス供給管の温度を３５０〜５５０℃に低下させ、
前記クリーニングガス導入工程において前記処理室内の温度を３５０〜５５０℃とする。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】基板処理装置の概略構成図である。
【図２】処理炉の概略構成図である。
【符号の説明】
【００７３】
１０１ 基板処理装置
１６５〜１６７ ガス供給管
２００ 基板
２０１ 処理室
２０３ プロセスチューブ
２０４ インナーチューブ
２０５ アウターチューブ
２０６ ヒータ
２４０ コントローラ
２６３ 温度センサ
３００ ガス供給系
３０１ 原料ガス供給源
３０２ 希釈ガス供給源
３０３ 原料ガス供給源
３０４ エッチングガス供給源
３０５ 不活性ガス供給源
３０６ クリーニングガス供給源
３１１〜３１６ ＭＦＣ
３２１〜３２６ バルブ
３３１、３３３、３３４ 方向切替弁
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内のガス供給管に原料ガスを供給して前記処理室内に前記原料ガスを導入し、前記処理室内の基板にシリコン又はシリコン化合物の膜を形成する工程と、
前記処理室内から基板を搬出する工程と、
前記処理室内を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程後、前記処理室内の温度を低下させる降温工程と、
前記降温工程後、前記ガス供給管にクリーニングガスを供給して前記処理室内に前記クリーニングガスを導入するクリーニングガス導入工程と、を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記加熱工程において前記処理室内の温度を６００〜９００℃まで加熱し、
前記降温工程において前記処理室内の温度を３５０〜５５０℃に低下させ、
前記クリーニングガス導入工程において前記処理室内の温度を３５０〜５５０℃とする、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１】
基板を処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内のガス供給管に原料ガスを供給して前記処理室内に前記原料ガスを導入し、前記処理室内の基板にシリコン又はシリコン化合物の膜を形成する工程と、
前記処理室内から基板を搬出する工程と、
前記処理室内を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程後、前記処理室内の温度を低下させる降温工程と、
前記降温工程後、前記ガス供給管にクリーニングガスを供給して前記処理室内に前記クリーニングガスを導入するクリーニングガス導入工程と、を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記加熱工程において前記処理室内の温度を６００〜９００℃まで加熱し、
前記降温工程において前記処理室内の温度を３５０〜５５０℃に低下させ、
前記クリーニングガス導入工程において前記処理室内の温度を３５０〜５５０℃とする、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１０−９３０２３（Ｐ２０１０−９３０２３Ａ）
【公開日】平成２２年４月２２日（２０１０．４．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２６０６３０（Ｐ２００８−２６０６３０）
【出願日】平成２０年１０月７日（２００８．１０．７）
【出願人】（０００００１１２２）株式会社日立国際電気 (5,007)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年４月２２日（２０１０．４．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１０月７日（２００８．１０．７）
【出願人】（０００００１１２２）株式会社日立国際電気 (5,007)
【Ｆターム（参考）】
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