【課題】ウェーハ搬入時にウェーハのエッジが反って非接触搬送部材と接触し、スクラッチ傷が発生することを防止する。
【解決手段】反応炉１０のカメラ取り付け穴１８にカメラ１４を取り付け、反応炉１０内のウェーハを撮影可能な状態とする。次に、予め所定のウェーハ投入温度に設定された反応炉１０内にウェーハＷを搬入し、サセプタ１１上に載置する。このとき、ウェーハＷのエッジが一時的に反り上がるので、この状態をカメラ１４で撮影する。そして撮影した画像からウェーハＷの反り量を求め、さらにこの反り量に基づいて非接触搬送部材と接触することがない反り量となる適正なウェーハ投入温度を求める。その後、ウェーハＷと同一品種を処理する場合に、反応炉１０内をこの適正なウェーハ投入温度に設定する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長の際の裏面クモリ及びピンハローを抑制して、高品質なシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】チャンバー内に配設されたサセプタのウェーハ載置面上にシリコン単結晶基板を載置して、該シリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長させることによりシリコンエピタキシャルウェーハを製造する方法であって、前記シリコン単結晶基板を載置する前に、前記チャンバー内にシリコン原料ガスを流入させながら、５０秒を超えて３００秒以下の時間で、前記サセプタのウェーハ載置面上にポリシリコン膜を被覆し、その後前記サセプタのウェーハ載置面上に前記シリコン単結晶基板を載置してエピタキシャル成長させるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮを用いた窒化物半導体装置において、電流が流れる経路に、再結晶成長などによる界面が存在することがない状態で、十分な耐圧が得られるようにする。
【解決手段】ＧａＮからなるチャネル層（第２半導体層）１０１と、チャネル層１０１の一方の面であるＮ極性面に形成された第１障壁層（第１半導体層）１０２と、チャネル層１０１の他方の面であるＩＩＩ族極性面に形成された第２障壁層（第３半導体層）１０３とを備える。第１障壁層１０２および第２障壁層１０３は、例えば、ＡｌＧａＮから構成されている。また、ドレイン電極（第１電極）１０４が、第１障壁層１０２の上に形成され、ゲート電極１０５が、ドレイン電極１０４に対向して第２障壁層１０３の上に形成されている。ソース電極（第２電極）１０６は、ゲート電極１０５と離間して第２障壁層１０３の上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハの表面に膜を成長させる技術であって、半導体装置を効率よく製造することが可能な技術を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法であって、チャンバ内に配置された半導体ウエハの表面に膜を成長させる動作と、チャンバ内に配置された半導体ウエハと前記膜とをエッチング可能なエッチングガスをチャンバ内に導入する動作とを実行可能な半導体製造装置のチャンバ内に半導体ウエハを搬入する搬入工程と、チャンバ内に前記エッチングガスを導入する第１エッチング工程と、チャンバ内の半導体ウエハの表面に膜を成長させる第１成膜工程と、チャンバから半導体ウエハを搬出するとともに、チャンバに別の半導体ウエハを搬入する入れ換え工程と、チャンバ内に前記エッチングガスを導入する第２エッチング工程と、チャンバ内の半導体ウエハの表面に膜を成長させる第２成膜工程を有する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素とその上に形成される絶縁膜との界面の品質及び当該絶縁膜の品質を改善して界面準位密度を低減することができる炭化珪素半導体素子の製造方法及び電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板１の主表面を、水素ガスを含むクリーニングガスで表面処理し、前記主表面を窒素含有ガスで表面処理し、前記主表面上に絶縁膜２を形成する。 （もっと読む）

【課題】熱伸びせず、耐久性に優れた通電加熱線、通電加熱線の製造方法及びこの通電加熱線を用いた真空処理装置を提供することにある。
【解決手段】本発明に係る通電加熱線（ＴａＢＮ線２０）は、窒化タンタル線からなる第１の層２１と、第１の層２１の表面を被覆し、例えばホウ化物からなる第２の層２２を有する。すなわち、強度が高く変形が少ない窒化タンタル線の表面を、第２の層が被覆することによって、高温環境下での窒化タンタル線からの脱窒素を抑制でき、耐久性が非常に高い通電加熱線として利用できる。また、このようなＴａＢＮ線２０を用いた真空処理装置は、コストの低減・生産性の向上を図れると同時に、基板成膜時の膜質安定化も期待できる。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が少なく、かつ平坦性に優れた高品質の立方晶炭化珪素膜を容易に得ることができる立方晶炭化珪素膜の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１の表面を炭化させて下地層２を形成し、次いで、Ｓｉ基板１の下地層２上に原料ガスｇ２を供給しつつ、この原料ガス雰囲気にて立方晶炭化珪素層３をエピタキシャル成長させ、次いで、この立方晶炭化珪素層３の表面３ａをクリーニングして異物を除去し、次いで、この立方晶炭化珪素層３上に再度、原料ガスｇ２を供給しつつ、この原料ガス雰囲気にて立方晶炭化珪素層４をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を抑制することができるシリコン膜の形成方法およびその形成装置を提供する。
【解決手段】シリコン膜の形成方法は、第１成膜工程と、エッチング工程と、第２成膜工程とを備えている。第１成膜工程では、被処理体の溝を埋め込むようにシリコン膜を成膜する。エッチング工程では、第１成膜工程で成膜されたシリコン膜をエッチングして前記溝の開口部を広げる。第２成膜工程では、エッチング工程で開口部が広げられた溝にシリコン膜を埋め込むように成膜する。これにより、表面に溝が形成された被処理体の溝にシリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】欠陥のほとんどないシリコンエピタキシャル層を形成できるエピタキシャルウェーハの製造方法、当該方法により製造されたエピタキシャルウェーハ及び撮像用デバイスの製造方法を提供することを目的とする
【解決手段】前記シリコン基板に急速熱処理を施すことによって、少なくとも前記シリコン基板の表面から０．５μｍの深さまでの領域に存在するＲＩＥ法により検出される欠陥を消滅させるＲＩＥ欠陥消滅工程と、前記ＲＩＥ法により検出される欠陥を消滅させたシリコン基板の表面上に前記シリコンエピタキシャル層を形成する工程とを具備するエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】量産性に優れた薄膜トランジスタを提供する。また半導体装置の作製において有
用な半導体薄膜を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１
×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜を形成し、前記半導体膜の一部を除去して、活性層を
形成し、トップゲート型薄膜トランジスタまたはボトムゲート型薄膜トランジスタを作製
する。また、プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１
×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜を剥離層として用いた半導体装置を作製する。また、
プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１×１０^２１／
ｃｍ^３で含む半導体膜をゲッタリングサイトとして用いた半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤマスクとして用いられるＳｉＯ２層は熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けると、その構成要素であるＳｉやＯが窒化物半導体膜に悪影響をもたらし、発光効率の低下と発光効率という問題があった。この、ＳｉＯ2層を用いたマスクパターンの熱的損傷に依る問題点を解決する構造，方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体構造は、第１の基板、第１の窒化物半導体膜及び第２の窒化物半導体膜を備えた窒化物半導体構造であって、前記第１の基板は、前記第１の窒化物半導体膜とは異なる材料からなり、前記第１の窒化物半導体膜は前記第１の基板上に成長され、前記第１の窒化物半導体膜上面は、凹部及び凸部が同一材料で形成されており、前記第２の窒化物半導体膜は、前記第１の窒化物半導体膜上面の前記凹部及び凸部上に成長する構造、及びその構造の製造方法により解決する。 （もっと読む）

【課題】 凹凸を有する基板上に形成する膜の表面が平坦になるまでの成長時間を短縮することが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 コランダム構造のｃ面基板の表面に複数の凸部が形成されている。この表面に、Ｇａ及びＮを含むＩＩＩ−Ｖ族半導体からなり、基板表面よりも平坦な下地膜が配置されている。下地膜の上に、Ｇａ及びＮを含む発光構造が配置されている。下地膜のａ軸方向とのなす角度が１５°未満の方向を第１方向とし、それと直交する方向を第２方向とする。凸部は、第１方向及び第２方向に規則的に配列している。凸部の各々は、ｍ軸方向とのなす角度が１５°未満の第１の辺と、ａ軸方向とのなす角度が１５°未満の第２の辺とを有する。第１方向に隣り合う２つの凸部の相互に対向する第１の辺は平行であり、第２方向に隣り合う２つの凸部の相互に対向する第２の辺は平行である。対向する第２の辺のｍ軸方向の間隔は、対向する第１の辺のａ軸方向の間隔よりも広い。 （もっと読む）

【課題】高いアスペクト比で狭い幅の溝に、シリコン酸化膜を埋め込むことの可能な、スループットの高い半導体製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、基板を処理室内へ搬入する工程と、炭素及び水素を含むシリコン化合物ガスを処理室内へ供給して、処理室内を第１の圧力の状態にする工程と、処理室内を前記第１の圧力にした状態において、処理室内へ供給されたシリコン化合物ガスに紫外光を照射して、基板上にシリコン酸化膜を形成する工程と、処理室内を前記第１の圧力よりも低い第２の圧力の状態にする減圧処理工程とを行う。これにより、高アスペクト比で狭い幅の溝内に、緻密なシリコン酸化膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】高誘電率及び高温状態で安定したキャパシタ絶縁膜の形成を実現した半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板上にアモルファスであって第１の元素を含む第１の絶縁膜を形成する第１の工程と、第１の元素とは異なる第２の元素を第１の絶縁膜に添加してアモルファスである第２の絶縁膜を前記基板上に形成する第２の工程と、第２の絶縁膜を所定のアニール温度でアニーリングして第３の絶縁膜へと相転移させる第３の工程と、を有し、アニール温度に応じて前記第２の元素の添加濃度を制御する。 （もっと読む）

【課題】シリコン系薄膜の成膜を行なうための成膜室が大気開放される際に生じるＨＦガスの量を抑制することができる、成膜装置のクリーニング方法およびシリコン系薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜室５０内においてフッ素系ガスを用いてプラズマが発生させられる。フッ素系ガスを用いてプラズマが発生させられた後に、成膜室５０内においてシリコン系材料が堆積させられる。シリコン系材料が堆積させられた後に、成膜室が大気開放される。 （もっと読む）

【課題】複数の処理工程（プロセス）を連続して行う基板処理装置において、チャンバー内の処理ガス流量や処理ガス圧力の大幅な変動に対して短時間で連続的に応答可能な圧力制御を行う圧力制御機器、圧力制御方法および該圧力制御機器を備える基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理ガスが供給される減圧状態の処理室で複数の処理工程を行う基板処理装置であって、処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、処理室の内部を排気する排気機構と、排気機構の排気量を調節する排気バルブと、複数の処理工程それぞれに最適な処理ガス圧力を算出するための演算テーブルを複数有し、演算テーブルに基づいて排気バルブの開度を制御する演算制御機構と、を備える基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】 成膜温度を低下させ、成膜速度を増大させる。
【解決手段】 基板を収容した処理室内にシリコン含有ガスとボロン含有ガスとを供給して基板上にシリコン含有及びボロン含有膜を形成するシリコン含有及びボロン含有膜形成工程と、大気圧未満の圧力に設定した処理室内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して基板上に形成したシリコン含有及びボロン含有膜をボロン及びシリコン含有酸化膜に改質するシリコン含有及びボロン含有膜改質工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】被処理体に形成された自然酸化膜を除去することができる被処理体の処理方法、処理装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】 熱処理装置１の制御部１００は、自然酸化膜が形成された半導体ウエハＷを収容した反応管２内を４００℃に加熱する。反応管２内が４００℃に加熱されると、制御部１００は、処理ガス導入管１７から、塩素を含む処理ガスを供給することにより処理ガスに含まれる塩素を活性化させる。この活性化された塩素が半導体ウエハＷに供給されることにより、半導体ウエハＷに形成された自然酸化膜が除去される。 （もっと読む）

【課題】改善されたイメージ品質を有するエピタキシャル被覆されたシリコンウェハ並びにエピタキシャル被覆されたシリコンウェハの適切な製造方法の提供
【解決手段】丸められたエッジを備えたシリコンウェハのグループを準備する工程、前記シリコンウェハのエッジをポリシングする工程、前記シリコンウェハを洗浄する工程、欠陥及びエッジラフネスに関してシリコンウェハのグループのエッジ領域を調査し、前記シリコンウェハのグループから、１０〜８０μｍの空間波長領域に関して１ｎｍ ＲＭＳよりも低い表面粗さを有するシリコンウェハを選択する工程、選択されたシリコンウェハを枚葉型エピタキシー反応器中で前処理し、その際、第１の工程で水素雰囲気中で１〜１００ｓｌｍの流量で処理を行い、更に第２の工程でエッチング媒体を０．５〜５ｓｌｍの流量で前記水素雰囲気に添加し、ガス分配装置を用いて反応室中で分配する工程、前記シリコンウェハをエピタキシャル被覆する工程を有するエピタキシャル被覆されたシリコンウェハの製造方法 （もっと読む）

【課題】低温での成膜が可能であり、表面平坦性、凹部埋めこみ性、ステップカバレッジに優れ、成膜速度にも優れるシリコン酸化膜の形成工程を有する半導体デバイスの製造方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室５２内にシリコン原子を含む第１の原料ガスを供給し、ウエハ２００上に数原子層のアモルファスシリコン膜を形成する工程と、第１の原料ガスの供給を停止し、第１の原料ガスを処理室５２内から排出する工程と、処理室５２内に酸素原子を含む第２の原料ガスを供給し、ウエハ１上に形成されたアモルファスシリコン膜と反応させてシリコン酸化膜を形成する工程と、第２の原料ガスの供給を停止し、処理室５２内から第２の原料ガスを排出する工程と、を繰り返して各基板上に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する。 （もっと読む）