【課題】低誘電率材料で使用するための、酸素および窒素を含有しないプラズマを生成する装置および処理方法の改善すること。
【解決手段】軸流ダウンストリーム型プラズマ装置１０は、配ガス部１２、プラズマ生成部１４、処理チャンバー１６、および排気アンセブリー１８からなる。処理チャンバー１６は、その入口付近にバッフル板アセンブリーを含み、バッフル板アセンブリーは、略平板状の下側バッフル板１０４および下側バッフル板１０４の上方に固定された略平板状の上側バッフル板１０２を含んでおり、下側バッフル板１０２は、中心軸回りに半径方向に配置された複数の開口部を含むと共に、複数の開口部それぞれの寸法は、下側バッフル板の中心軸から外縁部へと増大し、かつ、バッフル板アセンブリーは、基板１１０に対して略平行に配置されている。 （もっと読む）

腐食的な製造環境での製作中に、半導体ウェハーを加熱するための改良された加熱システム（１０）が開示されている。前記システム（１０）は、新規なセラミックヒータ（１２）を備えており、前記セラミックヒータ（１２）は、該セラミックヒータ（１２）のセラミック基板（１６）内部に完全に直接埋め込まれている多数の加熱素子（４４）と温度センサ配置（３８）を有している層状のセラミック基板（１６）から作成されている。前記複数の加熱素子（４４）と温度センサ配置（３８）は、前記セラミックヒータ（１２）の作動効率を改良する低い温度抵抗係数を備えているモリブデンと窒化アルミニウムの複合物から構成されている。作動時に、前記温度センサ配置（３８）は、前記半導体ウェハーの全表面に渡って一定で一様な温度分布を供給するような方法で前記加熱素子（４４）を制御すること可能であるマイクロプロセッサー（１４）に温度示度を伝達する。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウムを主成分とする導体膜パターンを有する半導体集積回路装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】 アルミニウムを主成分とする導体膜１６ｄを有する第１層配線Ｌ１をドライエッチング法によってパターニングした後、その加工側壁の側壁保護膜１８およびエッチングマスクとして使用したフォトレジストパターン１７ａをプラズマアッシング処理によって除去する。続いて、絶縁膜１５ｂおよび第１層配線Ｌ１の表面に付着した塩素成分を、酸素ガスとメタノールガスとの混合ガスを用いたプラズマアッシング処理によって除去する。この際、フォトレジストパターン１７ａ等のアッシング除去処理時は、ウエハの主面温度が相対的に低くなるようにし、塩素成分の除去処理時は、ウエハの主面温度が相対的に高くなるようにする。また、それらのプラズマアッシング処理を別々の処理室で行う。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板の昇温速度を向上し、成膜時の被処理基板温度を均一化する。
【解決手段】 基板処理装置は、真空容器内で被処理基板Ｗを保持しつつ回転させる基板保持体２を備える。基板保持体２は、被処理基板Ｗを載置するリング状載置部１２を有する回転体１０と、回転体１０内に回転体とは非接触で設けられ、被処理基板Ｗを加熱するヒータ、ヒータ支持体、支持軸等を一体化したヒータ部５０とを有する。被処理基板Ｗを所定の温度に昇温させる際は、回転体１０に対して上昇させたヒータ部５０に被処理基板Ｗを接触保持させた状態で直接加熱する。昇温後、被処理基板Ｗを成膜処理する際には、回転体１０に対して下降させたヒータ部５０から被処理基板Ｗを離間させるとともに、リング状載置部１２に被処理基板Ｗを保持させた状態で、載置部１２に保持した被処理基板Ｗをヒータ部５０に対して相対的に回転させることにより被処理基板Ｗの処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 定盤表面を均熱に加熱できるとともに、冷却機能を有する均熱装置を得ることにより、被成形物の加工時間の短縮を図る。
【解決手段】 定盤１の被成形物が載置される面と反対側の面に例えば一体となって配置され、冷却媒体が流通する冷却構造体８を設ける。冷却構造体８に形成された水などの冷却媒体１０を流通させる流路９を形成する。冷却構造体８は供給口１１から冷却媒体１０が導入され、流路９を流通し排出口１２から排出される。 （もっと読む）

【課題】 低温の循環流体をランプヒータで加熱して流体の温度制御を行う場合、制御の応答性と精度を高める。
【解決手段】 流体循環供給系３１を循環する流体は、チラー３２で冷却され、熱交換器３３内のランプヒータで加熱される。ランプ制御部４１は、ランプ出力を制御することで、流体の温度を設定温度に制御する。バルブ制御部４３は、ヒータ出力が、制御に適した出力設定範囲内に入るように、チラー通路３７の流量制御弁３４とバイパス通路３５の流量制御弁３６の混合比を調節する。更に、バルブ制御部４３は、開度と流量との関係が、開度の分解能が高温域で細かく低温域で粗くなるような重み付けを線形関係に加味した関係となるように、且つ、２つの流量制御弁３４、３６の流量を合計した循環流量が常に一定になるように、開度と２つの弁３４、３６の操作量（パルス数）との対応関係を定める。 （もっと読む）

【課題】 シリル化プロセスを用いて微細なパターンの形成を可能とし、しかもシリル化部表面に形成されるＳｉＯ_x 層の除去を支障なく行うことのできる、半導体装置の製造方法が提供が望まれている。
【解決手段】 下地基板２０上の被パターニング層２３上にレジスト層２４を形成し、次にレジスト層２４の所定箇所を露光し、次いでこの露光工程後のレジスト層２４における未露光部分をシリル化する。続いて、露光した箇所のレジスト層２４をドライ現像によって除去し、シリル化された部分に対応した積層パターン３０を得る。次いで、積層パターン３０からその表層部に形成されたＳｉＯ_x層２９を除去してレジストパターン３２を形成する。その後、レジストパターン３２をマスクにして被パターニング層２３をエッチングする。 （もっと読む）