【課題】シリコン表面における反射率のより低減が可能な小型の表面処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の表面処理装置１は、処理ガスＧを導入可能な真空処理槽２と、真空処理槽２内に設けられ、シート基材９ａ上に処理対象物層９ｂが設けられたシート状処理対象物９を搬送する搬送手段１０と、真空処理槽２内に設けられ、高周波電力及び低周波電力が重畳印加可能で面状放電部１７ａを有する処理用電極１７とを有する。真空処理槽２内において、シート基材９ａ上の処理対象物（多結晶シリコン）層９ｂの表面が、処理用電極１７の面状放電部１７ａと対向して搬送されるように構成されている。処理用電極１７に重畳印加される低周波電力の周波数は、２００ｋＨｚ以上２ＭＨｚ以下とすることが好ましい。 （もっと読む）

【解決手段】(A)式(1)の化合物と式(2)の化合物との加水分解縮合で得られる金属酸化物含有化合物、
Ｒ¹_m1Ｒ²_m2Ｒ³_m3Ｓｉ(ＯＲ)_(4-m1-m2-m3) (1)
(Ｒはアルキル基、Ｒ¹〜Ｒ³はＨ又は１価有機基、m1〜m3は０又は１。m1＋m2＋m3は０〜３。)
Ｕ(ＯＲ⁴)_m4(ＯＲ⁵)_m5 (2)
(Ｒ⁴、Ｒ⁵は有機基、m4、m5は０以上の整数、Ｕは周期律表のＩＩＩ〜Ｖ族の元素。)
(B)式(3)又は(4)の化合物、
Ｌ_aＨ_bＸ (3)
(ＬはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ又はＣｓ、Ｘは水酸基又は有機酸基、ａは１以上、ｂは０又は１以上の整数、ａ＋ｂは水酸基又は有機酸基の価数。)
Ｍ_aＨ_bＡ (4)
(Ｍはスルホニウム、ヨードニウム又はアンモニウム、ＡはＸ又は非求核性対向イオン、ａは１以上、ｂは０又は１以上の整数。)
(C)有機酸、
(D)有機溶剤
を含む熱硬化性金属酸化物含有膜形成用組成物。
【効果】本発明組成物で形成された金属酸化物含有中間膜を用いることで、良好なパターン形成ができる。 （もっと読む）

【課題】ウエハの外周部の排気効率を調整することにより、ウエハ面内で均一なエッチング加工が実現できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器３８と、該真空容器内にウエハを載置して保持する試料台４０と、前記真空容器内に処理ガスを供給するガス供給手段１０７と、前記真空容器内に高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成手段３１と、前記真空容器内のガスを排気する排気手段４７とを備え、 前記ウエハにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台４０は、その上面にウエハを載置する円板状の試料載置部と、該試料載置部の外周に間隔を開けて設けられたリング状部材３９と、前記試料載置部の外周側で前記リング状部材内周側の領域を試料台の排気手段側に接続する排気通路および該排気通路の流量を制御する可変バルブ４１を備えた。 （もっと読む）

【課題】容器内部が狭い空間内部において、プラズマ電位の低い大面積において均一な高密度プラズマを励起し、大面積の基板上に高品質の薄膜を低温且つ高速で均一に成膜でき、エッチングプラズマプロセスその他のプラズマ処理にも使用できるプラズマ装置を提供する。
【解決手段】真空容器５３０１と前記容器内でプラズマを生成させるために必要な原料ガスの導入口５３０２、前記容器内に導入された原料ガスを排気する真空ポンプ５３０３を有し、前記容器の外側にはマイクロ波を放射するアンテナ５３０５と、前記容器の内側に処理される基体５３０８が載置される電極５３０６とを設けてある。基板５３０８の上方の成膜空間の側方に、真空ポンプ５３０３の吸引口に直結して形成された排気空間が設けてあり、前記排気空間の横幅Ｗは、前記成膜空間の高さａの２倍以上である。横幅Ｗを高さａの２倍にするとガス流の均一性は急激に向上する。 （もっと読む）

【課題】ウエハの処理条件に応じてプラズマの周辺領域の分布を容易に制御する。
【解決手段】上部電極の周囲を囲むように固定して設けられた環状コア３１０と，環状コアの下面に突出して形成された複数のティース部３１２と，これらティース部間に下方に向かって上方に戻る経路を形成する磁力線が環状コアの周方向全周に亘って複数発生するように巻回した複数の巻線からなるコイル３２０とを有する移動磁場形成部３００と，コイルの各巻線にそれぞれ位相の異なる交流電流を流して磁力線を時間的に変化させることで周方向に回転する移動磁場を形成するための磁場形成用電源とを備え，ウエハの処理条件に応じて磁場形成用電源からの交流電流を制御することにより移動磁場を制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部をエッチング対象の膜に形成することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】シリコン基材上にＴＥＯＳ膜５１、ＴｉＮ膜５２、反射防止膜５３及びフォトレジスト膜５４が順に積層され、フォトレジスト膜５４は反射防止膜５３の一部を露出させる開口部５５を有するウエハＷにおいて、ＣＦ系デポ性ガスであるＣＨＦ_３ガス及びハロゲン系ガスであるＨＢｒガスの混合ガスから生成されたプラズマによって露出する反射防止膜５３をエッチングしてＴｉＮ膜５２の一部を露出させた後に、開口部５５の側面にデポ５６を堆積させることにより開口部５５の幅（ＣＤ値）を調整し、その後、Ｃｌ_２ガス及びＮ_２ガスの混合ガスから生成されたプラズマによって露出したＴｉＮ膜５２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて工程の簡略化と製造コストの低減を図ることができ、生産性の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、制御プログラム及びプログラム記憶媒体を提供する。
【解決手段】フォトレジスト１０３のパターンの上にＳｉＯ₂膜１０４を成膜する成膜工程と、ＳｉＯ₂膜１０４をフォトレジスト１０３のパターンの側壁部にのみ残るようにエッチングするエッチング工程と、フォトレジスト１０３のパターンを除去してＳｉＯ₂膜１０４のパターンを形成する工程とを具備している。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて工程の簡略化と製造コストの低減を図ることができ、生産性の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、制御プログラム及びプログラム記憶媒体を提供する。
【解決手段】有機膜１０２のパターンの上にＳｉＯ₂膜１０５を成膜する成膜工程と、ＳｉＯ₂膜１０５を有機膜１０２のパターンの側壁部にのみ残るようにエッチングするエッチング工程と、有機膜１０２のパターンを除去してＳｉＯ₂膜１０５のパターンを形成する工程とを具備している。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンの配線分離を行うことができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板に素子分離領域を形成し第１及び第２の拡散領域に分ける工程と、前記基板上に被加工対象膜を形成する工程と、前記被加工対象膜上にハードマスク層と第１レジスト層を形成する工程と、前記第１レジスト層に第１パターンを形成する工程と、前記第１パターンをマスクとして前記ハードマスク層をエッチングする工程と、前記ハードマスク層上に第２レジスト層を形成する工程と、前記第２レジスト層に前記第１パターンを分離する第１スペース幅を有する第２パターンを形成する工程と、前記第２レジスト層に形成された前記第２パターンをマスクとして寸法変換エッチングを行うことにより前記ハードマスク層に第１スペース幅から縮小された第２スペース幅を有する第３パターンを形成する工程と、前記ハードマスク層に形成された第３パターンを用いて前記被加工対象膜をエッチングする工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の微細パターン形成方法に関し、露光装備の解像度の限界を克服するため二重パターニング(Double Patterning)工程を行うことにおいて、第1マスク工程と第2マスク工程を整列する工程が容易でなく不良が発生する。
【解決手段】半導体基板４００上部にハードマスク層４１０及びエッチング静止膜４２０を形成する段階と、前記エッチング静止膜上部に犠牲酸化膜パターンを形成する段階と、前記犠牲酸化膜パターンの側壁にスペーサを形成する段階と、前記犠牲酸化膜パターンを除去する段階と、前記スペーサをマスクに前記エッチング静止膜及び前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する段階とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複雑なパターンのレチクルを用いることなく非直線状の微細なパターンのエッチングマスクを精度良く容易に形成することのできるエッチングマスクの形成方法、制御プログラム及びプログラム記憶媒体を提供する。
【解決手段】第１のレチクルを用いて、フォトレジスト１１に直線状の露光パターン１０を転写、現像、トリミングした後、これをマスクとしてＳｉＯ₂層１２をエッチングする。次に、第２のレチクルを用いて、フォトレジスト１４に直線状の露光パターン１５を転写、現像した後、ＳｉＯ₂層１２からのフォトレジスト１４端部のはみ出し量Ｌを測定する。次に、フォトレジスト１４のパターンを所定の太さ、長さにトリミングするとともに、はみ出し量Ｌを所定量以下とし、これをマスクとしてＳｉ₃Ｎ₄層１３をエッチングして略Ｌ字状のエッチングマスクを形成する。 （もっと読む）

【課題】２回のマスク工程によるライン線幅の臨界寸法の不均一性を改善させることができる半導体素子の微細パターン形成方法の提供。
【解決手段】被エッチング層２０１上に第１エッチング阻止膜２０２を形成し、阻止膜上に第２エッチング阻止膜２０３を形成し、阻止膜上に第１犠牲膜を形成し、第１犠牲膜を選択的にエッチングして、第１犠牲パターンを形成し、第１犠牲パターンを含む阻止膜の上面に沿って第２犠牲膜２０９を形成し、第１犠牲パターンが露出するように、第２犠牲膜と、阻止膜とをエッチングし、第１犠牲パターンを除去し、第２犠牲膜と、阻止膜とをエッチングして、第２犠牲パターンを形成する。第２犠牲パターンをエッチングバリア層として、第１エッチング阻止膜をエッチングし、第２犠牲パターンと、第１エッチング阻止膜とをエッチングバリア層として、被エッチング層をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】試料に対して安定かつ再現性の高い処理を施すことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】試料台に高周波バイアス電力を供給してプラズマ中の荷電粒子を吸引する高周波バイアス電源１１０と、該高周波バイアス電源の出力レベルを外部設定信号にしたがって調整する出力レベル設定部、および前記高周波バイアス電源の出力モードを外部設定信号にしたがって、連続して前記高周波バイアス電力を出力する連続モードまたは断続して前記高周波バイアス電力を出力する変調モードの何れかに設定する出力モード設定部を備えた制御装置１１９を備え、該制御装置は、出力レベルまたは変調モードの設定信号を受信して受信した前記設定信号が、出力レベルの切り替え、変調モードの切り替え、出力レベルおよび変調モードの切り替えの何れであるかを判定し、所定時間経過後に出力レベル、変調モード、出力レベルおよび変調モードの各切り替えの何れかを行う。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、Ｈｉｇｈ−ｋ膜である金属酸化物を、下地ポリシリコン膜との高い選択性（比）を保ちつつ、パターンの疎部と密部によるエッチング速度差、及び形状差の小さいエッチング特性を有するＨｉｇｈ−ｋ膜のドライエッチング方法を提供することである。
【解決手段】
プラズマを用いＨｉｇｈ−ｋ膜をドライエッチングする方法で、希ガスと混合したＢＣｌ₃ガスに、炭素元素比率の高いフルオロカーボンガスを微少添加する構成とした。 （もっと読む）

【課題】プラズマリアクタチャンバ内でウェハ全体に亘ってのエッチング速度の均一な分布が可能なプラズマリアクタチャンバを提供する。
【解決手段】側壁部１０８と天井部１１０を含むチャンバ筐体と、ワークピース支持体１２５と、前記ワークピース支持体１２５を取り囲み、上面とベース部を有し、前記ベース部から前記上面へと延びる複数の内部ガス流チャネルを有しているカソードライナ２００と、前記内部ガス流チャネルのそれぞれに連結された、前記ベース部のガス供給プレナムと、前記カソードライナ２００の前記上面の上に横たわり、前記ウェハ支持面の外縁部に隣接した内側縁端部を有する処理リング２０５と、前記内側縁端部を通り、かつ前記ワークピース支持面に面したガス注入路を有し、前記複数の内部ガス流チャネルに連結された、前記処理リング２０５内のガス注入部と、前記ガス供給プレナムに連結されたガス供給システムとを有する。 （もっと読む）

【課題】レジストのサイドエッチングの発生が抑制され、下地膜を所望の形状に良好に加工することが可能なドライエッチング方法、及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下層レジスト１２０、中間層１３０、及び上層レジスト１４０が下から順に積層されてなる多層レジストを用いて下地膜１１０をエッチングするドライエッチング方法であって、下地膜１１０上に多層レジストを形成した後、上層レジスト１４０及び中間層１３０をマスクとして、第１のガス及び第２のガスを含むエッチングガスを用いて下層レジスト１２０をエッチングする工程（ａ）と、工程（ａ）の後、下層レジスト１２０をマスクとして、第２のガスを含むエッチングガスを用いて下地膜１１０をエッチングする工程（ｂ）とを備えている。第２のガスは、下地膜１１０をエッチングするためのガスである。 （もっと読む）

【課題】異常放電の発生を抑えることができ、パーティクルの発生を低減することができるコスト安価なプラズマ処理装置、及びこれを用いた半導体製造装置、並びに板状の製品の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバーを有し、チャンバーの内部に導入したガスのプラズマを発生させて、チャンバーの内部に設置された半導体ウェハ（被処理物）に対して、プラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、チャンバーの上方及び外周外方にそれぞれ設けられた上部部材２及び側壁部材３の接合部の形状を、曲率中心がチャンバーの内部に設定された湾曲状に形成した。 （もっと読む）

【課題】電極とその上流側または下流側のガス通路を形成する部材との間からのガス漏洩を確実に防止可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】電極２０の上流側に通路部材５０を設け、その連通路５１を放電空間１ａに連ねる。電極２０の放電空間１ａを向く面を誘電部材４０の覆部４１で覆う。覆部４１の通路部材５０側の端部から電極２０の側へ鍔４２を突出させ、通路部材５０と誘電部材４０との間にはシール材６１を介在させる。挟持部材７１の挟持部７３を鍔４２と電極２０の間に差し入れ、ネジ部材７５を通路部材５０を通してねじ受け部７２にねじ込む。 （もっと読む）

【課題】 大幅な工程の増加を招来することなく、同一チップ内における埋め込み用絶縁膜の表面の平坦性を担保可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＳｉＯ_２膜２が堆積された半導体基板１上に、ＳｉＮ膜３、ポリシリコン膜４、ＳｉＯＮ膜５を堆積後、パターニングする。次に、ウェットエッチング処理を行い、ＳｉＯＮ膜５の基板面と平行方向に係る寸法をポリシリコン膜４よりも小さくする。次に、全面にサイドウォール形成用絶縁膜１２を堆積し、異方性エッチング処理を施す。次に、半導体基板１に対して異方性エッチング処理を施し、トレンチ１３を形成する。このとき、ＳｉＮ膜３の外周部分に突出部１２が形成される。その後、全面に埋め込み用絶縁膜を堆積した後、研磨処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板面内におけるエッチング変換差の面内ばらつきを小さく抑えるとともに、製品たる半導体装置の製造効率を高めることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面へのリソグラフィプロセスによるエッチングマスクの形成に用いられる半導体装置の製造方法であって、それぞれ所定の開口率を有する第１パタン部と第２パタン部とが一定位置に配置されてなるエッチングマスクを用いたエッチング処理によって、このエッチングマスク下の被エッチング膜に生じるエッチング変換差を第２パタン部の開口率と関係付けたデータとして予備的に求める（ＳＴ１〜５）。被エッチング膜におけるエッチング変換差の面内ばらつきが小さくなるように、基板に実処理のためのエッチングマスクを形成する際の第２パタン部の開口率を先に求めたデータに基づいて決定する（ＳＴ６）。 （もっと読む）