【課題】パターニングされた被エッチング膜のシリサイド化を簡便に行うことのできる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法は、ポリシリコン膜２１上にＳｉＯ_２ 膜２２をパターンニングし、ＳｉＯ_２ 膜２２を覆うようにポリシリコン膜２３を堆積した後、ＳｉＯ_２ 膜２２の側壁部分にポリシリコン電極２３ａを形成する。次いで、ＳｉＯ_２ 膜２２を除去した後、堆積したＳｉＯ_２ 膜２４をエッチバックして電極２３ａの側壁部にＳｉＯ_２ からなるサイドウォール２４ａを形成する。次いで、サイドウォール２４ａの間にポリシリコンを埋め込むことによってポリシリコン電極２３ｂを形成し、サイドウォール２４ａを除去して、ポリシリコン膜２１およびポリシリコン電極２３ａ，２３ｂをエッチバックすることでポリシリコン膜２１をパターンニングする。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置を提供する。
【解決手段】薬液を用いて半導体基板を洗浄し、純水を用いて前記薬液を除去し、前記半導体基板表面に撥水性保護膜を形成し、純水を用いて前記半導体基板をリンスし、前記半導体基板を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】パワーＭＯＳＦＥＴの耐圧性向上を目的として設けられた電界緩和リング（ＦＬＲ）の側面に、エッチングの際に残るＰｏｌｙ−Ｓｉ膜によって、ＦＬＲパターンの配線間の寸法差にばらつきが発生することを防止する。また、その寸法差のばらつきによるＶ_ＤＳＳ耐圧特性の不具合の発生を防止し、歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体基板３上のＰｏｌｙ−Ｓｉ膜をドライエッチングにより加工し、ゲート電極８Ｇを形成する際、エッチングガスに使用するＣｌ_２及びＯ_２ガスに加え、ＳＦ_６ガスを添加してエッチングすることにより、等方性エッチングを可能にし、ＦＬＲ５の側面のエッチング残り９の量を低減させる。 （もっと読む）

【課題】パターン形成特徴部の幅とパターン形成特徴部の間の間隔（トレンチ幅）の双方を集積回路内で変化させつつ単一高解像度フォトマスクを用いた標準フォトリソグラフィ処理技術を用いて可能であるものと比較して高密度（即ち、低ピッチ）を持つ基板上にパターン形成特徴部を形成する方法を提供する。
【解決手段】基板の上にコア層と保護層を形成し２５２、レジストパターンをコア層に転写２５６、レジスト除去自己制限的エッチングにより狭いパターン上の保護層すべてと、広いパターンの保護層の一部を除去２６０し、コンフォーマル誘電体層を形成、方向性エッチング２６４後、狭いパターン構造からコア層を除去２６８してパターン形成特徴部が形成される。 （もっと読む）

【課題】熱酸化シリコン膜、非ドープＣＶＤ酸化シリコン膜、多結晶シリコン膜、窒化シリコン膜を含む積層膜に対して、常温において洗浄時の各種膜に対するエッチング量差を低減し、また、各種膜に対するエッチング速度を適度に制御することを可能とする。
【解決手段】半導体基板の主面上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の上に導電層を堆積する工程と、前記導電層の上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記絶縁層および前記導電層をエッチングすることによってゲート素子を形成する工程と、前記フォトレジスト膜を除去した前記半導体基板の主面を半導体洗浄用組成物によって洗浄する工程と、前記半導体洗浄用組成物のリンス処理および乾燥処理を行う工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記半導体洗浄用組成物は、フッ化アンモニウムと、フッ化水素酸と、過酸化水素と、脂肪族第１級アミンとを含む２０℃〜２８℃の混合水溶液からなる。 （もっと読む）

【課題】 ノズル等のガス出力手段の内壁全体をクリーニングガスによってクリーニングすることができるようにする。
【解決手段】 基板に所定の処理を施す反応管と、反応管内に反応ガスを供給する複数のノズルと、複数のノズルとは別に設けられ、反応管内にクリーニングガスを供給するクリーニング用ノズルと、ノズルの内部をクリーニングする場合に、複数のノズルのうち選択したノズルにクリーニングガスを供給し、選択していないノズルに不活性ガスを供給すると共に、反応管の内部をクリーニングする場合に、少なくともクリーニング用ノズルより反応管内にクリーニングガスを供給するように制御するコントローラと、を有する。 （もっと読む）

【課題】疎部及び密部のそれぞれにおいて、所望の寸法のデバイスパターンを簡単にエッチングにより形成できるようにする。
【解決手段】金属層１２上に２層のマスク層１３，１４を形成する工程と、２層のマスク層１３，１４に対して、各層ごとに、デバイスパターンを疎に形成する疎部または密に形成する密部におけるＣＤシフト量を調整する１種類のエッチングパラメータを変更させてエッチングを行い、マスクパターン１３−１〜１３−４，１４−１〜１４−４を形成する工程と、マスクパターン１３−１〜１３−４を用いて金属層１２をエッチングし、ゲート電極１２−１〜１２−４を形成する。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比エッチングを行う際に，エッチングレートとレジスト選択比の両方を従来以上に向上させることができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】堆積性を有するエッチングガス（例えばフルオロカーボン系ガス）を含む処理ガスにＳＦ_６ガスを添加ガスとして加えて処理室１０２内に導入してプラズマを形成し，その際に添加ガスの流量を調整することによって，ウエハＷ上に堆積する堆積物の膜厚を制御するとともに，堆積物の硬さを制御しながら，被エッチング膜のエッチングを進行させる。 （もっと読む）

【課題】ドライクリーニングにおいてガス供給管の破損を防ぎ、メンテナンス効率を高めるようにする。
【解決手段】ウエハ２００を処理室２０１内に搬入する工程と、ガス供給管１６５，１６６，１６７に原料ガスを供給して処理室２０１内に原料ガスを導入し、基板２００にシリコン又はシリコン化合物の膜を形成する工程と、処理室２０１内から基板を搬出する工程と、処理室２０１内を加熱する加熱工程と、加熱工程後に処理室２０１内の温度を低下させる降温工程と、降温工程後にガス供給管１６５，１６６，１６７にクリーニングガスを供給して処理室２０１内にクリーニングガスを導入するクリーニングガス導入工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比を有する多結晶シリコン膜のエッチング加工において、加工性の向上を図る。
【解決手段】シリコン基板１の上面にゲート絶縁膜４が形成され、その上面に多結晶シリコン膜５、７、電極間絶縁膜６などからなるゲート電極の積層膜からなる加工対象膜が形成されている。この上面に、ハードマスクとして機能するシリコン窒化膜８、酸化アルミニウム膜９が積層される。従来相当のシリコン窒化膜１０が単層の構成のハードマスクに比べ、ハードマスクを薄くすることができる。これによって、リソグラフィのパターン幅Ａに対して最終加工幅Ｃ１はＣ２に対して小さくすることができ、加工変換差を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】真空雰囲気において処理容器内の基板に対して処理ガスをプラズマ化したプラズマを供給してプラズマ処理を行うにあたって、面内均一性高く処理を行うこと。
【解決手段】基板を載置する載置台に対向するように、下面に多数のガス吐出孔が形成されたガスシャワーヘッドを処理容器の天壁に設けると共に、このガスシャワーヘッドの周囲における処理容器の天壁を誘電体により構成し、この誘電体上に基板の上方の処理領域の周囲にマイクロ波により前記基板の径方向に概略平行な電界を形成し、更にガスシャワーヘッドに負の直流電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】水素ガスをエッチングガスとして用いた場合に、シリコン材料の表面粗さを悪化させることなく、シリコン基板を鏡面加工し得るプラズマ加工装置及びプラズマ加工方法を提供する。
【解決手段】プラズマ加工処理装置１０は、水素雰囲気下にてシリコン基板２に近接させた電極１１とシリコン基板２との間に生成した水素プラズマ６を、シリコン基板２の表面に接触させてシリコン基板２をエッチングする。水素プラズマ６を生成するためのマイクロ波を出力するマイクロ波発振器２３と、電極１１を形成するパイプ内を通して水素ガスをシリコン基板２の加工面へ向けてプラズマ内部へ供給する水素導入ライン１２とを備える。シリコン基板２の内部への水素の拡散速度以上のエッチング速度にてシリコン基板２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】大気圧プラズマ処理において、フッ素原料の回収率又は回収濃度の変動を抑制し、処理の安定性を確保する。
【解決手段】大気圧プラズマ処理部２から排出ライン３０に出された排出ガスを、分離部４０の分離膜４１で回収ライン５０への回収ガスと放出ライン６０への放出ガスに分離する。回収ガスをプロセスガスの少なくとも一部に充てる。上記分離に際し、フッ素系原料の回収率及び回収濃度のうち何れか一方又は両方が所望になるよう、回収ガス、放出ガス、排出ガスのうち少なくとも２つのガスの上記分離に係る物理量（好ましくは圧力）をプロセスガスの流量に応じて調節する。 （もっと読む）

【課題】ゲート長を決めるドライエッチングにおいてプラズマ発光をモニターすることによる終点検出方法を用いることにより半導体装置のゲート長を安定して製造する。
【解決手段】ソース拡散層、ドレイン拡散層及び柱状半導体層が基板上に垂直方向に階層的に配置され、柱状半導体層の側壁にゲートが配置される半導体装置の製造方法であって、柱状半導体層を埋め込むように第１の絶縁膜又は導電膜を成膜し、第１の絶縁膜又は導電膜を柱状半導体層上部に形成されたストッパーにより終点検出を行い平坦化し、第２の絶縁膜又は導電膜を成膜し、第２の絶縁膜又は導電膜のエッチングすると共にエッチング時のエッチングレートを算出し、第２の絶縁膜又は導電膜をエッチバックする際の第２の絶縁膜又は導電膜のエッチングレートを用いて第１の絶縁膜又は導電膜のエッチングの終点検出を行うことにより、第１の絶縁膜又は導電膜のエッチング量を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板上の積層膜構造における各膜の光学定数を算出する際に，各光学定数の算出精度を向上させる。
【解決手段】基板上に形成された積層膜構造における各膜の光学定数を算出する光学定数算出方法であって，各膜をそれぞれ下から順に対象膜とし，その対象膜の光学定数を既に算出された下層膜の光学定数を用いて算出することによって，各膜の光学定数を順次算出する基本ステップと，基本ステップで算出した対象膜の光学定数を，再フィッティング処理によって下層膜の光学定数を修正しながら算出し直す再計算ステップとを有する。これにより，下層膜の光学定数を物理的に正しい解に導くことができ，光学定数の算出精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホール側壁に付着した有機膜の抵抗値を簡単且つ的確に測定する。
【解決手段】基板２０上に形成された下部電極であるポリＳｉ膜２２ａと、このポリＳｉ膜２２ａ上にＢＰＳＧ膜２３を介して形成された中間電極であるポリＳｉ膜２４ａと、このポリＳｉ膜２４ａ上にＢＰＳＧ膜２５を介して選択的に形成されたホトレジスト膜からなるホールパターン２６ａと、このホールパターン２６ａをマスクにしてプラズマエッチングにより形成され、ポリＳｉ膜２４ａ，２２ａを貫通するコンタクトホール２７と、このコンタクトホール２７の形成時に、コンタクトホール側壁に付着する有機膜２８と、を有する半導体装置を用意する。そして、ポリＳｉ膜２２ａ，２４ａ上に有機膜・レジスト膜２６ｂが被着された状態で、ポリＳｉ膜２２ａ，２４ａ上から、プローブ針３１により複数回コンタクトを実施し、有機膜２８の抵抗値を測定する。 （もっと読む）

【課題】エッチング加工形状のウエハ面内における均一性が良好で、極微細加工、あるいは多層膜エッチングに好適なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部を減圧可能な減圧処理室８と、該減圧処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段９と、前記減圧処理室内にマイクロ波を供給してプラズマを生成するマイクロ波供給手段１と、前記減圧処理室内に被処理材である試料を載置して保持する試料載置電極１１と、前記減圧処理室に接続され該減圧処理室内のガスを排気する真空排気手段１４を備え、前記減圧処理室、ガス供給手段の処理室へのガス供給部、マイクロ波供給手段の処理室へのマイクロ波導入部、試料載置電極、および真空排気手段を前記減圧処理室の中心軸に対して同軸上に配置し、前記マイクロ波導入部は、入力されたマイクロ波の偏波面を回転させて前記処理室に供給するマイクロ波回転発生器２２を備えた。 （もっと読む）

【課題】高誘電率絶縁膜上に金属膜及び多結晶Ｓｉを堆積した構造の半導体を垂直にかつ微細に加工する。
【解決手段】半導体基板上に形成されたＨｆあるいはＺｒを含む絶縁膜１０２、該絶縁膜上に並置して形成された互いに仕事関数が異なる第１および第２の金属膜１０３，１０４、該第１および第２の金属膜上に堆積して形成した多結晶シリコン膜１０５を有し、該多結晶シリコン膜上に形成したレジスト１０８を用いて、プラズマ雰囲気中で前記多結晶シリコン膜並びに前記第１および第２の金属膜をエッチング加工する半導体加工方法において、前記前記複数種の金属膜上の多結晶シリコン膜のうちエッチング終了が早い方である第２の金属膜上の多結晶シリコン膜のエッチング終了後は、前記処理ガスとして、ＨＢｒおよび酸素を含むガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】多様な幅を有するパターンを同時に形成しつつ、一部領域ではダブルパターニング技術によりパターン密度を増加させることができる半導体素子のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板３００上のデュアルマスク層をパターニングして第１領域Ａには第１マスクパターン３２０Ａを形成し、第２領域Ｂには第１マスクパターン３２０Ａより幅広である第２マスクパターン３２０Ｂを形成する。第１マスクパターン３２０Ａの両側壁を覆う第１スペーサ３５０Ａと第２マスクパターン３２０Ｂの両側壁を覆う第２スペーサ３５０Ｂとを同時に形成する。第１マスクパターン３２０Ａを除去した後、第１領域Ａでは、第１スペーサ３５０Ａをエッチングマスクとして利用し、第２領域Ｂでは第２マスクパターン３２０Ｂ及び第２スペーサ３５０Ｂをエッチングマスクとして利用して第１領域Ａ及び第２領域Ｂで同時に基板３００をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】シリコン表面における発電面積を大きくしうるテクスチャーを効率良く形成する技術を提供する。
【解決手段】本発明は、シリコン基板の表面の自然酸化膜をドライエッチング法によって除去する自然酸化膜除去工程（Ｐ２）と、シリコン基板の表面をドライエッチング法によってテクスチャーを形成するテクスチャー形成工程（Ｐ４）と、シリコン基板の表面におけるテクスチャーの形成時にダメージを受けた層をドライエッチング法によって除去するダメージ層除去工程（Ｐ６）と、シリコン基板のテクスチャーの形状をウェットエッチング法によって丸めるテクスチャー丸め工程（Ｐ７）とを有する。自然酸化膜除去工程（Ｐ２）、テクスチャー形成工程（Ｐ４）、ダメージ層除去工程（Ｐ６）を同一の真空処理槽２内で行う。 （もっと読む）