【課題】プラズマ処理の均一性と効率を高める、ガス噴射システム及び方法を提供する。
【解決手段】本システムは、プラズマ処理チャンバ１０、真空ポンプ、基板支持体１２、前記基板支持体に対面する誘電体部材２０、ガス噴射器２２、ＲＦ源１９、アンテナ１８、等で構成される。アンテナはＲＦ源からのエネルギを、前記誘電体部材を通して処理ガスに誘導結合させ、プラズマ状態にして基板を処理する。また、ガス噴射器は、中央領域の軸上排気口と、前記中央領域を取り囲む環状領域の軸外排気口と、を有する。さらに、ガス噴射器は複数のガス噴射口を有し、複数のガス噴射口は独立して変化する流量で処理ガスを供給できる。これにより、チャンバ内の複数領域へのガスの流れを独立に調整が可能であり、多様な要求を満たすガス供給の変更を可能にする。このようなプラズマシステムを用いることで前述の課題が解決できる。 （もっと読む）

【課題】処理室の内部の汚染を抑制して、エッチングの均一性を可及的に高める。
【解決手段】被エッチング材２が設けられた被処理基板３を収容するための処理室３０と、処理室３０の内部に設けられ、被処理基板３を表面に保持するための基板保持部１０ａとを備え、処理室３０の内部のプラズマＰから生成したエッチング種Ｅにより被エッチング材２をエッチングするドライエッチング装置５０ａであって、基板保持部１０ａの被処理基板３を保持する領域の周囲に、被エッチング材２と同材質により構成され、エッチング種Ｅを消費するための周囲部材９ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理システムにおけるイオン支援エッチング処理に関する改良された方法及び装置を開示する。
【解決手段】本発明の様々な態様にしたがって、高位置エッジリング、溝付きエッジリング、及び高周波結合エッジリングが開示される。本発明は基板（ウェーハ）全体でのエッチング速度均一性を改良する働きをする。本発明により提供されるエッチング速度均一性の改良は、製造歩留まりを向上させるだけでなく、費用効率にも優れており、微粒子及び又は重金属汚染の危険を発生させない。 （もっと読む）

【課題】反応性イオンエッチング装置でのエッチングにおいて、チャンバー内に部分的なガス濃度の不均一が発生しやすく、さらにプロセス中での異常放電などの発生で基板毎の凹凸形成状態の不均一が発生することがあった。
【解決手段】複数の孔を有する第一電極板と、該第一電極板に対向して設けられた第二電極板と、前記第一電極板の前記第二電極板とは反対側に配置され、複数の孔を有する拡散板とをそれぞれ真空チャンバー内に平行に有し、反応性ガスが前記拡散板、前記第一電極板を通して前記第二電極板側の被処理物をエッチングするものであって、該拡散板が前記第一電極板に向かって移動可能であること。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】半導体ウエハを処理するための方法であって：ハフニウムおよび／またはジルコニウムを含む第１の酸化物材料を含む高誘電体層と；前記高誘電体層の上部に蒸着され、ランタン、ランタニド、および／または、アルミニウムを含む第２の酸化物材料を含むキャップ層と、を備えたスタックを準備する工程と；酸化剤を含む水溶液である液体Ａを前記半導体ウエハの表面に供給する工程ＳＡと；工程ＳＡの後に、６未満のｐＨ値の液体である液体Ｂを前記半導体ウエハの前記表面に供給する工程ＳＢと；工程ＳＢの後に、少なくとも１０ｐｐｍのフッ素濃度の酸性水溶液である液体Ｃを前記半導体ウエハの前記表面に供給する工程ＳＣとを備える方法が開示されている。 （もっと読む）

【課題】膜質の向上や膜質の均一化を可能とし、さらに、基板の大面積化にも対応可能なプラズマ製膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマ発生源１０Ａは、水素ガス流路３０が形成された中空箱形の正電極３１と、内部空間にプラズマ生成領域を形成するとともに正電極３１を収納設置して基板３と対向配置された中空箱形の負電極３２と、負電極３２の外部に形成されて原料ガスを基板３上に供給するガス出口３３ａを備えている原料ガス流路３３と、正電極３１の面に設けた水素ガスのガス出口３１ａと、負電極３２の面に設けた水素ラジカルの出口開口３２ａとを具備し、正電極３１内に導入した水素ガスに高周波電界を印加して水素ガスがプラズマ状態に励起された水素ラジカルを生成し、原料ガスと出口開口３２ａから供給される水素ラジカルとを負電極３２外のプラズマのない空間で反応させて基板３上に製膜する。 （もっと読む）

【課題】反応器内におけるプラズマ環境の浸食的および腐食的性質ならびにパーティクルおよび／または金属による汚染を最小限し、消耗品やその他部品を含めて、十分に高い耐浸食性および耐腐食性を有する装置部品を提供する。
【解決手段】プラズマ雰囲気における耐浸食、耐腐食および／または耐腐食−浸食を与える溶射イットリア含有被膜を備える半導体処理装置の構成要素。この被膜は下地を物理的および／または化学的攻撃から保護することができる。 （もっと読む）

【課題】歩留まりと信頼性を高めるフラッシュメモリセルを備えた半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、シリコン基板１に素子分離絶縁膜６を形成する工程と、シリコン基板１の表面にトンネル絶縁膜を形成する工程と、素子分離絶縁膜６とトンネル絶縁膜の上に第１導電膜を形成する工程と、第１導電膜をパターニングして導電パターン１３ａにする工程と、導電パターン１３ａの表層部分をスパッタエッチングする工程と、導電パターン１３ａと素子分離絶縁膜６の上に中間絶縁膜１６を形成する工程と、中間絶縁膜１６の上に第２導電膜１７を形成する工程と、導電パターン１３ａ、中間絶縁膜１６、及び第２導電膜１７をパターニングすることによりフラッシュメモリセルFLを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の受光面と裏面で生成された電流をともに裏面側で集める集電構造を有する太陽電池セルにおいて、受光面側電極を裏面側に引き出すための基板を厚さ方向に貫通する電極内部において空間が発生することによる特性不良を改善する。
【解決手段】太陽電池セルの受光面側電極を裏面側に引き出すための基板を厚さ方向に貫通する貫通孔にテーパー形状を設けることで、導電材料の貫通孔への注入不良による特性の劣化を改善できる。また、貫通孔内部および裏面側貫通孔周辺の絶縁膜形成、さらに受光面側の電極形成に凹版オフセット印刷法を用いることで、貫通孔を閉塞することなく貫通孔壁面全体に極薄の絶縁膜を形成すると同時に有効受光面積を増大させることができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ電位が低く，より安定した高密度のプラズマを容易に形成し，プラズマ処理の均一性をより簡単かつ的確に制御する。
【解決手段】処理室１０２内でウエハを載置する載置台１１０と，載置台に対向するように板状誘電体１０４を介して配設された内側アンテナ素子１４２Ａと外側アンテナ素子１４２Ｂとからなる平面状の高周波アンテナ１４０と，高周波アンテナを覆うように設けられたシールド部材１６０とを備え，各アンテナ素子はそれぞれ両端を開放するとともに中点又はその近傍を接地し，それぞれ別々の高周波電源からの高周波の１／２波長で共振するように構成した。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物を用いたマスクパターンを用いることなくＴＦＴ及びそれを用いた表示装置を製造することを目的とする。
【解決手段】ロールツーロール方式により加工処理を行う表示装置の製造方法であって、組成物の吐出口が一軸方向に複数個配列した第１の液滴吐出手段により、可撓性を有する基板上に開口部を有する絶縁性樹脂膜を形成し、組成物の吐出口が一軸方向に複数個配列した第２の液滴吐出手段により、開口部にゲート電極を形成し、プラズマの噴出口が一軸方向に複数個配列したノズル体を備えた被膜形成手段により、ゲート電極および絶縁性樹脂膜上にゲート絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコンの表面を、凹凸がナノオーダーになる程度に粗化する方法を提供する。
【解決手段】ＣＦ_４とＡｒとＨ_２Ｏを含むフッ素系原料ガスを大気圧近傍下のプラズマ空間１３に導入して、ＨＦを含むフッ素系反応ガスを生成する。このフッ素系反応ガスと、Ｏ_３を含む酸化性反応ガスと、プラズマ空間１３を経ないＮ_２等の希釈用不活性ガスとを混合して処理ガスを得、この処理ガスをシリコン基板９からなる被処理物に接触させる。フッ素系反応ガスと希釈用不活性ガスの流量比を、（フッ素系反応ガス）：（希釈用不活性ガス）＝２：３〜２：１２とし、好ましくは２：５〜２：８にする。 （もっと読む）

薄膜太陽電池構造、その製造方法及び薄膜太陽電池アレイを提供する。当該薄膜太陽電池構造の製造方法は、第1の表面から半導体基材101をエッチングして少なくとも2つの第1の溝123を形成し、第2の表面から半導体基材101をエッチングして、隣り合う2つの第1の溝123の間に位置する第2の溝124を少なくとも1つ形成するステップと、少なくとも第1の溝123の側壁に第1の構造160を形成するステップと、少なくとも第2の溝124の側壁に第2の構造170を形成するステップと、半導体基材101を、第1の溝123及び第2の溝124で切断し、又は引き伸ばして、薄膜太陽電池構造を形成するステップとを含む。本発明によれば、電極の間の距離を有効に短縮し、電子と正孔との再結合の確率を低減させ、ボディ再結合電流と表面再結合電流とを減少させることができ、発電効率を向上させるという目的に達することができる。本発明の薄膜太陽電池構造及び製造方法は、更に半導体材料の用量を節約し、製造コストを低減させることができる。
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【課題】金属触媒を用いたポリシリコンマスクの製造方法及びこれを用いた半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る金属触媒を用いたポリシリコンマスクの製造方法は、基板１０を提供するステップと、基板１０上に所定のパターンを有する非晶質シリコン層３０を形成するステップと、非晶質シリコン層３０上に金属触媒層４０を形成するステップと、非晶質シリコン層３０を熱処理してポリシリコンマスク３１を形成するステップとを含むことを特徴とする。
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【課題】エッチング時に、除去しにくい反応生成物を生じさせうる膜を含む積層構造の被加工膜にも対応できるエッチング技術を提供する。
【解決手段】ハードマスク膜と前記ハードマスク膜上に積層されたフォトレジスト膜とを含むマスク層を被加工膜上に選択的に形成し、フォトレジスト膜を含むマスク層をマスクとして前記被加工膜に対し第１のエッチングを行い、前記マスク層に前記フォトレジスト膜が実質的に存在しない状態で前記ハードマスク膜をマスクとして前記被加工膜に対し第２のエッチングをさらに行うことを特徴とする半導体装置の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】可変抵抗素子をエッチングすることなく、残渣を除去できる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】ワード線ＷＬ上に、バリアメタル膜２１、ポリシリコン膜２２、下部電極膜２３、金属酸化物からなる可変抵抗膜２４、上部電極膜２５を堆積させる。次に、上部電極膜２５、可変抵抗膜２４、下部電極膜２３をドライエッチングして選択的に除去する。このとき、金属系の残渣が発生する。次に、ＡＰＭを用いて金属系の残渣を除去する。次に、下部電極膜２３、可変抵抗膜２４及び上部電極膜２５の端面を覆う保護膜２６を形成する。次に、ポリシリコン膜２２及びバリアメタル膜２１をドライエッチングして選択的に除去する。このとき、シリコン系の残渣が発生する。次に、ＤＨＦを用いてシリコン系の残渣を除去する。このとき、保護膜２６が可変抵抗膜２４をＤＨＦから保護する。 （もっと読む）

【課題】複数膜種のエッチング終点の検出を容易な構成で確実に実施できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理室２のプラズマ光３を複数の分光装置７を用いて分光し、分光した複数波長の複数の光を１つの光電子増倍管９に入射することにより、複数種の膜を連続的にエッチングするに際して、装置制御システム変更無しにエッチング終点の検出を行う。 （もっと読む）

【課題】処理対象膜において形状の乱れが少ない開口部を形成することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】被処理膜３７と、被処理膜３７の上に形成された複数の小幅のライン３８ａからなるフォトレジスト膜と、各ライン３８ａの間において露出する被処理膜３７及びライン３８ａを覆うＳｉ酸化膜４０とを有するウエハにおいて、Ｓｉ酸化膜４０にエッチングを施してフォトレジスト膜の各ライン３８ａと被処理膜３７を露出させ、露出したフォトレジスト膜を選択的に除去し、さらに、残存するＳｉ酸化膜４０（一対のライン４２ａ，４２ｂ）にエッチングを施す。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスを製造する際のプラズマ処理工程において、ウエハに付着する異物を大幅に低減し、歩留まりを向上させる。
【解決手段】プラズマ分布を制御可能なプラズマ源を備えたプラズマ処理装置において、プラズマＯｎ／Ｏｆｆ時に、ウエハ上のシース／バルク境界面の形状を凸型に制御する。プラズマＯｎ／Ｏｆｆ時に、低めのソース電力とウエハバイアス電力を印加し、プラズマ分布を外高に制御するステップを入れることにより、ウエハの中心付近では厚いシースが、外周付近ではそれより薄いシースが形成される。 （もっと読む）

本発明は、基板の表面をテクスチャするためのドライエッチング方法に関し、この方法は以下の工程：ａ）基板の表面上で第１ドライエッチング工程を行い、これにより突起部と溝部とを有する表面テクスチャを形成する工程であって、第１ドライエッチング工程は、フッ素（Ｆ）ラジカルと酸素（Ｏ）ラジカルとを含むプラズマ中で基板の表面をエッチングする工程を含み、プラズマは過剰の酸素（Ｏ）ラジカルを含む工程、および、ｂ）表面テクスチャ上で第２ドライエッチング工程を行い、これにより表面テクスチャを平坦化する工程であって、第２ドライエッチング工程は、フッ素（Ｆ）ラジカルを含むプラズマ中で、工程ａ）で得られた表面テクスチャを、化学等方性エッチングする工程を含み、これにより突起部が溝部より実質的に速くエッチングされる工程、を含む。
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