【課題】同一ウエハ面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面のエッチングが進行する第１の状態、または半導体表面にポリマーが生成される第２の状態のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部１９０２，１９０３，１９０４を有するマスク１９００を半導体１８０１表面に形成すると共に、マスク１９００の周辺にマスクの開口部に供給される水素プラズマ濃度を制御するための周辺窓を有する周辺マスクを形成する第１の工程と、メタンプラズマおよび水素プラズマをマスクが形成された半導体表面に照射する第２の工程を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明はプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関する。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置は、チャンバと、前記チャンバ内の上部に設けられた上部電極と、前記チャンバ内の下部に前記上部電極と対向配置されて前記基板のベベルエッチング工程で前記基板のベベルが露出するように支持する下部電極と、前記上部電極と下部電極との間に設けられて前記基板の裏面エッチング工程で前記基板裏面の中央領域を露出するように支持する基板支持部と、前記基板の裏面エッチング工程で前記基板支持部を移動させて前記基板を前記基板支持部から分離させる移動部材と、を含む。 （もっと読む）

【課題】太陽電池、半導体素子または平板表示装置の基板の縁をエッチングするに際し、複数の基板を一度に処理し生産性の高い基板の縁のエッチング装置、エッチング方法を提供する。
【解決手段】エッチング装置１００、エッチング方法は、反応空間を形成するチャンバー１１０と；チャンバーの内部に設置されて複数の基板安置部１２２が定義される基板安置台１２０と；基板安置台の上部に設置されて、内部に中空部を具備し、底面で基板安置部と対応する位置に複数の貫通部１３２を具備するガス供給手段１３３と；貫通部の面積より小さい断面積を有して貫通部に挿入される本体部と、本体部に突出形成されて貫通部の縁に据置きされる係止段１４２を有する複数の基板遮へい部材１４０を含み、基板遮へい部材の本体部が複数の基板安置部に安置された各基板の中央部を遮って縁のみを露出させたまま基板の縁に対するエッチング工程を行う。 （もっと読む）

ウエハーの反りを定量化するための配置構造に関する。プラズマ処理システム内に位置する配置構造が提供される。配置構造はウエハーを保持するための支持機構を含む。配置構造は、ウエハー上の複数のデータポイントの第１測定データセットを収集するように構成された第１センサセットをも含む。第１測定データセットは、第１センサセット及びウエハーの間の最小ギャップを表す。第１センサセットは、プラズマ処理システムの処理モジュールの外部にある第１位置に位置している。 （もっと読む）

【課題】ワークピースの背面から重合体を除去するための方法を提供する。
【解決手段】本方法は背面の周縁環状部を露出した状態で、真空チャンバ内においてワークピースを背面で支持することを含む。本方法は更に、ガス流をチャンバ直径の約１％のワークピース縁部の間隙内にワークピース縁部で閉じ込めることを更に含み、間隙により正面側を含む上方処理ゾーンと背面を含む下方処理ゾーンとの間の境界が規定される。第１プラズマを下方外部チャンバ内において重合体エッチング前駆体ガスから発生させ、エッチャント副生成物を第１プラズマから下方処理ゾーンへと導入する。第２プラズマをエッチャント副生成物の捕捉剤の前駆体ガスから上方外部プラズマチャンバ内で発生させ、捕捉種を第２プラズマから上方処理ゾーンへと導入する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの原因となる基板端部の不要な膜を、他所に影響を及ぼすことなく効率的に除去する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板９の端部に形成された不要な膜を除去する基板処理装置を、真空チャンバー１と、真空チャンバー１内に配置された回転可能な基板設置台３と、エッチングガスを導入して内部でプラズマを発生する放電管４と、放電管４に結合する電界を発生させるマイクロ波電源６および導波管７とを備え、放電管４は、基板設置台３上に設置される基板９の端部に放出口１１が近接するように配置された構造とする。これによれば、基板９を回転させながらその端部に近接した放電管４の放出口１１からマイクロ波プラズマＰを照射することで、基板端部に残留した不要なバリア膜５６ａを確実にエッチングすることができ、基板端部からのパーティクルを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 基材の外周部の不要膜の除去処理において、基材の中央部にダメージが及ばないようにする。
【解決手段】
ステージ１０の内部に吸熱手段として冷媒室４１を設け、それに水等の冷媒を充填する。このステージ１０の支持面１０ａにウェハ９０を接触支持させる。このウェハ９０の外周部を加熱器２０で加熱しながら、この加熱された部位に反応性ガス吹出し口３０ｂから不要膜除去のための反応性ガスを供給する。一方、ウェハ９０の外周部より内側の部分は、上記吸熱手段にて吸熱する。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ等の基材の外周部の不要物を反応性ガスにて除去する際、反応効率を向上させ、ガス所要量を低減する。
【解決手段】
基材Ｗの外周部を、ガス案内部材３０の差し込み口３０ｂに差し込み、差し込み口３０ｂの奥に形成された案内路３０ａに位置させる。案内路３０ａは、基材Ｗの外周部を包むようにして周方向に延びている。この案内路３０ａに不要物除去のための反応性ガスを導入し、案内路３０ａの延び方向すなわち基材Ｗの外周部に沿って流す。 （もっと読む）

【課題】
半導体ウェハ等の基材の外周部の不要膜を効率良く輻射加熱し、エッチングレートを高める。
【解決手段】
基材９０をステージ１０の上面に設置し支持する。この基材９０の外周部の一箇所（被処理位置Ｐ）に吹出しノズル７５からオゾン等の反応性ガスを供給する。基材９０の上側かつ半径外側に照射部２２を配置し、この照射部２２から熱光線としてレーザＬ２０を被処理位置Ｐに向けて斜めに収束照射する。 （もっと読む）