基板エッチング装置及びこれを利用した基板エッチング方法
【課題】太陽電池、半導体素子または平板表示装置の基板の縁をエッチングするに際し、複数の基板を一度に処理し生産性の高い基板の縁のエッチング装置、エッチング方法を提供する。
【解決手段】エッチング装置１００、エッチング方法は、反応空間を形成するチャンバー１１０と；チャンバーの内部に設置されて複数の基板安置部１２２が定義される基板安置台１２０と；基板安置台の上部に設置されて、内部に中空部を具備し、底面で基板安置部と対応する位置に複数の貫通部１３２を具備するガス供給手段１３３と；貫通部の面積より小さい断面積を有して貫通部に挿入される本体部と、本体部に突出形成されて貫通部の縁に据置きされる係止段１４２を有する複数の基板遮へい部材１４０を含み、基板遮へい部材の本体部が複数の基板安置部に安置された各基板の中央部を遮って縁のみを露出させたまま基板の縁に対するエッチング工程を行う。
【解決手段】エッチング装置１００、エッチング方法は、反応空間を形成するチャンバー１１０と；チャンバーの内部に設置されて複数の基板安置部１２２が定義される基板安置台１２０と；基板安置台の上部に設置されて、内部に中空部を具備し、底面で基板安置部と対応する位置に複数の貫通部１３２を具備するガス供給手段１３３と；貫通部の面積より小さい断面積を有して貫通部に挿入される本体部と、本体部に突出形成されて貫通部の縁に据置きされる係止段１４２を有する複数の基板遮へい部材１４０を含み、基板遮へい部材の本体部が複数の基板安置部に安置された各基板の中央部を遮って縁のみを露出させたまま基板の縁に対するエッチング工程を行う。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の縁をエッチングする装置及び方法に関するものであって、具体的には２以上の基板（特に太陽電池用基板）を一度に処理することができる新しい概念の基板の縁のエッチング装置及びこれを利用したエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池は、ＰＮ接合半導体の内部で太陽光により励起された少数キャリアにより起電力を発生させる素子である。このような太陽電池を製造することに用いられる半導体には単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコン、化合物半導体等がある。
【０００３】
単結晶シリコンがエネルギー変換効率が最も良いが価格が高い短所のため多結晶シリコンがさらに多く用いられて、最近には非晶質シリコンや化合物半導体等の薄膜をガラスやプラスチック等の値段が安い基板に蒸着することによって非常に低廉に製造することができる薄膜型太陽電池も多く用いられている。
【０００４】
以下では図１の工程順序図及び図２Ａないし図２Ｅの工程断面図を参照して結晶質シリコン太陽電池を製造する一般的な方法を説明する。
【０００５】
まず図２Ａに示したように結晶質シリコン基板１０を準備して、塩基または酸溶液を利用した湿式エッチングを介して基板切断過程で発生した損傷を除去する。本明細書では便宜上ｐ型基板１０を利用して太陽電池を製造する過程を説明する。ｐ型基板の代わりにｎ型基板が利用されることができることはもちろんである（ｓｔ１１、図２Ａ）。
【０００６】
続いて光吸収率を高めるために基板１０の表面に対してテクスチャリング（texturing
）工程を実施する。テクスチャリングは基板１０の表面に所定形状の微細な凹凸を形成する工程であって、凹凸状は主にピラミッド形態であるものが望ましい。テクスチャリングは一般的に塩基または酸溶液を利用した湿式エッチング（wet etching）やプラズマを利
用した乾式エッチング（dry etching）を介して行われる（ｓｔ１２）。
【０００７】
テクスチャリング工程以後にはＰＮ接合構造を形成するためにｐ型基板１０にｎ型ドーパント（dopant）を拡散させる。
【０００８】
主に利用される方法は、高温拡散（thermal diffusion）法であって、ｐ型基板１０を
高温の拡散炉の内部に安置させた状態でＰＯＣｌ３、ＰＨ３等のｎ型ドーパント含有ガスを供給するとｎ型ドーパントがｐ型基板１０の内部に拡散しながら図２Ｂに示したようにｎ＋ドーピング層１２が形成される（ｓｔ１３、図２Ｂ）。
【０００９】
このような高温拡散工程（ｓｔ１３）は、通常８００℃以上の高温で進行されるが、この程度の高温では基板１０の表面にＰＳＧ（Phosphor-Silicate Glass）のような副産物
が形成される。ところがＰＳＧは電池の電流を遮蔽させる役割をするため電池効率を高めるために必ず除去しなければならない。主にエッチング溶液を利用した湿式エッチングを介して除去する。
【００１０】
もしもｎ型基板にホウ素（Ｂ）を含むｐ型ドーパントを拡散させる場合にはＢＳＧ(Boro-Silicate Glass)が生成されるが、ＢＳＧも電池の効率を低下させる役割をするので同
じ方法で除去しなければならない（ｓｔ１４）。
【００１１】
一方、拡散工程（ＳＴ１３）では図２Ｂに示したように基板１０のエッジ部分でもｎ＋ドーピング層１２が形成される。ところがエッジ部分のドーピング層１２を介しては前面電極と後面電極間の漏れ電流が発生するので電池の効率を高めるためには図２Ｃに示したように基板１０のエッジに形成されたｎ＋ドーピング層１２を除去しなければならない。
【００１２】
このような工程をエッジアイソレイション（edge isolation）といっており、具体的にはレーザを利用してエッジ部分を切断したり湿式エッチングを介してエッジ部分をエッチングする。但し、エッジアイソレイション工程はＰＳＧ除去をする前に遂行したり太陽電池を完成してテストを遂行する直前に進行されることができる（ｓｔ１５、図２Ｃ）。
【００１３】
続いて図２Ｄに示したようにｎ＋ドーピング層１２の上部に反射防止膜１４を形成する。特にＳｉＮ薄膜を反射防止膜１４として形成すれば太陽光の吸収率を高める役割だけでなく基板の表面保護膜（surface passivation）と水素保護膜（hydrogen passivation）
の役割も遂行する。ＳｉＮ薄膜はプラズマ強化化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）法を介して形成され、スパッタ法を通じてでも蒸着されることができる（ｓｔ１６、図２Ｄ）。
【００１４】
ＳｉＮを利用して反射防止膜１４を形成した以後には基板１０の前面と後面に導電物質を利用して電極を形成しなければならない。
【００１５】
このために基板１０の前面と後面にＡｌまたはＡｇを含んだ導電性ペーストをスクリーンプリンティング技法を利用して所定パターンで塗布して、前記基板１０を高温のファーネス（furnace）で焼結（sintering）させる。
【００１６】
導電性ペーストが焼結されながら図２Ｅに示したように基板１０の前面と後面にそれぞれ前面電極１８と後面電極１６が形成される。
【００１７】
特にｐ型基板１０の後面にＡｌペーストを塗布した後に焼結させれば、焼結過程でｎ＋ドーピング層１２にＡｌが拡散しながらｐ＋層１３が形成される。このようにｐ型基板１０の後面にｐ＋層１３が形成されれば基板１０の後面には後面電界（Back Surface Field）が形成される。
【００１８】
後面電界は、ｐ型基板１０の内部で太陽光により励起された電子が後面電極１６に移動して消滅しなくて、前面電極１８側に移動して光電流に寄与するようにすることによって太陽電池の効率を高める役割をする（ｓｔ１７、図２ｅ）。
【００１９】
電極形成工程が完了した以後には電池の効率等をテストしてその結果によって分類作業を行なう。テストをする前にモジュール化作業や絶縁のためにレーザカッティング作業を行なう事もでき、前述したようにエッジ部分で発生する漏れ電流を除去するために基板１０のエッジ部分を切断またはエッチングするエッジアイソレイションを行なうことができる。
【００２０】
続いて完成した複数の太陽電池を連結するモジュール化工程を介して太陽電池モジュールを製造する（ｓｔ１８）。
【００２１】
一方エッジアイソレイションのために湿式エッチングを行なえば、複数の基板を一度にエッチングすることができる長所があるがエッチング溶液の処理と関連して環境問題を引き起こす短所がある。
【００２２】
したがって最近には半導体素子や平板表示装置を製造する時基板の縁に不必要に蒸着された薄膜や汚染粒子を除去するために用いられる縁のエッチング装置を利用した乾式エッ
チングが研究されている。
【００２３】
しかし従来の乾式エッチング法は、基板を１枚ずつ処理するため生産性が非常に低い短所がある。特に太陽電池製造工程は生産性を高めるために数十個以上の基板を大型トレーに安置して薄膜蒸着工程などを行なう場合が多いためエッジアイソレイションのために基板を１枚ずつ処理するようになれば全体工程速度が大幅に低下されるしかない。
【００２４】
太陽電池製造工程だけでなく半導体製造工程や平板表示装置の製造工程でも基板の縁に蒸着または付着した汚染物質を除去するために別途に縁のエッチング工程を行なう場合があるため前述した問題点はこれら工程でも解決しなければならない課題で台頭している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２５】
本発明はこのような問題点を解決するためのものであって、複数の基板を一度に安置して縁のエッチング工程を行なうことによって生産性を大幅に向上させた基板の縁のエッチング装置を提供することにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
本発明は、前記目的を達成するために、反応空間を形成するチャンバーと；前記チャンバーの内部に設置されて複数の基板安置部が設けられる基板安置台と；前記基板安置台の上部に設置されて、内部に中空部を具備して底面で前記基板安置部と対応する位置に複数の貫通部を具備するガス供給手段と；前記貫通部の面積より小さい断面積を有しながら前記貫通部に挿入される本体部と、前記本体部で突出形成されて前記貫通部の縁に据置きされる係止段を有する複数の基板遮へい部材を含み、前記基板遮へい部材の前記本体部が前記複数の基板安置部に安置された各基板の中央部を遮って縁のみを露出させたまま前記基板の縁に対するエッチング工程を行なうことを特徴とする基板の縁のエッチング装置を提供する。
【００２７】
本発明の基板の縁のエッチング装置で、前記複数の基板安置部は前記基板安置台の床面にへこんでいるように形成されることを特徴とすることができる。
【００２８】
また前記基板安置台には上下を貫通する複数の排気ホールが形成されたことを特徴とすることができる。ここで前記複数の排気ホールは前記複数の基板安置部の間に形成されることを特徴とすることができる。
【００２９】
また基板の縁の下面を露出させるために前記基板安置部の周辺部に沿ってトレンチが形成されたことを特徴とすることができる。
【００３０】
また前記基板遮へい部材は、絶縁材質であることを特徴とすることができる。
【００３１】
また前記基板遮へい部材の前記係止段の底面には前記ガス供給手段の前記貫通部の周辺に据置きされる複数の支持部が突出形成されたことを特徴とすることができる。
【００３２】
また前記基板遮へい部材の前記係止段には第１整列手段が形成されて、前記ガス供給手段の前記貫通部の周辺には前記第１整列手段と結合する第２整列手段が形成されることを特徴とすることができる。
【００３３】
ここで前記第１整列手段と前記第２整列手段は、整列ピンまたは整列溝であることを特徴とすることができる。
【００３４】
また前記基板遮へい部材の前記本体部の側壁には前記ガス供給手段の前記貫通部の内壁と接する複数の突出部が形成されて、前記複数の突出部によって前記本体部が定位置を維持することを特徴とすることができる。
【００３５】
また前記ガス供給手段の底面には前記中空部と連通する複数の噴射ホールが形成されたことを特徴とすることができる。
【００３６】
また前記ガス供給手段にはＲＦ電源が連結されることを特徴とすることができる。ここで前記基板安置台は接地されたり第２のＲＦ電源に連結されることを特徴とすることができる。
【００３７】
また前記ガス供給手段は、接地されて前記基板安置台にはＲＦ電源が連結されることを特徴とすることができる。
【００３８】
また前記チャンバーの外部には前記ガス供給手段と連結する遠隔プラズマ発生装置が設置されることを特徴とすることができる。
【００３９】
また本発明は、前述した基板の縁のエッチング装置を利用して基板の縁をエッチングする方法において、前記複数の基板安置部のそれぞれに基板を安置する第１段階と；前記基板安置台を上昇させて前記基板遮へい部材の前記本体部で前記基板の中央部を遮って縁のみを露出させる第２段階と；前記ガス供給手段を介して前記基板安置台の上部にエッチングガスを噴射して前記基板の縁をエッチングする第３段階を含むことを特徴とする基板の縁のエッチング方法を提供する。
【００４０】
前記基板の縁のエッチング方法の前記第２段階では前記基板遮へい部材が前記基板安置台に安置された基板に密着し、又は前記基板遮へい部材と前記基板の間隔を１ｍｍ以下とすることを特徴とすることができる。
【００４１】
また前記第２段階では前記基板の縁が０．１〜５ｍｍの幅だけ露出することを特徴とすることができる。
【００４２】
また前記第３段階で前記エッチングガスは、ＳＦ６、Ｃｌ２、ＣＦ４またはＯ２であることを特徴とすることができる。
【００４３】
また前記第３段階で前記エッチングガスは、１０〜１００、０００ｓｃｃｍの流量で噴射されることを特徴とすることができる。
【００４４】
また前記第３段階は、前記ガス供給手段にＲＦ電力を印加して前記エッチングガスをプラズマ状態に励起させる過程を含むことを特徴とすることができる。ここで前記ＲＦ電力は前記基板安置台の面積に対して１００ｍＷ／ｃｍ２ないし５Ｗ／ｃｍ２の比率で印加されることを特徴とすることができる。
【００４５】
また前記第３段階は、外部の遠隔プラズマ発生装置でプラズマ状態に励起された前記エッチングガスを供給する過程を含むことを特徴とすることができる。
【００４６】
また前記第３段階の工程圧力は１０ｍＴｏｒｒないし１０Ｔｏｒｒであることを特徴とすることができる。
【発明の効果】
【００４７】
本発明によると、数ないし数百枚の基板を一度に安置して縁のエッチング工程を行なう
ことができるため全体工程速度を向上させて生産性を大きく高めることができる。
【００４８】
また乾式エッチング法であるため湿式エッチングによる環境問題や化学溶液処理負担を減らすことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】一般的な結晶質シリコン太陽電池の製造方法を示したフローチャート。
【図２Ａ】結晶質シリコン太陽電池の製造方法を示した工程断面図。
【図２Ｂ】結晶質シリコン太陽電池の製造方法を示した工程断面図。
【図２Ｃ】結晶質シリコン太陽電池の製造方法を示した工程断面図。
【図２Ｄ】結晶質シリコン太陽電池の製造方法を示した工程断面図。
【図２Ｅ】結晶質シリコン太陽電池の製造方法を示した工程断面図。
【図３】本発明の実施形態による基板の縁のエッチング装置の概略構成図。
【図４】複数の基板をトレーを利用して基板安置台にロードした様子を示した図面。
【図５】ＲＦ電極の底面図。
【図６】基板遮へい部材の底面斜視図。
【図７】基板遮へい部材の整列のための整列ピンを示した斜視図及び断面図。
【図８】基板遮へい部材の整列のための整列ピンを示した斜視図及び断面図。
【図９】基板遮へい部材の整列のための本体部の複数の突出部を示した図面。
【図１０】本発明の実施形態による基板の縁のエッチング装置を利用した基板の縁のエッチング工程を示したフローチャート。
【図１１】基板の縁のエッチング装置の工程時の様子を示した断面図。
【図１２】エッチング工程時の基板周辺部を示した拡大断面図。
【図１３】他の実施形態による基板の縁のエッチング装置の基板遮へい部材を示した底面斜視図。
【図１４】図１３の基板遮へい部材が設置された場合の基板周辺部を示した拡大断面図。
【図１５】他の実施形態による基板の縁のエッチング装置のＲＦ電極の下面に形成された噴射ホールを示した図面。
【図１６】図１５で基板安置台が上昇した様子を示した図面。
【図１７】他の実施形態による基板の縁のエッチング装置の基板安置台の排気ホールを示した図面。
【図１８】他の実施形態による基板の縁のエッチング装置のＲＦ電極の下面の噴射ホール及び基板安置台の排気ホールを示した図面。
【図１９】他の実施形態による基板の縁のエッチング装置の基板安置部の周辺部に沿って形成されたトレンチを示した図面。
【図２０】他の実施形態による基板の縁のエッチング装置の多くの連結類型のＲＦ電源を示した図面。
【図２１】他の実施形態による基板の縁のエッチング装置の多くの連結類型のＲＦ電源を示した図面。
【図２２】遠隔プラズマ発生装置を含む他の実施形態による基板の縁のエッチング装置を示した図面。
【発明を実施するための形態】
【００５０】
以下では図面を参照して本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。
【００５１】
本発明の実施形態による基板の縁のエッチング装置は、図３の概略断面図に示したように、内部に反応空間を形成して一側に基板出入口１１２を有するチャンバー１１０、前記チャンバー１１０の内部に設置されて複数の基板（ｓ）を安置する基板安置台１２０、前記基板安置台１２０の上部に位置するＲＦ電極１３０を含む。
【００５２】
エッチング工程が進行される間基板の縁のエッチング装置の圧力が一定に維持されるように、エッチングガス（反応ガス）は、外部からガス供給管１５０を介して一定に供給されて、残留されたエッチングガスとエッチング副産物はガス排気管１２４を介して一定に排気される。
【００５３】
基板安置台１２０は、複数の基板安置部１２２を具備し、各基板安置部１２２は基板安置台１２０の床面に設定された領域であって基板安置台１２０の残り部分と同一平面上に設けることもできて、図示したようにへこんでいるように形成することもできる。へこんでいるように形成する場合には容易な基板整列のために各基板安置部１２２の縁を傾斜面で処理することが好ましい。
【００５４】
基板安置台１２０は、底面に連結される支持部によって昇降運動が可能となっており、前記支持部は中央部に一つだけ設けることもでき、又複数個が設けることもできる。
【００５５】
一方例えば太陽電池製造工程では基板安置台１２０に数十ないし数百個の基板（ｓ）を安置して工程を行なわなければならないが基板安置台１２０にこのように複数の基板（ｓ）を安置することが容易でない。
【００５６】
したがって図４に示したように平坦な床面を有する基板安置台１２０に複数の基板（ｓ）を安置したトレー（Ｔ）を乗せて工程を行なうことができる。
【００５７】
すなわち、チャンバー１１０の外部でトレー（Ｔ）に複数の基板（ｓ）を安置させて、前記トレー（Ｔ）をチャンバー１１０の内部に搬入して基板安置台１２０に載せることも出来る。この場合には基板安置台１２０の床面は平坦に処理してトレー（Ｔ）の床面に基板（ｓ）を安置するへこんでいた基板安置部１２２を形成することが好ましい。
【００５８】
ＲＦ電極１３０は、Ａｌ等の材質で製造されてＲＦ電源１６０に連結される。ＲＦ電源１６０とＲＦ電極１３０の間にはインピーダンスマッチングのためのマッチング回路１６２が設置される。ＲＦ電源１６０は１０ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚまたはＶＨＦ（３０〜３００ＭＨｚ）のＲＦ電力を提供して、具体的なＲＦ電力の大きさは基板安置台１２０の大きさによって決定される。
【００５９】
本発明の基板の縁のエッチング装置１００ではＲＦ電極１３０がガス噴射手段の役割も遂行する。このためにＲＦ電極１３０は内部にガス供給管１５０と連通する中空部１３１を具備して、下面１３１に図５に示したように複数の貫通部１３２を具備する。
【００６０】
前記複数の貫通部１３２は、基板安置台１２０に安置される基板（ｓ）の位置にそれぞれ対応して形成され、前記各貫通部１３２にはエッチング工程時に基板（ｓ）の中央部を遮るための基板遮へい部材１４０が挿入設置される。
【００６１】
ＲＦ電極１３０は、チャンバー１１０に対して絶縁されなければならなく、このためにチャンバー１１０の側壁またはチャンバー１１０のリードとＲＦ電極１３０の間には絶縁部材１７０を設置する。
【００６２】
基板遮へい部材１４０は、図６の底面斜視図に示したように本体部１４４と本体部１４４の上端から外側へ形成された係止段１４２を具備し、セラミック、テフロン（登録商標）系列等の絶縁材質で製造される。またピーク（PEEK）、ベスペル（Vespel）（登録商標）、ポリイミド（Polymide）等の材質が利用されることができる。
【００６３】
本体部１４４は、ＲＦ電極１３０の貫通部１３０を介して下部に突出する部分であって、本発明ではＲＦ電極１３０の内部に流入されたエッチングガスが本体部１４４と貫通部１３０間の間隙を介して下部に流動しなければならないので本体部１４４の断面積は貫通部１３０の面積に比べて小さくなければならない。
【００６４】
また本体部１４４は、エッチング工程時に基板（ｓ）の中央部を遮るためのことであるので本体部１４４の断面積は基板（ｓ）の大きさよりは小さくなければならない。
【００６５】
係止段１４２は、基板遮へい部材１４０をＲＦ電極１３０の貫通部１３２のエッジにかけるためのことなので係止段１４４の断面積は貫通部１３０より大きくなければならない。
【００６６】
一方図面では本体部１４４を四角柱状で示したが、これは下部に位置する基板（ｓ）が四角形であるためで、基板（ｓ）が円形ならば本体部１４４の断面は基板（ｓ）より小さい直径の円形でなければならない。結局基板遮へい部材１４０はエッチング工程時に基板（ｓ）の縁を一定な幅で露出させなければならないのでその形状は基板（ｓ）の形態により決定される。
【００６７】
一方基板遮へい部材１４０は、基板（ｓ）の中央部を遮る一方縁を一定な幅で露出させなければならないので基板遮へい部材１４０と基板（ｓ）の整列が非常に重要である。
【００６８】
ところが基板遮へい部材１４０の本体部１４４の断面積がＲＦ電極１３０の貫通部１３２の面積より小さいため基板安置台１２０が昇降する過程でその位置が不安定になりえる。
【００６９】
これを防止するためには図７の斜視図及び図８の設置断面図に示したようにＲＦ電極１３０の貫通部１３２の周辺に複数の整列ピン１３６を設置して、基板遮へい部材１４０の係止段１４２には前記複数の整列ピン１３６が挿入される整列溝（１４３）を形成することができる。
【００７０】
したがって基板遮へい部材１４０が整列ピン１３６に沿って昇降することによって正確な位置を維持することができる。
【００７１】
他の方法として図９に示したように、基板遮へい部材１４０の本体部１４４に貫通部１３２の内壁と接することができる複数の突出部１４５を形成すれば、本体部１４４が昇降しても正確な位置を維持することができる。
【００７２】
本体部１４４が四角の断面形状を有する場合には図示したように各角を突出部１４５で形成して貫通部１３２の内壁と接するようにすることが好ましく、円形の断面形状を有する場合には中心に対して等間隔で配置された３個以上の突出部を形成することが好ましい。
【００７３】
以下では図１０のフローチャートを参照して本発明の基板の縁のエッチング装置１００を利用した縁のエッチング工程を説明する。
【００７４】
まず複数の基板（ｓ）を基板安置台１２０の基板安置部１２２に安置する。前述したようにトレー（Ｔ）を利用する場合にはチャンバー１１０の外部でトレー（Ｔ）に基板をロードした後にトレー（Ｔ）をチャンバー１１０内部に搬入して基板安置台１２０の上部に乗せる（ＳＴ１１）。
【００７５】
続いて基板出入口１１２を閉じて工程雰囲気を組成した後に基板安置台１２０を上昇させる（ＳＴ１２）。
【００７６】
基板安置台１２０は、図１１に示したように各基板安置部１２２に安置された基板（ｓ）が基板遮へい部材１４０を上部に押し上げる時まで上昇する。上昇した基板安置台１２０とＲＦ電極１３０の間隙は５〜５０ｍｍであることが好ましい。
【００７７】
ここで基板遮へい部材１４０の本体部１４４は基板（ｓ）の中央部のみを遮って縁を露出させ、露出する基板縁の幅は０．１〜５ｍｍ程度であることが好ましい（ＳＴ１３）。
【００７８】
続いてガス供給管１５０を介してＳＦ６、Ｃｌ２、ＣＦ４、Ｏ２等のエッチングガスを１０〜１００、０００ｓｃｃｍの流量で供給すれば、ＲＦ電極１３０の中空部１３１で一次拡散したエッチングガスは、図１２に示したように基板遮へい部材１４０の本体部１４４とＲＦ電極１３０下面１３３の貫通部１３２のエッジ間の間隙を介して下部に噴射される。ここでチャンバー１１０内部の工程圧力は１０ｍＴｏｒｒないし１０Ｔｏｒｒであることが好ましい（ＳＴ１４）。
【００７９】
続いてＲＦ電極１３０にＲＦ電源１６０のＲＦ電力を印加すると、ＲＦ電極１３０と接地された基板安置台１２０の間にイオン及び活性種の混合体であるプラズマ（Ｐ）が発生する。
【００８０】
印加されるＲＦ電力は、基板安置台１２０の大きさによって変わることができるが、大体１００ｍＷ／ｃｍ２ないし５Ｗ／ｃｍ２の比率で印加されることが好ましい。他の観点では大体１００Ｗないし５０ＫＷのＲＦ電力が印加されることが好ましい（ＳＴ１５）。
【００８１】
ＳＴ１５段階で発生したプラズマ（Ｐ）により基板遮へい部材１４０により遮られない基板（ｓ）の縁がエッチングされる（ＳＴ１６）。
【００８２】
エッチング工程を終えた次には再び基板安置台１２０を下降して、基板（ｓ）を搬出する。トレー（Ｔ）が利用された場合にはトレー（Ｔ）を搬出する（ＳＴ１７、ＳＴ１８）。
【００８３】
一方前述した実施形態では基板（ｓ）が基板遮へい部材１４０を押し上げることによってガス流動経路を確保できた。ところが基板（ｓ）と基板遮へい部材１４０が互いに接触するようになれば基板（ｓ）の上面に形成されたパターンが損傷される危険がある。
【００８４】
これを防止するためには図１３及び１４に示したような他の実施形態による基板の縁のエッチング装置２００では、基板遮へい部材２４０の係止段２４２の下面に複数の支持部２４６を突出形成することによって、基板遮へい部材２４０がＲＦ電極２３０の下面２３３に据置きされても係止段２４２がＲＦ電極２３０の下面２３３に密着しないようにすることができる。
【００８５】
このようにすれば基板遮へい部材２４０を上に押し上げなくても前記支持部２４２によりガス流動経路が確保されるため基板安置台２２０を上昇させる時基板（ｓ）を基板遮へい部材２４０の底面に密着させる必要がなくて若干の間隙を置くことが可能になる。そうだとしてもエッチングガスが基板（ｓ）の中央部まで浸透することは防止しなければならないので基板（ｓ）と基板遮へい部材２４０の間隙は１ｍｍ程度であることが好ましい。
【００８６】
以上ではＲＦ電極１３０の貫通部１３２を介してのみエッチングガスを下部に噴射したがこれだけでは基板（ｓ）の縁上部にエッチングガスの供給が円滑でないこともある。
【００８７】
円滑なガス供給のためには図１５及び１６に示したような他の実施形態による基板の縁のエッチング装置３００では、ＲＦ電極３３０の底面３３３に複数の噴射ホール３３４を設置することもできる。
【００８８】
したがって基板安置台３２０が上昇した時各基板（ｓ）の縁付近にはＲＦ電極３３０の貫通部３３２と噴射ホール３３４を介してエッチングガスが円滑に供給されることができる。
【００８９】
一方、エッチングガスが噴射されてエッチング工程が進行される途中にも工程圧力を一定に維持するためにはガス排気管１２４を介して残留ガス及びエッチング副産物を持続的にポンピングしなければならない。
【００９０】
ところが本発明の基板の縁のエッチング装置１００では基板安置台１２０に複数の基板（ｓ）を安置してＲＦ電極１３０の下部に複数の基板遮へい部材１４０が突出した状態でエッチング工程が行われるため残留ガス及びエッチング副産物を円滑に排出するのが難しくなる問題点がある。
【００９１】
またエッチング副産物等が基板安置台１２０の中央部から周辺部側に流動する間既にエッチング工程が進行された基板（ｓ）の縁に付着されたり再蒸着されて以後の工程で汚染源として作用する憂慮もある。
【００９２】
これを解決するためには図１７に示したような他の実施形態による基板の縁のエッチング装置４００では、基板安置台４２０の各基板安置部４２２の間に複数の排気ホール４２６を形成することが好ましい。したがって基板安置台４２０の上部に噴射されたエッチングガスは基板安置台４２０に形成された排気ホール４２６を介して基板安置台４２０の下部にすぐ排気されることができる。
【００９３】
排気ホール４２６の直径や個数は必要な排気圧力によって適切に決定されることができる。
【００９４】
但しトレー（Ｔ）を利用して基板（ｓ）を搬入または搬送する場合には示してはいないがトレー（Ｔ）とその下部の基板安置台１２０のそれぞれに互いに連通する排気ホールを形成することが好ましい。ここで両側の排気ホールが正確に連通されることができるようにトレー（Ｔ）が正確な位置に安置されるべきであることはもちろんである。
【００９５】
そして、図１８に示したような他の実施形態による基板の縁のエッチング装置５００では、基板安置台５２０に複数の排気ホール５２６が形成されてＲＦ電極５３０の下面５３３には複数の噴射ホール５３４が形成された様子を示した図面である。
【００９６】
以上で説明した基板の縁のエッチング装置１００を利用すると基板（ｓ）の縁の上面と側面をエッチングすることができる。ところが場合によっては基板（ｓ）の縁の下面（または背面）に不要な薄膜が蒸着される場合もある。
【００９７】
このように基板（ｓ）の縁の下面（または背面）に形成された薄膜を除去するためには図１９に示したような他の実施形態による基板の縁のエッチング装置６００では、基板安置台６２０の基板安置部６２２の周辺部に沿って所定深さのトレンチ（６２３）を形成することが好ましい。
【００９８】
したがって基板（ｓ）を基板安置部６２２に安置すれば、基板（ｓ）の中央部の下面は
基板安置部６２２に密着して、基板縁の下面は露出された状態になる。
【００９９】
したがってエッチング工程時に基板（ｓ）の縁の上面、側面及び下面が全てプラズマに露出するため基板（ｓ）の縁を完全にエッチングすることが可能になる。
【０１００】
一方以上で説明した基板の縁のエッチング装置１００は、ＲＦ電極１３０にＲＦ電源１６０を連結したが、これと異なり図２０に示したような他の実施形態による基板の縁のエッチング装置７００では、基板安置台７２０にＲＦ電源７６０を連結して基板安置台７２０の上部にはＲＦ電極を代わるガス供給部７９０を設置して、前記ガス供給部７９０を接地させることができる。
【０１０１】
ガス供給部７９０は、前述したＲＦ電極７３０と事実上同一構造を有し、したがってその下面に形成された複数の貫通部７９２毎に基板遮へい部材７４０が挿入結合される。但しＲＦ電力が印加される必要がないため材質が金属材質に限定されない。この場合にもＲＦ電源７６０には１０ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚまたはＶＨＦ（３０〜３００ＭＨｚ）のＲＦ電力を印加することができる。
【０１０２】
また図２１に示したような他の実施形態による基板の縁のエッチング装置８００では、基板安置台８２０の上部のＲＦ電極８３０には第１マッチング回路８６２と第１ＲＦ電源８６０を順次に連結して、基板安置台８２０には第２マッチング回路８６６と第２ＲＦ電源８６４を順次に連結することができる。第１ＲＦ電源８６０と第２ＲＦ電源８６４もそれぞれ１０ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚまたはＶＨＦ（３０〜３００ＭＨｚ）のＲＦ電力を提供することができる。
【０１０３】
また以上で説明した基板の縁のエッチング装置１００は、チャンバー１１０の内部でプラズマを発生させてエッチング工程を行なったが、図２２に示したような他の実施形態による基板の縁のエッチング装置９００では、チャンバー９１０の外部に遠隔プラズマ発生装置９８０を設置して、チャンバー９１０の内部にはＲＦ電極の代わりにガス供給部９９０を設置することもできる。ここでＲＦ電源９６０は遠隔プラズマ発生装置９８０に連結される。
【０１０４】
したがって遠隔プラズマ発生装置９８０で生成されたエッチングガス（ＳＦ６、Ｃｌ２、ＣＦ４、Ｏ２等）のイオン及び活性種はガス供給管９５０を介してガス供給部９９０に流入した後基板安置台９３０の上部に噴射される。
【０１０５】
ガス供給部９９０は、前述した図３の基板の縁のエッチング装置１００のＲＦ電極１３０と事実上同一構造を有し、したがってその下面に形成された複数の貫通部９９２毎に基板遮へい部材９４０が挿入結合される。但しＲＦ電力が印加される必要がないため材質が金属材質に限定されない。
【０１０６】
一方本発明は前述した実施形態に限定されなくて多様な形態で変形または修正されて実施されることができて、このように変形した実施形態も後述する特許請求範囲に記載された技術的思想を含むならば本発明の権利範囲に属することはもちろんである。
【符号の説明】
【０１０７】
１００、２００：基板の縁のエッチング装置
１１０：チャンバー
１２０：基板安置台
１２２：基板安置部
１２３：トレンチ
１２４：支持部
１２６：排気ホール
１３０：ＲＦ電極
１３２：貫通部
１３４：噴射ホール
１３６：整列ピン
１４０：基板遮へい部材
１４２：係止段
１４３：整列溝
１４４：本体部
１４６：支持部
１５０：ガス供給管
１６０：ＲＦ電源
１７０：絶縁部材
１８０：遠隔プラズマ発生装置
１９０：ガス供給部
１９２：貫通部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の縁をエッチングする装置及び方法に関するものであって、具体的には２以上の基板（特に太陽電池用基板）を一度に処理することができる新しい概念の基板の縁のエッチング装置及びこれを利用したエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池は、ＰＮ接合半導体の内部で太陽光により励起された少数キャリアにより起電力を発生させる素子である。このような太陽電池を製造することに用いられる半導体には単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコン、化合物半導体等がある。
【０００３】
単結晶シリコンがエネルギー変換効率が最も良いが価格が高い短所のため多結晶シリコンがさらに多く用いられて、最近には非晶質シリコンや化合物半導体等の薄膜をガラスやプラスチック等の値段が安い基板に蒸着することによって非常に低廉に製造することができる薄膜型太陽電池も多く用いられている。
【０００４】
以下では図１の工程順序図及び図２Ａないし図２Ｅの工程断面図を参照して結晶質シリコン太陽電池を製造する一般的な方法を説明する。
【０００５】
まず図２Ａに示したように結晶質シリコン基板１０を準備して、塩基または酸溶液を利用した湿式エッチングを介して基板切断過程で発生した損傷を除去する。本明細書では便宜上ｐ型基板１０を利用して太陽電池を製造する過程を説明する。ｐ型基板の代わりにｎ型基板が利用されることができることはもちろんである（ｓｔ１１、図２Ａ）。
【０００６】
続いて光吸収率を高めるために基板１０の表面に対してテクスチャリング（texturing
）工程を実施する。テクスチャリングは基板１０の表面に所定形状の微細な凹凸を形成する工程であって、凹凸状は主にピラミッド形態であるものが望ましい。テクスチャリングは一般的に塩基または酸溶液を利用した湿式エッチング（wet etching）やプラズマを利
用した乾式エッチング（dry etching）を介して行われる（ｓｔ１２）。
【０００７】
テクスチャリング工程以後にはＰＮ接合構造を形成するためにｐ型基板１０にｎ型ドーパント（dopant）を拡散させる。
【０００８】
主に利用される方法は、高温拡散（thermal diffusion）法であって、ｐ型基板１０を
高温の拡散炉の内部に安置させた状態でＰＯＣｌ３、ＰＨ３等のｎ型ドーパント含有ガスを供給するとｎ型ドーパントがｐ型基板１０の内部に拡散しながら図２Ｂに示したようにｎ＋ドーピング層１２が形成される（ｓｔ１３、図２Ｂ）。
【０００９】
このような高温拡散工程（ｓｔ１３）は、通常８００℃以上の高温で進行されるが、この程度の高温では基板１０の表面にＰＳＧ（Phosphor-Silicate Glass）のような副産物
が形成される。ところがＰＳＧは電池の電流を遮蔽させる役割をするため電池効率を高めるために必ず除去しなければならない。主にエッチング溶液を利用した湿式エッチングを介して除去する。
【００１０】
もしもｎ型基板にホウ素（Ｂ）を含むｐ型ドーパントを拡散させる場合にはＢＳＧ(Boro-Silicate Glass)が生成されるが、ＢＳＧも電池の効率を低下させる役割をするので同
じ方法で除去しなければならない（ｓｔ１４）。
【００１１】
一方、拡散工程（ＳＴ１３）では図２Ｂに示したように基板１０のエッジ部分でもｎ＋ドーピング層１２が形成される。ところがエッジ部分のドーピング層１２を介しては前面電極と後面電極間の漏れ電流が発生するので電池の効率を高めるためには図２Ｃに示したように基板１０のエッジに形成されたｎ＋ドーピング層１２を除去しなければならない。
【００１２】
このような工程をエッジアイソレイション（edge isolation）といっており、具体的にはレーザを利用してエッジ部分を切断したり湿式エッチングを介してエッジ部分をエッチングする。但し、エッジアイソレイション工程はＰＳＧ除去をする前に遂行したり太陽電池を完成してテストを遂行する直前に進行されることができる（ｓｔ１５、図２Ｃ）。
【００１３】
続いて図２Ｄに示したようにｎ＋ドーピング層１２の上部に反射防止膜１４を形成する。特にＳｉＮ薄膜を反射防止膜１４として形成すれば太陽光の吸収率を高める役割だけでなく基板の表面保護膜（surface passivation）と水素保護膜（hydrogen passivation）
の役割も遂行する。ＳｉＮ薄膜はプラズマ強化化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）法を介して形成され、スパッタ法を通じてでも蒸着されることができる（ｓｔ１６、図２Ｄ）。
【００１４】
ＳｉＮを利用して反射防止膜１４を形成した以後には基板１０の前面と後面に導電物質を利用して電極を形成しなければならない。
【００１５】
このために基板１０の前面と後面にＡｌまたはＡｇを含んだ導電性ペーストをスクリーンプリンティング技法を利用して所定パターンで塗布して、前記基板１０を高温のファーネス（furnace）で焼結（sintering）させる。
【００１６】
導電性ペーストが焼結されながら図２Ｅに示したように基板１０の前面と後面にそれぞれ前面電極１８と後面電極１６が形成される。
【００１７】
特にｐ型基板１０の後面にＡｌペーストを塗布した後に焼結させれば、焼結過程でｎ＋ドーピング層１２にＡｌが拡散しながらｐ＋層１３が形成される。このようにｐ型基板１０の後面にｐ＋層１３が形成されれば基板１０の後面には後面電界（Back Surface Field）が形成される。
【００１８】
後面電界は、ｐ型基板１０の内部で太陽光により励起された電子が後面電極１６に移動して消滅しなくて、前面電極１８側に移動して光電流に寄与するようにすることによって太陽電池の効率を高める役割をする（ｓｔ１７、図２ｅ）。
【００１９】
電極形成工程が完了した以後には電池の効率等をテストしてその結果によって分類作業を行なう。テストをする前にモジュール化作業や絶縁のためにレーザカッティング作業を行なう事もでき、前述したようにエッジ部分で発生する漏れ電流を除去するために基板１０のエッジ部分を切断またはエッチングするエッジアイソレイションを行なうことができる。
【００２０】
続いて完成した複数の太陽電池を連結するモジュール化工程を介して太陽電池モジュールを製造する（ｓｔ１８）。
【００２１】
一方エッジアイソレイションのために湿式エッチングを行なえば、複数の基板を一度にエッチングすることができる長所があるがエッチング溶液の処理と関連して環境問題を引き起こす短所がある。
【００２２】
したがって最近には半導体素子や平板表示装置を製造する時基板の縁に不必要に蒸着された薄膜や汚染粒子を除去するために用いられる縁のエッチング装置を利用した乾式エッ
チングが研究されている。
【００２３】
しかし従来の乾式エッチング法は、基板を１枚ずつ処理するため生産性が非常に低い短所がある。特に太陽電池製造工程は生産性を高めるために数十個以上の基板を大型トレーに安置して薄膜蒸着工程などを行なう場合が多いためエッジアイソレイションのために基板を１枚ずつ処理するようになれば全体工程速度が大幅に低下されるしかない。
【００２４】
太陽電池製造工程だけでなく半導体製造工程や平板表示装置の製造工程でも基板の縁に蒸着または付着した汚染物質を除去するために別途に縁のエッチング工程を行なう場合があるため前述した問題点はこれら工程でも解決しなければならない課題で台頭している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２５】
本発明はこのような問題点を解決するためのものであって、複数の基板を一度に安置して縁のエッチング工程を行なうことによって生産性を大幅に向上させた基板の縁のエッチング装置を提供することにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
本発明は、前記目的を達成するために、反応空間を形成するチャンバーと；前記チャンバーの内部に設置されて複数の基板安置部が設けられる基板安置台と；前記基板安置台の上部に設置されて、内部に中空部を具備して底面で前記基板安置部と対応する位置に複数の貫通部を具備するガス供給手段と；前記貫通部の面積より小さい断面積を有しながら前記貫通部に挿入される本体部と、前記本体部で突出形成されて前記貫通部の縁に据置きされる係止段を有する複数の基板遮へい部材を含み、前記基板遮へい部材の前記本体部が前記複数の基板安置部に安置された各基板の中央部を遮って縁のみを露出させたまま前記基板の縁に対するエッチング工程を行なうことを特徴とする基板の縁のエッチング装置を提供する。
【００２７】
本発明の基板の縁のエッチング装置で、前記複数の基板安置部は前記基板安置台の床面にへこんでいるように形成されることを特徴とすることができる。
【００２８】
また前記基板安置台には上下を貫通する複数の排気ホールが形成されたことを特徴とすることができる。ここで前記複数の排気ホールは前記複数の基板安置部の間に形成されることを特徴とすることができる。
【００２９】
また基板の縁の下面を露出させるために前記基板安置部の周辺部に沿ってトレンチが形成されたことを特徴とすることができる。
【００３０】
また前記基板遮へい部材は、絶縁材質であることを特徴とすることができる。
【００３１】
また前記基板遮へい部材の前記係止段の底面には前記ガス供給手段の前記貫通部の周辺に据置きされる複数の支持部が突出形成されたことを特徴とすることができる。
【００３２】
また前記基板遮へい部材の前記係止段には第１整列手段が形成されて、前記ガス供給手段の前記貫通部の周辺には前記第１整列手段と結合する第２整列手段が形成されることを特徴とすることができる。
【００３３】
ここで前記第１整列手段と前記第２整列手段は、整列ピンまたは整列溝であることを特徴とすることができる。
【００３４】
また前記基板遮へい部材の前記本体部の側壁には前記ガス供給手段の前記貫通部の内壁と接する複数の突出部が形成されて、前記複数の突出部によって前記本体部が定位置を維持することを特徴とすることができる。
【００３５】
また前記ガス供給手段の底面には前記中空部と連通する複数の噴射ホールが形成されたことを特徴とすることができる。
【００３６】
また前記ガス供給手段にはＲＦ電源が連結されることを特徴とすることができる。ここで前記基板安置台は接地されたり第２のＲＦ電源に連結されることを特徴とすることができる。
【００３７】
また前記ガス供給手段は、接地されて前記基板安置台にはＲＦ電源が連結されることを特徴とすることができる。
【００３８】
また前記チャンバーの外部には前記ガス供給手段と連結する遠隔プラズマ発生装置が設置されることを特徴とすることができる。
【００３９】
また本発明は、前述した基板の縁のエッチング装置を利用して基板の縁をエッチングする方法において、前記複数の基板安置部のそれぞれに基板を安置する第１段階と；前記基板安置台を上昇させて前記基板遮へい部材の前記本体部で前記基板の中央部を遮って縁のみを露出させる第２段階と；前記ガス供給手段を介して前記基板安置台の上部にエッチングガスを噴射して前記基板の縁をエッチングする第３段階を含むことを特徴とする基板の縁のエッチング方法を提供する。
【００４０】
前記基板の縁のエッチング方法の前記第２段階では前記基板遮へい部材が前記基板安置台に安置された基板に密着し、又は前記基板遮へい部材と前記基板の間隔を１ｍｍ以下とすることを特徴とすることができる。
【００４１】
また前記第２段階では前記基板の縁が０．１〜５ｍｍの幅だけ露出することを特徴とすることができる。
【００４２】
また前記第３段階で前記エッチングガスは、ＳＦ６、Ｃｌ２、ＣＦ４またはＯ２であることを特徴とすることができる。
【００４３】
また前記第３段階で前記エッチングガスは、１０〜１００、０００ｓｃｃｍの流量で噴射されることを特徴とすることができる。
【００４４】
また前記第３段階は、前記ガス供給手段にＲＦ電力を印加して前記エッチングガスをプラズマ状態に励起させる過程を含むことを特徴とすることができる。ここで前記ＲＦ電力は前記基板安置台の面積に対して１００ｍＷ／ｃｍ２ないし５Ｗ／ｃｍ２の比率で印加されることを特徴とすることができる。
【００４５】
また前記第３段階は、外部の遠隔プラズマ発生装置でプラズマ状態に励起された前記エッチングガスを供給する過程を含むことを特徴とすることができる。
【００４６】
また前記第３段階の工程圧力は１０ｍＴｏｒｒないし１０Ｔｏｒｒであることを特徴とすることができる。
【発明の効果】
【００４７】
本発明によると、数ないし数百枚の基板を一度に安置して縁のエッチング工程を行なう
ことができるため全体工程速度を向上させて生産性を大きく高めることができる。
【００４８】
また乾式エッチング法であるため湿式エッチングによる環境問題や化学溶液処理負担を減らすことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】一般的な結晶質シリコン太陽電池の製造方法を示したフローチャート。
【図２Ａ】結晶質シリコン太陽電池の製造方法を示した工程断面図。
【図２Ｂ】結晶質シリコン太陽電池の製造方法を示した工程断面図。
【図２Ｃ】結晶質シリコン太陽電池の製造方法を示した工程断面図。
【図２Ｄ】結晶質シリコン太陽電池の製造方法を示した工程断面図。
【図２Ｅ】結晶質シリコン太陽電池の製造方法を示した工程断面図。
【図３】本発明の実施形態による基板の縁のエッチング装置の概略構成図。
【図４】複数の基板をトレーを利用して基板安置台にロードした様子を示した図面。
【図５】ＲＦ電極の底面図。
【図６】基板遮へい部材の底面斜視図。
【図７】基板遮へい部材の整列のための整列ピンを示した斜視図及び断面図。
【図８】基板遮へい部材の整列のための整列ピンを示した斜視図及び断面図。
【図９】基板遮へい部材の整列のための本体部の複数の突出部を示した図面。
【図１０】本発明の実施形態による基板の縁のエッチング装置を利用した基板の縁のエッチング工程を示したフローチャート。
【図１１】基板の縁のエッチング装置の工程時の様子を示した断面図。
【図１２】エッチング工程時の基板周辺部を示した拡大断面図。
【図１３】他の実施形態による基板の縁のエッチング装置の基板遮へい部材を示した底面斜視図。
【図１４】図１３の基板遮へい部材が設置された場合の基板周辺部を示した拡大断面図。
【図１５】他の実施形態による基板の縁のエッチング装置のＲＦ電極の下面に形成された噴射ホールを示した図面。
【図１６】図１５で基板安置台が上昇した様子を示した図面。
【図１７】他の実施形態による基板の縁のエッチング装置の基板安置台の排気ホールを示した図面。
【図１８】他の実施形態による基板の縁のエッチング装置のＲＦ電極の下面の噴射ホール及び基板安置台の排気ホールを示した図面。
【図１９】他の実施形態による基板の縁のエッチング装置の基板安置部の周辺部に沿って形成されたトレンチを示した図面。
【図２０】他の実施形態による基板の縁のエッチング装置の多くの連結類型のＲＦ電源を示した図面。
【図２１】他の実施形態による基板の縁のエッチング装置の多くの連結類型のＲＦ電源を示した図面。
【図２２】遠隔プラズマ発生装置を含む他の実施形態による基板の縁のエッチング装置を示した図面。
【発明を実施するための形態】
【００５０】
以下では図面を参照して本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。
【００５１】
本発明の実施形態による基板の縁のエッチング装置は、図３の概略断面図に示したように、内部に反応空間を形成して一側に基板出入口１１２を有するチャンバー１１０、前記チャンバー１１０の内部に設置されて複数の基板（ｓ）を安置する基板安置台１２０、前記基板安置台１２０の上部に位置するＲＦ電極１３０を含む。
【００５２】
エッチング工程が進行される間基板の縁のエッチング装置の圧力が一定に維持されるように、エッチングガス（反応ガス）は、外部からガス供給管１５０を介して一定に供給されて、残留されたエッチングガスとエッチング副産物はガス排気管１２４を介して一定に排気される。
【００５３】
基板安置台１２０は、複数の基板安置部１２２を具備し、各基板安置部１２２は基板安置台１２０の床面に設定された領域であって基板安置台１２０の残り部分と同一平面上に設けることもできて、図示したようにへこんでいるように形成することもできる。へこんでいるように形成する場合には容易な基板整列のために各基板安置部１２２の縁を傾斜面で処理することが好ましい。
【００５４】
基板安置台１２０は、底面に連結される支持部によって昇降運動が可能となっており、前記支持部は中央部に一つだけ設けることもでき、又複数個が設けることもできる。
【００５５】
一方例えば太陽電池製造工程では基板安置台１２０に数十ないし数百個の基板（ｓ）を安置して工程を行なわなければならないが基板安置台１２０にこのように複数の基板（ｓ）を安置することが容易でない。
【００５６】
したがって図４に示したように平坦な床面を有する基板安置台１２０に複数の基板（ｓ）を安置したトレー（Ｔ）を乗せて工程を行なうことができる。
【００５７】
すなわち、チャンバー１１０の外部でトレー（Ｔ）に複数の基板（ｓ）を安置させて、前記トレー（Ｔ）をチャンバー１１０の内部に搬入して基板安置台１２０に載せることも出来る。この場合には基板安置台１２０の床面は平坦に処理してトレー（Ｔ）の床面に基板（ｓ）を安置するへこんでいた基板安置部１２２を形成することが好ましい。
【００５８】
ＲＦ電極１３０は、Ａｌ等の材質で製造されてＲＦ電源１６０に連結される。ＲＦ電源１６０とＲＦ電極１３０の間にはインピーダンスマッチングのためのマッチング回路１６２が設置される。ＲＦ電源１６０は１０ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚまたはＶＨＦ（３０〜３００ＭＨｚ）のＲＦ電力を提供して、具体的なＲＦ電力の大きさは基板安置台１２０の大きさによって決定される。
【００５９】
本発明の基板の縁のエッチング装置１００ではＲＦ電極１３０がガス噴射手段の役割も遂行する。このためにＲＦ電極１３０は内部にガス供給管１５０と連通する中空部１３１を具備して、下面１３１に図５に示したように複数の貫通部１３２を具備する。
【００６０】
前記複数の貫通部１３２は、基板安置台１２０に安置される基板（ｓ）の位置にそれぞれ対応して形成され、前記各貫通部１３２にはエッチング工程時に基板（ｓ）の中央部を遮るための基板遮へい部材１４０が挿入設置される。
【００６１】
ＲＦ電極１３０は、チャンバー１１０に対して絶縁されなければならなく、このためにチャンバー１１０の側壁またはチャンバー１１０のリードとＲＦ電極１３０の間には絶縁部材１７０を設置する。
【００６２】
基板遮へい部材１４０は、図６の底面斜視図に示したように本体部１４４と本体部１４４の上端から外側へ形成された係止段１４２を具備し、セラミック、テフロン（登録商標）系列等の絶縁材質で製造される。またピーク（PEEK）、ベスペル（Vespel）（登録商標）、ポリイミド（Polymide）等の材質が利用されることができる。
【００６３】
本体部１４４は、ＲＦ電極１３０の貫通部１３０を介して下部に突出する部分であって、本発明ではＲＦ電極１３０の内部に流入されたエッチングガスが本体部１４４と貫通部１３０間の間隙を介して下部に流動しなければならないので本体部１４４の断面積は貫通部１３０の面積に比べて小さくなければならない。
【００６４】
また本体部１４４は、エッチング工程時に基板（ｓ）の中央部を遮るためのことであるので本体部１４４の断面積は基板（ｓ）の大きさよりは小さくなければならない。
【００６５】
係止段１４２は、基板遮へい部材１４０をＲＦ電極１３０の貫通部１３２のエッジにかけるためのことなので係止段１４４の断面積は貫通部１３０より大きくなければならない。
【００６６】
一方図面では本体部１４４を四角柱状で示したが、これは下部に位置する基板（ｓ）が四角形であるためで、基板（ｓ）が円形ならば本体部１４４の断面は基板（ｓ）より小さい直径の円形でなければならない。結局基板遮へい部材１４０はエッチング工程時に基板（ｓ）の縁を一定な幅で露出させなければならないのでその形状は基板（ｓ）の形態により決定される。
【００６７】
一方基板遮へい部材１４０は、基板（ｓ）の中央部を遮る一方縁を一定な幅で露出させなければならないので基板遮へい部材１４０と基板（ｓ）の整列が非常に重要である。
【００６８】
ところが基板遮へい部材１４０の本体部１４４の断面積がＲＦ電極１３０の貫通部１３２の面積より小さいため基板安置台１２０が昇降する過程でその位置が不安定になりえる。
【００６９】
これを防止するためには図７の斜視図及び図８の設置断面図に示したようにＲＦ電極１３０の貫通部１３２の周辺に複数の整列ピン１３６を設置して、基板遮へい部材１４０の係止段１４２には前記複数の整列ピン１３６が挿入される整列溝（１４３）を形成することができる。
【００７０】
したがって基板遮へい部材１４０が整列ピン１３６に沿って昇降することによって正確な位置を維持することができる。
【００７１】
他の方法として図９に示したように、基板遮へい部材１４０の本体部１４４に貫通部１３２の内壁と接することができる複数の突出部１４５を形成すれば、本体部１４４が昇降しても正確な位置を維持することができる。
【００７２】
本体部１４４が四角の断面形状を有する場合には図示したように各角を突出部１４５で形成して貫通部１３２の内壁と接するようにすることが好ましく、円形の断面形状を有する場合には中心に対して等間隔で配置された３個以上の突出部を形成することが好ましい。
【００７３】
以下では図１０のフローチャートを参照して本発明の基板の縁のエッチング装置１００を利用した縁のエッチング工程を説明する。
【００７４】
まず複数の基板（ｓ）を基板安置台１２０の基板安置部１２２に安置する。前述したようにトレー（Ｔ）を利用する場合にはチャンバー１１０の外部でトレー（Ｔ）に基板をロードした後にトレー（Ｔ）をチャンバー１１０内部に搬入して基板安置台１２０の上部に乗せる（ＳＴ１１）。
【００７５】
続いて基板出入口１１２を閉じて工程雰囲気を組成した後に基板安置台１２０を上昇させる（ＳＴ１２）。
【００７６】
基板安置台１２０は、図１１に示したように各基板安置部１２２に安置された基板（ｓ）が基板遮へい部材１４０を上部に押し上げる時まで上昇する。上昇した基板安置台１２０とＲＦ電極１３０の間隙は５〜５０ｍｍであることが好ましい。
【００７７】
ここで基板遮へい部材１４０の本体部１４４は基板（ｓ）の中央部のみを遮って縁を露出させ、露出する基板縁の幅は０．１〜５ｍｍ程度であることが好ましい（ＳＴ１３）。
【００７８】
続いてガス供給管１５０を介してＳＦ６、Ｃｌ２、ＣＦ４、Ｏ２等のエッチングガスを１０〜１００、０００ｓｃｃｍの流量で供給すれば、ＲＦ電極１３０の中空部１３１で一次拡散したエッチングガスは、図１２に示したように基板遮へい部材１４０の本体部１４４とＲＦ電極１３０下面１３３の貫通部１３２のエッジ間の間隙を介して下部に噴射される。ここでチャンバー１１０内部の工程圧力は１０ｍＴｏｒｒないし１０Ｔｏｒｒであることが好ましい（ＳＴ１４）。
【００７９】
続いてＲＦ電極１３０にＲＦ電源１６０のＲＦ電力を印加すると、ＲＦ電極１３０と接地された基板安置台１２０の間にイオン及び活性種の混合体であるプラズマ（Ｐ）が発生する。
【００８０】
印加されるＲＦ電力は、基板安置台１２０の大きさによって変わることができるが、大体１００ｍＷ／ｃｍ２ないし５Ｗ／ｃｍ２の比率で印加されることが好ましい。他の観点では大体１００Ｗないし５０ＫＷのＲＦ電力が印加されることが好ましい（ＳＴ１５）。
【００８１】
ＳＴ１５段階で発生したプラズマ（Ｐ）により基板遮へい部材１４０により遮られない基板（ｓ）の縁がエッチングされる（ＳＴ１６）。
【００８２】
エッチング工程を終えた次には再び基板安置台１２０を下降して、基板（ｓ）を搬出する。トレー（Ｔ）が利用された場合にはトレー（Ｔ）を搬出する（ＳＴ１７、ＳＴ１８）。
【００８３】
一方前述した実施形態では基板（ｓ）が基板遮へい部材１４０を押し上げることによってガス流動経路を確保できた。ところが基板（ｓ）と基板遮へい部材１４０が互いに接触するようになれば基板（ｓ）の上面に形成されたパターンが損傷される危険がある。
【００８４】
これを防止するためには図１３及び１４に示したような他の実施形態による基板の縁のエッチング装置２００では、基板遮へい部材２４０の係止段２４２の下面に複数の支持部２４６を突出形成することによって、基板遮へい部材２４０がＲＦ電極２３０の下面２３３に据置きされても係止段２４２がＲＦ電極２３０の下面２３３に密着しないようにすることができる。
【００８５】
このようにすれば基板遮へい部材２４０を上に押し上げなくても前記支持部２４２によりガス流動経路が確保されるため基板安置台２２０を上昇させる時基板（ｓ）を基板遮へい部材２４０の底面に密着させる必要がなくて若干の間隙を置くことが可能になる。そうだとしてもエッチングガスが基板（ｓ）の中央部まで浸透することは防止しなければならないので基板（ｓ）と基板遮へい部材２４０の間隙は１ｍｍ程度であることが好ましい。
【００８６】
以上ではＲＦ電極１３０の貫通部１３２を介してのみエッチングガスを下部に噴射したがこれだけでは基板（ｓ）の縁上部にエッチングガスの供給が円滑でないこともある。
【００８７】
円滑なガス供給のためには図１５及び１６に示したような他の実施形態による基板の縁のエッチング装置３００では、ＲＦ電極３３０の底面３３３に複数の噴射ホール３３４を設置することもできる。
【００８８】
したがって基板安置台３２０が上昇した時各基板（ｓ）の縁付近にはＲＦ電極３３０の貫通部３３２と噴射ホール３３４を介してエッチングガスが円滑に供給されることができる。
【００８９】
一方、エッチングガスが噴射されてエッチング工程が進行される途中にも工程圧力を一定に維持するためにはガス排気管１２４を介して残留ガス及びエッチング副産物を持続的にポンピングしなければならない。
【００９０】
ところが本発明の基板の縁のエッチング装置１００では基板安置台１２０に複数の基板（ｓ）を安置してＲＦ電極１３０の下部に複数の基板遮へい部材１４０が突出した状態でエッチング工程が行われるため残留ガス及びエッチング副産物を円滑に排出するのが難しくなる問題点がある。
【００９１】
またエッチング副産物等が基板安置台１２０の中央部から周辺部側に流動する間既にエッチング工程が進行された基板（ｓ）の縁に付着されたり再蒸着されて以後の工程で汚染源として作用する憂慮もある。
【００９２】
これを解決するためには図１７に示したような他の実施形態による基板の縁のエッチング装置４００では、基板安置台４２０の各基板安置部４２２の間に複数の排気ホール４２６を形成することが好ましい。したがって基板安置台４２０の上部に噴射されたエッチングガスは基板安置台４２０に形成された排気ホール４２６を介して基板安置台４２０の下部にすぐ排気されることができる。
【００９３】
排気ホール４２６の直径や個数は必要な排気圧力によって適切に決定されることができる。
【００９４】
但しトレー（Ｔ）を利用して基板（ｓ）を搬入または搬送する場合には示してはいないがトレー（Ｔ）とその下部の基板安置台１２０のそれぞれに互いに連通する排気ホールを形成することが好ましい。ここで両側の排気ホールが正確に連通されることができるようにトレー（Ｔ）が正確な位置に安置されるべきであることはもちろんである。
【００９５】
そして、図１８に示したような他の実施形態による基板の縁のエッチング装置５００では、基板安置台５２０に複数の排気ホール５２６が形成されてＲＦ電極５３０の下面５３３には複数の噴射ホール５３４が形成された様子を示した図面である。
【００９６】
以上で説明した基板の縁のエッチング装置１００を利用すると基板（ｓ）の縁の上面と側面をエッチングすることができる。ところが場合によっては基板（ｓ）の縁の下面（または背面）に不要な薄膜が蒸着される場合もある。
【００９７】
このように基板（ｓ）の縁の下面（または背面）に形成された薄膜を除去するためには図１９に示したような他の実施形態による基板の縁のエッチング装置６００では、基板安置台６２０の基板安置部６２２の周辺部に沿って所定深さのトレンチ（６２３）を形成することが好ましい。
【００９８】
したがって基板（ｓ）を基板安置部６２２に安置すれば、基板（ｓ）の中央部の下面は
基板安置部６２２に密着して、基板縁の下面は露出された状態になる。
【００９９】
したがってエッチング工程時に基板（ｓ）の縁の上面、側面及び下面が全てプラズマに露出するため基板（ｓ）の縁を完全にエッチングすることが可能になる。
【０１００】
一方以上で説明した基板の縁のエッチング装置１００は、ＲＦ電極１３０にＲＦ電源１６０を連結したが、これと異なり図２０に示したような他の実施形態による基板の縁のエッチング装置７００では、基板安置台７２０にＲＦ電源７６０を連結して基板安置台７２０の上部にはＲＦ電極を代わるガス供給部７９０を設置して、前記ガス供給部７９０を接地させることができる。
【０１０１】
ガス供給部７９０は、前述したＲＦ電極７３０と事実上同一構造を有し、したがってその下面に形成された複数の貫通部７９２毎に基板遮へい部材７４０が挿入結合される。但しＲＦ電力が印加される必要がないため材質が金属材質に限定されない。この場合にもＲＦ電源７６０には１０ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚまたはＶＨＦ（３０〜３００ＭＨｚ）のＲＦ電力を印加することができる。
【０１０２】
また図２１に示したような他の実施形態による基板の縁のエッチング装置８００では、基板安置台８２０の上部のＲＦ電極８３０には第１マッチング回路８６２と第１ＲＦ電源８６０を順次に連結して、基板安置台８２０には第２マッチング回路８６６と第２ＲＦ電源８６４を順次に連結することができる。第１ＲＦ電源８６０と第２ＲＦ電源８６４もそれぞれ１０ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚまたはＶＨＦ（３０〜３００ＭＨｚ）のＲＦ電力を提供することができる。
【０１０３】
また以上で説明した基板の縁のエッチング装置１００は、チャンバー１１０の内部でプラズマを発生させてエッチング工程を行なったが、図２２に示したような他の実施形態による基板の縁のエッチング装置９００では、チャンバー９１０の外部に遠隔プラズマ発生装置９８０を設置して、チャンバー９１０の内部にはＲＦ電極の代わりにガス供給部９９０を設置することもできる。ここでＲＦ電源９６０は遠隔プラズマ発生装置９８０に連結される。
【０１０４】
したがって遠隔プラズマ発生装置９８０で生成されたエッチングガス（ＳＦ６、Ｃｌ２、ＣＦ４、Ｏ２等）のイオン及び活性種はガス供給管９５０を介してガス供給部９９０に流入した後基板安置台９３０の上部に噴射される。
【０１０５】
ガス供給部９９０は、前述した図３の基板の縁のエッチング装置１００のＲＦ電極１３０と事実上同一構造を有し、したがってその下面に形成された複数の貫通部９９２毎に基板遮へい部材９４０が挿入結合される。但しＲＦ電力が印加される必要がないため材質が金属材質に限定されない。
【０１０６】
一方本発明は前述した実施形態に限定されなくて多様な形態で変形または修正されて実施されることができて、このように変形した実施形態も後述する特許請求範囲に記載された技術的思想を含むならば本発明の権利範囲に属することはもちろんである。
【符号の説明】
【０１０７】
１００、２００：基板の縁のエッチング装置
１１０：チャンバー
１２０：基板安置台
１２２：基板安置部
１２３：トレンチ
１２４：支持部
１２６：排気ホール
１３０：ＲＦ電極
１３２：貫通部
１３４：噴射ホール
１３６：整列ピン
１４０：基板遮へい部材
１４２：係止段
１４３：整列溝
１４４：本体部
１４６：支持部
１５０：ガス供給管
１６０：ＲＦ電源
１７０：絶縁部材
１８０：遠隔プラズマ発生装置
１９０：ガス供給部
１９２：貫通部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバーと；
前記チャンバーの内部に設置し、少なくとも一つの基板に対応される少なくとも一つの第１基板安置部を含む基板安置台と；
前記基板安置台の上部に設置されて、その内部の中空部と、前記少なくとも一つの第１基板安置部に対応される少なくとも一つの貫通部を含むガス供給手段と；
前記少なくとも一つの貫通部より小さい断面積を有する本体部と、前記本体部から外に突出する係止段で構成されて、前記少なくとも一つの貫通部に挿入される少なくとも一つの基板遮へい部材
を含み、前記少なくとも一つの基板遮へい部材は前記係止段によって前記ガス供給手段にぶら下げられて、前記本体部は前記少なくとも一つの基板の中央部を遮って前記少なくとも一つの縁部を露出することを特徴とする基板エッチング装置。
【請求項２】
前記少なくとも一つの第１基板安置部は、凹部と、前記凹部境界の傾斜部を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板エッチング装置。
【請求項３】
前記基板安置台は、少なくとも一つの排気ホールをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板エッチング装置。
【請求項４】
前記少なくとも一つの排気ホールは、前記少なくとも一つの第１基板安置部に隣接して配置されることを特徴とする請求項３に記載の基板エッチング装置。
【請求項５】
前記基板安置台は、前記少なくとも一つの基板の前記縁部の底面が露出されるように前記少なくとも一つの第１基板安置部の境界に形成されるトレンチをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板エッチング装置。
【請求項６】
前記少なくとも一つの基板遮へい部材は、絶縁物質で構成されることを特徴とする請求項１に記載の基板エッチング装置。
【請求項７】
前記少なくとも一つの基板遮へい部材は、前記係止段から下へ突出して前記少なくとも一つの貫通部の境界と接触する少なくとも一つの支持部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板エッチング装置。
【請求項８】
前記係止段は、第１整列手段を含んで、前記少なくとも一つの貫通部は前記第１整列手段に対応される第２整列手段を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板エッチング装置。
【請求項９】
前記第１及び第２整列手段は、整列ピンと整列溝であることを特徴とする請求項８に記載の基板エッチング装置。
【請求項１０】
前記ガス供給手段は、前記少なくとも一つの貫通部に隣接した少なくとも一つの噴射ホールをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板エッチング装置。
【請求項１１】
前記ガス供給手段は、第１ＲＦ電源に連結されることを特徴とする請求項１に記載の基板エッチング装置。
【請求項１２】
前記基板安置台は、接地されたり第２ＲＦ電源に連結されることを特徴とする請求項１１に記載の基板エッチング装置。
【請求項１３】
前記ガス供給手段は、接地されて、前記基板安置台はＲＦ電源に連結されることを特徴とする請求項１に記載の基板エッチング装置。
【請求項１４】
前記チャンバー外部に配置されて前記ガス供給手段に連結される遠隔プラズマ発生装置をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板エッチング装置。
【請求項１５】
前記基板安置台上部のトレーをさらに含んで、前記トレーは、凹部と、前記凹部境界の傾斜部を有して、前記少なくとも一つの第１基板安置部に対応される少なくとも一つの第２基板安置部を含んで、前記基板安置台は平坦な床面を有することを特徴とする請求項１に記載の基板エッチング装置。
【請求項１６】
前記トレーは、前記少なくとも一つの第２基板安置部に隣接した少なくとも一つの第１排気ホールをさらに含んで、前記基板安置台は前記少なくとも一つの第１排気ホールに対応される少なくとも一つの第２排気ホールをさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の基板エッチング装置。
【請求項１７】
チャンバー内部の基板安置台の少なくとも一つの基板安置部上部に少なくとも一つの基板を安置する段階と；
前記基板安置台上の少なくとも一つの遮へい部材が前記少なくとも一つの基板の中央部を遮って前記少なくとも一つの基板の縁部を露出させるように、前記基板安置台を上昇させる段階と；
前記基板安置台上に配置されたガス供給手段を介して供給される反応ガスを利用して前記少なくとも一つの基板の前記縁部をエッチングする段階と；
を含むことを特徴とする基板エッチング方法。
【請求項１８】
前記基板安置台が上昇した場合、前記少なくとも一つの基板遮へい部材と前記少なくとも一つの基板間の距離は０ｍｍ〜１ｍｍの範囲に属して、前記少なくとも一つの基板遮へい部材を介して露出する前記少なくとも一つの基板の前記縁部の幅は０．１ｍｍ〜５ｍｍの範囲に属することを特徴とする請求項１７に記載の基板エッチング方法。
【請求項１９】
前記反応ガスは、ＳＦ６、Ｃｌ２、ＣＦ４及びＯ２の中いずれか一つであって、前記反応ガスは１０〜１００、０００ｓｃｃｍの流量で供給されて、前記チャンバーは１０ｍＴｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒの圧力を有することを特徴とする基板エッチング方法。
【請求項２０】
前記第３段階は、
前記ガス供給手段に１００ｍＷ／ｃｍ２〜５Ｗ／ｃｍ２の電力密度を有するＲＦ電力を印加して前記反応ガスのプラズマを生成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の基板エッチング方法。
【請求項２１】
前記チャンバー外部に配置される遠隔プラズマ発生装置にＲＦ電力を印加して前記反応ガスのプラズマを生成する段階と、前記プラズマを前記ガス供給手段に供給する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の基板エッチング方法。
【請求項２２】
中空部と少なくとも一つの貫通部を含むガス供給手段と；
前記少なくとも一つの貫通部より小さい断面積を有する本体部と、前記本体部から外に突出する係止段で構成されて、前記少なくとも一つの貫通部に挿入される少なくとも一つの基板遮へい部材
を含み、前記少なくとも一つの基板遮へい部材は前記係止段によって前記ガス供給手段にぶら下げられることを特徴とするガス供給装置。
【請求項１】
チャンバーと；
前記チャンバーの内部に設置し、少なくとも一つの基板に対応される少なくとも一つの第１基板安置部を含む基板安置台と；
前記基板安置台の上部に設置されて、その内部の中空部と、前記少なくとも一つの第１基板安置部に対応される少なくとも一つの貫通部を含むガス供給手段と；
前記少なくとも一つの貫通部より小さい断面積を有する本体部と、前記本体部から外に突出する係止段で構成されて、前記少なくとも一つの貫通部に挿入される少なくとも一つの基板遮へい部材
を含み、前記少なくとも一つの基板遮へい部材は前記係止段によって前記ガス供給手段にぶら下げられて、前記本体部は前記少なくとも一つの基板の中央部を遮って前記少なくとも一つの縁部を露出することを特徴とする基板エッチング装置。
【請求項２】
前記少なくとも一つの第１基板安置部は、凹部と、前記凹部境界の傾斜部を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板エッチング装置。
【請求項３】
前記基板安置台は、少なくとも一つの排気ホールをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板エッチング装置。
【請求項４】
前記少なくとも一つの排気ホールは、前記少なくとも一つの第１基板安置部に隣接して配置されることを特徴とする請求項３に記載の基板エッチング装置。
【請求項５】
前記基板安置台は、前記少なくとも一つの基板の前記縁部の底面が露出されるように前記少なくとも一つの第１基板安置部の境界に形成されるトレンチをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板エッチング装置。
【請求項６】
前記少なくとも一つの基板遮へい部材は、絶縁物質で構成されることを特徴とする請求項１に記載の基板エッチング装置。
【請求項７】
前記少なくとも一つの基板遮へい部材は、前記係止段から下へ突出して前記少なくとも一つの貫通部の境界と接触する少なくとも一つの支持部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板エッチング装置。
【請求項８】
前記係止段は、第１整列手段を含んで、前記少なくとも一つの貫通部は前記第１整列手段に対応される第２整列手段を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板エッチング装置。
【請求項９】
前記第１及び第２整列手段は、整列ピンと整列溝であることを特徴とする請求項８に記載の基板エッチング装置。
【請求項１０】
前記ガス供給手段は、前記少なくとも一つの貫通部に隣接した少なくとも一つの噴射ホールをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板エッチング装置。
【請求項１１】
前記ガス供給手段は、第１ＲＦ電源に連結されることを特徴とする請求項１に記載の基板エッチング装置。
【請求項１２】
前記基板安置台は、接地されたり第２ＲＦ電源に連結されることを特徴とする請求項１１に記載の基板エッチング装置。
【請求項１３】
前記ガス供給手段は、接地されて、前記基板安置台はＲＦ電源に連結されることを特徴とする請求項１に記載の基板エッチング装置。
【請求項１４】
前記チャンバー外部に配置されて前記ガス供給手段に連結される遠隔プラズマ発生装置をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板エッチング装置。
【請求項１５】
前記基板安置台上部のトレーをさらに含んで、前記トレーは、凹部と、前記凹部境界の傾斜部を有して、前記少なくとも一つの第１基板安置部に対応される少なくとも一つの第２基板安置部を含んで、前記基板安置台は平坦な床面を有することを特徴とする請求項１に記載の基板エッチング装置。
【請求項１６】
前記トレーは、前記少なくとも一つの第２基板安置部に隣接した少なくとも一つの第１排気ホールをさらに含んで、前記基板安置台は前記少なくとも一つの第１排気ホールに対応される少なくとも一つの第２排気ホールをさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の基板エッチング装置。
【請求項１７】
チャンバー内部の基板安置台の少なくとも一つの基板安置部上部に少なくとも一つの基板を安置する段階と；
前記基板安置台上の少なくとも一つの遮へい部材が前記少なくとも一つの基板の中央部を遮って前記少なくとも一つの基板の縁部を露出させるように、前記基板安置台を上昇させる段階と；
前記基板安置台上に配置されたガス供給手段を介して供給される反応ガスを利用して前記少なくとも一つの基板の前記縁部をエッチングする段階と；
を含むことを特徴とする基板エッチング方法。
【請求項１８】
前記基板安置台が上昇した場合、前記少なくとも一つの基板遮へい部材と前記少なくとも一つの基板間の距離は０ｍｍ〜１ｍｍの範囲に属して、前記少なくとも一つの基板遮へい部材を介して露出する前記少なくとも一つの基板の前記縁部の幅は０．１ｍｍ〜５ｍｍの範囲に属することを特徴とする請求項１７に記載の基板エッチング方法。
【請求項１９】
前記反応ガスは、ＳＦ６、Ｃｌ２、ＣＦ４及びＯ２の中いずれか一つであって、前記反応ガスは１０〜１００、０００ｓｃｃｍの流量で供給されて、前記チャンバーは１０ｍＴｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒの圧力を有することを特徴とする基板エッチング方法。
【請求項２０】
前記第３段階は、
前記ガス供給手段に１００ｍＷ／ｃｍ２〜５Ｗ／ｃｍ２の電力密度を有するＲＦ電力を印加して前記反応ガスのプラズマを生成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の基板エッチング方法。
【請求項２１】
前記チャンバー外部に配置される遠隔プラズマ発生装置にＲＦ電力を印加して前記反応ガスのプラズマを生成する段階と、前記プラズマを前記ガス供給手段に供給する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の基板エッチング方法。
【請求項２２】
中空部と少なくとも一つの貫通部を含むガス供給手段と；
前記少なくとも一つの貫通部より小さい断面積を有する本体部と、前記本体部から外に突出する係止段で構成されて、前記少なくとも一つの貫通部に挿入される少なくとも一つの基板遮へい部材
を含み、前記少なくとも一つの基板遮へい部材は前記係止段によって前記ガス供給手段にぶら下げられることを特徴とするガス供給装置。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図２Ｅ】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図２Ｅ】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【公開番号】特開２００９−２１８５９６（Ｐ２００９−２１８５９６Ａ）
【公開日】平成２１年９月２４日（２００９．９．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−５４１０１（Ｐ２００９−５４１０１）
【出願日】平成２１年３月６日（２００９．３．６）
【出願人】（５０４２１０６５１）チュサン エンジニアリング コー リミテッド (7)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年９月２４日（２００９．９．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月６日（２００９．３．６）
【出願人】（５０４２１０６５１）チュサン エンジニアリング コー リミテッド (7)
【Ｆターム（参考）】
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