【課題】太陽電池モジュール内における裏面電極型太陽電池セルの充填率を安定して高めることができる配線シート、配線シート付き太陽電池セル、太陽電池モジュール、配線シートの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基材と絶縁性基材の一方の面側に設置された配線とを含み、端部近傍領域内に、厚さ方向における少なくとも一部が除去された除去部分を有する配線シート、それを用いた配線シート付き太陽電池セル、太陽電池モジュール、配線シートの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高光電変換効率および製品寿命の長い有機薄膜太陽電池を低廉に、且つ高い生産効率で製造できる方法および装置を提供する。
【解決手段】一対の電極の間に設けられたドナー／アクセプター混合層を備える有機薄膜太陽電池の製造方法であって、大気よりも水分濃度が低く、且つ大気よりもオゾン濃度が低い空気雰囲気を有するハウジング内で上記ドナー／アクセプター混合層を形成する、有機薄膜太陽電池の製造方法、ならびに、一対の電極の間に設けられたドナー／アクセプター混合層を備えた有機薄膜太陽電池の製造装置であって、上記ドナー／アクセプター混合層の形成を行うためのハウジングと、上記ドナー／アクセプター混合層の形成時において、上記ハウジング内を大気よりも水分濃度が低く、且つ大気よりもオゾン濃度が低い空気雰囲気にするための雰囲気調整手段とを備える有機薄膜太陽電池の製造装置。 （もっと読む）

【課題】ドーパント拡散領域の少なくとも一部の端部において、基板の表面と平行な方向に急峻に変化するドーピング濃度プロファイルを形成するレーザドーピング方法を提供する。
【解決手段】レーザ光８１の照射により基板１０の表面１２上に形成される照射像９１は、表面１２と平行な第１の方向において第１照射像領域Ｒ１と第２照射像領域Ｒ２とを含む。レーザ光８１の光強度密度は、第１照射像領域Ｒ１において第１光強度密度Ｐ１で略均一であり、第２照射像領域Ｒ２において第１光強度密度Ｐ１より高く且つピーク値である第２光強度密度Ｐ２を含む。第２照射像領域Ｒ２におけるレーザ光８１の光強度密度プロファイルは、第１照射像領域Ｒ１から第２照射像領域Ｒ２に向かう方向において、第１光強度密度Ｐ１を起点として第２光強度密度Ｐ２に向かい、第２光強度密度Ｐ２おいてピーク値となり、当該ピーク値を起点として以降減少する。 （もっと読む）

【課題】現在の薄膜太陽電池で吸収しきれていない光を有効に利用するために、バンドギ
ャップが2eV以上3eV未満でありｐｎ両極性に電気特性を制御できる半導体を提供する。
【解決手段】酸化第一錫（ＳｎＯ）にＡｌ³⁺、Ｇａ³⁺、Ｉｎ³⁺、Ｓｂ³⁺から選ばれる３価
の陽イオンを不純物として含有し、ｎ型伝導性を示すＳｎＯからなるｎ型半導体薄膜。こ
のｎ型半導体薄膜とＳｎＯからなるｐ型半導体薄膜とを積層したホモｐｎ接合素子。この
ホモｐｎ接合素子を用いた薄膜太陽電池。ＳｎＯ粉末にＡｌ³⁺、Ｇａ³⁺、Ｉｎ³⁺、Ｓｂ³⁺
から選ばれる３価の陽イオン源の酸化物粉末を添加混合して焼結したＳｎＯターゲットを
用いて物理的成膜法によりＳｎＯからなるｎ型半導体薄膜を製造する。また、ＳｎＯ粉末
を焼結したＳｎＯターゲットを用いて物理的成膜法により成膜したｐ型ＳｎＯ薄膜と、上
記の方法で製造したｎ型ＳｎＯ薄膜とを積層してホモｐｎ接合素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】高い光電変換効率の太陽電池、光センサーや撮像素子等の光電変換装置を提供すること。
【解決手段】高周波成分をカットした直流電力印加の下でのＣｕ（Ｃｕ-Ｇａ）ターゲットへのＤＣ印加と導電性基板への高周波印加とによりＣｕ（Ｃｕ-Ｇａ）膜を成膜し、該Ｃｕ（Ｃｕ-Ｇａ）膜上に、高周波成分をカットした直流電力印加の下でのＩｎターゲットへのＤＣ印加と導電性基板への高周波印加とによりＩｎ膜をＣｕ（Ｃｕ-Ｇａ）膜上に積層成膜する工程を有する光電変換装置の製法。 （もっと読む）

【課題】発電効率を向上させた太陽電池を提供する。
【解決手段】ｐ型層３０と、バッファ層３１と、ｉ型層３２と、ｎ型層３４とを備え、ｐ型層３０は高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａと、高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａよりｐ型ドーパントのドーパント濃度が低い低濃度アモルファス炭化シリコン層３０ｂを設ける。ここで、バッファ層３１をアモルファス炭化シリコンで形成するとともに、低濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａの膜厚は、高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ｂ及びバッファ層３１の膜厚よりも厚くする。 （もっと読む）

【課題】ｐ型材料とｎ型材料の組み合わせにかかわらず容易に形成することができる、ナノメートルオーダーのｐｎ接合界面を有するバルクヘテロ接合型の有機薄膜を備える光電変換効率に優れた太陽電池を提供すること。
【解決手段】第１の電極および第２の電極と、該電極間に、ｐ型またはｎ型のメソポーラス有機シリカとｎ型またはｐ型の材料とがバルクヘテロ接合している有機薄膜とを備えることを特徴とする太陽電池。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型半導体とｎ型半導体の両方に使用することができ、有機薄膜太陽電池の有機半導体薄膜として使用した場合に光電流値を向上させることができる、単層カーボンナノチューブフィルムおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】アーク放電により生成した単層カーボンナノチューブを含む煤を大気中において加熱して燃焼酸化した後に酸で処理することによって精製した単層カーボンナノチューブを真空中において１０００℃以上で加熱して高結晶性の単層カーボンナノチューブを得た後、この高結晶性の単層カーボンナノチューブを含む単層カーボンナノチューブフィルムを形成する。 （もっと読む）

【課題】変換効率のバラつきが小さな太陽電池セルの製造に使用され、特定の抵抗率特性を有する単結晶シリコンインゴットおよびそれを用いた単結晶太陽電池セルを提供する。
【解決手段】ドーパントを含有するシリコン融液から単結晶インゴットを引き上げるチョクラルスキー法によって製造された単結晶シリコンインゴットであって、該単結晶シリコンインゴットは円柱状であり、一平面の抵抗率が２０Ω・ｃｍ以上４０Ω・ｃｍ以下であり、他方の平面の抵抗率が８Ω・ｃｍ以上１０Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする。単結晶シリコンインゴットの抵抗率が８〜１０Ω・ｃｍを境として、それ以上の高抵抗率の範囲では短絡電流密度Ｊｓｃにほとんど変化がなく、±３％以内の変動に収まる。一方、上記境目より低抵抗率の場合には、ヘッド部の抵抗率の低下とともに短絡電流密度も低下し、変動（バラつき）も増加する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の発電効率を向上させる。
【解決手段】ｐ型層３０と、ｉ型層３２と、ｎ型層３４と、を積層したアモルファスシリコンユニットを含む太陽電池を形成する際に、ｐ型層３０を成膜する工程において、ｐ型ドーパントが第１ドーパント濃度で添加された高吸収アモルファス炭化シリコン層３０ａと、高吸収アモルファス炭化シリコン層３０ａよりｉ型層３２側にｐ型ドーパントが第１ドーパント濃度よりも低い第２ドーパント濃度で添加された低吸収アモルファス炭化シリコン層３０ｂと、低吸収アモルファス炭化シリコン層３０ｂとｉ型層３２との間に炭化シリコンバッファ層とを成膜し、特に、低吸収アモルファス炭化シリコン層３０ｂを成膜後、供給ガスの混合比の調整を行う前に成膜装置内を真空に排気しないようにする。 （もっと読む）

【課題】光発電領域を広く確保しながら、絶縁溝によって表面電極と裏面電極との導通を確実に阻止する太陽電池の製造方法を提供すること。
【解決手段】ｐ型シリコン基板１１の表面に、ｎ型半導体層１２を形成する工程と、シリコン基板１１の裏面に裏面電極１４を形成する工程と、ｎ型半導体層１２の表面に表面電極１５を形成する工程と、表面電極１５と裏面電極１４との導通を阻止する絶縁溝１６を、シリコン基板１１の周側面に形成する工程とを有する。ここで、絶縁溝１６はレーザビームＬＢの照射によって形成するのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】太陽電池用などに用いられるシリコンシートにおいて、良好な半導体特性を付与し、そのシリコンシートを用いた太陽電池のさらなる高効率化を図ること。
【解決手段】本発明は、シリコン融液に被接触体を接触させて形成される多結晶シリコンシートであって、０．０４〜０．２ｐｐｍｗのボロンを含有することを特徴とする多結晶シリコンシートである。両方または一方の主面に凹凸を有することが好ましい。また、前記両方の主面の凹凸の周期が同一であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】変換効率および信頼性の向上した裏面電極型太陽電池および、電極形成工程の少ない、導電性ペーストを用いた裏面電極型太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の太陽電池は、第１導電型の半導体基板の一表面に第１導電型と同じ導電型の第１ドーピング領域と、第１導電型と異なる導電型である第２導電型の第２ドーピング領域とを備え、第１ドーピング領域上に形成された第１電極と、第２ドーピング領域上に形成された第２電極とを含む裏面電極型太陽電池であって、上記第１電極と第２電極とは焼成電極であり、第１電極および第２電極のうち少なくとも第１電極は、その表面に導電性被覆層を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板にクラックが発生することを抑制可能な太陽電池を提供する。
【解決手段】太陽電池１０において、ｎ型半導体領域１２ｎは、レーザの照射によってｎ型ドーパントを半導体基板１１内にドーピングすることによって形成された領域である。ｎ型半導体領域１２ｎは、半導体基板１１の劈開面と交差する方向に沿って形成されている。 （もっと読む）

【課題】バックコンタクト単一ヘテロ接合型太陽電池及び関連する製造プロセスを提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池の製造方法では、第１ドーパント型で低濃度にドープされた第１半導体基板を設ける。上記基板は第１エネルギーバンドギャップを有している。次に上記基板の裏面の領域に第２半導体膜を形成する。上記第２半導体膜は、第１エネルギーバンドギャップよりも大きな第２エネルギーバンドギャップを有している。上記基板の表面上には、第１ドーパントで中濃度にドープされ、さらに微小凹凸加工されている第３半導体層を形成する。上記基板の裏面には第１ドーパント型とは極性が逆の第２ドーパント型で高濃度にドープされたエミッタ、及び第１ドーパント型で高濃度にドープされたベースを形成する。上記ベース及びエミッタは電気接続がなされている。エミッタおよびベースの一方は第２半導体膜に形成されている。 （もっと読む）

【課題】配向欠陥がほとんどないホメオトロピック配向を形成するドナー・アクセプター複合体を提供する。
【解決手段】このドナー・アクセプター複合体は、式１で表される。


（ＭはＮａ₂、Ｍｇ等又はメタルフリーである。Ａ、Ｂはアルコキシ基等である。ＥはＣ₆₀又はＣ₇₀等のフラーレンである。ｎは２以上３０以下の整数である。） （もっと読む）

【課題】より高い吐出安定性と印刷性を有するインクジェット方式印刷用の拡散剤組成物、当該拡散剤組成物を用いた不純物拡散層の形成方法、および太陽電池を提供する。
【解決手段】シリコン基板等のＮ型の半導体基板１上に、Ｐ型の不純物拡散成分（Ａ）を含有する拡散剤組成物２と、Ｎ型の不純物拡散成分を含有する拡散剤組成物３とを選択的に塗布する。その後、周知の手段を用いて乾燥させる。そして、電気炉等の拡散炉内に載置して焼成し、拡散剤組成物２中のＰ型の不純物拡散成分（Ａ）、および拡散剤組成物３中のＮ型の不純物拡散成分を半導体基板１の表面から半導体基板１内に拡散させる。 （もっと読む）

【課題】所定量の半導体粉末を含む小塊を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、ｐ型またはｎ型のドーパントがドープされた、質量と寸法形状のばらつきが小さい球状半導体粒子の効率的な製造を可能とする。
【解決手段】所定質量の半導体粉末とドーピング剤とを含む小固形体を造粒により形成する。これを、加熱して各小固形体内の半導体粉末を溶融させ、融合させて球状溶融体を形成し、冷却して凝固させる。小固形体にはバインダーを含むことが好ましい。ドーピング剤は、半導体粉末にドーピング剤を添加した混合物を造粒する方法、造粒操作中に添加する方法、および、造粒物をドーピング剤溶液に接触させる方法などにより、小固形体中に含ませることができる。 （もっと読む）

【課題】高品質な結晶シリコン粒子を提供する。
【解決手段】シリコン融液にＹｂ、Ｌｕ、またはＹの単体あるいはＹｂ、Ｌｕ、またはＹ元素を含む化合物のうち少なくとも１つを添加する工程と、シリコン融液を一方向に排出し、粒状４に凝固させる凝固工程と、を備える。シリコン融液は、窒化珪素を含んで成る坩堝１で溶融される。また、凝固工程は、シリコン融液の過冷却度を自然放冷時の過冷却度よりも小さい弱過冷却度でシリコン融液を凝固させてシリコン粒子５を形成した後、シリコン融液の凝固開始温度領域でシリコン粒子５を保温し、シリコン粒子５を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の光変換効率の向上。
【解決手段】太陽電池は、少なくとも一面に凹凸パターンが形成された半導体基板と、第１濃度を有する第１部分および前記第１濃度より高い第２濃度を有する第２部分を含み、凹凸パターン上に形成された第１不純物層と、第１不純物層の第２部分に接触し、第１不純物層の第１部分には接触しない位置に形成された第１電極と、を含む。 （もっと読む）