【課題】意匠性および光電変換効率に優れるとともに量産に適した安価な太陽電池を得ること。
【解決手段】ｐ型半導体基板の表面にリンが拡散されたｎ型のリン拡散層とリン拡散層上に設けられた窒化膜とを備えた太陽電池の製造方法であって、半導体基板の表面にリンを拡散させてリン拡散層を形成する第１工程と、第１工程においてリン拡散層上を含む半導体基板の表面に形成されたリンガラス層を除去する第２工程と、リンガラス層が除去されたリン拡散層上に窒化膜を形成する第３工程と、を含み、第１工程後であって第２工程前の状態のリンガラス層の表面に対する、質量分析法によるマススペクトルが質量電荷比（質量数／電荷）８８において一番大きいピークを有する有機物質の吸着を判定し、有機物質の吸着があったと判定された場合にのみ、第２工程後であって第３工程の前にリン拡散層の表面に対してアンモニアガスを用いたプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】少数キャリアバルクライフタイムの高い、高効率な太陽電池を安価に製造できる太陽電池の製造方法及びこの製造方法によって得られる太陽電池を提供する。
【解決手段】シリコン基板１を、この基板とは異なる導電型の不純物存在下で高温熱処理して不純物拡散層２を形成した後、この不純物拡散層２に電気的に接続する電極４，６，７を形成して太陽電池を製造するに際し、上記高温熱処理して不純物拡散層を形成した後、この高温熱処理温度よりも低い温度で、好ましくは高温熱処理炉とは異なる熱処理炉を用いて低温熱処理を行うことで、基板中に存在する鉄や亜鉛等の金属不純物をｎ型拡散層２、ＰＳＧ（リン珪酸塩）層等のデバイス不活性な領域内にゲッタリング（捕獲）して、少数キャリアバルクライフタイムの高い基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】光電変換層として結晶化率および結晶配向性が高い良質な微結晶シリコン薄膜を備えた光電変換効率に優れた光電変換装置をより効率良く作製すること。
【解決手段】微結晶シリコン光電変換層をＰＣＶＤ装置を用いて形成する条件として、（１）プラズマ電極と微結晶シリコン光電変換層の形成基板との対向面間の距離ｄが５ｍｍ〜７ｍｍ（２）形成基板の温度が２００℃（３）製膜室内に導入される反応ガスの主成分としてシラン系ガスと水素ガスとを含み、且つ、製膜室内に導入される全ガスに対するシラン系ガスの濃度が１体積％（４）製膜室内の圧力ｐが１０００Ｐａ〜１５００Ｐａ（５）プラズマ電極に印加する高周波電圧の周波数が６０ＭＨｚであり、且つ電力密度が０．２８Ｗ／ｃｍ^２（６）製膜室内の圧力ｐと、プラズマ電極と形成基板との対向面間の距離ｄと、の積ｐｄが７０００Ｐａ・ｍｍ≦ｐｄ＜８０００Ｐａ・ｍｍの条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】 有機薄膜太陽電池のドナーとアクセプターの混合物の膜の厚みを厚くすることによって変換効率を向上させ、また、より多く光発生電荷を発生させる。
【解決手段】 有機薄膜太陽電池がドナーとアクセプターによるバルクへテロ接合が形成された層の表面がナノスケールの幅の微細な溝に囲まれた多数の島状構造に形成され、該微細な溝に電極が形成された構造を有するようにする。 （もっと読む）

【課題】太陽電池モジュールの特性および生産性を向上することができる太陽電池セル、インターコネクタ付き太陽電池セルおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ｐｎ接合部を形成するようにｐ型半導体層とｎ型半導体層とが積層されてなる半導体基板と、この半導体基板の受光面に形成された表面電極部と、半導体基板の受光面とは反対側の裏面に形成された裏面電極部と、半導体基板の受光面または裏面の外周縁に沿って形成された前記ｐｎ接合部の一部を分離するための接合分離溝と、前記接合分離溝の開口部の一部を塞ぐ絶縁材料からなる閉塞部とを備えることを特徴とする太陽電池セル。 （もっと読む）

【課題】 有機薄膜太陽電池の製品のロットごとのバラツキが少なく、太陽電池の面積が大きくなっても高い変換効率を達成する。
【解決手段】 有機薄膜太陽電池がドナーまたはアクセプターの層の表面がナノスケールの幅の微細な溝に囲まれた多数の島状に形成され、該微細な溝にもう片方のドナーまたはアクセプターの層が充填された構造を有するようにする。 （もっと読む）

【課題】簡単にかつ安価で製造可能で、高い光閉じ込め効果を有する、新規な構造の太陽電池を提供する。
【解決手段】太陽電池は、基板（１）上に形成された背面電極層（２）と、前記背面電極層（２）上に形成された光電変換層（３）と、前記光電変換層（３）の上面に形成された透明導電被膜よりなる上面電極層（４）と、を備え、前記光電変換層（３）にはその上面から層中に向かう多数の微細な孔部（５）が規則的に形成されており、前記孔部（５）は、その上部である第１の孔部（５ａ）と下部である第２の孔部（５ｂ）とで形成され、前記第１の孔部（５ａ）は縦長の筒状であり、前記第２の孔部（５ｂ）はその最大幅が前記第１の孔部（５ａ）の開口幅よりも広い湾曲した形状を有している。 （もっと読む）

【課題】高い光閉じ込め効果を有する太陽電池を、簡単にかつ安価に製造する。
【解決手段】太陽電池は、基板上（１）に背面電極層（２）を形成するステップと、背面電極層（２）上に光電変換層（３）を形成するステップと、光電変換層（３）の上面に複数の開口（５）を有するパターン膜を形成するステップと、このパターン膜を介して異方性エッチングを行い、開口（５）下の光電変換層（３）に縦長の第１の孔部（５ａ）を形成するステップと、第１の孔部（５ａ）の形成後に、パターン膜を介して等方性エッチングを行って、第１の孔部（５ａ）下方に、最大幅が第１の孔部（５ａ）の開口幅よりも大きい湾曲した側面を有する第２の孔部（５ｂ）を形成するステップと、パターン膜を除去して光電変換層（３）上に透明導電被膜（４）を形成するとともに第１、第２の孔部中に透明導電被膜を埋め込むステップとによって製造される。 （もっと読む）

【課題】高波長領域の光電変換効率を、より幅広い波長領域において向上させた光電変換装置を提供する。
【解決手段】少なくともｐ型半導体層４１と光電変換層４２とｎ型半導体層４３とを含む光電変換装置１であって、前記光電変換層４２はシリコンまたはシリコン化合物からなり反転オパール構造を備え周期的屈折率変化とフォトニックバンドギャップとを有し、前記反転オパール構造の空孔内にはシリコンまたはシリコン化合物とは異なる半導体粒子を備え、該半導体粒子は１２００〜１８００ｎｍの波長領域に少なくとも極大吸収波長を有する、光電変換装置１とする。 （もっと読む）

【課題】有機エレクトロニクスパネルの有機機能層を塗布法で製造する際、有機機能層の不要領域を払拭方式で除去する時、ゴミの発生防止、払拭残りに伴うショートやダークスポットの発生防止、素子寿命が長寿命化し、性能品質が安定している有機エレクトロニクスパネルの製造方法の提供。
【解決手段】基材の上に、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に有機物層を含む少なくとも１層の有機機能層及び封止層とを有する有機エレクトロニクスパネルの製造方法において、少なくとも、第１電極形成工程と、前記有機機能層を形成する有機機能層形成工程と、前記有機機能層のパターニング工程と、引き続き、前記パターニングした前記有機機能層を有する前記基材の全面をクリーニングするクリーニング工程とを有する有機エレクトロニクスパネルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】
二つのガス系でＳｉＯ_２のデポジション（堆積層）をセルフマスクにしてテクスチャーを形成する、自然酸化膜を利用した太陽電池用テクスチャーの形成方法及び装置を提供する。
【解決手段】
結晶系太陽電池の製造に用いられる基板の表面にテクスチャーの形成において、塩素ガスと酸素ガスとの二つのガス系を用い、基板のエッチング中に生成されるＳｉＯ_２のポジションをセルフマスクとしてテクスチャーを形成する。 （もっと読む）

【課題】 放熱機構を設けた構造に適したパッシベーション層を有する光電変換部材を提供する。
【解決手段】 光電変換部材１は、第１の電極層２０、ａ−Ｓｉ（非晶質シリコン）によって形成されたｎｉｐ構造を備えた単一の発電積層体２２、及び、当該発電積層体２２上に、ニッケル層２４を介して成膜されたＡｌの第２の電極層２６を有している。
第２の電極層２６上にはＳｉＣＮを含む材料で構成されたパッシベーション層２８が形成される。パッシベーション層２８上には、接着剤層２９を介してヒートシンク３０（例えばＡｌによって形成）が取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】
スライス時に生じる基板のダメージ層の除去からテクスチャー形成工程を一括してドライエッチングにより処理する処理方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】
真空処理チャンバ内に、結晶系太陽電池の製造に用いられるエッチング処理すべき基板の装着される基板電極を設け、基板電極に装着した基板をエッチング処理するようにしたドライエッチング処理において、基板の表面のスライス時に生じたダメージ層を除去する工程と、ダメージ層を除去した基板の表面にテクスチャーを形成する工程とを真空処理チャンバ内で連続して行うように構成される。 （もっと読む）

【課題】太陽電池素子が有する半導体基板の寸法や形状のばらつきの影響を受けにくい太陽電池素子の製造方法および製造装置を提供すること。
【解決手段】第１導電型を有する半導体基板２上に第２導電型を有する半導体層２ａが形成されてなる太陽電池素子の製造方法であって、半導体基板２の形状を認識し、該形状の情報を取得する認識工程と、前記情報に基づき、半導体層２ａを除去する部分を決定し、半導体層２ａの一部を除去する除去工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
ガラス上に高効率な薄膜多結晶シリコン（Ｓｉ）太陽電池を実現することを目的とした半導体製造方法。
【解決手段】
多結晶シリコン（Ｓｉ）太陽電池である半導体装置の製造方法において、半導体励起（ダイオード励起）された固体連続波レーザを利用して大粒径多結晶シリコン薄膜をガラス上に形成し、この多結晶Ｓｉ層の表面側の領域に、Ｐ型領域とＮ型領域を、近接して設けてＰＮ接合を形成すること、さらにＰ型領域とＮ型領域を結ぶ方向が多結晶Ｓｉの結晶粒界の走る方向と概略平行になるようにすること、部分的にＳｉ層の存在しない領域を含むようにして半透明な半導体装置になるようにしたこと特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】真空処理チャンバ内の中央領域と周辺領域とにおいて生じ得るエッチング速度の差をなくして、大型の基板でも均一に処理できるようにしたドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】真空処理チャンバ１の内周側壁１ｃ，１ｄで画定される真空処理チャンバの処理空間が平面において基板２の輪郭形状にほぼ相似形になるように真空処理チャンバを構成し、真空処理チャンバ内に、基板の前後及び左右における縁部から真空処理チャンバの内周側壁までの間隔がそれぞれ等しくなるように基板が基板ホルダー３に配置される。 （もっと読む）

【課題】処理ガス中に雰囲気ガスより重い成分が含まれていても、ほぼ垂直に立てた被処理物の処理を過不足無く均一に行なう。
【解決手段】被処理物９の被処理面９ａを略垂直に向ける。略垂直に分布する吹出し口２１ａを有するノズル２０を被処理物９と対向させる。雰囲気ガスより重い反応成分を含む処理ガスをノズル２０に導入する。吹出し口２１ａの近傍で流速調節用の窒素ガスを処理ガスに混入する。混入後の処理ガスを吹出し口２１ａから吹き出す。吹き出し時の処理ガスの流速が０．１ｍ／ｓ〜０．５ｍ／ｓになるよう、流速調節用ガスの混入流量を調節する。 （もっと読む）

【課題】中性粒子ビームにより、プラズマ処理に比べて被処理物に損傷を与えることなく有機半導体化合物をエッチングすることが可能なエッチング方法を提供する。
【解決手段】有機半導体からなる薄膜２８が形成されている基板２６に中性粒子ビームを照射することによってエッチングを行なうエッチング方法であり、中性粒子ビームは酸素からなることが好ましく、有機半導体はアセン類、ビススチリルベンゼン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、フタロシアニン類、ペリレン誘導体、フラーレンまたはフラーレン誘導体のいずれかであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】アモルファスカーボン層と金属電極層の接触抵抗を減らすことができ、太陽電池に適用する際に起電力の低下を抑制することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１１と、ガラス基板１１の一方の面側に形成される第１のアモルファスカーボン層１２と、第１のアモルファスカーボン層１２の上に形成される第２のアモルファスカーボン層１３と、第２のアモルファスカーボン層１３の上に形成される金属電極層１４とを含む。第２のアモルファスカーボン層１３のｓｐ^３結合に対するｓｐ^２結合の比が、第１のアモルファスカーボン層１２のｓｐ^３結合に対するｓｐ^２結合の比よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】光電変換層を薄膜化しても優れた変換効率が得られる薄膜太陽電池およびこのような薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一の態様によれば、基板２と、基板２上に形成され、少なくともｐ型半導体層４ａと、ｎ型半導体層４ｃと、ｐ型半導体層４ａとｎ型半導体層４ｃとの間に位置するｉ型半導体層４ｂとを含む厚さ１μｍ以下の光電変換層４と、光電変換層４の光入射面４ｄに形成された光入射面側電極層５と、光入射面４ｄとは反対側の面に形成された対向電極層３とを具備し、光入射面側電極層５が光照射側電極層５を貫通する複数の開口部５ａを有し、かつその膜厚が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲にあり、開口部５ａの１つあたりの面積が８０ｎｍ^２以上０．８μｍ^２以下の範囲にあり、光入射面側電極層５の総面積に対する開口部５ａの総面積の割合である開口率が１０％以上６６％以下の範囲にあることを特徴とする、薄膜太陽電池１が提供される。 （もっと読む）