【課題】炭化珪素半導体装置に含まれる炭化珪素層の側面の面方位を特定の結晶面により近づけることができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、主表面が設けられた炭化珪素層１９が形成される。炭化珪素層１９の主表面の一部を覆うマスク１７が形成される。主表面に対して傾斜した側面ＳＳが炭化珪素層１９に設けられるように、マスク１７が形成された炭化珪素層１９の主表面に対して、塩素系ガスを用いた熱エッチングが行われる。熱エッチングを行う工程は、塩素系ガスの分圧が５０％以下である雰囲気下で行われる。 （もっと読む）

【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ５７に備わるウエハステージ５７ａ上に半導体ウエハＳＷを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハＳＷの主面上をドライクリーニング処理し、続いて１８０℃に維持されたシャワーヘッド５７ｃにより半導体ウエハＳＷを１００から１５０℃の第１の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハＳＷをチャンバ５７から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ５７において１５０から４００℃の第２の温度で半導体ウエハＳＷを熱処理することにより、半導体ウエハＳＷの主面上に残留する生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコン層又は窒化シリコン層が側壁部に形成されたシリコン含有層の除去を、残渣が生じることなく、かつ、下層膜のロスを生じさせずに行うことができ、良質な半導体装置を製造することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成され、パターニングされたシリコン含有層の側壁部を窒化シリコン層又は酸化シリコン層で覆うように窒化シリコン層又は酸化シリコン層を形成する成膜工程と、シリコン含有層を選択的に除去し、側壁部に形成された窒化シリコン層又は酸化シリコン層を残すプラズマエッチング工程とを具備した半導体装置の製造方法であって、プラズマエッチング工程では、ＳＦ_６ガスを含むエッチングガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、ソレノイドコイル３が、第一石英板４、第二石英板５、及び、複数の石英管６によって囲まれた長尺チャンバの周囲に配置され、最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。石英管６の内部には冷却水が供給される。長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、ソレノイドコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、スパイラルコイル３が第一石英板４に接合され、誘導結合型プラズマトーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。第二石英板５及び第三石英板６に囲まれた長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、スパイラルコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】 テーパー角度を９０度未満とするプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】 反応性エッチングガスとしてフッ素と酸素とを真空容器１内に導入し、コイル６に高周波電力を供給して誘導結合型プラズマ７を発生し、このプラズマによって基板電極８上にエッチング部材１０として配置されたシリコンをエッチングし、基板電極８に基板電極用交流電源１１から供給する交流電力の周波数によってシリコンにエッチングされる形状を制御する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、多重の渦形のスパイラルコイル３が第一石英板４に接合され、誘導結合型プラズマトーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。第二石英板５及び第三石英板６に囲まれた長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、スパイラルコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させることができる技術を提供する。特に、ゲート電極をメタル材料で構成する電界効果トランジスタを有する半導体装置において、安定した動作特性を得ることのできる技術を提供する。
【解決手段】レジストパターン１２をマスクとしたドライエッチングにより、ゲート電極１３ｎまたはゲート電極１３ｐを形成した後、酸素および水素を含むプラズマ雰囲気中においてアッシング処理を施すことにより、レジストパターン１２を除去し、ゲート電極１３ｎまたはゲート電極１３ｐの側面に付着した反応生成物１４を酸化する。その後、洗浄処理を施して、反応生成物１４を除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板をエッチングする際、ハードマスクの肩落ちによるエッチング深さの基板面内での粗密差を低減する。
【解決手段】半導体基板１上に、絶縁層（１０，１１）とアッシング除去可能な材料層を形成する工程と、材料層をパターニングする工程と、パターニングされた材料層をマスクに、絶縁層を貫通し、少なくとも半導体基板の一部をエッチングする第１のエッチング工程と、材料層がなくなる前にエッチングを一旦停止し、残存する材料層（１２）をアッシング除去する工程と、絶縁層をマスクに半導体基板を所定の深さにエッチングする第２のエッチング工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】レジスト層、中間層、レジスト層のパターン形状をさらに良好にする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下層フォトレジスト７、無機材料の中間層８、上層フォトレジスト９を形成し、上層フォトレジスト９をパターニングして上層レジストパターン9aを形成し、半導体基板１をチャンバー内の下部電極上に設置し、チャンバー内に二酸化硫黄ガス、酸素ガスを有する第１反応ガスを導入してプラズマを発生させるとともに下部電極への高周波電力の供給を切断して上層レジストパターン9aをトリミングし、第１反応ガスを第２反応ガスに置換するとともに下部電極に高周波電力を供給して上層レジストパターン9aをマスクにして中間層８をエッチングして中間層パターン8aを形成し、第２反応ガスを第３反応ガスに置換してプラズマを発生させるとともに下部電極に高周波電力を供給して中間層パターン8aをマスクにして下層フォトレジスト層７をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】電気的特性が良好な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板の上面に、第１方向に延びる複数の凹部を形成する工程と、前記凹部が形成された前記シリコン基板を、弗素又は弗化物を含むガス中でプラズマ処理する工程と、前記プラズマ処理する工程の後で、前記シリコン基板を、水素を含むガス中で熱処理する工程と、前記熱処理する工程の後で、前記凹部の内面上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に導電膜を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】穴部の側壁を基板の表面に対して垂直に形成するとともに、高速にシリコン層をエッチングするプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】レジスト層をマスクとしてシリコン層をプラズマエッチングする方法であって、前記プラズマエッチング工程が、所定の比率で混合した堆積性ガスおよびエッチング性ガスの混合ガスを処理容器内に導入し、該混合ガス雰囲気で前記被処理基板をプラズマエッチングする第１のエッチングステップと、前記処理容器内に前記堆積性ガスを導入し、前記第１のエッチングステップによりプラズマエッチングされた被処理基板を該堆積性ガスが主体の雰囲気で堆積処理する堆積ステップ、および、前記処理容器内に前記エッチング性ガスを導入し、前記堆積ステップにより堆積処理された被処理基板を該エッチング性ガスが主体の雰囲気でプラズマエッチングする第２のエッチングステップを、複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】テーパー形状と垂直形状が連通した形状を効率的に形成できる微細構造の形成方法及び流体噴射ヘッドの製造方法の提供。
【解決手段】基板１に垂直な側壁部を有する第１開口部７と、第１開口部７と連通するテーパー状の側壁部を有する第２開口部１０と、を備えた微細構造の形成方法であって、基板１上に階段状の構造を有する貫通孔５を備えたマスク２を形成する第１工程と、マスク２を介してドライエッチング工程と、保護膜８を形成するパッシベーション工程とを交互に連続して繰り返すことにより第１開口部７と第２開口部１０とを形成する第２工程と、を備え、第２工程では、ドライエッチングにおけるエッチング量をパッシベーションにおいて形成される保護膜８の量よりも多くし、第２開口部１０の側壁部となる基板１の一部をエッチングしつつ第１開口部７の底面をエッチングすることで、第２開口部１０の側壁部をテーパー状に形成する。 （もっと読む）

【課題】複数回のリソグラフィ工程を実施することなく、多段の凸形状からなる微細３次元構造パターンを形成することが可能なパターン形成方法及びパターン形成体を提供する。
【解決手段】基板９００の面上に第１と第２のエッチングマスク層１００，２００と、パターニング処理した第３層目のエッチングマスク３０１を積層し、この第１層目から第３層目のエッチングマスク層１００，２００、３０１において、隣接する上層のエッチングマスクをエッチング用マスクとして下層のエッチングマスクをエッチングし上層のエッチングマスクに形成されたパターンを下層のエッチングマスクに転写する。そして、第３層目のエッチングマスク３０１のパターンをトリミングした後、該トリミング後のエッチングマスクとエッチング後の第１及び第２層目のエッチングマスクを用いて基板を順にエッチングし、第１及び第２層目のエッチングマスクのパターンを基板９００に転写する。 （もっと読む）

【課題】シリコン含有物を含む被処理基板のの表面にオングストロームオーダー〜ナノオーダーの微小凹凸を形成する粗化処理の処理性能を高める。
【解決手段】大気圧近傍の処理エリア２９に被処理基板９を配置する。フッ化水素蒸気及び水蒸気を含有するプロセスガスを供給系１０から処理エリア２９に供給する。調節部３によって、処理エリア２９の露点Ｔ_Ｄと被処理基板９の温度Ｔ_Ｓとの間の温度差（Ｔ_Ｄ−Ｔ_Ｓ）を０℃付近〜２０℃の範囲内の所定値になるように調節する。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体積層構造上の絶縁膜に所期の微細な開口を形成するも、リーク電流を抑止した信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】化合物半導体積層構造２上にパッシベーション膜６を形成し、パッシベーション膜６の電極形成予定位置をドライエッチングにより薄化し、パッシベーション膜６の薄化された部位６ａをウェットエッチングにより貫通して開口６ｂを形成し、この開口６ｂを電極材料で埋め込むように、パッシベーション膜６上にゲート電極７を形成する。 （もっと読む）