【課題】突発故障が発生しても、生産性の高い成膜を行うことのできる薄膜製造装置及び薄膜製造方法、並びに薄膜製造装置のメンテナンス方法を提供することである。
【解決手段】成膜室を有し当該成膜室内で基体に薄膜を成膜する成膜チャンバーの集合である成膜チャンバー群４２と、基体を搬送可能な移動チャンバー６と、基体を仮置き可能な基体仮置き装置を３基以上有し、前記移動装置はいずれの成膜チャンバーに対しても基体の受け渡しが可能であり、且つ前記移動装置は前記３基以上の基体仮置き装置に対して基体の受け取りまたは払い出しの少なくともいずれかが可能である薄膜製造装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体ナノスケール粒子がマトリクス中に３次元的に均一に分散した構造を有し、低コスト化が可能である、光電子素子として好適な半導体ナノ複合構造薄膜材料およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体ナノ複合構造薄膜材料（１）は、一般式(Ｐｂ_５０−ｘＺｎ_ｘ)Ｍ_５０（ただし、２６≦ｘ＜５０、Ｍ：Ｓ、ＳｅおよびＴｅの一種または二種、各元素の添字は原子比率を示す）で表され、半導体ナノスケール粒子（２）としてのＰｂＭ相がマトリクス（３）としてのＺｎＭ相中に均一に分散した複合構造を有する。この薄膜材料は、熱平衡状態に近い環境が実現される気相成膜手法により、上記一般式で表される化合物組成の熱力学的相分離機能を利用して成膜される。 （もっと読む）

【課題】光電変換層として結晶化率および結晶配向性が高い良質な微結晶シリコン薄膜を備えた光電変換効率に優れた光電変換装置をより効率良く作製すること。
【解決手段】微結晶シリコン光電変換層をＰＣＶＤ装置を用いて形成する条件として、（１）プラズマ電極と微結晶シリコン光電変換層の形成基板との対向面間の距離ｄが５ｍｍ〜７ｍｍ（２）形成基板の温度が２００℃（３）製膜室内に導入される反応ガスの主成分としてシラン系ガスと水素ガスとを含み、且つ、製膜室内に導入される全ガスに対するシラン系ガスの濃度が１体積％（４）製膜室内の圧力ｐが１０００Ｐａ〜１５００Ｐａ（５）プラズマ電極に印加する高周波電圧の周波数が６０ＭＨｚであり、且つ電力密度が０．２８Ｗ／ｃｍ^２（６）製膜室内の圧力ｐと、プラズマ電極と形成基板との対向面間の距離ｄと、の積ｐｄが７０００Ｐａ・ｍｍ≦ｐｄ＜８０００Ｐａ・ｍｍの条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】光電変換半導体層の表面処理にＫＣＮを用いることなく、光電変換素子の変換効率を向上させる。
【解決手段】基板１０上に、下部電極２０、光電変換半導体層３０、バッファ層４０、透光性導電層６０が順次積層された光電変換素子１の製造方法であって、アミノ基を有する化合物と過酸化水素とを含有する表面処理液により光電変換半導体層３０表面の表面処理を行った後、この表面処理をした光電変換半導体層３０上にバッファ層４０を形成する。 （もっと読む）

【課題】意匠性および光電変換効率に優れるとともに量産に適した安価な太陽電池を得ること。
【解決手段】ｐ型半導体基板の表面にリンが拡散されたｎ型のリン拡散層とリン拡散層上に設けられた窒化膜とを備えた太陽電池の製造方法であって、半導体基板の表面にリンを拡散させてリン拡散層を形成する第１工程と、第１工程においてリン拡散層上を含む半導体基板の表面に形成されたリンガラス層を除去する第２工程と、リンガラス層が除去されたリン拡散層上に窒化膜を形成する第３工程と、を含み、第１工程後であって第２工程前の状態のリンガラス層の表面に対する、質量分析法によるマススペクトルが質量電荷比（質量数／電荷）８８において一番大きいピークを有する有機物質の吸着を判定し、有機物質の吸着があったと判定された場合にのみ、第２工程後であって第３工程の前にリン拡散層の表面に対してアンモニアガスを用いたプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】光吸収層の結晶性を向上させ、より安定した光吸収層用組成物の水溶液を簡単に作製することを可能とした薄膜太陽電池の光吸収層用組成物の製造方法を提供すること
【解決手段】少なくとも銅化合物、亜鉛化合物、錫化合物および酸性化合物を含み、塩素化合物を含まない水溶液を基材上に塗布ならびに乾燥し、これを硫化して薄膜太陽電池の光吸収層を得ることを特徴とする薄膜太陽電池の光吸収層の製造方法。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体系光電変換素子の製造方法において、ＣＢＤ法によるバッファ層成膜時のタイムロスを抑制して、低コストに光電変換素子を製造する。
【解決手段】基板１０上に、下部電極層２０と、光電変換半導体層３０と、バッファ層４０と、透光性導電層５０が順次積層された光電変換素子１の製造方法において、光電変換半導体層３０上に、所定の温度Ｔ_Ｌ（℃）の反応液Ｌを用いて化学浴析出法によりバッファ層４０を形成する工程と、化学浴析出法において、反応液Ｌに浸漬させる基板（１０，Ｂ）の温度Ｔ_Ｂ（℃）と反応液Ｌの温度Ｔ_Ｌ（℃）との差が、所定値ｔ（℃）以下となるように基板（１０，Ｂ）の温度Ｔ_Ｂを調整する工程とを有する。化学浴析出法の反応液Ｌの温度Ｔ_Ｌは７０℃以上である。 （もっと読む）

【課題】基板温度の調整が不要であり、高精度な加工により高い生産効率を実現することができる光電変換装置の製造方法および光ビーム照射加工装置を提供する。
【解決手段】温度情報と事前に取得した歪情報とを含む情報に基づいて決定された位置に光ビームを照射することにより被加工物の加工が行なわれる光電変換装置の製造方法である。また、温度情報取得部によって取得された温度情報と内部記憶された歪情報とを含む情報に基づいて決定された位置に光ビームを照射できるように光ビーム発振部と駆動部とを制御することが可能な制御部を備えた光ビーム照射加工装置である。 （もっと読む）

【課題】バックコンタクト方式の太陽電池モジュールにおいて、太陽電池セルの実装強度を向上させることができるとともに、回路層の絶縁基材からの剥離を防止することが可能な太陽電池用裏面回路シートを提供する。
【解決手段】繊維及び樹脂を含有する複合材料からなる絶縁基材１１と、該絶縁基材１１の表面に積層され、太陽電池セルに電気的に接続される回路層１２とから太陽電池用裏面回路シートを成形し、前記回路層を前記絶縁基材の表面に埋没させる。 （もっと読む）

【課題】加熱時に太陽電池セルが割れたりすることがない。
【解決手段】ＰＥＴフィルム２６の一方の面に、網目状の繊維を含まない可撓性のある絶縁樹脂２７を被着する。絶縁樹脂２７からなる絶縁層２は、エポキシ樹脂、エポキシアクリレート樹脂、ポリイミド樹脂またはウレタン樹脂のいずれかである。絶縁層２のＰＥＴフィルム２６とは反対側の面に銅からなる導電層２８を設ける。その後、ＰＥＴフィルム２６を剥離して、絶縁層２のＰＥＴフィルム２６を剥離した面にバリア層４を設けることで太陽電池モジュール用基材を得る。 （もっと読む）

【課題】低荷重での微妙な調整を可能にして、太陽電池基板の薄膜をきれいに削り、不規則な薄膜の剥離の発生をなくして直線的できれいなスクライブラインを形成することができるスクライブ装置を提供する。
【解決手段】
集積型薄膜太陽電池基板Ｗのスクライブ予定ラインに沿って、スクライブヘッド１に取り付けた溝加工ツール４の刃先を太陽電池基板の表面に押圧しながら、太陽電池基板Ｗに対して溝加工ツール４を相対的に移動させて太陽電池基板Ｗの表面に形成された薄膜に溝を形成するスクライブ装置であって、スクライブヘッド１に上下移動可能に取り付けられ、かつ、溝加工ツール４を保持するツールホルダ５と、ツールホルダ５を太陽電池基板Ｗの表面に向けて加圧するエアシリンダ６と、ツールホルダ５を上方に向けて加圧するスプリング７とからなる。 （もっと読む）

【課題】膜に対して縦方向の接触抵抗を大幅に低減し、その結果として、太陽電池セルを構成した際に、変換効率を決める因子の一つであるフィルファクターを増大し得る、スーパーストレート型太陽電池の透明導電膜、複合膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スーパーストレート型太陽電池の光電変換層上に導電性酸化物微粒子分散液を湿式塗工法を用いて塗布することにより、導電性酸化物微粒子の塗膜を形成した後、導電性酸化物微粒子の塗膜上にバインダ分散液を湿式塗工法を用いて塗布することにより、バインダ成分を含浸し焼成することで形成する透明導電膜が、光電変換層上にバインダ成分を含む第１層と、この第１層上に形成され第１層に比べバインダ成分の含有量が少ない第２層とにより構成されている。 （もっと読む）

【課題】太陽電池セルの実装方向の判別を容易にするとともに、太陽電池セルの実装時の位置精度を高める。
【解決手段】太陽電池セル１ａは、受光面とは反対側に、基板に実装される実装面を有している。この実装面側のシリコン基板２ａに、Ｐ＋拡散層５ａおよびＮ＋拡散層６ａを１組以上形成する。拡散層５ａには正電極が接続されるとともに、Ｎ＋拡散層６ａには負電極が接続されることにより、これらの正電極および負電極から太陽電池セル１ａから電力が取り出される。Ｐ＋拡散層５ａおよびＮ＋拡散層６ａは、太陽電池セル１ａの長手方向の一方側に全体に屈曲して形成されている。その屈曲する方向によって、太陽電池セル１ａの実装方向を判別することができる。 （もっと読む）

【課題】はんだ付け時の太陽電池素子の面内の温度分布のばらつきを低減させることができる太陽電池モジュールの製造装置及び太陽電池モジュールの製造方法を得ること。
【解決手段】太陽電池モジュールの製造装置は、支え機構と、押さえ機構と、ホットプレートと、加熱部と、制御部とを備える。制御部は、前記押さえ機構及び前記支え機構が第２のタブ線と処理対象の太陽電池素子と第１のタブ線とを挟み込んで固定した状態を維持しながら、前記ホットプレートが前記処理対象の太陽電池素子及び前記第１のタブ線に接触した状態から非接触の状態になるまで前記ホットプレートを下方向に移動させた後に、前記固定した状態を維持しながら、前記加熱部が前記第２のタブ線と前記処理対象の太陽電池素子と前記第１のタブ線とを加熱するように、制御を行う。 （もっと読む）

【課題】基板の変形および熱割れを防止することができる、薄膜形成システムおよび薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】処理室の一つであり、基板１６を加熱する加熱装置、および、基板１６と加熱装置とを相対的に移動させる駆動装置が配置された加熱室３と、処理室の一つであり、加熱された基板１６に薄膜を形成するスパッタ装置２６が配置されたＺｎＯスパッタ室４と、駆動装置を操作する制御装置２２とを備えている。駆動装置は、加熱室３からの基板１６の搬送が不能となった際に、加熱室３内の基板１６と加熱装置とを相対的に移動させ続けるように制御装置２２により操作される。 （もっと読む）

【課題】溝加工ツールをホルダに取り付ける際に、簡単な作業で正確に角度調整できるようにする。
【解決手段】この薄膜太陽電池用溝加工ツール１６は、ホルダ１５に保持され、ホルダ１５とともに集積型薄膜太陽電池の薄膜上を一方向に移動させて、一方向に延びる溝を薄膜上に形成するためのツールであって、ホルダ１５に保持されるツール本体２２と、刃先部２４と、を備えている。刃先部２４は、ツール本体２２の先端部に形成され、溝加工用の刃先２４ｆ，２４ｇを先端に有する。そして、ツール本体２２には、ホルダ１５に保持された状態で刃先部２４が溝形成方向に対して所定の姿勢に固定されるように、角度規制部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ラミネート加工中の被加工物内の温度を均一にできるような熱板を使用したラミネート装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のラミネート装置は、押圧部材により仕切られた上チャンバと下チャンバとを有し、その下チャンバに設けられた熱板２０上に被加工物１０を配置し、前記熱板２０により加熱した前記被加工物１０を、前記下チャンバを真空とし前記上チャンバに大気を導入し前記熱板２０と前記押圧部材とで挟圧してラミネートするラミネート装置であって、前記熱板２０内に、ヒータ又は、ヒータ２０３及びヒートパイプ２０４を対とした加熱部を複数組設け、さらにヒータ又は、ヒータ及びヒートパイプの１組毎または複数組毎に１個以上の温度センサ２０７を設け、複数のヒータを別々に温度制御することにより、前記熱板及び被加工物内の温度を均一に制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】１つの工具を用いて膜を確実に除去でき、かつ常に安定した品質の溝を形成することができるようにする。
【解決手段】この溝加工ツール１６は、ホルダ１５に保持され、ホルダ１５とともに集積型薄膜太陽電池の薄膜上を一方向に移動させて、一方向に延びる溝を薄膜上に形成するための加工ツールである。溝加工ツール１６は、ホルダ１５に保持されるツール本体２２と、ツール本体２２の先端部に形成され溝加工用の刃先２５を先端に有する刃先部２４と、を備えている。刃先部２４の刃先２５は、溝形成方向と直交する刃先幅方向の両端部に形成された１対のエッジ２５ｂ，２５ｃと、１対のエッジ２５ｂ，２５ｃ間に形成され内側に窪む逃げ部２５ｄと、を有している。そして、刃先の１対のエッジ２５ｂ，２５ｃ及び逃げ部２５ｄの下端縁を含む面は加工姿勢において薄膜表面と平行である。 （もっと読む）

【課題】応答速度の遅い太陽電池においてもその出力特性を高精度に測定できるソーラーシミュレータを提供する。
【解決手段】ソーラーシミュレータは、太陽電池モジュールへ光を放射するフラッシュランプ１０３と、前記フラッシュランプへ電流を供給する電源１０１と、オン時は前記フラッシュランプへ電流が供給され、オフ時は前記フラッシュランプへの電流が遮断される、並列に接続されたスイッチ部１０５ａ〜１０５ｃと、前記スイッチ部と前記電源との間に設けられたバラスト抵抗１０６ａ〜１０６ｃと、前記スイッチ部のオンオフ制御を行い、オンさせるスイッチ部を所定時間毎に順に切り替える制御部１０２とを備え、スイッチ部に含まれる半導体の温度上昇による熱破壊を防止し、フラッシュランプ１０３に長時間連続して電流を供給して光を放射させる。 （もっと読む）

【課題】リード線を太陽電池セルの裏面銀電極に接続する際に十分な接着強度を有し、かつ特性低下せず、安価に製造し得る太陽電池及びこれの製造に用いるスクリーン製版を提供する。
【解決手段】少なくとも裏面にバスバー電極１０６を有する太陽電池であって、該バスバー電極線幅が２．０ｍｍ以上２．５ｍｍ未満で、最大厚みが９．０μｍ以上であって、電極最大厚みに対する最小厚みの割合が０〜８０％、もしくは、該バスバー電極線幅が２．５ｍｍ以上３．０ｍｍ未満で、最大厚みが６．６μｍ以上であって、電極最大厚みに対する最小厚みの割合が０〜８０％、もしくは、該バスバー電極線幅が３．０ｍｍ以上５．０ｍｍ以下で、最大厚みが４．０μｍ以上であって、電極最大厚みに対する最小厚みの割合が３０〜８０％の太陽電池。 （もっと読む）