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Fターム[5F051BA14]の内容

光起電力装置 (50,037) | 用途・目的 (4,803) | 目的(高効率化、低コスト化を除く) (3,813) | 量産性、自動化 (773)

Fターム[5F051BA14]に分類される特許

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【課題】高濃度ドーパント拡散層と低濃度ドーパント拡散層とを有する半導体装置の製造工程を簡略化することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面上に第1導電型または第2導電型のドーパントを含有する低濃度ドーパント拡散剤を塗布する工程と、低濃度ドーパント拡散剤上に低濃度ドーパント拡散剤よりもドーパントの濃度が高い高濃度ドーパント拡散剤を塗布する工程と、低濃度ドーパント拡散剤から半導体基板にドーパントを拡散させることによって低濃度ドーパント拡散層を形成する工程と、高濃度ドーパント拡散剤から半導体基板にドーパントを拡散させることによって高濃度ドーパント拡散層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】低コストの装置構成で処理時間の短縮化及び処理精度の向上を図ることのできる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板における面の任意箇所に対して所定の処理を施す処理ヘッドと、基板を第1方向に駆動する第1駆動手段と、処理ヘッドを第1方向に直交する第2方向に駆動する第2駆動手段とを備え、基板を第1方向に駆動する動作と、処理ヘッドを第2方向に駆動する動作とを組み合わせて、処理ヘッドにより基板の面に対して2次元的な処理を施す基板処理装置であって、処理ヘッドを第1方向に駆動する第3駆動手段を備え、第1駆動手段が基板を第1方向に一定速度で駆動した状態を維持しつつ、第3駆動手段が処理ヘッドを第1方向に上記一定速度で駆動し且つ第2駆動手段が処理ヘッドを第2方向に駆動する。 (もっと読む)


【課題】 薄膜太陽電池の製造装置においては、従来の技術例として開示されている基板上の成膜面を下に向けた状態で該基板をレーザスクライブ加工する方が望ましい。
【解決手段】 片面に薄板が形成された基板を前記薄膜形成面を下向きになるように基板の上面を吸着して前記基板を把持する搬送装置を用いて搬入する搬入方法において、隙間を設けて配置されたエアー浮上ユニットの吹き出し口の隙間や外周に基板昇降用リフトピンを備えた基板搬送をおこなう場合に、基板の下面に形成された薄膜面を具備した基板加工後の機能に支障の無い位置に配備したリフトピンで支えた後、基板の下面に形成された薄膜に支障の無い位置に配備したエアー浮上ユニットに低速で基板を降下させ受け渡す。 (もっと読む)


【課題】優れた光電変換効率を有する色素増感型太陽電池を製造でき且つ製造効率を高めることができる色素増感型太陽電池の製造方法及び作用極の製造方法を提供すること。
【解決手段】作用極1を準備する作用極準備工程、作用極1に光増感色素を担持させる色素担持工程、対極を準備する対極準備工程、作用極1及び対極の間に電解液を配置する電解液配置工程を含み、作用極準備工程が、作用極用基板6を、イオン液体21を介して搬送板20上に保持して積層体22を得る工程、積層体22の作用極用基板6上に導電膜を形成する工程、積層体22の導電膜上に半導体電極形成用ペーストを印刷する工程、半導体電極形成用ペーストを焼成して積層体22の導電膜上に半導体電極を形成する工程を含む色素増感型太陽電池の製造方法。 (もっと読む)


【課題】基体が非磁性体である場合に当該基体を搬送しながら成膜でき、当該基体に損傷を与えず、長いゲート面間長を要さずにガス分離機能を十分に持つことができるロール・ツー・ロール方式半導体素子生産装置1を提供する。
【解決手段】ゲート5の内部に3本のロール11a等を配置して略U字形の基体18の搬送経路を設けた。中央部ロール11bの径は他のロールの径より太い。基体18は3本のロール11a等のロール面に掛けられている。容器13内に、3本のロール11a等の各円周面及び略U字形の搬送経路に沿う基体18の搬送経路に相当するゲート隙間を極小の隙間とするように、ゲート隙間形成部材10a等を配設した。パージ・ガスはガス・パージ導入部材12a等の吹出し口16等からロール面に向い吹出される。中央部ロール11bの回転軸は容器13の穴を連通し端部シール体15を介してロール支持体14により両端を支持されている。 (もっと読む)


【課題】シリコンラバーの蓋部材でモジュール材料を覆う作業や真空引きを行う作業を1人の作業者で行うことができ、しかもラミネート処理を行う各工程をモジュール材料が移動する際における蓋部材の捲れ上がりを防止できる真空ラミネート装置及び真空ラミネート方法を提供する。
【解決手段】基材11の4つの角部夫々に対応する枠体12上の位置に固定機構30を設ける。これにより、モジュール材料20を蓋部材21で覆う際に蓋部材21の片側を押さえつける作業や、真空引きする際に蓋部材21の四隅を枠体12の内周部に押さえつける作業を1人で行うことができ、作業人員の削減に伴う作業効率向上が図れる。またラミネート処理を行う各工程間での真空漏れなどによる蓋部材21の捲れ上がり等を防止でき、次工程への搬入を阻害したり、次工程にて排気できなくなったりすることがない。 (もっと読む)


【課題】上層と下層との好ましい電気的接合を得る事ができるだけでなく、光照射による素子寿命の低下や機械的な密着性を向上させることができ、エネルギー変換効率と素子寿命、更には繰り返しの巻き付けに対して高い耐久性を有したフレキシブルな有機光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第1の電極と第2の電極との間に少なくとも光電変換層と、正孔輸送層又は電子輸送層、とを積層塗布して成る有機光電変換素子の製造方法において、該有機光電変換素子を構成する少なくとも1層は、塗布液を塗布する前に、反応性ガスと、希ガスあるいは窒素からなるキャリアガスの存在下、大気圧またはそれに近い気圧下で、プラズマ放電処理により活性化させる工程を有することを特徴とする有機光電変換素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】光吸収層へのアルカリ金属の拡散を確実にかつ十分に行うことができるとともに、製造コストが安価な薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】第1電極層2と第2電極層5との間に光吸収層3を有する薄膜太陽電池の製法であって、元素としてCu、Inおよびアルカリ金属を含有する光吸収層溶液を作製する工程と、該光吸収層溶液を前記第1電極層上に塗布して乾燥させることにより前駆体を作製する工程と、該前駆体を還元雰囲気で熱処理し、前記第1電極層2上に、元素としてCu、Inおよびアルカリ金属を含有する前記光吸収層3を形成する工程と、該光吸収層3上に前記第2電極層5を形成する工程とを具備する。 (もっと読む)


【課題】太陽電池と集光レンズとを高精度に位置合わせして、光電変換効率、信頼性、生産性を向上させた集光型太陽光発電装置、集光型太陽光発電装置の製造方法、および集光レンズパネルを提供する。
【解決手段】集光型太陽光発電装置1は、集光レンズパネル10と、太陽電池20と、集光レンズパネル10を保持して集光レンズ11と太陽電池20との位置関係を固定する側部フレーム31および太陽電池20を保持する底部フレーム35を有するモジュールフレーム30とを備え、集光レンズパネル10を側部フレーム31に連結するレンズフレーム40と、集光レンズパネル10に位置合わせされてレンズフレーム40に形成されたレンズフレーム位置決め穴41と、太陽電池20に位置合わせされて側部フレーム31に形成された側部フレーム位置決め穴32と、レンズフレーム位置決め穴41および側部フレーム位置決め穴32を貫通する位置決め部材50とを備える。 (もっと読む)


【課題】ステージと基板との相対位置関係を確保しつつ、インク散布処理とベーキング処理とを並行して行うことで、生産性の向上および微小粒子の固着力強化を図ることを目的とする。
【解決手段】基板1に対して処理を行うために基板1を搭載する基板搭載ステージ30であって、基板1の縁部を搭載して固定する基板固定部31と、基板固定部31よりも内側に配置され、基板1を搭載して加熱する基板加熱部32と、を備え、基板加熱部31が最も熱膨張したときに基板固定部31と基板加熱部32とが接触しないように構成している。基板固定部31による固定により基板加熱部32が熱膨張したとしても基板1が位置ずれを起こすことなく、基板加熱部32の外側には断熱空気層が形成されるため、基板固定部31を熱から保護できるようになる。 (もっと読む)


【課題】カバレージが良好なn層を高速で製膜することにより、高生産性と高変換効率とを両立させた光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマCVD法により、基板1上にシリコン系の光電変換層3を形成する工程を含む光電変換装置100の製造方法であって、前記光電変換層3を形成する工程が、結晶質シリコンからなるi層42を形成する工程と、該i層42上に、水素希釈率0倍以上10倍以下の条件でn層43を形成する工程とを含むことを特徴とする光電変換装置100の製造方法。 (もっと読む)


【課題】より高い耐久性を有する太陽電池を提供すること。
【解決手段】本発明による太陽電池1は、太陽光発電手段3と、太陽光発電手段3の前面側に位置する前面板2と、太陽光発電手段3の背面側に位置する背面板5と、前面板2と背面板5との隙間を封止する封止材4を備え、前面板2又は/及び背面板5の前面及び背面以外の側面端部に側方内側から側方外側に向けて隙間を狭くする傾斜面2aを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】
従来のシリコンアモルファス型太陽電池では、高価な真空装置を用いるため、製造コストが高くなるという欠点があった。また、シリコン結晶型太陽電池では、高純度なシリコン結晶やポリシリコン結晶を多量に用いるため、製造コストが高くなるという欠点があった
【課題を解決するための手段】
少なくとも表面に共有結合した有機薄膜で被われているn型シリコン微粒子層と表面に共有結合した有機薄膜で被われているp型シリコン微粒子層の間に有機薄膜で被われているn型シリコン微粒子と有機薄膜で被われているp型シリコン微粒子のpn微粒子混合層が形成されていることを特徴とする高効率の太陽電池および高感度の光センサーを提供する。 (もっと読む)


【課題】良好な品質を有し光電変換効率の高いシリコン系薄膜光電変換装置を、簡易な製造装置を用いて低コストでかつ高効率で製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法の第一の形態は、第1のp型半導体層、i型非晶質シリコン系光電変換層および第1のn型半導体層を有する非晶質型pin構造積層体を形成する工程と、第2のp型半導体層、i型結晶質シリコン系光電変換層および第2のn型半導体層を有する結晶質型pin構造積層体を形成する工程とを各々プラズマCVD成膜室内で一室成膜により行ない、非晶質型pin構造積層体を形成する工程は、第1のプラズマCVD成膜室内における成膜圧力が200Pa以上3000Pa以下であって、電極単位面積当たりの電力密度が0.01W/cm2以上0.3W/cm2以下の条件で形成されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】製造工程全体としての効率を高いものとすることができる太陽電池の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明による太陽電池の製造方法は、太陽光発電手段3の背面に太陽光を反射する反射手段5、6を備え、反射手段5、6が反射板6と背面基板5とを含む太陽電池の製造方法であって、反射板6と背面基板5をラミネート成形工程により同時に成形することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 簡便な構造により、基板(特に曲面の基板)状に、シート状部材を正確な位置に積層することが可能な太陽電池モジュールの製造装置および製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、充填材、太陽電池マトリクス、および裏面保護材からなる群より選択される少なくとも1つのシート状部材を支持する支持部2と、前記シート状部材を、曲面基板上に積層するための載置部3とを備える太陽電池モジュールの製造装置1であって、前記支持部2は、前記シート状部材の対向する辺を含む2つの側部を吸着保持するような吸着部21を有し、前記吸着部21は、前記側部間の距離が小さくなるように移動可能であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高い光電変換効率を有する光電変換素子、その製造方法及び該光電変換素子を用いた太陽電池を提供する。
【解決手段】導電性支持体上の酸化物半導体5に色素4を吸着させてなる半導体電極6と、対向電極8とを電荷輸送層7を介して対向配置してなる色素増感型の光電変換素子の製造方法において、前記電荷輸送層は分子量の異なる複数の電荷輸送物質を含有し、前記半導体電極上に、第1の電荷輸送物質含有塗布液と、前記第1の電荷輸送物質含有塗布液の電荷輸送物質の分子量より大きい分子量を持つ電荷輸送物質を含有する第2の電荷輸送物質含有塗布液をこの順に塗布して、前記電荷輸送層を形成することを特徴とする光電変換素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】GexSi1−x緩衝層をシリコンウェハ上に形成した太陽エネルギ電池を提供する。
【解決手段】Si基板上での高品質Ge成長を促進するため、変成GeSi1−x緩衝層103とSi基板101との間の接合部における歪緩和を強化するため、SiをSi基板上へ注入する。更に数個のGeSi1‐x緩衝層(Si/Ge0.8Si0.2/Ge0.9Si0.1/Ge)103〜105がUHVCVDによりSi基板上部に成長する。低転移密度の純Ge層がGeSi1−x緩衝層上に成長する。最後に、高効率III−V太陽電池201〜206がGeSi1−x緩衝層上に成長する。 (もっと読む)


【課題】太陽電池セルの厚みを低減し、生産性を向上する。
【解決手段】太陽電池セル1は、一面に複数のフィンガー電極11を有し、前記一面において配線タブが接着される領域STには、隣り合うフィンガー電極11,11を電気的に接続する導電層23が、フィンガー電極11の幅よりも広い幅に形成されている。 (もっと読む)


【課題】大面積基板面内での光電変換効率のばらつきや、ロット間でのモジュール出力の変動を抑制し、生産性を向上させることができる光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板1上に、シラン系ガスと水素ガスとを含むガスを原料ガスとするプラズマCVD法を用いて、前記基板1の単位面積当たりの前記水素ガス流量80slm/m以上の条件で、シリコン系の光電変換層3を形成する工程を含むことを特徴とする光電変換装置100の製造方法。 (もっと読む)


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