本発明は、半導体基板をクランプしかつこれに関連した熱伝達を制御するための半導体処理装置及び方法を提供する。本発明の１つの構成によれば、多極静電チャック及びその方法は、チャック表面間に、制御されかつ均一の熱伝達係数を与えるように構成されている。この多極静電チャックは、ギャップを形成する複数の突起を有する半導体プラットフォームを含み、前記ギャップの距離または深さは、均一であって、冷却ガスの平均自由行路に関係する。静電チャックは、複数のギャップ内における冷却ガスの背面圧力を調整して、冷却ガスの熱伝達係数を制御する。複数の突起は、さらに、均一な接触表面を有し、複数の突起と基板との間の接触伝導率は、基板間で制御可能でかつ均一である。 （もっと読む）

試料位置合わせ機構（１０）が、複数の軸に沿って動かせる可動ステージ（１２）と、試料取り付けチャック（１４）と結合され、それを支持する板（３５）と、板を可動ステージに結合し、可動ステージと板との間の異なる位置に相隔たり、かつ可動ステージと板との間の距離を変化させるために別々に制御できる、複数の直線変位機構（３６，３８）と、可動ステージおよび板に結合する可撓性部材（２２）と、を含む。可撓性部材は３つの運動軸で応従して動く。直線変位機構の直線変位に対応する可撓性部材は、試料取り付けチャックの直線および回転運動を３つの応従運動軸で可能にする。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】チャンバ内の流体の流れと流体の圧力とを可変に制御することを可能にするチャンバが提供されている。そのチャンバは、チャンバ内の内部容器内の流体の流れと流体の圧力とを制御するよう構成可能である着脱可能なプレートを用いる。また、着脱可能なプレートは、チャンバ内の内部容器をチャンバ内の外部容器と分離するために用いられてもよい。さらに、そのチャンバで用いるためのウエハ固定装置が提供されている。ウエハ固定装置は、ウエハの上面と下面との間の圧力差を用いて、ウエハ下面に接触するウエハ支持構造に向かってウエハを引っ張ることにより、動かない状態にウエハを固定して維持する。さらに、高圧チャンバの構成が提供されている。 （もっと読む）

【課題】 簡単な電極パターンによってウエハ吸着領域のほぼ全域に安定で均一な吸着力を得ること。
【解決手段】 静電チャック１００の電極パターン３は、半径方向に直線部３１ａ、３１ｂを有し、この直線部３１ａ、３１ｂから枝状に複数のＣ字形状部３２ａ、３２ｂを延出した形状で、その直線部３１ａ、３１ｂは、互いに対向して直径方向となる略一直線上に位置し、前記Ｃ字形状部３２ａ、３２ｂは複数の同心円パターンを形成され、相互にくし歯状に入り込むようになる。 （もっと読む）