【課題】ダイシング工程や搬送中の振動などの衝撃があって割れやクラックが生じても、ＩＧＢＴの逆方向耐圧が劣化しないような逆阻止絶縁ゲート型バイポーラトランジスタおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ｎ型半導体基板の表面側にＭＯＳゲート構造を有する活性領域と該活性領域の周囲の耐圧構造部とを有し、裏面側にはｐ型コレクタ層を備え、前記耐圧構造部の外周部に、前記表面側と前記裏面側とを繋ぐように配置されるｐ型分離層が裏面側で前記ｐ型コレクタ層に電気的に接続される構成を有する逆阻止絶縁ゲート型バイポーラトランジスタにおいて、前記ｐ型分離層が裏面側の前記ｐ型コレクタ層に接続する部分における、基板面に平行方向の幅が６０μｍ以上である逆阻止絶縁ゲート型バイポーラトランジスタとする。 （もっと読む）