【課題】従来と比較して歩留まりを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、素子分離膜２を形成するために、素子領域に位置する半導体基板上にマスク膜２１，２２を形成する工程と、マスク膜２１，２２の寸法を測定する工程と、マスク膜２１，２２の設計寸法に対する測定寸法の差に基づいて、素子分離膜２を形成するための熱酸化量を算出する工程と、算出した熱酸化量に従って、マスク膜２１，２２をマスクとして半導体基板１を熱酸化することにより、素子分離膜２を形成する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 リーク電流の発生や酸化膜耐圧の劣化等を抑制しながらも、十分なゲッタリング能力を有するＳＯＩウエーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、ベースウエーハまたはボンドウエーハのいずれか一方の表面から、シリコン中で電気的に不活性である中性元素をイオン注入してイオン注入ダメージ層を形成する工程を備えるＳＯＩウエーハの製造方法において、前記イオン注入ダメージ層形成工程における中性元素のイオン注入は、ドーズ量を１×１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以上１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２未満として行うＳＯＩウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 均一な厚さの多結晶シリコン層が埋め込み絶縁層近傍に導入され、ＳＯＩ層中の金属汚染に対して高いゲッタリング能力を有するＳＯＩウエーハを、簡単で低コストな方法により効率的に製造することのできるＳＯＩウエーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、ベースウエーハとボンドウエーハを貼り合わせた貼り合わせウエーハを熱処理して結合強度を高める結合熱処理工程を備えるＳＯＩウエーハの製造方法において、少なくとも貼り合わせ工程より前に、前記ベースウエーハまたは前記ボンドウエーハのいずれか一方の表面から、ドーズ量を１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以上としてアルゴンをイオン注入する工程を備え、前記貼り合わせ工程では、前記アルゴンをイオン注入した面を貼り合わせ面とするものとし、前記結合熱処理の処理温度までの昇温速度を５℃／分以上とするＳＯＩウエーハの製造方法。 （もっと読む）