【課題】平板状空洞を形成する際におけるホール半径Ｒと、ホールとホールの最短距離Ｓのプロセスマージンを広げ、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１の表面にホール４を複数形成し、非酸化性雰囲気のアニール処理により、該半導体基板１の表面を半導体の表面マイグレーションを利用して平坦化し、基板内部に平板状空洞６を形成する際に、前記ホール４の開口部が閉じる前に半導体のソースガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、受光センサー部内のＰ型領域のホウ素がＮ型領域中へ拡散することを抑制して飽和電荷量の低下を抑えることを可能にする。
【解決手段】半導体基板１１に形成されたＮ型領域１３と、前記Ｎ型領域１３上に形成された第１炭化シリコン層２１と、前記炭化シリコン層２１上に形成されたシリコン層２２からなるＰ型領域１４とで構成されたフォトダイオード１５を有する。 （もっと読む）

【課題】SOI基板を用いてトレンチ素子分離構造を適用した場合、トレンチ側壁の酸化時にトレンチコーナー部の酸化膜が薄膜化し、応力集中により素子領域の半導体層に達する結晶欠陥が発生する。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、SOI基板２０１と、SOI基板２０１の素子分離領域において基板表面部を貫通し第１の絶縁層２０４に達する複数の溝２０５と、溝２０５の側面を酸化することによって形成される酸化膜層２１９および酸化膜層２１９を被覆する第４の絶縁層２２０と、溝２０５の内側に酸化膜層２１９および絶縁層２２０とを介して形成された埋込層２１１と、前記埋込層を被覆し、かつ複数の溝２０５及び素子形成領域以外の他の領域を含む素子分離領域を被覆する第３の絶縁層２１２とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】サブコンタクトはプロセス上の制約から要する面積が大きくなる。
【解決手段】上層Ｓｉ基板１２、ＳｉＯ_２膜層１４、下層Ｓｉ基板１６からなるＳＯＩ基板にＳｉＯ_２膜２２およびＰｏｌｙ−Ｓｉ２６からなる素子分離用絶縁膜を形成すると同時に埋め込みＳｉＯ_２２４を埋め込んだサブコンタクト用のホールを形成する。ウェットエッチングにより埋め込みＳｉＯ_２２４を途中までエッチングした後、トランジスタ２８上の引き出し電極用コンタクトホールを形成すると同時に、ＳＯＩ基板のＳｉＯ_２膜層１４まで貫通するサブコンタクト用のコンタクトホール４０を形成する。その後、各コンタクトホールをＷで埋め込むことにより、Ｗプラグ４４と同時にサブコンタクト４２を形成する。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧の異なる集積回路を同一の半導体基板に親和性よく形成することを可能にした半導体装置を提供する。
【解決手段】周辺回路１６の周囲を取り囲むように素子分離絶縁膜１８が形成されている。周辺回路１６は、半導体基板１７の表面においてＣＣＤイメージセンサ１１との間で素子分離されている。周辺回路１６下には、高エネルギー、高濃度で酸素イオンを注入し、熱処理を施してなる埋め込み絶縁層（ＳＩＭＯＸ絶縁層）３２が形成されている。この埋め込み絶縁層３２は、素子分離絶縁膜１８の下部に接続されている。周辺回路１６は、ＣＭＯＳ回路からなり、駆動電圧が低い。周辺回路１６は、駆動電圧の高いＣＣＤイメージセンサ１１から完全に絶縁分離されており、この絶縁分離により集積回路間の駆動電圧の影響が遮断されている。 （もっと読む）

【課題】薄い半導体層に素子分離層を安定して形成することができると共に、バーズビークの形成を抑制する手段を提供する。
【解決手段】支持基板と、該支持基板上方の半導体層とを有する半導体基板に形成する形成する半導体素子の製造方法が、トランジスタ形成領域と素子分離領域とを設定した半導体基板を準備する工程と、半導体基板の半導体層上にパッド酸化膜を形成する工程と、パッド酸化膜上に耐酸化性マスク層を形成する工程と、耐酸化性マスク層上にトランジスタ形成領域を覆うレジストマスクを形成する工程と、このレジストマスクをマスクとして耐酸化性マスク層をエッチングして素子分離領域のパッド酸化膜を露出させる第１のエッチング工程と、レジストマスクを除去し、露出した耐酸化性マスク層をマスクとして露出させたパッド酸化膜の下の半導体層をＬＯＣＯＳ法により酸化し、素子分離層を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】所望する微細な加工形状を得るための半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ナイトライド膜１０３及びレジストパターン１０４を覆うアモルファスカーボン膜にスパッタリングを行って、レジストパターン１０４の側壁上にアモルファスカーボン膜１０６を形成する。レジストパターン１０４とアモルファスカーボン膜１０６とをマスクにして、シリコン基板上１０１、酸化膜１０２及びナイトライド膜１０３をパターニングする。 （もっと読む）