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Fターム[5F033JJ07]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 層間接続のコンタクト層の材料 (22,060) | 金属及びその合金(シリサイドを除く) (14,566)

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【課題】 銅を配線材として用いても、微細な配線構造の形成が可能で、製造の工程数が少なく、低コスト化が可能な配線構造の製造方法を提供する。
【解決手段】 配線構造の製造方法が、半導体素子201の上にWプラグ203(下層配線)が形成された基板上に、対電子線感光性を有する材料を含む第二層間絶縁膜204(絶縁膜)を形成する工程と、第二層間絶縁膜204に電子線を照射して、第二層間絶縁膜204を露光する工程と、第二層間絶縁膜204を現像して未露光部を除去し、配線溝および/またはビアホールおよび/またはコンタクトホールを形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】 電気的特性のみならず耐環境性にも優れた配線を実現し、ひいては当該配線を内装した半導体装置や配線基板等の信頼性の向上に寄与することを目的とする。
【解決手段】 絶縁層11,13に形成されたビア・ホールを介して下層の導体層12に電気的に導通するように絶縁層13と下層の導体層12とを覆って形成された金属薄膜14上に形成された配線層17の表面を、耐環境性に優れた材料からなる被覆層18で覆うように構成する。この被覆層18を構成する耐環境性に優れた材料としては、好適には、ニッケル/金、ニッケル/パラジウム、又はニッケル/パラジウム/金が用いられる。 (もっと読む)


【課題】その中にマイクロトレンチを含まない低誘電体層間絶縁膜金属導体配線構造およびそのような構造の形成方法を提供する。
【解決手段】導体抵抗に対する制御は、第1の原子組成を有する多孔性の低誘電体層間絶縁膜の線とバイア誘電体層との間に位置する第2の原子組成を有する埋込みエッチング停止層により行われる。本発明の配線構造は、また、二重波形模様タイプの配線構造を形成する際に助けになるハードマスクを含む。第1および第2の組成は、エッチング選択性が少なくとも10:1またはそれ以上になるように選択され、特定の原子組成および他の発見できる量を有する多孔性の低誘電体層間絶縁膜有機材料または無機材料の特定のグルーブから選択される。 (もっと読む)


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