【課題】Ｃｕ配線のＣｕ拡散防止性能を向上する。
【解決手段】酸化シリコン膜３９の上面、配線溝４２の側壁部の酸化シリコン膜３９の表面、配線溝４２の底部の酸化シリコン膜３１ｂの上面およびスルーホール３４の側壁部の酸化シリコン膜３１ｂの表面に、アンモニアプラズマ処理を施す。これにより、例えば厚さ１０ｎｍ未満の薄い窒化シリコン膜が形成される。この結果、酸化シリコン膜３９の上面、配線溝４２の側壁部の酸化シリコン膜３９の表面、配線溝４２の底部の酸化シリコン膜３１ｂの上面およびスルーホール３４の側壁部の酸化シリコン膜３１ｂの表面部分の膜質、清浄度、電気的な安定性を向上でき、Ｃｕの拡散防止性能を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】複数層の埋め込み配線を有する半導体集積回路装置において、埋め込み配線と底部にて接続するプラグとその埋め込み配線との界面でのストレスマイグレーションによる導通不良を防ぐ。
【解決手段】たとえば、Ｃｕ配線３３Ｗの幅が約０．９μｍ以上かつ約１．４４μｍ未満であり、Ｃｕ配線４３の幅およびプラグ４３Ｐの径が約０．１８μｍである場合において、Ｃｕ配線３３Ｗ上にてＣｕ配線３３ＷとＣｕ配線４３とを電気的に接続するプラグ４３Ｐを２個以上配置する。 （もっと読む）

【課題】接続孔の開口部および配線溝上部におけるファセットの発生、肩落ちの発生を抑制して、配線信頼性の向上を可能とする。
【解決手段】基板上にストッパ膜１５と絶縁膜１６とを形成し、絶縁膜１６に配線溝１７とその底部に接続孔１８とを形成し、接続孔１８底部を除く配線溝１７と接続孔１８との内面に第１バリア膜２１を形成し、さらに接続孔１８底部のストッパ膜１５を除去して接続孔１８を延長した後、少なくとも接続孔１８底部に第２バリア膜２２を形成し、この第２バリア膜２２と第１バリア膜２１とを介して配線材料２３を埋め込むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＩＭキャパシタ構造の絶縁膜の静電破壊の原因となる上部電極膜への電荷蓄積を抑制できるキャパシタ構造の製造方法を提供する。
【解決手段】キャパシタ構造の製造方法は、基板１０上に下部電極膜７１を形成する工程と、下部電極膜７１上に絶縁膜７２を形成する工程と、アースされた導電性部材であるクランプリング８１を絶縁膜７２の外周近傍の所定領域に接触させる工程と、スパッタ法によって絶縁膜７２上、及び、絶縁膜７２上とクランプリング８１とを繋ぐ領域に上部電極膜７３を形成する工程と、絶縁膜７２からクランプリング８１を引き離す工程と有する。このようにして、上部電極膜７３を形成する際に、上部電極膜７３に電子が到達し難くしているので、上部電極膜７３に蓄積された電荷を原因とする絶縁膜７２の静電破壊の発生率を低下させることができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体記憶装置に係り、特に、高集積化されたＤＲＡＭを、少ない工程数で、且つ微細なセル面積で実現できる半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１０に形成されたメモリセルトランジスタと、メモリセルトランジスタのゲート電極２０の上面及び側面を覆う絶縁膜４２と、ソース拡散層２４上に開口したスルーホール４０と、ドレイン拡散層２６上に開口したスルーホール３８とが形成された層間絶縁膜３６と、スルーホール４０内壁及び底部に形成され、ソース拡散２４層に接続されたキャパシタ蓄積電極４６と、キャパシタ蓄積電極４６を覆うキャパシタ誘電体膜４８と、キャパシタ誘電体膜４８を覆うキャパシタ対向電極５４とを有するキャパシタと、スルーホール３８の内壁及び底部に形成され、ドレイン拡散層と接続されたコンタクト用導電膜４４とにより構成する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜をドライエッチングして下層のＣｕ配線の上部に配線溝を形成する際、配線溝の底部に露出した下層のＣｕ配線の表面に絶縁性の反応物が付着したり、配線溝の側壁に露出した炭化シリコン膜や有機絶縁膜がサイドエッチングされるという不具合を抑制する。
【解決手段】炭化窒化シリコン膜を含む積層膜をドライエッチングしてＣｕ配線２１の上部に配線溝３０を形成する際、ＣＨＦ_３とＮ_２とからなる混合ガスを使用することにより、配線溝３０の側壁を垂直に加工すると共に、配線溝３０の底部に露出したＣｕ配線２１の表面に堆積物や反応物が付着する不具合を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 露出した上部電極の表面の清浄化を行う場合に、上部電極と、その上に形成する導電膜との接触抵抗の増大を防止することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 基板上に、下部電極、キャパシタ強誘電体膜、及び上部電極がこの順番に積層された強誘電体キャパシタが形成されている。上部電極は導電性酸化物で形成され、上部電極の下層部分における酸素濃度に比べて上層部分における酸素濃度の方が相対的に低くなるような酸素濃度分布を持つ。層間絶縁膜が強誘電体キャパシタを覆う。ビアホールが、層間絶縁膜を貫通し、上部電極の上面よりも深い位置まで達する。このビアホールは、上部電極の酸素濃度が最大になる位置よりも浅い位置で止まる。ビアホールの底面において、導電部材が上部電極に接する。 （もっと読む）

【課題】 塗布絶縁膜からの脱ガス反応を押さえ、塗布絶縁膜の変形やクラック等を回避して半導体装置としての信頼性向上をはかる。
【解決手段】 ヒューズ素子の側壁部もしくはそれを覆う絶縁談をテーパ形状に加工することにより、ヒューズ素子の近隣に存在する塗布絶縁膜との距離を大きくすることで塗布絶縁膜へ加わる熱ストレスを緩和し、塗布絶縁談からの脱ガス反応を押さえ塗布絶縁談の変形やクラック等を避ける。また、ヒューズ素子の側壁部もしくはそれを覆う絶縁膜にサイドスペーサを形成し、あるいはヒューズ素子の側壁部とさらにそれを覆う絶縁談にもサイドスペーサを形成することにより、一層、ヒューズ素子の近隣に存在する塗布絶縁膜との距離を大きくする。 （もっと読む）

【課題】トレンチ内に主金属配線材料の占有体積を十分確保すると同時に、Ｆアタック問題およびＷボルカーノ問題を防止することが可能な半導体素子の配線形成方法を提供する。
【解決手段】所定の構造物が形成された半導体基板に層間絶縁膜を形成する段階と、前記層間絶縁膜に半導体基板の一定の領域を露出させるトレンチを形成する段階と、前記トレンチを含んだ全表面上に接着層と第１バリア金属膜を順次形成する段階と、前記トレンチの下部に第２バリア金属膜を形成する段階と、前記トレンチ内に配線を形成する段階とを含んでなる。 （もっと読む）

【課題】銅を主導体膜とする配線間の絶縁破壊耐性を向上させる。
【解決手段】複数の配線層Ｎ１〜Ｎｘのうち、ウエハの主面に相対的に近い配線層Ｎ１の配線形成工程においては、埋込配線Ｌｎの上面と絶縁膜１２ｂの上面との間に段差が形成されるようにし、複数の配線層Ｎ１〜Ｎｘのうち、ウエハの主面から相対的に遠い配線層Ｎｘの配線形成工程においては、上記段差を形成する工程を経ずに、主導体膜１８ａの上面が絶縁膜１２ｂの上面とほぼ一致した状態で絶縁膜１５ｂを堆積する。これにより、ＴＤＤＢ寿命を向上させることができ、また、プロセス上の制約を満たすことができるので、全体的に信頼性の高い半導体装置を提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 同一の成膜装置で化学的成膜法とスパッタリング法とを行なう場合に、反応ガスによるターゲットの汚染を防止または抑制することができる成膜装置および成膜方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 上記薄膜の構成元素を主成分とするターゲットが配置され、このターゲットをスパッタリングするためにスパッタリングガスを導入するスパッタリングガス導入系と、上記構成元素を含む原料ガスを導入する原料ガス導入系と、この原料ガスと反応して基板上に上記薄膜を析出させる反応ガスを導入する反応ガス導入系とを備え、上記ターゲットが配置されている第１空間と、上記基板ホルダーが配置されている第２空間とを仕切る仕切手段を設けた薄膜装置およびこの薄膜装置を使用した成膜方法により、反応ガスによるターゲットの汚染を防止または抑制することができるようになった。
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【課題】 シリサイド膜を薄くしても細線効果を抑えることが可能なシリサイド膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 ＳＯＩ基板全面に対してアルゴンイオンを注入した後，基板を約３００℃に調整し，ロングスロー・スパッタリング法を用いてチタン膜２１（膜厚１５ｎｍ）を形成する。基板を大気に曝すことなく連続的にチタン窒化膜２３（膜厚３０ｎｍ）を形成する。窒素雰囲気中で１回目の熱処理（７５０℃）を行い，ゲート領域，ソース領域，およびドレイン領域にそれぞれ自己整合的にシリサイド膜３１，３２，３３（膜厚３０ｎｍ）を形成する。チタン窒化膜と未反応のチタン膜を除去した後，２回目の熱処理（８５０℃）を行う。高抵抗の結晶構造Ｃ４９を有するシリサイド膜３１，３２，３３は，低抵抗の結晶構造Ｃ５４を有するシリサイド膜に相転移する。 （もっと読む）

【課題】コリメータを備えるスパッタリング装置の生産効率を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】上部シールド１３の上部折曲部１３ａと下部折曲部１３ｂとの上下垂直位置の距離を相対的に短く、上部シールド１３の下縁部の内径を相対的に広くして、ターゲット３と上部シールド１３との間の隙間量を相対的に広くし、さらに台座リング１５の内径を相対的に広く、台座リング１５の高さを相対的に低くして、パッキングプレート１１（ターゲット３）と台座リング１５との間の隙間量を相対的に広くすることにより、ターゲット３と上部シールド１３との接触またはパッキングプレート１１（ターゲット３）と台座リング１５との接触を回避する。 （もっと読む）

【目的】 不純物の残留を抑制し、バリアメタルを高純度に成膜することを目的とする。
【構成】 基体上にＴａ［Ｎ（（ＣＨ_３）_２］_５を供給するＴａ［Ｎ（（ＣＨ_３）_２］_５供給工程（Ｓ１０２）と、前記Ｔａ［Ｎ（（ＣＨ_３）_２］_５におけるＴａとは異なるＣを除去するＨ_２供給工程（Ｓ１０６）と、前記Ｃが除去された前記Ｔａ［Ｎ（（ＣＨ_３）_２］_５の吸着分子に基づいて前記ＴａＮ膜を生成するＮＨ_３供給工程（Ｓ１０８）と、を備え、前記Ｔａ［Ｎ（（ＣＨ_３）_２］_５工程とＨ_２供給工程とＮＨ_３供給工程とを繰り返すことで、前記基体上にＴａＮ膜を堆積させることを特徴とする。 （もっと読む）