【課題】銅ダマシン配線のエレクトロマイグレーション耐性の向上を図る。
【解決手段】本発明の例に関わる多層配線構造を有する半導体集積回路が形成される半導体装置は、銅配線１４と、銅配線１４の上面上に形成される絶縁層１６とを備え、銅配線１４は、銅配線１４と絶縁層１６との密着性を向上させる添加物を含み、その添加物のプロファイルは、銅配線１４の上面から内部に向かうに従い、次第に濃度が減少する勾配を持ち、銅配線１４の上面で最も高い濃度となる。 （もっと読む）

エレクトロマイグレーション及びその悪影響の制御方法、パターン化された半導体デバイスの導電層（９）。複数の空孔障壁（１０）は、選択された原子を打込むことによって、金属相互接続部（９）に沿って各々の位置で生成させる。各々空孔障壁（１０）は、エレクトロマイグレーション（８）によって生成された空孔がそこに蓄積させる、このことにより導線（９）に沿ってこのようなエレクトロマイグレーションの全体の効果を分布し、及び半導体デバイスの寿命をかなり増やす。
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配線金属は、銅（Ｃｕ）を主成分とする多結晶とＣｕ以外の添加元素とを含有し、添加元素の濃度が、Ｃｕ多結晶を構成する結晶粒の結晶粒界及び結晶粒界近傍において、その結晶粒内部よりも高い。添加元素は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｍｇ及びＡｇからなる群から選択された少なくとも１種の元素であることが好ましい。このＣｕ配線は、Ｃｕ多結晶膜を形成し、そのＣｕ膜の上に添加元素の層を形成し、この添加元素を前記添加元素の層からＣｕ膜中に拡散させることにより形成される。この配線用銅合金は、半導体装置に形成される金属配線として好適である。
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【課題】 ドライエッチングにより半導体基板やポリシリコン層に生じるダメージ層を効果的に除去して、寄生抵抗や接合リークが低減された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を、ドライ工程によりエッチングする工程と、前記エッチングにより前記半導体基板上に生じたダメージ層を、熱分解した原子状の水素により、所定の温度下で除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の平坦性を向上させるとともに、生産性を向上させ、製造コストを抑えることが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１１上に設けられたサイドウォール１５を備えたゲート電極１２による段差を有する基板１１上に下地絶縁膜１８を形成する第１工程と、段差下部よりも段差上部を覆う下地絶縁膜１８上に成膜される膜の成長が抑制されるように、段差上部を覆う下地絶縁膜１８に選択的に表面処理を行う第２工程と、表面処理が施された下地絶縁膜１８上に、絶縁膜１９を形成する第３工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法およびこれによって得られる半導体装置である。 （もっと読む）

一般に集積回路の製造に有用な、金属を取り除くための、及び、特に貴金属の化学的機械的研磨用の、スラリーは、過ヨウ素酸、研磨剤、及び緩衝系を組み合わせることによって、形成されてもよく、ここでそのスラリーのｐＨは、約（４）と約（８）との間にある。

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【課題】銅配線の寿命を増大させ、同時に、密着性を高め、ストレスマイグレーション耐性を向上させる。
【解決手段】Ｃｕ１６とバリアメタル１２、あるいはＣｕ１６とキャップ層１９との界面近傍に、不純物１５を固溶させる、不純物１５を析出させる、非晶質Ｃｕ１４を存在させるまたはＣｕとの化合物を形成することにより、界面近傍の空孔を減らし、Ｃｕのエレクトロマイグレーション（ＥＭ）に対する界面拡散の寄与を減少させ、寿命を増大させ、同時に、密着性を高め、ストレスマイグレーション耐性を向上させた。 （もっと読む）

【課題】 誘電率の低い有機物を主成分とする層間絶縁膜層に接して金属又は化合物の薄層からなる拡散障壁層の相互間の結合が強く、その界面で剥離・脱離が発生することのない配線構造及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 誘電率の低い有機物を主成分とする層間絶縁膜層に接して金属又は化合物の薄層からなる拡散障壁層を堆積・被覆し、該拡散障壁層に接して導電部分を配設することによって構成される配線構造であって、層間絶縁膜層（有機絶縁膜層）３０と拡散障壁層との界面付近に高速粒子照射により両側の部材を構成する原子又は分子が互いにミキシングされた状態のミキシング領域（ミキシング層３１）を形成した。 （もっと読む）