【課題】 ソフトエラーを低減することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 電極パッドを有する半導体チップが形成される半導体基板と、前記電極パッドに設けられる内部接続端子と、前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように設けられる絶縁層と、前記絶縁層を挟んで前記内部接続端子と接続される配線パターンと、を有する半導体装置であって、前記絶縁層は、ポリイミド及び／又はポリイミド系化合物等のα線を遮蔽する材料を含んで構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コンタクトの剥がれ、絶縁膜表面の段差、及び、コンタクトの両端に発生する気泡を防止し、信頼性が高く、拡散工程の短い高周波デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の高周波デバイス２００は、Ｓｉ基板２０１上に形成された能動素子と、前記Ｓｉ基板２０１上に積層して形成されている１０ＧＨｚ以上の周波数における誘電正接が０．０２以下で膜厚が１０μｍ以上の絶縁膜２０５と、前記絶縁膜２０５上に形成されている受動素子を主に形成する配線層２０７と、前記能動素子と前記受動素子を主に形成する配線層２０７とを前記絶縁膜２０５を介して、前記Ｓｉ基板２０１に対して垂直方向に接続する金属であるコンタクト２０６とを備え、前記コンタクト２０６は、無電解メッキによって形成されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁耐性を向上することが可能な半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成され、トレンチが形成された層間絶縁膜と、前記トレンチの内面に成膜された第１の拡散防止膜と、前記トレンチ内に前記第１の拡散防止膜を介して埋め込まれたＣｕ配線層と、前記層間絶縁膜上および前記Ｃｕ配線層上に形成された第２の拡散防止膜と、前記Ｃｕ配線層と前記第２の拡散防止膜との間の第１の界面に形成され、Ｃｕを主成分とする合金層と、Ｃｕ以外の前記合金層を構成する元素と同じ種類の元素が前記層間絶縁膜の上層部と反応して前記層間絶縁膜と前記第２の拡散防止膜との間の第２の界面に形成された前記第１の反応層と、Ｃｕ以外の前記合金層を構成する元素と同じ種類の元素が前記第２の拡散防止膜の下層部と反応して前記第１の界面および前記第２の界面に形成された第２の反応層と、を備える。 （もっと読む）

【解決手段】 パターニングされた金属フィーチャの上方に誘電体エッチストップ層を選択的に形成する方法を開示する。実施形態には、当該方法に従って形成されたエッチストップ層をゲート電極の上方に設けているトランジスタが含まれる。本発明の特定の実施形態によると、ゲート電極の表面上に金属を選択的に形成して、当該金属をケイ化物またはゲルマニウム化物に変換する。他の実施形態によると、ゲート電極の表面上に選択的に形成された金属によって、ゲート電極の上方にシリコンまたはゲルマニウムのメサを触媒成長させる。ケイ化物、ゲルマニウム化物、シリコンメサ、またはゲルマニウムメサの少なくとも一部を酸化、窒化、または炭化して、ゲート電極の上方にのみ誘電体エッチストップ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い電流密度を持つカーボンナノチューブを利用した半導体素子の配線形成方法、およびその方法により製造される超高集積度の半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子の電極１２０表面を前処理して活性化させる段階と、電極の活性化した表面１２２上に絶縁層１３０を形成した後、電極の活性化した表面の一部を露出させるために絶縁層を貫通するコンタクトホール１３２を形成する段階と、コンタクトホールを通じて電極の活性化した表面に炭素が含まれているガスを供給して前記電極の活性化した表面からカーボンナノチューブ１４０を成長させて配線を形成する段階と、を具備する半導体素子の配線形成方法およびその方法により製造された半導体素子。 （もっと読む）

【課題】ＭＩＳトランジスタを備える半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】シリコン基板１の主面ｓ１上のうち、ｎＭＩＳ領域ＲｎにｎＭＩＳ用ゲート電極ＧＥｎを形成し、ｐＭＩＳ領域ＲｐにｐＭＩＳ用ゲート電極ＧＥｐを形成し、それらの側方下部に、それぞれ、ｎ型ソース・ドレイン領域ｓｄｎおよびｐ型ソース・ドレイン領域ｓｄｐを形成する。続いて、シリコン基板１の主面ｓ１と両ゲート電極ＧＥｎ，ＧＥｐとを覆うようにして、引張応力を持つ第１応力膜Ｎ１ａを形成する。その後、ｐＭＩＳ領域Ｒｐの第１応力膜Ｎ１ａにイオン注入３００を施すことで応力を緩和させる。その後、熱処理を施すことで両ゲート電極ＧＥｎ，ＧＥｐを結晶化してから、第１応力膜Ｎ１ａを除去する。両ゲート電極ＧＥｎ，ＧＥｐを結晶化する工程では、第１応力膜Ｎ１ａの引張応力をｎＭＩＳ用ゲート電極ＧＥｎに記憶させる。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中にコンタクトホールを形成せずに、絶縁膜の表面と裏面の間に導電領域を形成することを課題とする。
【解決手段】基板上の半導体素子と、半導体素子上の絶縁膜と、絶縁膜中に、欠陥の多い領域と欠陥の少ない領域とを有し、欠陥の多い領域は、金属元素が拡散され、絶縁膜の表面の一部と裏面の一部をつなぐ導電領域である半導体装置、及び、基板上に半導体素子を形成し、半導体素子上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上に、半導体素子と電気的に接続された第１の導電膜を形成し、絶縁膜中にイオンを添加して、あるいはレーザビームを照射して、欠陥の多い領域を形成し、欠陥の多い領域上に、金属元素を含む導電材料を形成し、欠陥の多い領域に、金属元素を拡散させ、絶縁膜中に、第１の導電膜と、金属元素を含む導電材料とを電気的に接続する導電領域を形成する半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトおよび配線形成時の合わせマージンがゼロであり、集積度を大幅に向上し、パターンレイアウトの自由度の拡大を可能とする薄膜半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明絶縁性基板１０上に形成され、第１導電型の不純物を含むソース領域及びドレイン領域を有する島状半導体層、前記ソース領域及びドレイン領域の間の島状半導体層上に形成されたゲート絶縁膜及びゲート電極１８、前記ソース領域又はドレイン領域の表面に形成された高融点金属と半導体との化合物からなる層、前記島状半導体層及びゲート電極を覆う層間絶縁膜２９、及び前記ソース領域又はドレイン領域に接続された局所配線２８を具備し、前記局所配線２８は、前記ソース領域又はドレイン領域の表面に形成された前記化合物層と高融点金属層との２層構造、及び前記ソース領域又はドレイン領域の外側に形成された前記高融点金属層の延長からなることを特徴とする。 （もっと読む）

自己組織化ブロック共重合体を使用して、ラインアレイにおいて、サブリソグラフィーでナノスケールの微細構造を作製するための方法、ならびに、これらの方法から形成される膜およびデバイスが提供される。
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【解決手段】
半導体デバイスの高性能な金属化システムにおいてビア開口をパターニングする間、開口（２２１Ａ）が導電性キャップ層（２１３）を通って延び、適切なイオン衝撃が確立されて下層の金属領域（２１２）の材質が導電性キャップ層（２１３）の露出した側壁部分へ再分配され、それにより保護材質（２１２Ｐ）が確立される。その結果、後続のウエット化学的エッチング処理（２１５）において、導電性キャップ層（２１３）の過度な材質除去の可能性を大幅に低減することができる。 （もっと読む）

【課題】十分に低いリーク電流、高い電気的ストレス耐性、及び高いエッチング耐性を有する絶縁膜を半導体基板の表面に堆積する、半導体装置の製造方法、並びに、その絶縁膜を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】シリコンソースと酸化剤とを交互に供給して半導体基板の表面にシリコン酸化膜を堆積する、半導体装置の製造方法であって、前記シリコンソースの供給を、前記半導体基板へ前記シリコンソースの分子が吸着飽和することなく吸着量が増加する供給条件で行い、前記酸化剤の供給を、前記半導体基板に吸着された前記シリコンソースの分子中に不純物が残存する供給条件で行う。 （もっと読む）

【課題】配線を形成したときに電極と配線との密着性を向上できる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体装置１００ａの製造方法は、以下の工程を備えている。まず、炭化珪素半導体層１１０が準備される。そして、炭化珪素半導体層１１０の表面に、金属層が形成される。そして、金属層を熱処理することにより電極１５０が形成される。そして、電極１５０の表面の炭素を除去するためのエッチングが行なわれる。金属層を形成する工程では、金属層を熱処理する温度において炭素よりもシリコンとの反応性が高い金属層を形成する。 （もっと読む）

【課題】電極の接触抵抗の低減によって高性能化した半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、半導体基板上に第１の金属を堆積する工程と、第１の熱処理により第１の金属と半導体基板を反応させて、前記ゲート電極両側の前記半導体基板表面に金属半導体化合物層を形成する工程と、金属半導体化合物層中に、Ｓｉの原子量以上の質量を有するイオンをイオン注入する工程と、金属半導体化合物層上に第２の金属を堆積する工程と、第２の熱処理により、第２の金属を金属半導体化合物層中に拡散させることで、金属半導体化合物層と半導体基板の界面に、第２の金属を偏析させて界面層を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗が低く、ＥＭ耐性及び信頼性に優れた埋め込み配線の形成方法を提供することにある。
【解決手段】半導体基板１０上に形成された絶縁層１１内に溝１２を形成した後、溝１２の側面及び底面を覆うように、絶縁層１１上にＡＬＤ法でバリアメタル層１３を形成し、その表面に、イオン注入法またはＡＬＤ法により不純物層１４、１７を形成する。その後、バリアメタル層１３と不純物層１４、１７とを合金化した後、溝１２内にＣｕシード層１５及びＣｕメッキ層１６からなる埋め込み配線層を形成し、然る後、合金化されたバリアメタル層１３内の不純物元素を埋め込み配線層内に熱拡散させる。 （もっと読む）

【課題】同一配線層の配線間における実効誘電率の増大及び配線幅のばらつきの増加を解消しつつ、ナノホールパターンの形成時における反射率差に起因する課題と、エッチングによる配線信頼性低下の課題とを同時に解決できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板の主面に垂直な方向に筒状に延びる複数の空間部である第１のナノコラム型ホール１１ｂを有する第１の層間絶縁膜１１と、該第１の層間絶縁膜１１に選択的に形成された下層配線１２とを有している。下層配線１２の上部には、金属又は金属を含む材料からなるキャップ膜１２ｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 銅に対する良好なバリア性を持ち、生産性、及び周囲の膜との密着性の双方ともが良好となる銅保護膜を有した半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 表面に銅、もしくは銅含有金属膜が露出した状態の半導体基板を準備する工程（ＳＴ．１）と、銅、もしくは銅含有金属膜の上に、ＣｏＷＢ、ＣｏＷＰ、及びＷのいずれか一つからなる金属膜を成膜する工程（ＳＴ．２）と、上記金属膜にＳｉを導入する工程（ＳＴ．３）と、Ｓｉが導入された金属膜を窒化する工程（ＳＴ．４）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】表面電極の収縮応力を低減してマイクロクラック等の発生が抑制される太陽電池の製造方法、太陽電池および印刷用スクリーンを提供する。
【解決手段】印刷用スクリーン２には、バスバー電極のパターンに対応した露出したメッシュのスクリーンの領域Ｓ１における所定の領域に第２遮蔽部５が形成されている。銀ペーストをスキージによって押し広げることで銀ペーストパターンが印刷され、印刷用スクリーンを取外すと、第２遮蔽部５によって銀ペーストパターンが印刷されなかった領域に、銀ペーストの粘性によって銀ペーストがだれて流れ込み、銀ペーストパターンの幅方向の端部の厚みがより薄くなる。これにより、銀ペーストパターンの幅方向の端部と中央付近とで厚みの差が小さくなって、バスバー電極の収縮応力が大幅に低減される。 （もっと読む）

【課題】ｎチャネル型電界効果トランジスタとｐチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、ｎチャネル型電界効果トランジスタ、ｐチャネル型電界効果トランジスタ共にドレイン電流特性に優れた半導体装置を実現する。
【解決手段】ｎチャネル型電界効果トランジスタ１０と、ｐチャネル型電界効果トランジスタ３０とを有する半導体装置において、ｎチャネル型電界効果トランジスタ１０のゲート電極１５を覆う応力制御膜１９には、膜応力が引張応力側の膜を用いる。ｐチャネル型電界効果トランジスタ３０のゲート電極３５を覆う応力制御膜３９には、膜応力が、ｎチャネル型トランジスタ１０の応力制御膜１９より、圧縮応力側の膜を用いることにより、ｎチャネル型、ｐチャネル型トランジスタの両方のドレイン電流の向上が期待できる。このため、全体としての特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 ｎ型ＦＥＴ及びｐ型ＦＥＴのドレイン電流の増加（電流駆動能力の向上）を図る。
【解決手段】 半導体基板に形成されたｎ型及びｐ型ＦＥＴを有する半導体装置の製造であって、前記ｐ型ＦＥＴのゲート電極と前記半導体基板の素子分離領域との間の半導体領域を絶縁膜で覆った状態で、前記ｎ型及びｐ型ＦＥＴ上にこれらのゲート電極を覆うようにして、前記ｎ型ＦＥＴのチャネル形成領域に引っ張り応力を発生させる第１の絶縁膜を形成する（ａ）工程と、エッチング処理を施して、前記ｐ型ＦＥＴ上の前記第１の絶縁膜を選択的に除去する（ｂ）工程と、前記ｎ型及びｐ型ＦＥＴ上にこれらのゲート電極を覆うようにして、前記ｐ型ＦＥＴのチャネル形成領域に圧縮応力を発生させる第２の絶縁膜を形成する（ｃ）工程と、前記ｎ型ＦＥＴ上の前記第２の絶縁膜を選択的に除去する（ｄ）工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】焼成を必要とする液滴吐出法をはじめとする塗布法において、配線や導電膜の作製時における焼成温度を低減することを課題とする。
【解決手段】液滴吐出法等の塗布法を用いて導電性材料よりなるナノ粒子が分散された組成物を吐出し、その後乾燥することで該溶媒を気化させる。そして、活性酸素による前処理を行った後、焼成を行うことで、配線もしくは導電膜を作製する。このように、焼成前に活性酸素による前処理を行うことで、作製時における焼成温度を低減することが可能となる。 （もっと読む）