【課題】例えアスペクト比が高く、深さが深いビアホール等の凹部にあっても、銅等の金属材料を、内部にボイドを発生させることなく、凹部内に高速かつ確実に埋込むことができるようにする。
【解決手段】凹部２０２を有し該凹部２０２の内部を含む表面に通電層２０６を形成した基板Ｗを用意し、凹部２０２の内部を除く通電層２０６の表面に電着法で高分子絶縁膜２０８を形成し、高分子絶縁膜２０８を形成した基板Ｗの表面に電解めっきを行って凹部２０２内に金属材料２１０を埋込む。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法に関し、金属残留物による汚染を減少させて、薄膜トランジスタの特性を確保することを課題とする。
【解決手段】
本発明による薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、基板上にゲート線を形成し、前記ゲート線上にゲート絶縁膜、半導体層、及びオーミックコンタクト層を順次形成し、前記オーミックコンタクト層上にデータ層を形成し、前記データ層上に感光膜パターンを形成し、前記データ層をエッチングして、ソース電極を含むデータ線及び前記ソース電極と対向するドレイン電極を形成し、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の側面を覆うように前記感光膜パターンをリフローし、前記リフローされた感光膜パターンをマスクにして前記オーミックコンタクト層をエッチングすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プロセス工程の数が従来のリフトオフ方法より少なく、基板との密着性が良好な薄膜パターンの形成が可能な微細加工方法を提供すること。基板との密着性に優れたパターニングされた被加工薄膜を有する微細加工構造を提供すること。移動度が優れた有機トランジスタの作成が可能な微細加工方法及び電子デバイスを提供すること。
【解決手段】基体１上にレジスト膜２を形成する工程、レジスト膜２をパターン露光する工程、現像を行うことなくレジスト膜２上に被加工薄膜４を形成する工程、レジスト膜２の非露光部２ｂとその上の被加工薄膜４とをリフトオフする工程、を順次行うことを特徴とする。パターン化された被加工薄膜４ａと基板１との間に、露光されたレジストパターン２ａが介在していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多層配線を有する半導体装置において、空孔率の高い配線間構造を用い、配線間の電気的短絡を抑制する。
【解決手段】基板上にそれぞれ同一レベルに備えられた第一および第二の配線層１１０、３１０と空孔率６０％以上を有する第一および第二の空洞層１２０、３２０を有する配線構造において、第一および第二の空洞層１２０、３２０と接する配線層の側壁に第一および第二の酸化チタン層１６０、３６０からなる絶縁層を備え、配線層と接する側壁に第二および第四のチタン層１５０ａ、３５０ａを備え、バリアメタル層と絶縁層の間に酸素バリア層として第一のおよび第二の窒化チタン層１５０ｂ、３５０ｂを備えることにより、隣り合う配線間の電気的耐圧を向上し、配線間短絡を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 バリア層を形成する前にビアホール底部に形成された酸化Ｃｕ層を除去する際に、ダメージ等の問題がなく、大口径の基板であっても均一に除去できる半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】 ビアホール底部に形成された酸化Ｃｕ層を有機酸洗浄により還元処理する還元処理工程Ｓ１０１と、前記還元処理工程Ｓ１０１後にスパッタリングによりバリア層を形成するバリア層形成工程Ｓ１０６と、前記バリア層形成後にスパッタリングによりＣｕシード層を形成するＣｕシード層形成工程Ｓ１０７とを有し、前記還元処理工程Ｓ１０１と前記バリア層形成工程Ｓ１０６と前記Ｃｕシード層形成工程Ｓ１０７とを同一の製造装置内で連続して行う。これにより、低比誘電率材料からなる層間絶縁膜を劣化させることなく、かつ半導体基板面内にわたって均一に、下層配線Ｃｕとバリア層との間に良好なコンタクトを形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー技術の限界以上に微細化した配線構造を持つ集積回路装置製造方法の提供。
【解決手段】 線幅３０ｎｍ以下の配線を作成する方法であって、下地表面上に、配線用材料と親和性を有する最短部の長さが配線の幅の１．５倍以下の複数の領域と、配線用材料と親和性を有しない複数の領域とが交互に表れるパターンを形成し、直径３０ｎｍ以下の配線用材料をパターンが形成された下地表面に接触させて、配線用材料と親和性を有する複数の領域の間をつなぐ配線を形成することを特徴とする集積回路装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 エアーギャップ構造を利用したデュアルダマシン構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基体上にＳｉ犠牲膜４２０を堆積し、このＳｉ犠牲膜に下層配線用の溝を形成した後、この配線溝に導電性材料を埋め込み下層配線２６０とする。この下層配線と前記Ｓｉ犠牲膜上に多孔質ｌｏｗ−ｋ膜２８０とＳｉ犠牲膜４２４を順次堆積した後、これらの膜を貫通する開口部と、Ｓｉ犠牲膜４２４には上層配線用の溝とを形成し、前記開口部と配線溝に導電性材料を堆積させ上層配線２６２とする。この後Ｓｉ犠牲膜４２０、４２４をエッチングで除去し、エアーギャップ３１１，３１３を形成する。 （もっと読む）

本発明は、半導体ボディ（１）と基板（２）とを有し、少なくとも１つの半導体素子（３）を備える半導体デバイス（１０）の製造に関し、この半導体デバイスは、少なくとも１つの接続領域（４）と、接続領域に接続された、上に位置する帯状の接続導体（５）と、を備え、この接続領域および接続導体は、両方とも誘電体に凹設され、第１材料の誘電体領域（６）が、半導体ボディ（１）の、接続領域（４）が形成される位置に設けられ、その後、誘電体領域（６）は、第１材料とは異なる第２材料の誘電体層（７）で被覆され、この誘電体層には、帯状の接続導体（５）が形成される位置に帯状の凹部（７Ａ）が設けられ、この凹部は、誘電体領域（６）に重なり、かつ前記誘電体領域まで延び、凹部（７Ａ）の形成と誘電体領域（６）の除去の後、接続領域（４）が、誘電体領域（６）の除去により作られた空間（６Ａ）に導電性材料を堆積することにより形成され、接続導体（５）が、凹部（７Ａ）に導電性材料を堆積することにより形成される。本発明によると、第１材料には、有機材料が用いられ、第２材料には、この有機材料より高い分解温度を有する材料が用いられ、誘電体領域（６）は、有機材料の分解温度より高く、第２材料の分解温度よりは低い温度で加熱することにより除去される。本発明に係る方法は、非常にシンプルであり、第２材料を任意に選択することにより、得られるデバイス（１０）に高い平面性をもたらすことができる。誘電体領域（４）には、好ましくはフォトレジストが用いられ、誘電体層（７）には、好ましくはＳＩＬＫまたはＳＯＧ材料などの液体材料が用いられ、これは、加熱により固体状に変換することができる。
（もっと読む）

【課題】ナノ粒子インクを用いた配線形成にあたり、インク使用効率の向上、インク着弾精度の緩和、配線断面の順テーパ形成を実現すること。
【解決手段】第１段階のフォトリソグラフィー工程において、フォトレジスト２を全面に塗布した基板１上に配線領域１０を形成する際、そのレジスト断面が逆テーパ形状となるように露光する。ついで、第２段階のインク噴射工程において、インクジェット方式を採用し、ナノ粒子インクを配線領域１０に噴射する。その後、レベリング工程、乾燥工程、レジスト剥離工程、焼成工程を経て配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】ポリアミド酸またはポリエステルのプラットフォームに基づく湿式凹部形成（現像）ギャップ充填および底反射防止コーティングを提供する。
【解決手段】ポリアミド酸のプラットフォームは、熱エネルギーが供給されると、イミド化が可能になり、ポリイミドを形成する。ギャップ充填および底反射防止コーティングは、標準の水性現像液に可溶であり、またデュアルダマシンパターン形成法において、半導体基板上のビア孔およびトレンチのパターン形成に有用である。１つの実施例では、各ビア列間の疎密偏りを改善するために、銅デュアルダマシンプロセスにおいて、ポリアミド酸からなる組成物を反射防止機能を持たないギャップ充填（ビア充填）材料として用いる。別の実施例では、同じ組成物を反射防止目的に用いることができる。ここでは、凹部が形成された表面にフォトレジストを直接コーティングし、基板上のビア孔を平坦化するための充填材料としても機能させる。ここに記述する組成物は、およそ３７０ｎｍ未満の露光波長の時に特に有用である。 （もっと読む）

厚さが溶剤により容易に制御できる間隙充填底部反射防止膜を用いたビア・ファースト・デュアルダマシン相互接続構造体を形成する方法である。基板に塗布後、底部反射防止膜は低温焼成により部分硬化される。次に皮膜したウェハ上に溶剤を施し、膜と一定時間接触させて置く。底部反射防止膜の焼成温度と溶剤との接触時間により制御できる速さで溶剤が底部反射防止膜を除去しつつも、薄い底部反射防止膜を作り誘電体積層上に最適の光吸収特性は維持される。本方法の別の実施例では底部反射防止膜を充分除去し、ビアを単に部分充填し、続く処理工程でビア底部が保護されるようにしてもよい。溶剤はウェハから除去され、底部反射防止膜は高温焼成処理により完全に硬化される。次にウェハはフォトレジストにより被覆されトレンチパターンが露出する。使用される底部反射防止膜材によりトレンチパターン形成上、より平坦な表面形状が維持され、誘電体積層上に無機光吸収材層を設ける必要がなくなり、トレンチのエッチング工程時ビアの底部を保護し、溶剤を用いてビアの厚さを制御することにより境界問題の発生を防止する。 （もっと読む）