【課題】 ｌｏｗ−ｋ誘電体膜を処理するためのイオン注入を使用するための方法とシステム。
【解決手段】 基板上の機械的に強化されたｌｏｗ−ｋ誘電体膜を形成するシステムおよび方法は、基板上にｌｏｗ−ｋ誘電体膜を形成するスピオン誘電体（ＳＯＤ）技術か、化学的気相成長のいずれか使用することを含む。ｌｏｗ−ｋ誘電体膜の上部表面は、そこで、膜の機械的強度を増やすか、またはその誘電率を低下させるために処理される。
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【課題】 積層膜の何所に問題が有るかを簡単に究明できる技術を提供することである。
【解決手段】 電子素子が構成されてなる装置において、
前記装置は積層絶縁膜を有しており、
前記積層絶縁膜中には互いに離れて電極端子が対で設けられてなり、
前記電極端子の端面は、前記積層した絶縁膜間の一つの界面のみを共通にするように設けられたものである。 （もっと読む）

【課題】 パシベーション膜上や保護膜上、ボンディングパッド開口部などのダイシング時の切削屑による不具合をなくすことのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体ウェーハの表面にパシベーション膜６を成長させた後にダイシングを行い、ダイシング後にパシベーション膜６を開口、もしくはパシベーション膜６を選択除去するために塗布する感光性樹脂１２を除去することにより、パシベーション膜６上や保護膜上、ボンディングパッド開口部などのダイシング時の切削屑による不具合をなくすことができる。 （もっと読む）

【課題】様々な材料に適用可能であり、無電解めっき処理を用いて、より簡便にかつ安価に、選択的に形成可能な導電層を有する電子装置と半導体装置、それらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０に形成された易めっき性の第１絶縁膜２０ａと、第１絶縁膜上に形成された難めっき性の第２絶縁膜２０ｂと、第１絶縁膜および第２絶縁膜に連通して形成された凹部２０ｃと、凹部に埋め込まれた導電層７０とを有する構成とする。基板１０に絶縁膜（２０ａ，２０ｂ）を形成し、次に絶縁膜に２０ｃ凹部を形成する。次に、凹部の内壁面の少なくとも一部を選択的に触媒化し、次に凹部に導電層７０を埋め込んで形成する。 （もっと読む）

【課題】コーティングの形成前にバルク基材材料からイオウを除去するか、または基材材料の調製の間に、少量の割合の強力な硫化物形成剤（例えば、イットリウムまたはハフニウム）を基材材料に添加して、基材表面に偏析するのに有用な遊離のイオウが存在しないようにすることを提供すること。
【解決手段】基材材料の表面上に、特異的反応性元素のバリア層を形成する方法であって、該基材材料が、該基材材料の表面に偏析し得る１ｐｐｍ未満の遊離のイオウであって、そして特異的反応性元素、ならびにその窒化物、炭化物、または酸化物が、上記特異的反応性元素の対応する窒化物、炭化物、または酸化物よりも不安定である元素をさらに含み、上記方法が、窒化物、炭化物、または酸化物のバリア層を形成する工程を包含する方法。 （もっと読む）

パターン電極素子をコンタクトさせる方法は、多孔状基板を作成するステップと、導電性材料をデポジットして多孔状基板の前面に少なくとも一つの電極を形成するステップと、該基板の背面に少なくとも一つの導電性背面コンタクトトレースをデポジットするステップと、を含む。導電性材料の一部分は基板に浸透する。素子は基板の前面に電極を含んで形成され、該電極は該基板を通して該背面コンタクトトレースまで該導電性材料を含む導電チャネルで電気的に結合される。
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