【課題】 導電性のパターンを配置することができない領域があっても、ＣＭＰ後の表面の平坦度を高めることが可能な多層配線構造を提供する。
【解決手段】 支持基板（２０）の表面に、第１の領域（１０）、該第１の領域を取り囲む環状の第２の領域（１１）、及び該第２の領域を取り囲む第３の領域（１２）が画定されている。支持基板の上に第１の配線層（Ｍ８Ｌ）が配置されている。第１の配線層の第３の領域内に配線が形成され、第２の領域内にダミーパターンが形成され、第１の領域内には導電パターンが形成されていない。第１の配線層の上であって、かつ第１の領域内に機能素子（１）が配置されている。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を信号伝播媒体とするマイクロ波伝送線路を長期安定性を維持しながら伝送損失の劣化を防止できるようにする。
【解決手段】高抵抗シリコンからなる基板１の主面上には、酸化シリコンからなる保護膜２、酸化アルミニウムからなる電位中和膜３及びストリップメタル４が順次形成されている。保護膜２は正の空間電荷を持ち、電位中和膜３は負の空間電荷を持ち、信号電界が基板１と保護膜２と電位中和とを伝播し、保護膜２及び電位中和膜３の各膜厚は、基板１の表面近傍における電位が中和されるように調整されている。 （もっと読む）

本発明は、電流が電気導体を流れるときに回路構成の少なくともさらにもう１つの部分に作用する磁界を生成する少なくとも１つの電気導体（４０）を有する集積回路構成を提供している。電気導体（４０）は、この回路構成のこの少なくともさらにもう１つの部分に向かって方向付けられた第１の側を有し、導電材料の主要線（４１）と、その第１の側に接続され、磁性材料から成る少なくとも１つの磁界形成ストリップ（４２）を備える。磁界形成ストリップ（４２）により、電気導体（４０）上の磁界プロファイルの不均一性が、低下される。
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【課題】 ＣＭＯＳ製造技術を利用し、フォトマスキングを使用しないバック・エンド処理を利用する三次元ソレノイドの製造方法を開示する。
【解決手段】 この方法では、異なる残留応力ないし熱膨張係数を有する金属からなる二重層金属構造で各々形成された二つのサスペンド・アームが、二つのアームの中間にＡｌＣｕに形成された誘導コイルに結合されるように利用される。二酸化シリコンの絶縁層がサスペンド・アームから除去されると、アームの自由端が上方に湾曲し、誘導コイルが半導体基板の表面から三次元構造に立ち上がる。 （もっと読む）