【課題】駆動用の電池の経時的劣化に伴う電池の残存容量の確認や電池の交換作業をすることなく、個体情報を送受信することができ、且つ外部からの電波または電磁波の電力が十分でない場合であっても良好な個体情報の送受信状態を維持するＲＦＩＤを有する半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】ＲＦＩＤにおける電力を供給するための電源としてバッテリー（２次電池ともいう）を設ける。そして、外部から受信した信号から得られる電力が所定の電力より大きいときには、その余剰電力をバッテリーに蓄え、外部から受信した信号から得られる電力が所定の電力より小さいときには、バッテリーから得られる電力を駆動するための電力に用いる。 （もっと読む）

【課題】高温環境下における配線層内でのボイドの発生を抑制して配線層の導通不良を抑制し、半導体装置の信頼性を向上しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜３４に、配線溝３８を形成する工程と、配線溝３８内に、Ｃｕを主材料とする配線層４４を形成する工程と、配線溝３８内に埋め込まれた配線層４４の表面に、アンモニア及び水素が溶解された純水を含ませた布２を摩擦させる布摩擦処理を行う工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射パターンを切り替えながら、所望の位置に高速にレーザ照射を行う方法を提案する。
【解決手段】レーザ発振器から射出したレーザビームを偏向器に入射し、前記偏向器を通過したレーザビームを回折光学素子に入射して複数に分岐させる。そして、前記複数に分岐されたレーザビームを絶縁膜上に形成されたフォトレジストに照射し、前記レーザビームが照射されたフォトレジストを現像して前記絶縁膜を選択的にエッチングする。 （もっと読む）

【課題】伝送効率の低下を防止することが可能な電子基板１を提供する。
【解決手段】基体１０の能動面側に、相互にインダクタンス値または適用可能周波数のる第１インダクタ素子８０および第２インダクタ素子４０が形成されている。また基体１０の能動面側にも、相互にインダクタンス値または適用可能周波数の異なる第１インダクタ素子８５および第２インダクタ素子４５が形成されている。第１インダクタ素子８０，８５は外部との電力伝送に使用され、第２インダクタ素子４０，４５は外部との通信に使用される。この電子基板１を積層すれば、電磁シールド性を有する基体１０を介して電磁波を送受信する必要がなく、伝送効率の低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】インダクター、キャパシター及び抵抗を半導体基板上の配線に組み込んで、高密度実装を容易にすることが可能な半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一主面に電極パッド１１ａ及びパッシベーション膜１２が形成されている半導体基板１０と、半導体基板１０を覆うように設けられた第１の絶縁膜２０と、第１の絶縁膜２０の上に設けられた再配線層３０と、第１の絶縁膜２０及び再配線層３０を覆うように設けられた第２の絶縁膜４０とを少なくとも有する半導体パッケージ１において、再配線層３０にインダクター３及び抵抗４を形成するとともに、電極パッド１１ａ上には下部電極２ａ／誘電体層２ｂ／上部電極２ｃの３層構造からなるキャパシター２を形成し、該キャパシター２を第１の絶縁膜２０に形成された開口部２１ａを通じて再配線層３０と電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜、特にＬｏｗ−ｋ膜を用いた場合の絶縁膜中の残留ガスによるバリアメタル等の劣化を抑制し、信頼性の高い半導体装置、その製造方法、およびパターン生成方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施の形態に係る半導体装置１０は、半導体基板上に形成された層間絶縁膜２０と、この層間絶縁膜２０上に形成された層間絶縁膜２０よりも高い密度を有する保護膜２１と、これら層間絶縁膜２０および保護膜２１内に形成された配線１４およびダミー配線１５の少なくとも一方と、を含む配線層１１ａ〜１１ｃと、前記層間絶縁膜２０内で、前記配線１４および前記ダミー配線１５の被覆密度の合計が所定の規定値よりも低い低密度領域１７を取り囲んで他の領域と分離する分離壁（金属壁１６）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板の面に対して平行な方向にヘリカル構造の軸が向くようにするとともに、基板の面に垂直方向（縦方向）の高さを従来に比べて充分に高くして寄生容量や配線抵抗の小さなインダクタを得る。
【解決手段】基板５０に縦穴を形成し、その内部に縦配線５５を形成し、基板５０の表面に上部横配線５６を形成し、縦配線５５の深さにほぼ等しい深さの溝６０を形成し、この溝６０の底面に下部横配線６１を形成する。その後、下部横配線６１の少なくとも上面、縦配線５５、および上部横配線５６が露出するように基板５０をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】低抵抗で、歩留まりが高く、更に信頼性の高いアンテナを提供することを課題とする。
【解決手段】第１の基板と、第１のパターンと、第２の基板と、第２のパターンと、異方性導電材料とを有する。第１の基板は絶縁表面を有する。第１のパターンは第１の基板の絶縁表面（以下、第１の絶縁表面）上に導電材料でなる。第２の基板は、第１の基板の第１のパターンが形成された面に対向して設けられており、絶縁表面（以下、第２の絶縁表面）を有する。第２のパターンは、第２の基板において、第１の基板と対向する絶縁表面（第２の絶縁表面）に設けられており、導電材料でなる。異方性導電材料は第１のパターンと第２のパターンを電気的に接続する。第１のパターン上の全ての領域は異方性導電材料を介して第２のパターンと重なる。 （もっと読む）

【課題】金属配線の膜厚を均一化し、かつ隣接する複数の金属配線において発生する電流集中を抑制し、これにより配線抵抗の上昇を抑制可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】互いに隣接して複数の金属配線１１，１２が配置され、これらの金属配線１１，１２にそれぞれスリット１３，１４が形成され、複数の金属配線１１，１２のうち少なくとも１つ以上の金属配線１１，１２におけるスリット１３，１４を、金属配線１１，１２の上面から見て金属配線１１，１２の延在方向に対して左右非対称に形成する。 （もっと読む）

【課題】高温環境下における配線層内でのボイドの発生を抑制して配線層の導通不良を抑制し、半導体装置の信頼性を向上しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜３４に、配線溝３８を形成する工程と、配線溝３８内に、Ｃｕを主材料とする配線層４４を形成する工程と、配線溝３８内に埋め込まれた配線層４４の表面に対して、アンモニア及び水素が溶解された純水と窒素ガスとを同時に吹き付ける窒素二流体処理を行う工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＴＭＲ素子の機能確保と、層間絶縁膜およびＣｕ配線の形成条件との間のトレードオフ関係を解決して、信頼性の高いＭＲＡＭを提供する。
【解決手段】層間絶縁膜４〜６は、プラズマＣＶＤ法で形成された比誘電率３．０以下のＳｉＯＣ膜で構成され、３００℃以上（上限は４５０℃程度）の温度で形成される。層間絶縁膜１３〜１５および１７は、比誘電率が３．０より大きな絶縁膜で構成され、３００℃以下（下限は２００℃程度）の温度で形成される。 （もっと読む）

【課題】再配線上に突起電極が設けられたＣＳＰ（チップサイズパッケージ）構造を有した半導体装置において、グラウンドのインピーダンスを低くし、低雑音で、安定した回路特性を提供すること。
【解決手段】半導体基板１上に形成された複数の信号用パッド１２にそれぞれ信号用の再配線１３および前記再配線上に信号用突起電極１１を形成すると共に、前記信号用突起電極１１の周囲に前記再配線１３と同一の層に位置しているグラウンド層３０を形成し、前記グラウンド層３０上にグラウンド用突起電極２１を形成する半導体装置において、前記信号用突起電極１１もしくは前記グラウンド用突起電極２１と、その周囲に隣接して配置された前記信号用突起電極１１もしくは前記グラウンド用突起電極２１の間に、前記グラウンド層３０に接続されたグラウンド用パッド２２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ素子の製造過程におけるスティッキングの発生を抑制して、ＭＥＭＳ素子またはＭＥＭＳ素子を含む半導体装置の歩留まりを向上させる。
【解決手段】ＭＥＭＳ素子１を、基板２と、基板２の主面上に形成された絶縁膜３と、絶縁膜３の上部に形成された静止状態の時に基板２の主面に対して非平面的な凸形状となる変形可能な構造体４と、構造体４上の一部に絶縁膜５を介して形成された電極６とから構成することにより、製造工程におけるスティッキングの発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】簡単に周波数特性をもたせることが実現できる多層抵抗線路を提供する。
【解決手段】基板上６に金属層４と抵抗体層３とが重ね合わせて形成されており、かつ、抵抗体層３が金属層４の上に形成されており、かつ、引き出し金属配線１に接続されている。抵抗体層３と金属層４を重ね合わせた多層構造は、低周波では多層構造全体で平均的に電界が加わり、高周波域では下層側に電界が集中する。そのため、簡単に周波数特性をもたせることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】集積型電子部品を構成するのに適した電子部品を提供すること。
【解決手段】本発明の電子部品Ｘ１は、例えば、基材Ｓと、キャパシタ部１０と、配線部４０とを備える。キャパシタ部１０は、基材Ｓ上に設けられた電極部１１、当該電極部１１に対向する第１面１２ａおよび当該第１面１２ａとは反対の第２面１２ｂを有する電極部１２、並びに、両電極部１１，１２の間に介在する誘電体部１３、からなる積層構造を有する。配線部４０は、基材Ｓ側の面４３ａを有して電極部１２の第２面１２ｂ側に当該面４３ａにて接合するビア部４３Ａを有する。ビア部４３Ａの面４３ａは、電極部１２の第２面１２ｂの縁端１２ｂ’の外側に広がる延出領域４３ａ’’を有する。 （もっと読む）

【課題】
電子タグ等の半導体装置の製造において、半導体装置が備える配線回路のパターンの形成に当たり、高精度、短時間、低環境負荷かつ経済的な方法を提供する。詳しくは、必要部に選択的にパターンを形成できるというめっき法のメリットに加えて、前後工程を簡略化し、連続化が可能なプロセスを提供することにより、材料費および加工費を大きく低減させることを課題とする。
【解決手段】
めっき版上に所望の配線回路に対応するレジストパターンを形成し、このめっき版上のレジストパターンの開口部に、電解めっきにより金属材料をめっきし、このめっきした部分を別基材に転写することにより、配線回路を備えた半導体装置を製造する。さらにめっき版を円筒形状とし、回転させながら外周部にめっきを析出させ、配線回路を形成し別の基板に転写をする。 （もっと読む）

【課題】伝導路抵抗の低減、電流要件の増大への適合等の電気特性の向上、特に、良好な電気特性を有する受動部品の製造と言った新たな応用の可能性を開く、金属配線を有する集積回路構造及びその製造方法の提供。
【解決手段】それぞれ細長い導電路３４、４８が配置された少なくとも３つの導電構造レベル２８、４２、５２を含む集積回路構造１０をシングルダマシンによって製作する。これにより、慣用的に使用されるビアレベルが省略され、種々の技術的効果と新規な適用可能性が生じる。 （もっと読む）

【課題】 製作プロセスの簡単な低コスト・高品質の集積インダクターを提供する。
【解決手段】 インダクターは、金属層パターンと、金属層パターンの上層として形成される再配置層パターンと、金属層パターンと再配置層パターンの間に形成され、金属層パターンと再配置層パターンに導電的に接続されるビア層パターンとを含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に備えられるスパイラルインダクタの特性を向上させる。
【解決手段】 半導体基板１と、該半導体基板１上に形成されるパシベーション膜２と、上記半導体基板１上に上記パシベーション膜２を介して形成されるスパイラルインダクタ配線４とを備える半導体装置であって、上記スパイラルインダクタ配線４が、層間絶縁層３の一方側に配置される第１配線層４１と、上記層間絶縁層３の他方側に配置される第２配線層４２と、上記第１配線層４１と上記第２配線層４２との各々に対して鈍角に接続される傾斜配線層４３とを有している。 （もっと読む）

本発明の一態様によれば、マイクロ電子組立体を形成するための方法が提供される。本方法は、第１（２８）及び第２（３０）のトレンチを半導体基板（２０）上に形成する段階と、第１（２８）及び第２（３０）のトレンチをエッチング停止材料（４２）で充填する段階と、半導体基板（２０）の上にインダクタ（５６）を形成する段階と、エッチング停止層（４２）及び基板（２０）のうちの少なくとも一方内にエッチング孔（６０）を形成して第１（２８）及び第２（３０）のトレンチ間の半導体基板（２０）を露出させる段階と、エッチング孔（６０）を通じて第１（２８）及び第２（３０）のトレンチ間の基板（２０）を等方性エッチングし基板（２０）内にキャビティ（６６）を生成する段階と、エッチング孔（６０）の上でシール層（７０）を形成してキャビティをシールする段階とを含む。 （もっと読む）