【課題】インダクタで生じた磁場が集積回路に対して影響を与えることを防止し、かつ、インダクタの磁気特性を劣化させることのない半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１０は、半導体基板１１と、この半導体基板１１に重ねて配されるインダクタ１２とを備えている。半導体基板１１とインダクタ１２との間には、磁気シールド層１３が配される。磁気シールド層１３は、半導体基板１１側に配された、高導電率材料からなる高導電率層１６と、インダクタ１２側に配された、高透磁率材料からなる高透磁率層１７とを隣接して重ねた２層構造を成す。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の実装効率を向上する。
【解決手段】表面側に電子デバイスが形成されてなる半導体基板と、前記半導体基板の裏面側に形成されるインダクタと、前記半導体基板の表面と裏面との間を貫通し、前記電子デバイスと前記インダクタとを電気的に接続する貫通電極と、前記半導体基板の裏面側の前記インダクタの形成位置と相反する前記半導体基板の表面側の位置に形成される、前記インダクタのインダクタンスを安定化させるための導電パターンと、を有する半導体装置である。 （もっと読む）

半導体ウエハにウエハ貫通相互接続を提供するものであり、半導体ウエハの場合により凹状になった部分に犠牲膜（１１０）を形成すること、そのウエハの片面に面する犠牲膜の露出部分を覆うようにウエハの片面上に金属被膜（１２４）を堆積すること、ウエハの他面に面する犠牲膜の露出部分を場合によりエッチングした後に除去すること、及び既に堆積した金属被膜に接触するように該ウエハの他面上に金属被膜（１３０）を堆積することを含む。薄い金属膜を使用してコンデンサ型及び他の構造を提供するための技術も開示する。
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【課題】インダクタ素子を有する半導体装置において、インダクタにより占有される面積を縮小し、かつ、該インダクタ配線における電流エレクトロマイグレーション耐性を向上させ、かつ好ましくない寄生容量の増加を抑制する。
【解決手段】膜厚の厚い金属配線１により上層インダクタ部を形成する。膜厚が薄い下層の金属配線２と金属配線３とを並列接続して下層インダクタ部を形成する。上層インダクタ部と下層インダクタ部とを層間プラグ４により直列接続する。最下層の金属配線３の配線幅を狭くする。 （もっと読む）

【課題】無線通信により交信可能な半導体装置において、個体識別子を容易に付けることができるようにする。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ上に第１の層間絶縁膜と、第１の層間絶縁膜上の、ソース領域またはドレイン領域の一方に電気的に接続される第１の電極と、ソース領域またはドレイン領域の他方に電気的に接続される第２の電極と、第１の層間絶縁膜、第１の電極、及び第２の電極上に形成された第２の層間絶縁膜と、第２の層間絶縁膜上の、第１の電極または第２の電極の一方に電気的に接続される第１の配線と、第２の層間絶縁膜上の、第１の電極または第２の電極の他方に電気的に接続されない第２の配線とを有し、第２の配線と前記第１の電極または第２の電極の他方は、第２の層間絶縁膜中に形成された分断領域によって、電気的に接続されない半導体装置及びその作製方法に関するものである。 （もっと読む）

【課題】コスト増を招くことなく高いインダクタンス値を得る。
【解決手段】半導体基板１０にインダクタ素子４０が形成される。粉末状の磁性体が分散された樹脂材で形成され、インダクタ素子４０を覆う磁性樹脂体３０、６６を備える。また、巻き線４１における配線間の隙間を埋めるように、透磁率の低い材料として非磁性の樹脂層４２が製膜されている。樹脂剤４２は磁性樹脂層３０を形成する材料の中、磁性体が添加されない樹脂で形成される。 （もっと読む）

【課題】無線通信により交信可能な半導体装置において、個体識別子を容易に付けることができるようにする。また信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域を有する島状半導体膜１３１〜１３４と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極１０３〜１０６とを有する薄膜トランジスタ１１８〜１２１と、層間絶縁膜と、層間絶縁膜中に形成され、ソース領域またはドレイン領域の一方に達する複数のコンタクトホール１４２を含む第１のコンタクトホールと、ソース領域またはドレイン領域の他方に達する第２のコンタクトホール１４１とを有し、第２のコンタクトホール１４１の径は、第１のコンタクトホールに含まれる複数のコンタクトホール１４２のそれぞれの径より大きく、第１のコンタクトホール１４２の底面積の合計と、第２のコンタクトホール１４１の底面積は等しい半導体装置に関するものである。 （もっと読む）

【課題】メモリにおけるデータの読み出しに関し、低消費電力なメモリを搭載した半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】ワード線と、ビット線と、ワード線及びビット線に電気的に接続されたメモリセルを有する半導体装置において、ビット線に接続され、ビット線の電位をメモリセルに保持されたデータを読み出すための電位にするプリチャージ回路を有し、プリチャージ回路はビット線毎に設けられており、ビット線毎にメモリセルに保持されたデータを読み出すための電位にする構成とする。 （もっと読む）

【課題】高信頼性かつ低コストに製造することが可能な、多層間にまたがる配線を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１の上方に位置するＡｕを含むインダクタ配線４と、インダクタ配線４の上に位置し、Ｆとの化合物の沸点または昇華温度が３００℃以上となるＡｌを含むインダクタ配線上層５とを上層の層間絶縁膜６で覆った後、Ｆを含むガスでインダクタ配線上層５が露出するまで上層の層間絶縁膜６をドライエッチングし、上層の層間絶縁膜６のエッチングで露出したインダクタ配線上層５をＣｌを含むガスでドライエッチングする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を無線装置の基板に実装した場合に、実装前後で導電層のインダクタ周辺の寄生容量に変化が生じインダクタとの結合容量が変わり、インダクタ値が変化してしまうことのない、ＷＬＣＳＰ構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体基盤１０１と、半導体基盤の上層側に導電体で形成される遮蔽体２０Ｂと、半導体基盤の上層側に導電体および半導体で形成される能動体２０Ａと、遮蔽体と能動体の間に形成され、遮蔽体と能動体とを電気的に絶縁する絶縁層１０６Ｐ、１０６Ｑとを有し、遮蔽体は、板状に形成される第１導電層１１０Ｂと、第１導電層の上層側に形成され、第１導電層に接続される第１外部電極１０２Ｂとを含み、能動体は、半導体基盤と第１導電層の間に形成され、半導体基盤に接続される第２導電層１０３、１１０Ａを含む構成とする。 （もっと読む）

【課題】工程数の低減と共に、バービア底部での抵抗値異常や断線を抑制しうるＲＦ集積回路及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基体上にボンディングパッド層と積層インダクタとを備え、該積層インダクタが、最下層インダクタ層上に上層インダクタ層を積層させた構成を有し、前記最下層インダクタ層が、前記ボンディングパッド層と同一の材料からなることを特徴とするＲＦ集積回路により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスのインダクタなどの１ミクロン以上の厚い金属層の形成において、金属欠陥の発生を低減する製造方法を提供する。
【解決手段】誘電体層の上に、厚いアルミニウムなどの金属層の２分の１の厚さを持つ第１部分１１５ａがスパッタ法により堆積される。この第１部分は圧縮応力または引張り応力を有する。次にＴｉＮ層などの応力補償層１２０がこの上に堆積される。この応力補償層は第１部分の応力とは逆向きの応力を持つ様に、窒素ガスを含む雰囲気中でスパッタする。次いで金属層の２分の１の厚さを持つ第２部分１１５ａが、第１部分と同様の方法でこの上に堆積される。この後パターン形成しインダクタ１１０とする。 （もっと読む）

本発明は、基板（１００）上にアクティブ層（１０１）を形成する段階および少なくとも基板（１００）が出現するまで、トレンチ（１０２）をアクティブ層（１０１）内に形成することでコンポーネントを個別化する段階を含む、電子コンポーネント（１１１）のマトリクスを製造する方法に関する。この方法は、アクティブ層（１０１）上に機能材料の層（１０２）を蒸着する段階と、前記トレンチ（１０２）を充填し、電子コンポーネント（１１１）の上側面に薄膜（１１５）を形成するように、材料の層（１０３）上に感光性樹脂（１０４）を蒸着する段階と、トレンチの樹脂の部分の露光を少なくしつつ樹脂（１０４）を放射線に少なくとも部分的に曝露する段階と、適切に露光された部分を除去するように樹脂（１０４）を現像する段階と、現像段階の後、外面に現われる機能材料の層（１０３）の部分を除去する段階と、樹脂の残り部分を除去する段階とを含む。
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【課題】ＴＦＤ素子の第１電極１５に含有される水素の量及び分布は、当該金属を用いたＴＦＤ素子の動作特性に影響を与える。例えば第１電極１５中の水素量を増加させるとＴＦＤ素子の絶縁抵抗値を高くでき好適である。反面水素が過剰量入るとＴＦＤ素子外に水素が時間と共に飛散し、ＴＦＤ素子の電気特性が不安定になる。当該水素はＴａ膜成膜後Ｔａ膜を大気中に晒すことで大気中の水素を吸収させることで導入しているため、水素量の制御が困難であるという問題があった。
【解決手段】第１電極１５を覆う第１散逸阻止膜５を減圧雰囲気中で除去する。この工程により、第１電極１５中に蓄えられていた水素は第１電極１５外に放出される。放出後、大気に晒すことなく新たに水素を吸着させ、更に第２散逸阻止膜６を形成することで内蔵水素量が制御されたＴＦＤ素子の提供が可能となる。 （もっと読む）

【課題】省スペース性および高周波特性を両立する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１００は、半導体基板１と、半導体基板１上に形成されたサブコレクタ層２と、サブコレクタ層２上に形成されたコレクタ層３と、コレクタ層３上に形成されたベース層４と、ベース層４上に形成されたエミッタ層５と、コレクタ層３と接続されるコレクタ電極８ａと、ベース層４と接続されるベース電極７と、エミッタ層５と接続されるエミッタ電極６と、サブコレクタ層２をスパイラル状に区画する絶縁領域１６と、スパイラル状に区画されたサブコレクタ層２の一端に接続される第１のインダクタ電極８ｂと、スパイラル状に区画されたサブコレクタ層２の他端に接続される第２のインダクタ電極８ｃとを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板にスルーホールを形成する工程や、半導体基板を裏面から研磨する工程は、非常に長い時間を要し生産性を低下させる要因となる。また、半導体基板を積層する構造であるため、積層して形成された半導体集積回路は厚くなり機械的な柔軟性に劣っている。
【解決手段】複数の基板上に剥離層を形成し、剥離層上に半導体素子、および貫通配線のための開口部を形成する。そして、半導体素子を有する層を基板から剥離し、重ね合わせて積層し、開口部に導電性を有する層を形成して貫通配線を形成することによって半導体集積回路を作製する。 （もっと読む）

【課題】 半導体基体中に高いＱ値のスパイラル形状インダクタを形成する。
【解決手段】 能動デバイス領域からなる半導体基体上に形成されたインダクタであって、インダクタは半導体基体に積層される誘電体層上に形成された導電線からなる。導電線は、一つの実施例においては平面スパイラル形状である所望の形状にパターン成形され、エッチング加工される。インダクタの下の基体領域はインダクタのＱ値を上げるために除去される。 （もっと読む）

本発明は、導電または絶縁基板上に成長されるナノ構造体およびそれを作る方法を提供する。請求項の方法によって成長されるナノ構造体は、電子装置における相互接続および／または熱の散逸体に適切である。
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【課題】所定厚みの導電膜で形成した配線構造体及びその形成方法において、高周波の電流を通電する際に表皮効果による電流密度の局部的な増大が生じることを抑制できる配線構造体及びその形成方法を提供する。
【解決手段】所定厚みの導電膜３０で形成した配線構造体において、導電膜３０は、通電方向を横断する断面による断面形状を上方に向けて膨出した湾曲形状とする。そのために、所定のパターンに導電膜３０で配線が形成される基板の配線形成領域にパターンに沿って絶縁膜２０を配設する工程と、配設された絶縁膜２０の上面を上方に向けて膨出した湾曲面とする工程と、基板の上面に所定の膜厚の導電膜３０を製膜する工程と、製膜された導電膜をパターンニングしてパターンを形成する工程とによって形成する。 （もっと読む）

【課題】駆動用の電池の経時的劣化に伴う電池の残存容量の確認や電池の交換作業をすることなく、個体情報を送受信することができ、且つ外部からの電波または電磁波の電力が十分でない場合であっても良好な個体情報の送受信状態を維持するＲＦＩＤを有する半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】ＲＦＩＤにおける電力を供給するための電源としてバッテリー（２次電池ともいう）を設ける。そして、外部から受信した信号から得られる電力が所定の電力より大きいときには、その余剰電力をバッテリーに蓄え、外部から受信した信号から得られる電力が所定の電力より小さいときには、バッテリーから得られる電力を駆動するための電力に用いる。 （もっと読む）