本発明は、ｌｏｗ−ｋ誘電体高分子のクラッキングを最小限に抑制するプロセスに関する。実施の一形態では、プラズマ蒸着された酸化シリコンＳｉＯ_Ｘで不動態化された金属層（２２０）上に配置される複合誘電体（２３０，２４０，２５０，２６０）を半導体基板（２００）上に形成する方法がある。その方法は、プラズマ蒸着された酸化シリコンＳｉＯ_Ｘ（２２０）で保護された金属層（２１０）上にスピンオン誘電体からなる第１の所定の厚さの第１の層を堆積させるステップ（３１０，３２０）を含む。次に、第２の所定の厚さの薄い応力緩和層（２４０）が、スピンオン誘電体からなる第１の層（２３０）上に堆積される（３３０）。薄い応力緩和層（２３０）上には、スピンオン誘電体からなる第３の所定の厚さの第２の層（２５０）が堆積される（３４０，３５０）。ｌｏｗ−ｋスピンオン誘電体は、水素メチルシルセスキオキサン（ＨＳＱ）及びメチルシルセスキオキサン（ＭＳＱ）を含んでいてもよい。
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【課題】簡便に製造することができ、しかも基板上のパターン膜上に形成された薄膜にクラックが入ることを抑制することができる素子配置基板を提供する。
【解決手段】基板上に１以上のパターン化された膜を備える素子配置基板であって、上記パターン膜の少なくとも一つは、断面形状が上部の半楕円形状部と下部の順又は略垂直テーパ形状部とにより構成され、上記順又は略垂直テーパ形状部は、平均厚さが５０Å以上、３０００Å以下である。 （もっと読む）

本発明は、ボンディングパッドで発生する応力に対する強度を向上させることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。本発明に係る半導体装置においては、半導体チップ上にボンディングパッド（１）が複数個設けられる。それぞれのボンディングパッド（１）においては、最上層の配線層を用いて形成された第１メタル（１１）の下に、ライン状の第２メタル（１２）が複数個設けられる。そして、上記目的を達成するために、ボンディングパッド（１）は、第２メタル（１２）の長手方向に並べて配設される。つまり、第２メタル（１２）の長手方向（Ｌ１）と、ボンディングパッド（１）の配列方向（Ｌ２）とが同じ方向になるように、ボンディングパッド（１）を並べて配設する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を信号伝播媒体とするマイクロ波伝送線路を長期安定性を維持しながら伝送損失の劣化を防止できるようにする。
【解決手段】高抵抗シリコンからなる基板１の主面上には、酸化シリコンからなる保護膜２、酸化アルミニウムからなる電位中和膜３及びストリップメタル４が順次形成されている。保護膜２は正の空間電荷を持ち、電位中和膜３は負の空間電荷を持ち、信号電界が基板１と保護膜２と電位中和とを伝播し、保護膜２及び電位中和膜３の各膜厚は、基板１の表面近傍における電位が中和されるように調整されている。 （もっと読む）

ボンディング・パッド下方に各回路を有する集積回路。一実施例において、集積回路は基板と、最上部導電層と、１つ以上の中間導電層と、絶縁材料から成る各層と、各デバイスとを具備する。最上部導電層は少なくとも１個のボンディング・パッド及び比較的硬質の材料から成る副層を有する。１つ以上の中間導電層は最上部導電層及び基板の間に形成する。絶縁材料から成る各層は各導電層を分離する。更に、絶縁材料から成る各層のうちの１つの層は比較的硬質で、最上部導電層及びこの最上部導電層に最も近接した中間導電層の間に位置する。各デバイスは集積回路に形成する。また、最上部導電層に最も近接した少なくとも中間導電層は、ボンディング・パッド下方の各選択デバイスの機能的相互接続部に対して適合する。

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【課題】 ＩＣチップ上に形成された集積回路（ＩＣ）の低Ｋ誘電材料用のクラック・ストップ（２８）を提供することにある。
【解決手段】 ダイシング操作中にＩＣチップの周辺エッジに沿って形成されたチッピングおよびクラッキングによって引き起こされたＩＣチップのアクティブ・エリアに対する損傷を防止するために、低Ｋ誘電体材料において銅または銀の相互接続などの自己パッシベーション酸化物層を形成しない金属相互接続を使用する。吸湿バリアまたはエッジ・シール（１２）は、ＩＣチップのアクティブ・エリアの外周エッジに沿って位置決めされた金属スタックとして形成される。クラック・ストップは、ＩＣチップの外周上の吸湿バリア／エッジ・シールの外側に位置決めされた少なくとも１つのトレンチまたは溝によって形成される。 （もっと読む）

【課題】配線の信号伝播性能向上を絶縁被膜の誘電率分布の均一化によって実現することを課題とする。
【解決手段】アルコキシシランを加水分解して得られたシリカからなる、平均粒径が１０００Å以下であって、粒径の３σが平均粒径の２０％以下である第一の微粒子と、平均粒径が１第一の微粒子の１／３以下で、粒径の３σが第二の微粒子の平均粒径の２０％以下である第二の微粒子とを含有し、半導体デバイスに用いるに好ましい被膜形成用塗布液。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドの下層におけるクラックの発生を抑制しつつ、ボンディングパッドの下層を有効活用して装置の小型化を図る。
【解決手段】半導体装置１０は、半導体基板１１と、外部との電気的接続をとるための接続領域１２ａを有するボンディングパッド１２と、半導体基板１１とボンディングパッド１２との間に介在する第１層間絶縁層１３と、第１層間絶縁層１３に埋設されたメタル配線層１４とを備える。メタル配線層１４は第１層間絶縁層１３より硬度の小さい材質からなる。メタル配線層１４の少なくとも一部は、積層方向において接続領域１２ａと重なり、接続領域１２ａと重なるメタル配線層１４の領域には、積層方向に貫通し、メタル配線層１４をその層方向において分離している切欠部３０ａ〜３０ｅが形成されているとともに、この切欠部３０ａ〜３０ｅに第１層間絶縁層１３の一部が埋め込まれている。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、多層構造の配線層に加わるパッケージの熱収縮による応力を効果的に緩和し、チップの保護膜であるパッシベーション膜のクラックの発生などを防止できる半導体装置を提供することである。
【解決手段】上記課題は、半導体基板１１上に層間絶縁膜１４を介して下層配線と１３上層配線１５とが形成される多層配線構造を備えた半導体装置において、層間絶縁膜１４の面積が広くとれるように該層間絶縁膜１４に開ける開口を小さくすることを特徴とする多層配線構造を備えた半導体装置にて解決される。 （もっと読む）