基板（１００)上に一時的な材料の部分（１）の形成を含む集積回路の製造方法であって、その基板の一部は吸収材料からなる集積回路の製造方法である。一時的な材料は、コバルト、ニッケル、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、ガリウム、インジウム、銀、金、鉄及び／又はクロムを含む。硬質部分（３、４）は、吸収材料からなる基板の部分に対向する一時的な材料（１）の部分の一側で基板と接触して形成される。前記回路は、一時的な材料が吸収材料からなる基板の部分に吸収される方法で加熱される。従って、実質的に材料が無い領域（Ｖ）は、一時的な材料（１）の部分の場所に形成される。その実質的に空の領域は、キャパシタの補強材の間に位置する誘電材料に置き換わることができる。
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【課題】 製造されるポリシリコン・レジスタのシート抵抗の許容誤差をより正確に制御する精密ポリシリコン・レジスタを製造するためのプロセスを提供する。
【解決手段】 プロセスは、一般に、部分的に形成されたポリシリコン・レジスタを有するウェハに対して、エミッタ／ＦＥＴ活性化高速熱アニール（ＲＴＡ）を行うステップと、それに続いて、保護誘電体層をポリシリコン上に堆積させるステップと、ドーパントを該保護誘電体層を通して該ポリシリコンに注入して、ポリシリコン・レジスタの抵抗を定めるステップと、シリサイドを形成するステップとを含む。 （もっと読む）

本発明は、多機能誘電体層を基板上、特に基板上に露出している金属配線系上に形成する方法に関する。本発明の目的は、銅による配線を形成するための多機能パッシベーション層を容易に形成する方法を提供するとともに、エレクトロマイグレーション、ストレスマイグレーション、および接着性を向上させる方法を提供することにある。本発明によれば、更なる金属層（５）を、露出した金属配線（３）の表面上に堆積することによって、本発明の目的は達せられる。この金属層は少なくともその一部が非導電性の金属酸化物に変換され、誘電体層となっている。
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垂直方向の半導体装置は、電気装置そして／または相互接続を含む分離して作られた基板に付加される。多くの垂直方向の半導体装置は物理的に互いに分離され、そして同一半導体本体又は半導体基板内には配置されない。多くの垂直方向の半導体装置は取り付けられた後に個別のドープされたスタック構造を生成するため、エッチングされた数個のドーピングされた半導体領域を含む薄い層として分離して作られた基板へ付加される。あるいは多くの垂直方向の半導体装置が分離して作られた基板に取り付けるのに先立ち製作される。ドープされたスタック構造は、ダイオードキャパシタ、ｎ‐ＭＯＳＦＥＴ、ｐ‐ＭＯＳＦＥＴ、バイポーラトランジスタ、及び浮遊ゲートトランジスタのベースを形成する。強誘電体メモリー装置、強磁性体メモリー装置、カルコゲニド位相変更装置が分離して作られた基板と連結して使用するために、堆積可能なアッド‐オン層に形成される。堆積可能なアッド‐オン層は相互接続ラインを含む。

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１５００以上の相対誘電率を有する、結晶質のＰｂＭｇ_０．３３Ｎｂ_０．６７Ｏ_３の単相の層が、大環状錯化剤を有する前駆体溶液の使用によって準備される。この錯化剤は、有機溶液内の鉛成分に付加される。得られる層は、半導体素子及び抵抗器を更に含み得るデバイスの一部である。
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ショットキーのような動作を有するモノリシック集積パンチスルー・ダイオード。これは、ショットキー金属領域（１６）が第１のｐドープ・ウェル（９）の表面の少なくとも一部に堆積されるときに実現される。ショットキー金属領域（１６）およびｐドープ・ウェル（９）は、ショットキー・ダイオードの金属−半導体−遷移を形成する。順方向特性が０．５Ｖ未満の電圧降下を有するので、発明のＰＴダイオードの過電圧保護は改善される。
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【課題】 強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造において、強誘電体膜の自発分極を最大化する。
【解決手段】 下側電極を形成後、強誘電体膜を堆積する前に、前記下側電極を不活性雰囲気中において急速熱処理する。 （もっと読む）