メインディスプレイを主に照らす場合には、ＬＥＤ１２ａ〜１２ｄをすべて点灯する。このとき、各ＬＥＤ１２ａ〜１２ｄは、それぞれ照射領域２２ａ〜２２ｄを有しており、これによりメインディスプレイ２１全体を照らすことができる。サブディスプレイを主に照らす場合には、ＬＥＤ１２ａ〜１２ｄのうち中央のＬＥＤ１２ｂ,１２ｃを点灯する。このとき、各ＬＥＤ１２ｂ,１２ｃは、それぞれ照射領域２２ｂ,２２ｃを有しているので、これによりサブ照射領域２１ｂを照らすことができる。
（もっと読む）

【課題】 本発明は、１回のワイヤボンディングで済み、位置合わせの容易な実装が可能で、工数の低減につながるチップを作製することを課題とする。
【解決手段】 基板11の一面上に、ｎ型半導体薄膜層13と、活性層と、ｐ型半導体薄膜層17とを積層形成し、このｐ型半導体薄膜層17上面に一方の電極32を基板11の他面上に他方の電極33aを設ける化合物半導体発光素子の製造方法において、基板11の他面側から電極33aと接続されるｎ型半導体薄膜層13に到達する深さの縦穴20を波長が５００ｎｍ以下の短波長レーザを照射して設け、基板11の他面に設けた電極33aとｎ型半導体薄膜層13を縦穴20に形成した導電性材料30を介して電気的に接続し、電極32を基台100の第１のリード電極101に接続し、電極33aを第２のリード電極103にワイヤボンド線104で接続する。 （もっと読む）