【課題】小型化を実現でき、複数直列に接続してなる発光ダイオードの点灯ちらつきと回路損出を抑え、直列接続された発光ダイオードの直列個数の制約を緩和できるＬＥＤ点灯装置を提供する。
【解決手段】全波整流回路２の電源電圧Ｖｄｄが、発光ダイオードＬＥＤ１〜ＬＥＤ４からなるＬＥＤモジュール４の正極端子Ｐ７と負極端子Ｐ８との間に入力電圧Ｖｉｎとして印加される。ＬＥＤモジュール４の負極端子Ｐ８には第１逆止用ダイオードＤ１を介して充放電コンデンサＣｘが接続されている。第１逆止用ダイオードＤ１と充放電コンデンサＣｘの直列回路には充放電用スイッチング素子Ｑｘが並列接続されている。第１の制御回路６は、電源電圧Ｖｄｄが発光ダイオードＬＥＤ１〜ＬＥＤ４の順方向電圧の合計電圧以上になったとき、充放電用スイッチング素子Ｑｘをオフさせ、負極端子Ｐ８からのＬＥＤ電流Ｉ１を充放電コンデンサＣｘに充電させる。 （もっと読む）

【課題】光吸収が低減された電極構造を有すると共に、耐薬品性に優れた金属基板を用いることにより収率が向上し、特性が安定した発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、金属基板１は一体とされた複数の金属層１ｂ、１ａ、１ｂと上面１ｂａ及び下面１ｂｂを覆うエッチャントに対して耐性を有する金属保護膜２とからなり、金属基板と化合物半導体層間には接合層４と反射層６とオーミックコンタクト電極７とが設けられ、化合物半導体層１０の金属基板の反対側１０ａにはオーミック電極１１と、パッド部１２ａ及び線状部１２ｂからなる表面電極１２とが設けられ、オーミック電極１１の表面１１ａは線状部により覆われ、オーミックコンタクト電極７及びオーミック電極１１はパッド部１２ａに重ならない位置に形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接触抵抗値を低減させて、下地膜とのオーミック接触を可能とする。
【解決手段】低抵抗の透明配線材料や透明電極材料として活用されるＩＴＯ膜およびその製造方法において、ＩＴＯ膜を低温度でスパッタリングして形成し、まず、非結晶体のアモルファス状態にする。次に、酸素雰囲気で熱処理（アニール処理）を行うことにより、ＩＴＯ膜を結晶化すると共に、ＩＴＯ膜の面指数（２２２）の結晶強度が面指数（４００）の結晶強度よりも強くなるように結晶配向性がコントロールされる。 （もっと読む）

【課題】 基板の面内方向のキャリア拡散と基板垂直方向のキャリア注入を高効率に行うことのできる、シリコン発光素子用の活性層および該活性層の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】 シリコン発光素子に用いる活性層であり、シリコン化合物からなる第１の層と、該第１の層よりもバンドギャップが大きいシリコン化合物からなる第２の層とが基板上に交互に積層された多層膜構造を有する。また、複数のシリコンナノ粒子が多層膜構造の中に設けられている。第１の層に含まれるシリコン原子の量は、第２の層に含まれるシリコン原子の量よりも多く、複数のシリコンナノ粒子のうちの少なくとも一つは、前記第１の層と前記第２の層との境界面のうち少なくとも一つの面を越えて存在する。 （もっと読む）

【課題】小さなスペースに組み込むことができ、発光ダイオードに流れる電流を大きくして明るさを向上させることのできる定電流回路を提供する。
【解決手段】本発明の定電流回路１０は、入力端子１に一端が接続された第１抵抗３と、第１抵抗３の他端にコレクタ端子が接続され、出力端子２にエミッタ端子が接続された第１トランジスタ４と、入力端子１に一端が接続された発光ダイオード５と、第１抵抗３の他端にベース端子が接続され、発光ダイオード５の他端にコレクタ端子が接続された第２トランジスタ６と、第１トランジスタ４のベース端子と第２トランジスタ６のエミッタ端子との接続点に一端が接続され、出力端子２に他端が接続された第２抵抗７と、第２抵抗７に並列に連結されたコンデンサ８とを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高いオーミック性と反射率を併せ有する電極構造を備える、低駆動電圧で駆動し、良好な光取り出し効率を有する半導体発光装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に設けられたn型半導体層と、前記n型半導体層上に設けられ、自然放出光を発光する活性層と、前記活性層上に設けられたp型半導体層と、前記半導体基板の裏面または前記n型半導体層上に設けられ、前記活性層及び前記p型半導体層と離隔して設けられたn電極と、前記p型半導体層上に設けられたp電極とを具備する半導体発光素子。前記ｐ電極がドット状ＮｉO層と、このドット状ＮｉO層上に形成された反射オーミックＡｇ層を含む。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体を用いた半導体装置で良好なｐ型コンタクトが形成できるようにする。
【解決手段】ドーパントとしてマグネシウムを用いることなくｐ型とされた第１半導体層１０１と、第１半導体層１０１の上に形成されたアンドープの第１窒化物半導体からなる第２半導体層１０２と、第２半導体層１０２の上に接して形成された第２窒化物半導体からなる第３半導体層１０３とを少なくとも備える。また、第２半導体層１０２を構成する第１窒化物半導体は、第３半導体層１０３を構成する第２窒化物半導体より格子定数が小さくバンドギャップエネルギーが大きい。 （もっと読む）

【課題】実効キャリアー濃度が増加し、物質間のエネルギーバンドギャップ調節によりショットキー障壁が減少し、高い透過率を有する、優れた電気的、光学的、熱的及び構造的特性を有する新概念のオーミック接触システムを提供する。
【解決手段】発光ダイオード又はレーザーダイオードにおいてオーミック接触を形成するための薄膜電極において、ｐ型窒化ガリウム層上に積層され、Ｎｉ−Ｘ固溶体を含有する第１電極層と、前記第１電極層上に積層され、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｃ、Ｃｕ、及びＩｒからなる群から選択される少なくとも１種以上の元素を含有する第２電極層と、を含むことを特徴とする、薄膜電極である。 （もっと読む）

【課題】接触抵抗率の低下が図られたＩＴＯ膜を有する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含み、発光構造を有する半導体膜と、半導体膜上に形成され、インジウムスズ酸化物を含み、半導体膜から放出された光を透過させ、少なくとも半導体膜に接する界面で粒子が周期的に配置された構造を持つ透明導電膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】高温環境下での発光輝度の低下を抑制するとともに、大電流を安定して流せるようにした発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】光源保持部材１００と、光源保持部材１００の正面側ｆに配置された光源４０と、光源４０の正面側ｆに配置され、光源４０からの発光により励起されて発光する蛍光体７と、からなる発光装置１０１であって、光源４０が３３０〜５００ｎｍの発光ピーク波長の光を発するＬＥＤチップ４であり、蛍光体７が、Ｍ（０）元素と、Ｍ（１）元素と、Ｓｉと、Ａｌと、窒素とを少なくとも含み、α型サイアロン結晶構造を有するα型サイアロンであり、前記Ｍ（０）元素はＳｒ、Ｌａから選ばれる一種または二種の元素であり、前記Ｍ（１）元素はＭｎ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂから選ばれる一種以上の元素である発光装置１０１を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】電極の配置構造を変更し、高電流動作が可能で且つ発光効率の高い半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】導電性基板１１０、第１の電極層１２０、絶縁層１３０、第２の電極層１４０、第２の半導体層１５０、活性層１６０及び第１の半導体層１７０が順に積層されて構成され、該第１の電極層１２０と該第１の半導体層１７０とが接触する面積が、該半導体発光素子１００の面積の３〜１３％になるようにする半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】高い電流密度の電流を注入したときの発光効率を向上させることができる窒化物半導体発光ダイオード素子およびその窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との間に設置された窒化物半導体活性層とを含み、窒化物半導体活性層は井戸層と中間層と障壁層との積層構造を２周期以上含む多重量子井戸構造を有し、障壁層はＩｎを含む窒化物半導体層であり、中間層は障壁層よりもＩｎの混晶比が小さい窒化物半導体層であって、中間層が積層構造間にも設置されている窒化物半導体発光ダイオード素子とその窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高い電流密度の電流を注入して連続駆動させた場合でも高い信頼性を有する窒化物半導体発光ダイオード素子およびその窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との間に設置された窒化物半導体活性層とを含み、窒化物半導体活性層に対してｐ型窒化物半導体層側に、酸化インジウム錫を含有する第１の透明電極層と、酸化錫を含有する第２の透明電極層とを有する窒化物半導体発光ダイオード素子とその窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高発光効率を達成するための構成、構造を有するＧａＮ系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体発光素子は、ｎ型の第１ＧａＮ系化合物半導体層２１、活性層２３、ｐ型の第２ＧａＮ系化合物半導体層２２、第１電極、及び、第２電極を備えており、活性層２３と第２ＧａＮ系化合物半導体層２２との間には、活性層側から、不純物拡散防止層２４、及び、積層構造体４０が形成されており、積層構造体４０は、活性層側から、ｐ型の導電型を有するＧａＮ系化合物半導体層４２とアンドープのＧａＮ系化合物半導体層４３とが積層されて成る積層ユニット４１を、少なくとも１ユニット、備えている。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層と透明導電層との接触抵抗を小さくすることによって動作電圧が低い発光素子を提供すること。
【解決手段】 発光素子は、第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層２ａと、窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光層２ｂと、上層部に上面に向かって厚み方向にインジウムの組成比が増加しているインジウム拡散領域７を有する第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層２ｃと、第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層２ｃ上に形成された透明導電層４とを具備している。 （もっと読む）

【課題】高電流駆動時の発光効率が大きく向上した窒化物半導体素子を提供すること。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体層３２と、ｐ型窒化物半導体層３７と、ｎ型窒化物半導体層３２とｐ型窒化物半導体層３７との間に形成され、複数の量子井戸層及び量子障壁層が交互に積層されて構成された活性層３００とを含み、上記複数の量子井戸層及び量子障壁層は、第１量子井戸層と、ｐ型窒化物半導体層３７の方向に上記第１量子井戸層に隣接して形成され上記第１量子井戸層より高い量子準位を有する第２量子井戸層と、上記第１量子井戸層と第２量子井戸層との間に形成されてキャリアがトンネリングされることができる厚さを有するトンネリング量子障壁層を有することを特徴とする窒化物半導体素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】量子障壁層と量子井戸層の正味分極電荷量の差を最小化することにより、高電流でも高い効率を得ることが出来る窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型及びｐ型窒化物半導体層と、上記ｎ型及びｐ型窒化物半導体層の間に形成され、複数の量子障壁層３０３ａと一つ以上の量子井戸層３０３ｂが交互に積層された構造を有する活性層を含み、上記量子障壁層の正味分極電荷量は上記量子井戸層の正味分極電荷量より小さいか同じで、ＧａＮの正味分極電荷量より大きい窒化物半導体発光素子を提供する。量子障壁層３０３ａと量子井戸層３０３ｂの正味分極電荷量の差を最少化することにより、高電流でも高い効率を得ることが出来る窒化物半導体発光素子を得ることが出来る。また、量子井戸層のエネルギー準位がベンディングされる程度を低減させることにより、高効率の窒化物半導体発光素子を得ることも出来る。 （もっと読む）

コンタクト層（３）と活性領域（７）とを備えた放射線放出半導体ボディにおいて、コンタクト層と活性領域との間にトンネル接合（４）を備える。活性領域は、半導体ボディに動作電流が印加されたときに電磁放射線を放出する少なくとも２つの活性層（７１）を含む多重量子井戸構造を有する。 （もっと読む）

【課題】高効率で大電流の通電が可能な発光ダイオードを提供する。
【解決手段】活性層１４と、この活性層１４を両側から挟む下部クラッド層１３及び上部クラッド層１５からなるＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層の上側には、円形状のワイヤボンディング用電極１９と、これに接続された十字形の電流分散用枝状電極１８が設けられ、電流分散用枝状電極１８には電流注入用コンタクト電極１７が接続され、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層の下側には、電流注入用界面コンタクト電極１２が設けられ、電流注入用界面コンタクト電極１２の下面には光反射ミラー層１０が設けられている。電流注入用界面コンタクト電極１２は、ワイヤボンディング用電極１９の直下の外周部又はその近傍の領域に設けられている。 （もっと読む）