半導体装置およびその製造方法
【課題】窒化物半導体を用いた半導体装置で良好なp型コンタクトが形成できるようにする。
【解決手段】ドーパントとしてマグネシウムを用いることなくp型とされた第1半導体層101と、第1半導体層101の上に形成されたアンドープの第1窒化物半導体からなる第2半導体層102と、第2半導体層102の上に接して形成された第2窒化物半導体からなる第3半導体層103とを少なくとも備える。また、第2半導体層102を構成する第1窒化物半導体は、第3半導体層103を構成する第2窒化物半導体より格子定数が小さくバンドギャップエネルギーが大きい。
【解決手段】ドーパントとしてマグネシウムを用いることなくp型とされた第1半導体層101と、第1半導体層101の上に形成されたアンドープの第1窒化物半導体からなる第2半導体層102と、第2半導体層102の上に接して形成された第2窒化物半導体からなる第3半導体層103とを少なくとも備える。また、第2半導体層102を構成する第1窒化物半導体は、第3半導体層103を構成する第2窒化物半導体より格子定数が小さくバンドギャップエネルギーが大きい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、発光ダイオード、レーザーダイオード、太陽電池などに用いられる窒化物半導体の積層構造からなる半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
GaNをはじめとした窒化物半導体は、III族元素の混合比を変えることで、0.7〜6.2eVという広範な範囲のエネルギーギャップを有する材料を得ることができるという特徴を有している。このバンドギャップ範囲は、いわゆる可視光の領域を完全に含んでおり、こうした特徴を生かして発光ダイオード(LED)などの材料として用いられ、信号機や様々なディスプレイに応用されて広く一般に使われている。
【0003】
また、窒化物半導体のエネルギーギャップ範囲は、太陽光のスペクトル(波長)をほぼ網羅しており、こうしたことから発電効率の高い太陽電池を実現しうる材料として注目されている。たとえば、非特許文献1では、単結晶Si系の太陽電池セルとInGaNで構成した太陽電池セルのタンデム化により、31%の発電効率が見込めると予測している。また、非特許文献2においては、単結晶Si系太陽電池セルとInAlNで構成した太陽電池セルのタンデム化により、41%の発電効率が見込めると予測している。
【0004】
こうした予測に対し、現在実現されている窒化物半導体を用いた太陽電池では、発電効率はたかだか数%にしかすぎず、窒化物半導体が持つ優れたポテンシャルが十分に生かされていない。この原因のひとつに、金属電極と接続するp型コンタクト層の低抵抗化が容易ではないという問題がある。窒化物半導体へのp型ドーピングは、II族元素であるMgをドーピングすることにより実現するのが一般的である。しかしながら、非特許文献2のなかでも指摘されているように、特にIn組成の高いInGaNやInAlNへのp型ドーピングは容易ではない。このために、寄生抵抗が増大し、結果的に電力として取り出せるエネルギーが減少してしまう。
【0005】
また、III族元素の混合比を変えることでエネルギーギャップを変化させることができるという窒化物半導体の持つ特徴を生かすため、太陽電池セルの一部の層で組成を変化させる構造も提案されている。非特許文献3においては、窒化物半導体の中では比較的p型ドーピングが容易なGaNをp型コンタクト層とし、光吸収層をn型In0.5Ga0.5N層とし、これらの間を、組成変化させたInxGa1-xN(x=0→0.5)の層を介して接続することにより、寄生抵抗を減らしたセル構造を提案している。このセル構造を最適化することにより、Si系太陽電池とのタンデム構造において、29%程度の発電効率が可能と予測している。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0006】
【非特許文献1】L.Hsu, et al. ,"Modeling of InGaN/Si tandem solar cells", Journal of Applied Physics, vol.104, art.No.024507, 2008.
【非特許文献2】R.E.Jones, et al. ,"HIGH EFFICIENCY InAIN-BASED SOLAR CELLS",in 33rd IEEE Photovoltaic Specialist Conference, San Diego, California, USA (2008) Digital Object Identifier : 10.1109/PVSC.2008.4922884
【非特許文献3】G.F.Brown, et al. , "Finite elementsimulationsofcompositionallygradedInGaNsolarcells", Solar Energy Materials & Solar Cells, vol.94, pp.478-483, 2010.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかしながら、非特許文献3に提案されている構造を実際に形成することを考えた場合、2つの問題点がある。一つは成長温度の問題であり、他の一つはp型のドーピングで用いるMgの問題である。成長手法としてMOCVD法を例にとって考える。成長温度の観点からは、GaNが1000℃前後の比較的高い成長温度で成長するのに対し、InGaNはInの再蒸発を抑制するため800℃以下の低い温度で成長する。したがって、GaN層を先に成長するのが望ましい。
【0008】
一方、Mgドーピングの観点からは、以下に説明することにより、n型層であるInGaNから成長するのが望ましい。まず、Mgドーピング用の原料として用いられるCp2Mgはいわゆるメモリ効果の強い原料であり、成長室へのCp2Mgの供給を止めても装置の配管内壁および成長室内壁に付着したCp2Mpが脱離し、成長表面に供給されつづける。このことにより、意図しない層にまでMgがドーピングされてしまう。また、Mgは偏析しやすい元素であるため成長表面にいつまでもとどまっている傾向にあり、これも意図しない層へのMgドーピングの原因となる。従って、Mgのドーピングは、n型層であるInGaNが形成した後に形成するGaN層に対して行うことが望ましい。
【0009】
以上に説明したように、非特許文献3で提案されているセル構造は、相反する成長条件上の要求により、よい品質の構造を作製するのは困難であると予想される。
【0010】
上述した問題のほかに、そもそも窒化物半導体は、反応性が低いために電極金属との合金反応が起きにくく、合金型のコンタクト電極形成によるコンタクト抵抗低減は基本的に無理である。さらに、エネルギーギャップが大きいために、金属/窒化物半導体間の仕事関数が大きく、特にキャリア濃度をあまり高くできないp型窒化物半導体との間に良好な非合金型のコンタクト電極を形成することも非常に難しいという問題もある。
【0011】
以上に説明したように、窒化物半導体を用いて半導体装置を作製する場合、良好なp型コンタクト層を実現することが容易ではないという問題がある。
【0012】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、窒化物半導体を用いた半導体装置で良好なp型コンタクトが形成できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0013】
本発明に係る半導体装置は、ドーパントとしてマグネシウムを用いることなくp型とされた第1半導体層と、この第1半導体層の上に形成されたアンドープの第1窒化物半導体からなる第2半導体層と、この第2半導体層の上に接して形成された第2窒化物半導体からなる第3半導体層とを少なくとも備え、第1窒化物半導体は、第2窒化物半導体より格子定数が小さくバンドギャップエネルギーが大きい。
【0014】
上記半導体装置において、第3半導体層は、n型とされていればよい。また、第3半導体層の上に接して形成された第3窒化物半導体からなるn型の第4半導体層を備え、第3半導体層は、アンドープの第2窒化物半導体から構成されているようにしてもよい。なお、第1半導体層は、シリコンから構成されていればよい。
【0015】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、ドーパントとしてマグネシウムを用いることなくp型とされた第1半導体層の上にアンドープの第1窒化物半導体を堆積して第2半導体層を形成する第1工程と、第2半導体層の上に、第1窒化物半導体より格子定数が大きくバンドギャップエネルギーが小さい第2窒化物半導体を堆積して第3半導体層を形成する第2工程とを少なくとも備える。
【0016】
上記半導体装置の製造方法において、第2工程では、第2半導体層の上に、n型とされた第3半導体層を形成すればよい。また、第3半導体層の上に第3窒化物半導体を堆積してn型の第4半導体層を形成する第3工程を備え、第2工程では、第1半導体層の上に、アンドープの第2窒化物半導体を堆積して第3半導体層を形成するようにしてもよい。なお、第1工程では、シリコンから構成された第1半導体層の上に第2半導体層を形成すればよい。
【発明の効果】
【0017】
以上説明したように、本発明によれば、p型とされた第1半導体層の上にアンドープの第1窒化物半導体からなる第2半導体層を形成し、この上に第2窒化物半導体からなる第3半導体層を形成するようにしたので、窒化物半導体を用いた半導体装置で良好なp型コンタクトが形成できるという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【図1A】図1Aは、本発明の実施の形態1における半導体装置の構成を示す断面図である。
【図1B】図1Bは、本発明の実施の形態1における他の半導体装置の構成を示す断面図である。
【図2A】図2Aは、一般的なpin型構造のバンドギャップエネルギーの状態を示すバンドプロファイルである。
【図2B】図2Bは、n型のGaNからなる第4半導体層104/アンドープのGaNからなる第3半導体層131/アンドープのAlNからなる第2半導体層102/p型のシリコンからなる第1半導体層101の積層構造のバンドギャップエネルギーの状態を示すバンドプロファイルである。
【図3A】図3Aは、本発明の実施の形態2における半導体装置の製造方法説明するための各工程における状態を示す断面図である。
【図3B】図3Bは、本発明の実施の形態2における半導体装置の製造方法説明するための各工程における状態を示す断面図である。
【図3C】図3Cは、本発明の実施の形態2における半導体装置の製造方法説明するための各工程における状態を示す断面図である。
【図3D】図3Dは、本発明の実施の形態2における半導体装置の製造方法説明するための各工程における状態を示す断面図である。
【図4A】図4Aは、本発明の実施の形態3における半導体装置の製造方法説明するための各工程における状態を示す断面図である。
【図4B】図4Bは、本発明の実施の形態3における半導体装置の製造方法説明するための各工程における状態を示す断面図である。
【図4C】図4Cは、本発明の実施の形態3における半導体装置の製造方法説明するための各工程における状態を示す断面図である。
【図4D】図4Dは、本発明の実施の形態3における半導体装置の製造方法説明するための各工程における状態を示す断面図である。
【図5A】図5Aは、本発明の実施の形態4における半導体装置の製造方法説明するための各工程における状態を示す断面図である。
【図5B】図5Bは、本発明の実施の形態4における半導体装置の製造方法説明するための各工程における状態を示す断面図である。
【図5C】図5Cは、本発明の実施の形態4における半導体装置の製造方法説明するための各工程における状態を示す断面図である。
【図5D】図5Dは、本発明の実施の形態4における半導体装置の製造方法説明するための各工程における状態を示す断面図である。
【図5E】図5Eは、本発明の実施の形態4における半導体装置の製造方法説明するための各工程における状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0019】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
【0020】
[実施の形態1]
はじめに、本発明の実施の形態1について説明する。図1Aは、本発明の実施の形態1における半導体装置の構成を示す断面図である。本実施の形態における半導体装置は、ドーパントとしてマグネシウム(Mg)を用いることなくp型とされた第1半導体層101と、第1半導体層101の上に形成されたアンドープの第1窒化物半導体からなる第2半導体層102と、第2半導体層102の上に接して形成された第2窒化物半導体からなる第3半導体層103とを少なくとも備える。また、第2半導体層102を構成する第1窒化物半導体は、第3半導体層103を構成する第2窒化物半導体より格子定数が小さくバンドギャップエネルギーが大きい。
【0021】
例えば、第3半導体層103がn型とされていれば、第1半導体層101および第3半導体層103に電極を設けることで、窒化物半導体から構成されたpn接合構造と同様の発光ダイオード(LED)や太陽電池などを構成することができる。また、図1Bに示すように、アンドープの第2窒化物半導体から構成した第3半導体層131の上に、第3窒化物半導体からなるn型の第4半導体層104を接して設けてもよい。このようにすることで、pin型と同様のLEDや太陽電池などを構成することができる。また、共振器を組み合わせることで、レーザーダイオード(LD)を構成することもできる。
【0022】
ここで、例えば、第1半導体層101は、単結晶シリコンからなる基板である。また、第2半導体層102は、窒化物半導体であるアンドープのAlNから構成されていればよい。また、第3半導体層103は、窒化物半導体であるGaNから構成されていればよい。AlNは、GaNより格子定数が小さくバンドギャップエネルギーが大きい窒化物半導体である。
【0023】
次に、本実施の形態における半導体装置の動作について、一般的なpin型の構成と比較することで説明する。まず、図2Aは、n型のn−GaN層203/アンドープのGaN層202/p型のp−GaN層201よりなる一般的なpin型構造のバンドプロファイルである。これに対し、図2Bは、n型のGaNからなる第4半導体層104/アンドープのGaNからなる第3半導体層131/アンドープのAlNからなる第2半導体層102/p型のシリコンからなる第1半導体層101の積層構造とした場合のバンドプロファイルである。
【0024】
図2Aに示すように一般的なpin型構造では、p型ドーピングされたことによりp−GaN層201の価電子帯のエネルギーレベルが持ち上がってフェルミレベルに近づく。なお、ドーピング濃度が十分高濃度であれば、p−GaN層201の価電子帯のエネルギーレベルがフェルミレベルを超える。このため、p−GaN層201に設けられる金属電極との間の正孔の行き来に対するバリアがなくなり、p−GaN層201は、p型オーミックコンタクトとして作用(機能)する。
【0025】
一方、図2Bに示した本実施の形態における半導体装置では、まず、第2半導体層102の上に、これより格子定数の大きな第3半導体層131を形成すると、窒化物のもつ強い分極効果により、なんらドーピングすることなく第2半導体層102と第3半導体層131との界面に空間電荷が現れる。この結果、第2半導体層102と第3半導体層131との界面における価電子帯のエネルギーレベルが持ち上がってフェルミレベルに近づく。この状態は、一般的なpin型構造におけるp型層の部分と同様のバンドプロファイルになり、第1半導体層101の価電子帯のエネルギーレベルとほぼそろう。
【0026】
第1半導体層101と第3半導体層131との間の第2半導体層102は、エネルギーギャップが大きく、通常であればキャリアに対するバリアとして働くため、このままではオーミック性は示さない。しかしながら、第2半導体層102の層厚が十分薄ければ、キャリアは第2半導体層102層をトンネルすることになり、オーミック性には何ら悪影響を与えない。言い換えると、第2半導体層102は、キャリアがトンネルできる程度に薄くされていればよい。
【0027】
また、第2半導体層102がある程度厚くても、第2半導体層102の形成条件によって、第2半導体層102のバンドギャップ内に高密度の界面準位を形成させることができ、この界面準位を介してキャリアが流れることができ、オーミック性を示す。例えば、第1半導体層101が単結晶シリコンの場合、単結晶シリコンとAlNとは格子定数が異なり、単結晶シリコンの上にエピタキシャル成長したAlNの層には多くの転位が形成されるようになり、上述した高密度の界面準位が形成されることになる。
【0028】
発明者の検討では、p型とした単結晶シリコンの基板を用い、層厚200nmのAlNの層を形成した構成であっても、良好なオーミックコンタクトが得られることが確認されている。また、上述の場合、AlNの層の厚さを400nmとして、抵抗値の増大は見られたものの、オーミック性を示すことが確認されている。
【0029】
なお、上述したバンドプロファイルの説明では、アンドープの第2窒化物半導体から構成した第3半導体層131の上に、第3窒化物半導体からなるn型の第4半導体層104を接して設けた場合を例にしたが、第2半導体層102の上に、第2窒化物半導体からなるn型の第3半導体層103を接して形成する構成においても、同様である。第2半導体層102の上に、これより格子定数の大きな第3半導体層103を形成すれば、なんらドーピングすることなく第2半導体層102と第3半導体層103との界面に空間電荷が現れる。この結果、第2半導体層102と第3半導体層103との界面における価電子帯のエネルギーレベルが持ち上がってフェルミレベルに近づき、一般的なpn接合型の構造におけるp型層の部分と同様のバンドプロファイルとなる。
【0030】
以上に説明したように、本実施の形態によれば、窒化物半導体層にp型の不純物を導入することなくp型の層を備える場合と同等の機能が得られるようになり、窒化物半導体を用いた半導体装置で良好なp型コンタクトが形成できるようになる。
【0031】
[実施の形態2]
次に、本発明の実施の形態2について説明する。以下では、製造方法を説明することで、実施の形態2における半導体装置について説明する。
【0032】
まず、図3Aに示すように、例えば、単結晶シリコンからなる基板(第1半導体層)301の上に、公知のMOCVD法によりアンドープのAlNを堆積することで、層厚100nmのAlN層(第2半導体層)302を形成する。
【0033】
続いて、AlN層302の上に、MOCVD法により、In組成0.2のアンドープInGaNを層厚1000nm程度堆積し、図3Bに示すように、InGaN層303を形成する。引き続いて、InGaN層303の上に、In組成0.1のSiドープInGaNを層厚200nm程度堆積してn−InGaN層304を形成する。
【0034】
次に、上述した各層の形成(成長)に用いたMOCVD装置より基板301を取り出し、この後、図3Cに示すように、n−InGaN層304の上に透明電極層305を形成する。透明電極層305は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)であればよく、例えば、塩化インジウムと塩化第1スズまたは塩化第2スズが溶解した溶液を塗布し、これを加熱(焼成)することで形成できる。
【0035】
次に、図3Dに示すように、まず、基板301の裏面側にp型コンタクト電極306を形成し、また、透明電極層305の上にn型コンタクト電極307を形成する。p型コンタクト電極306は、例えば、真空蒸着装置により金属を蒸着することで形成できる。また、n型コンタクト電極307は、真空蒸着法およびよく知られたリフトオフ法により形成することができる。
【0036】
上述したことにより、基板301の上に、AlN層302,InGaN層303,n−InGaN層304が積層された本実施の形態における半導体装置が得られる。この半導体装置はLEDであり、n型コンタクト電極307およびp型コンタクト電極306の間に電圧を加えることで波長470nm程度の発光が得られる。この発光は、透明電極層305の側(基板表面側)より取り出される。
【0037】
上述した本実施の形態においても、窒化物半導体層にp型の不純物を導入することなくp型の層を備える場合と同等の機能が得られるようになり、窒化物半導体を用いた半導体装置で良好なp型コンタクトが得られている。
【0038】
[実施の形態3]
次に、本発明の実施の形態3について説明する。以下では、製造方法を説明することで、実施の形態3における半導体装置について説明する。
【0039】
まず、図4Aに示すように、例えば、単結晶シリコンからなる基板(第1半導体層)401の上に、公知のMOCVD法によりアンドープのAlNを堆積することで、層厚100nmのAlN層(第2半導体層)402を形成する。
【0040】
続いて、AlN層402の上に、MOCVD法により、In組成0.2のアンドープInGaNを層厚1000nm程度堆積し、図4Bに示すように、InGaN層403を形成する。引き続いて、InGaN層403の上に、In組成0.1のSiドープInGaNを層厚200nm程度堆積してn−InGaN層404を形成する。
【0041】
次に、上述した各層の形成に用いたMOCVD装置より基板401を取り出し、この後、図4Cに示すように、n−InGaN層404の上にn型コンタクト電極層405を形成する。n型コンタクト電極層405は、例えば、真空蒸着装置により金属を蒸着することで形成できる。
【0042】
次に、基板401の裏面側を研磨により研削し、基板401を厚さ50mm程度にまで薄くする。次いで、薄くした基板401の裏面(研磨面)に、図4Dに示すように、AlN層402が露出する複数の貫通溝411を形成する。また、貫通溝411内を含めた基板401の裏面に透明電極層406を形成する。貫通溝411は、例えば、基板401の一方から他方にかけて連続する溝である。また、図示しない領域の透明電極層406に接続するp型コンタクト電極(不図示)を形成する。p型コンタクト電極は、真空蒸着法およびリフトオフ法により形成できる。
【0043】
上述したことにより、基板401の上に、AlN層402,InGaN層403,n−InGaN層404が積層された本実施の形態における半導体装置が得られる。この半導体装置はLEDであり、n型コンタクト電極層405およびp型コンタクト電極(不図示)の間に電圧を加えることで波長470nm程度の発光が得られる。得られる一部の発光は、透明電極層406の側(基板裏面側)より取り出される。また、n型コンタクト電極層405の側に出射された光は、金属からなるn型コンタクト電極層405で反射し、基板裏面側より取り出される。このように、本実施の形態によれば、より多くの光が取り出せる。貫通溝411の面積にも依存するが、前述した実施の形態2における半導体装置(LED)に比較して、50%程度の発光効率増大が見込める。
【0044】
上述した本実施の形態においても、窒化物半導体層にp型の不純物を導入することなくp型の層を備える場合と同等の機能が得られるようになり、窒化物半導体を用いた半導体装置で良好なp型コンタクトが得られている。
【0045】
[実施の形態4]
次に、本発明の実施の形態4について説明する。以下では、製造方法を説明することで、実施の形態4における半導体装置について説明する。
【0046】
まず、図5Aに示すように、例えば、単結晶シリコンからなる基板(第1半導体層)501の上に、公知のMOCVD法によりアンドープのAlNを堆積することで、層厚100nmのAlN層(第2半導体層)502を形成する。
【0047】
続いて、AlN層502の上に、MOCVD法により、In組成0.5のアンドープInGaNを層厚1000nm程度堆積し、図5Bに示すように、InGaN層503を形成する。引き続いて、InGaN層503の上に、In組成0.1のSiドープInGaNを層厚200nm程度堆積してn−InGaN層504を形成する。
【0048】
次に、上述した各層の形成に用いたMOCVD装置より基板501を取り出し、この後、図5Cに示すように、n−InGaN層504の上にシリコンからなるSi太陽電池基板511を貼り合わせる。Si太陽電池基板511は、例えば、Gaがドープされたp型シリコン基板506に、例えば、イオン注入法によりSbをドープすることでn型層505を形成し、この後、p型シリコン基板506を例えば、200〜300μm程度の厚さに薄くしたものである。Si太陽電池基板511は、p型シリコン基板506をn−InGaN層504に貼り合わせる。
【0049】
次に、Si太陽電池基板511をn−InGaN層504に貼り合わせた基板501の裏面側を研磨により研削し、基板501を厚さ50mm程度にまで薄くする。次いで、薄くした基板501の裏面に、図5Dに示すように、AlN層502が露出する複数の貫通溝512を形成する。貫通溝512は、例えば、基板501の一方から他方にかけて連続する溝である。
【0050】
次に図5Eに示すように、Si太陽電池基板511のn型層505に、n型コンタクト電極層507を形成する。n型コンタクト電極層507は、例えば、真空蒸着装置により金属を蒸着することで形成できる。また、貫通溝512を形成した基板511の裏面に、貫通溝512内も含め、透明電極層508を形成する。また、図示しない領域の透明電極層508に接続するp型コンタクト電極(不図示)を形成する。p型コンタクト電極は、真空蒸着法およびリフトオフ法により形成できる。
【0051】
上述したことにより、基板501の上に、AlN層502,InGaN層503,n−InGaN層504が積層され、この上にSi太陽電池基板511が積層された本実施の形態における半導体装置が得られる。この半導体装置は、いわゆるタンデム型太陽電池であり、透明電極層508の側(基板裏面側)より入射した光を光電変換し、光電変換した電極をn型コンタクト電極層507およびp型コンタクト電極(不図示)より出力する。上述したタンデム型太陽電池では、AlN層502,InGaN層503,n−InGaN層504よりなる窒化物半導体の太陽電池セルで、波長700nmより短い波長の光を吸収して光電変換する。また、Si太陽電池基板511の太陽電池セルで、波長1μm前後の光を吸収して光電変換する。
【0052】
上述した本実施の形態においても、窒化物半導体層にp型の不純物を導入することなくp型の層を備える場合と同等の機能が得られるようになり、窒化物半導体を用いた半導体装置で良好なp型コンタクトが得られている。
【0053】
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形が実施可能であることは明白である。
【0054】
例えば、図1Aを用いて説明した第3半導体層103をn型とした半導体装置は、まず、ドーパントとしてマグネシウムを用いることなくp型とされた基板(第1半導体層)101の上に、アンドープの第1窒化物半導体を堆積して第2半導体層102を形成し、この上に、第1窒化物半導体より格子定数が大きくバンドギャップエネルギーが小さい第2窒化物半導体を堆積し、n型とされた第3半導体層103を形成し、この後、各電極を形成することで製造できる。
【0055】
また、例えば、上述では、アンドープの第1窒化物半導体として、AlNを用い、第2窒化物半導体としてGaNおよびInGaNるようにしたが、これに限るものではなく、他の窒化物半導体層を用いるようにしてもよい。
【符号の説明】
【0056】
101…第1半導体層、102…第2半導体層、103…第3半導体層、104…第4半導体層、131…第3半導体層。
【技術分野】
【0001】
本発明は、発光ダイオード、レーザーダイオード、太陽電池などに用いられる窒化物半導体の積層構造からなる半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
GaNをはじめとした窒化物半導体は、III族元素の混合比を変えることで、0.7〜6.2eVという広範な範囲のエネルギーギャップを有する材料を得ることができるという特徴を有している。このバンドギャップ範囲は、いわゆる可視光の領域を完全に含んでおり、こうした特徴を生かして発光ダイオード(LED)などの材料として用いられ、信号機や様々なディスプレイに応用されて広く一般に使われている。
【0003】
また、窒化物半導体のエネルギーギャップ範囲は、太陽光のスペクトル(波長)をほぼ網羅しており、こうしたことから発電効率の高い太陽電池を実現しうる材料として注目されている。たとえば、非特許文献1では、単結晶Si系の太陽電池セルとInGaNで構成した太陽電池セルのタンデム化により、31%の発電効率が見込めると予測している。また、非特許文献2においては、単結晶Si系太陽電池セルとInAlNで構成した太陽電池セルのタンデム化により、41%の発電効率が見込めると予測している。
【0004】
こうした予測に対し、現在実現されている窒化物半導体を用いた太陽電池では、発電効率はたかだか数%にしかすぎず、窒化物半導体が持つ優れたポテンシャルが十分に生かされていない。この原因のひとつに、金属電極と接続するp型コンタクト層の低抵抗化が容易ではないという問題がある。窒化物半導体へのp型ドーピングは、II族元素であるMgをドーピングすることにより実現するのが一般的である。しかしながら、非特許文献2のなかでも指摘されているように、特にIn組成の高いInGaNやInAlNへのp型ドーピングは容易ではない。このために、寄生抵抗が増大し、結果的に電力として取り出せるエネルギーが減少してしまう。
【0005】
また、III族元素の混合比を変えることでエネルギーギャップを変化させることができるという窒化物半導体の持つ特徴を生かすため、太陽電池セルの一部の層で組成を変化させる構造も提案されている。非特許文献3においては、窒化物半導体の中では比較的p型ドーピングが容易なGaNをp型コンタクト層とし、光吸収層をn型In0.5Ga0.5N層とし、これらの間を、組成変化させたInxGa1-xN(x=0→0.5)の層を介して接続することにより、寄生抵抗を減らしたセル構造を提案している。このセル構造を最適化することにより、Si系太陽電池とのタンデム構造において、29%程度の発電効率が可能と予測している。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0006】
【非特許文献1】L.Hsu, et al. ,"Modeling of InGaN/Si tandem solar cells", Journal of Applied Physics, vol.104, art.No.024507, 2008.
【非特許文献2】R.E.Jones, et al. ,"HIGH EFFICIENCY InAIN-BASED SOLAR CELLS",in 33rd IEEE Photovoltaic Specialist Conference, San Diego, California, USA (2008) Digital Object Identifier : 10.1109/PVSC.2008.4922884
【非特許文献3】G.F.Brown, et al. , "Finite elementsimulationsofcompositionallygradedInGaNsolarcells", Solar Energy Materials & Solar Cells, vol.94, pp.478-483, 2010.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかしながら、非特許文献3に提案されている構造を実際に形成することを考えた場合、2つの問題点がある。一つは成長温度の問題であり、他の一つはp型のドーピングで用いるMgの問題である。成長手法としてMOCVD法を例にとって考える。成長温度の観点からは、GaNが1000℃前後の比較的高い成長温度で成長するのに対し、InGaNはInの再蒸発を抑制するため800℃以下の低い温度で成長する。したがって、GaN層を先に成長するのが望ましい。
【0008】
一方、Mgドーピングの観点からは、以下に説明することにより、n型層であるInGaNから成長するのが望ましい。まず、Mgドーピング用の原料として用いられるCp2Mgはいわゆるメモリ効果の強い原料であり、成長室へのCp2Mgの供給を止めても装置の配管内壁および成長室内壁に付着したCp2Mpが脱離し、成長表面に供給されつづける。このことにより、意図しない層にまでMgがドーピングされてしまう。また、Mgは偏析しやすい元素であるため成長表面にいつまでもとどまっている傾向にあり、これも意図しない層へのMgドーピングの原因となる。従って、Mgのドーピングは、n型層であるInGaNが形成した後に形成するGaN層に対して行うことが望ましい。
【0009】
以上に説明したように、非特許文献3で提案されているセル構造は、相反する成長条件上の要求により、よい品質の構造を作製するのは困難であると予想される。
【0010】
上述した問題のほかに、そもそも窒化物半導体は、反応性が低いために電極金属との合金反応が起きにくく、合金型のコンタクト電極形成によるコンタクト抵抗低減は基本的に無理である。さらに、エネルギーギャップが大きいために、金属/窒化物半導体間の仕事関数が大きく、特にキャリア濃度をあまり高くできないp型窒化物半導体との間に良好な非合金型のコンタクト電極を形成することも非常に難しいという問題もある。
【0011】
以上に説明したように、窒化物半導体を用いて半導体装置を作製する場合、良好なp型コンタクト層を実現することが容易ではないという問題がある。
【0012】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、窒化物半導体を用いた半導体装置で良好なp型コンタクトが形成できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0013】
本発明に係る半導体装置は、ドーパントとしてマグネシウムを用いることなくp型とされた第1半導体層と、この第1半導体層の上に形成されたアンドープの第1窒化物半導体からなる第2半導体層と、この第2半導体層の上に接して形成された第2窒化物半導体からなる第3半導体層とを少なくとも備え、第1窒化物半導体は、第2窒化物半導体より格子定数が小さくバンドギャップエネルギーが大きい。
【0014】
上記半導体装置において、第3半導体層は、n型とされていればよい。また、第3半導体層の上に接して形成された第3窒化物半導体からなるn型の第4半導体層を備え、第3半導体層は、アンドープの第2窒化物半導体から構成されているようにしてもよい。なお、第1半導体層は、シリコンから構成されていればよい。
【0015】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、ドーパントとしてマグネシウムを用いることなくp型とされた第1半導体層の上にアンドープの第1窒化物半導体を堆積して第2半導体層を形成する第1工程と、第2半導体層の上に、第1窒化物半導体より格子定数が大きくバンドギャップエネルギーが小さい第2窒化物半導体を堆積して第3半導体層を形成する第2工程とを少なくとも備える。
【0016】
上記半導体装置の製造方法において、第2工程では、第2半導体層の上に、n型とされた第3半導体層を形成すればよい。また、第3半導体層の上に第3窒化物半導体を堆積してn型の第4半導体層を形成する第3工程を備え、第2工程では、第1半導体層の上に、アンドープの第2窒化物半導体を堆積して第3半導体層を形成するようにしてもよい。なお、第1工程では、シリコンから構成された第1半導体層の上に第2半導体層を形成すればよい。
【発明の効果】
【0017】
以上説明したように、本発明によれば、p型とされた第1半導体層の上にアンドープの第1窒化物半導体からなる第2半導体層を形成し、この上に第2窒化物半導体からなる第3半導体層を形成するようにしたので、窒化物半導体を用いた半導体装置で良好なp型コンタクトが形成できるという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【図1A】図1Aは、本発明の実施の形態1における半導体装置の構成を示す断面図である。
【図1B】図1Bは、本発明の実施の形態1における他の半導体装置の構成を示す断面図である。
【図2A】図2Aは、一般的なpin型構造のバンドギャップエネルギーの状態を示すバンドプロファイルである。
【図2B】図2Bは、n型のGaNからなる第4半導体層104/アンドープのGaNからなる第3半導体層131/アンドープのAlNからなる第2半導体層102/p型のシリコンからなる第1半導体層101の積層構造のバンドギャップエネルギーの状態を示すバンドプロファイルである。
【図3A】図3Aは、本発明の実施の形態2における半導体装置の製造方法説明するための各工程における状態を示す断面図である。
【図3B】図3Bは、本発明の実施の形態2における半導体装置の製造方法説明するための各工程における状態を示す断面図である。
【図3C】図3Cは、本発明の実施の形態2における半導体装置の製造方法説明するための各工程における状態を示す断面図である。
【図3D】図3Dは、本発明の実施の形態2における半導体装置の製造方法説明するための各工程における状態を示す断面図である。
【図4A】図4Aは、本発明の実施の形態3における半導体装置の製造方法説明するための各工程における状態を示す断面図である。
【図4B】図4Bは、本発明の実施の形態3における半導体装置の製造方法説明するための各工程における状態を示す断面図である。
【図4C】図4Cは、本発明の実施の形態3における半導体装置の製造方法説明するための各工程における状態を示す断面図である。
【図4D】図4Dは、本発明の実施の形態3における半導体装置の製造方法説明するための各工程における状態を示す断面図である。
【図5A】図5Aは、本発明の実施の形態4における半導体装置の製造方法説明するための各工程における状態を示す断面図である。
【図5B】図5Bは、本発明の実施の形態4における半導体装置の製造方法説明するための各工程における状態を示す断面図である。
【図5C】図5Cは、本発明の実施の形態4における半導体装置の製造方法説明するための各工程における状態を示す断面図である。
【図5D】図5Dは、本発明の実施の形態4における半導体装置の製造方法説明するための各工程における状態を示す断面図である。
【図5E】図5Eは、本発明の実施の形態4における半導体装置の製造方法説明するための各工程における状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0019】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
【0020】
[実施の形態1]
はじめに、本発明の実施の形態1について説明する。図1Aは、本発明の実施の形態1における半導体装置の構成を示す断面図である。本実施の形態における半導体装置は、ドーパントとしてマグネシウム(Mg)を用いることなくp型とされた第1半導体層101と、第1半導体層101の上に形成されたアンドープの第1窒化物半導体からなる第2半導体層102と、第2半導体層102の上に接して形成された第2窒化物半導体からなる第3半導体層103とを少なくとも備える。また、第2半導体層102を構成する第1窒化物半導体は、第3半導体層103を構成する第2窒化物半導体より格子定数が小さくバンドギャップエネルギーが大きい。
【0021】
例えば、第3半導体層103がn型とされていれば、第1半導体層101および第3半導体層103に電極を設けることで、窒化物半導体から構成されたpn接合構造と同様の発光ダイオード(LED)や太陽電池などを構成することができる。また、図1Bに示すように、アンドープの第2窒化物半導体から構成した第3半導体層131の上に、第3窒化物半導体からなるn型の第4半導体層104を接して設けてもよい。このようにすることで、pin型と同様のLEDや太陽電池などを構成することができる。また、共振器を組み合わせることで、レーザーダイオード(LD)を構成することもできる。
【0022】
ここで、例えば、第1半導体層101は、単結晶シリコンからなる基板である。また、第2半導体層102は、窒化物半導体であるアンドープのAlNから構成されていればよい。また、第3半導体層103は、窒化物半導体であるGaNから構成されていればよい。AlNは、GaNより格子定数が小さくバンドギャップエネルギーが大きい窒化物半導体である。
【0023】
次に、本実施の形態における半導体装置の動作について、一般的なpin型の構成と比較することで説明する。まず、図2Aは、n型のn−GaN層203/アンドープのGaN層202/p型のp−GaN層201よりなる一般的なpin型構造のバンドプロファイルである。これに対し、図2Bは、n型のGaNからなる第4半導体層104/アンドープのGaNからなる第3半導体層131/アンドープのAlNからなる第2半導体層102/p型のシリコンからなる第1半導体層101の積層構造とした場合のバンドプロファイルである。
【0024】
図2Aに示すように一般的なpin型構造では、p型ドーピングされたことによりp−GaN層201の価電子帯のエネルギーレベルが持ち上がってフェルミレベルに近づく。なお、ドーピング濃度が十分高濃度であれば、p−GaN層201の価電子帯のエネルギーレベルがフェルミレベルを超える。このため、p−GaN層201に設けられる金属電極との間の正孔の行き来に対するバリアがなくなり、p−GaN層201は、p型オーミックコンタクトとして作用(機能)する。
【0025】
一方、図2Bに示した本実施の形態における半導体装置では、まず、第2半導体層102の上に、これより格子定数の大きな第3半導体層131を形成すると、窒化物のもつ強い分極効果により、なんらドーピングすることなく第2半導体層102と第3半導体層131との界面に空間電荷が現れる。この結果、第2半導体層102と第3半導体層131との界面における価電子帯のエネルギーレベルが持ち上がってフェルミレベルに近づく。この状態は、一般的なpin型構造におけるp型層の部分と同様のバンドプロファイルになり、第1半導体層101の価電子帯のエネルギーレベルとほぼそろう。
【0026】
第1半導体層101と第3半導体層131との間の第2半導体層102は、エネルギーギャップが大きく、通常であればキャリアに対するバリアとして働くため、このままではオーミック性は示さない。しかしながら、第2半導体層102の層厚が十分薄ければ、キャリアは第2半導体層102層をトンネルすることになり、オーミック性には何ら悪影響を与えない。言い換えると、第2半導体層102は、キャリアがトンネルできる程度に薄くされていればよい。
【0027】
また、第2半導体層102がある程度厚くても、第2半導体層102の形成条件によって、第2半導体層102のバンドギャップ内に高密度の界面準位を形成させることができ、この界面準位を介してキャリアが流れることができ、オーミック性を示す。例えば、第1半導体層101が単結晶シリコンの場合、単結晶シリコンとAlNとは格子定数が異なり、単結晶シリコンの上にエピタキシャル成長したAlNの層には多くの転位が形成されるようになり、上述した高密度の界面準位が形成されることになる。
【0028】
発明者の検討では、p型とした単結晶シリコンの基板を用い、層厚200nmのAlNの層を形成した構成であっても、良好なオーミックコンタクトが得られることが確認されている。また、上述の場合、AlNの層の厚さを400nmとして、抵抗値の増大は見られたものの、オーミック性を示すことが確認されている。
【0029】
なお、上述したバンドプロファイルの説明では、アンドープの第2窒化物半導体から構成した第3半導体層131の上に、第3窒化物半導体からなるn型の第4半導体層104を接して設けた場合を例にしたが、第2半導体層102の上に、第2窒化物半導体からなるn型の第3半導体層103を接して形成する構成においても、同様である。第2半導体層102の上に、これより格子定数の大きな第3半導体層103を形成すれば、なんらドーピングすることなく第2半導体層102と第3半導体層103との界面に空間電荷が現れる。この結果、第2半導体層102と第3半導体層103との界面における価電子帯のエネルギーレベルが持ち上がってフェルミレベルに近づき、一般的なpn接合型の構造におけるp型層の部分と同様のバンドプロファイルとなる。
【0030】
以上に説明したように、本実施の形態によれば、窒化物半導体層にp型の不純物を導入することなくp型の層を備える場合と同等の機能が得られるようになり、窒化物半導体を用いた半導体装置で良好なp型コンタクトが形成できるようになる。
【0031】
[実施の形態2]
次に、本発明の実施の形態2について説明する。以下では、製造方法を説明することで、実施の形態2における半導体装置について説明する。
【0032】
まず、図3Aに示すように、例えば、単結晶シリコンからなる基板(第1半導体層)301の上に、公知のMOCVD法によりアンドープのAlNを堆積することで、層厚100nmのAlN層(第2半導体層)302を形成する。
【0033】
続いて、AlN層302の上に、MOCVD法により、In組成0.2のアンドープInGaNを層厚1000nm程度堆積し、図3Bに示すように、InGaN層303を形成する。引き続いて、InGaN層303の上に、In組成0.1のSiドープInGaNを層厚200nm程度堆積してn−InGaN層304を形成する。
【0034】
次に、上述した各層の形成(成長)に用いたMOCVD装置より基板301を取り出し、この後、図3Cに示すように、n−InGaN層304の上に透明電極層305を形成する。透明電極層305は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)であればよく、例えば、塩化インジウムと塩化第1スズまたは塩化第2スズが溶解した溶液を塗布し、これを加熱(焼成)することで形成できる。
【0035】
次に、図3Dに示すように、まず、基板301の裏面側にp型コンタクト電極306を形成し、また、透明電極層305の上にn型コンタクト電極307を形成する。p型コンタクト電極306は、例えば、真空蒸着装置により金属を蒸着することで形成できる。また、n型コンタクト電極307は、真空蒸着法およびよく知られたリフトオフ法により形成することができる。
【0036】
上述したことにより、基板301の上に、AlN層302,InGaN層303,n−InGaN層304が積層された本実施の形態における半導体装置が得られる。この半導体装置はLEDであり、n型コンタクト電極307およびp型コンタクト電極306の間に電圧を加えることで波長470nm程度の発光が得られる。この発光は、透明電極層305の側(基板表面側)より取り出される。
【0037】
上述した本実施の形態においても、窒化物半導体層にp型の不純物を導入することなくp型の層を備える場合と同等の機能が得られるようになり、窒化物半導体を用いた半導体装置で良好なp型コンタクトが得られている。
【0038】
[実施の形態3]
次に、本発明の実施の形態3について説明する。以下では、製造方法を説明することで、実施の形態3における半導体装置について説明する。
【0039】
まず、図4Aに示すように、例えば、単結晶シリコンからなる基板(第1半導体層)401の上に、公知のMOCVD法によりアンドープのAlNを堆積することで、層厚100nmのAlN層(第2半導体層)402を形成する。
【0040】
続いて、AlN層402の上に、MOCVD法により、In組成0.2のアンドープInGaNを層厚1000nm程度堆積し、図4Bに示すように、InGaN層403を形成する。引き続いて、InGaN層403の上に、In組成0.1のSiドープInGaNを層厚200nm程度堆積してn−InGaN層404を形成する。
【0041】
次に、上述した各層の形成に用いたMOCVD装置より基板401を取り出し、この後、図4Cに示すように、n−InGaN層404の上にn型コンタクト電極層405を形成する。n型コンタクト電極層405は、例えば、真空蒸着装置により金属を蒸着することで形成できる。
【0042】
次に、基板401の裏面側を研磨により研削し、基板401を厚さ50mm程度にまで薄くする。次いで、薄くした基板401の裏面(研磨面)に、図4Dに示すように、AlN層402が露出する複数の貫通溝411を形成する。また、貫通溝411内を含めた基板401の裏面に透明電極層406を形成する。貫通溝411は、例えば、基板401の一方から他方にかけて連続する溝である。また、図示しない領域の透明電極層406に接続するp型コンタクト電極(不図示)を形成する。p型コンタクト電極は、真空蒸着法およびリフトオフ法により形成できる。
【0043】
上述したことにより、基板401の上に、AlN層402,InGaN層403,n−InGaN層404が積層された本実施の形態における半導体装置が得られる。この半導体装置はLEDであり、n型コンタクト電極層405およびp型コンタクト電極(不図示)の間に電圧を加えることで波長470nm程度の発光が得られる。得られる一部の発光は、透明電極層406の側(基板裏面側)より取り出される。また、n型コンタクト電極層405の側に出射された光は、金属からなるn型コンタクト電極層405で反射し、基板裏面側より取り出される。このように、本実施の形態によれば、より多くの光が取り出せる。貫通溝411の面積にも依存するが、前述した実施の形態2における半導体装置(LED)に比較して、50%程度の発光効率増大が見込める。
【0044】
上述した本実施の形態においても、窒化物半導体層にp型の不純物を導入することなくp型の層を備える場合と同等の機能が得られるようになり、窒化物半導体を用いた半導体装置で良好なp型コンタクトが得られている。
【0045】
[実施の形態4]
次に、本発明の実施の形態4について説明する。以下では、製造方法を説明することで、実施の形態4における半導体装置について説明する。
【0046】
まず、図5Aに示すように、例えば、単結晶シリコンからなる基板(第1半導体層)501の上に、公知のMOCVD法によりアンドープのAlNを堆積することで、層厚100nmのAlN層(第2半導体層)502を形成する。
【0047】
続いて、AlN層502の上に、MOCVD法により、In組成0.5のアンドープInGaNを層厚1000nm程度堆積し、図5Bに示すように、InGaN層503を形成する。引き続いて、InGaN層503の上に、In組成0.1のSiドープInGaNを層厚200nm程度堆積してn−InGaN層504を形成する。
【0048】
次に、上述した各層の形成に用いたMOCVD装置より基板501を取り出し、この後、図5Cに示すように、n−InGaN層504の上にシリコンからなるSi太陽電池基板511を貼り合わせる。Si太陽電池基板511は、例えば、Gaがドープされたp型シリコン基板506に、例えば、イオン注入法によりSbをドープすることでn型層505を形成し、この後、p型シリコン基板506を例えば、200〜300μm程度の厚さに薄くしたものである。Si太陽電池基板511は、p型シリコン基板506をn−InGaN層504に貼り合わせる。
【0049】
次に、Si太陽電池基板511をn−InGaN層504に貼り合わせた基板501の裏面側を研磨により研削し、基板501を厚さ50mm程度にまで薄くする。次いで、薄くした基板501の裏面に、図5Dに示すように、AlN層502が露出する複数の貫通溝512を形成する。貫通溝512は、例えば、基板501の一方から他方にかけて連続する溝である。
【0050】
次に図5Eに示すように、Si太陽電池基板511のn型層505に、n型コンタクト電極層507を形成する。n型コンタクト電極層507は、例えば、真空蒸着装置により金属を蒸着することで形成できる。また、貫通溝512を形成した基板511の裏面に、貫通溝512内も含め、透明電極層508を形成する。また、図示しない領域の透明電極層508に接続するp型コンタクト電極(不図示)を形成する。p型コンタクト電極は、真空蒸着法およびリフトオフ法により形成できる。
【0051】
上述したことにより、基板501の上に、AlN層502,InGaN層503,n−InGaN層504が積層され、この上にSi太陽電池基板511が積層された本実施の形態における半導体装置が得られる。この半導体装置は、いわゆるタンデム型太陽電池であり、透明電極層508の側(基板裏面側)より入射した光を光電変換し、光電変換した電極をn型コンタクト電極層507およびp型コンタクト電極(不図示)より出力する。上述したタンデム型太陽電池では、AlN層502,InGaN層503,n−InGaN層504よりなる窒化物半導体の太陽電池セルで、波長700nmより短い波長の光を吸収して光電変換する。また、Si太陽電池基板511の太陽電池セルで、波長1μm前後の光を吸収して光電変換する。
【0052】
上述した本実施の形態においても、窒化物半導体層にp型の不純物を導入することなくp型の層を備える場合と同等の機能が得られるようになり、窒化物半導体を用いた半導体装置で良好なp型コンタクトが得られている。
【0053】
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形が実施可能であることは明白である。
【0054】
例えば、図1Aを用いて説明した第3半導体層103をn型とした半導体装置は、まず、ドーパントとしてマグネシウムを用いることなくp型とされた基板(第1半導体層)101の上に、アンドープの第1窒化物半導体を堆積して第2半導体層102を形成し、この上に、第1窒化物半導体より格子定数が大きくバンドギャップエネルギーが小さい第2窒化物半導体を堆積し、n型とされた第3半導体層103を形成し、この後、各電極を形成することで製造できる。
【0055】
また、例えば、上述では、アンドープの第1窒化物半導体として、AlNを用い、第2窒化物半導体としてGaNおよびInGaNるようにしたが、これに限るものではなく、他の窒化物半導体層を用いるようにしてもよい。
【符号の説明】
【0056】
101…第1半導体層、102…第2半導体層、103…第3半導体層、104…第4半導体層、131…第3半導体層。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ドーパントとしてマグネシウムを用いることなくp型とされた第1半導体層と、
この第1半導体層の上に形成されたアンドープの第1窒化物半導体からなる第2半導体層と、
この第2半導体層の上に接して形成された第2窒化物半導体からなる第3半導体層と
を少なくとも備え、
前記第1窒化物半導体は、前記第2窒化物半導体より格子定数が小さくバンドギャップエネルギーが大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項2】
請求項1記載の半導体装置において、
前記第3半導体層は、n型とされていることを特徴とする半導体装置。
【請求項3】
請求項1記載の半導体装置において、
前記第3半導体層の上に接して形成された第3窒化物半導体からなるn型の第4半導体層を備え、
前記第3半導体層は、アンドープの前記第2窒化物半導体から構成されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項4】
請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記第1半導体層は、シリコンから構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項5】
ドーパントとしてマグネシウムを用いることなくp型とされた第1半導体層の上にアンドープの第1窒化物半導体を堆積して第2半導体層を形成する第1工程と、
前記第2半導体層の上に、前記第1窒化物半導体より格子定数が大きくバンドギャップエネルギーが小さい第2窒化物半導体を堆積して第3半導体層を形成する第2工程と
を少なくとも備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項6】
請求項5記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2工程では、前記第2半導体層の上に、n型とされた前記第3半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項7】
請求項5記載の半導体装置の製造方法において、
前記第3半導体層の上に第3窒化物半導体を堆積してn型の第4半導体層を形成する第3工程を備え、
前記第2工程では、前記第1半導体層の上に、アンドープの前記第2窒化物半導体を堆積して前記第3半導体層を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項8】
請求項5〜7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1工程では、シリコンから構成された前記第1半導体層の上に前記第2半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項1】
ドーパントとしてマグネシウムを用いることなくp型とされた第1半導体層と、
この第1半導体層の上に形成されたアンドープの第1窒化物半導体からなる第2半導体層と、
この第2半導体層の上に接して形成された第2窒化物半導体からなる第3半導体層と
を少なくとも備え、
前記第1窒化物半導体は、前記第2窒化物半導体より格子定数が小さくバンドギャップエネルギーが大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項2】
請求項1記載の半導体装置において、
前記第3半導体層は、n型とされていることを特徴とする半導体装置。
【請求項3】
請求項1記載の半導体装置において、
前記第3半導体層の上に接して形成された第3窒化物半導体からなるn型の第4半導体層を備え、
前記第3半導体層は、アンドープの前記第2窒化物半導体から構成されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項4】
請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記第1半導体層は、シリコンから構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項5】
ドーパントとしてマグネシウムを用いることなくp型とされた第1半導体層の上にアンドープの第1窒化物半導体を堆積して第2半導体層を形成する第1工程と、
前記第2半導体層の上に、前記第1窒化物半導体より格子定数が大きくバンドギャップエネルギーが小さい第2窒化物半導体を堆積して第3半導体層を形成する第2工程と
を少なくとも備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項6】
請求項5記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2工程では、前記第2半導体層の上に、n型とされた前記第3半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項7】
請求項5記載の半導体装置の製造方法において、
前記第3半導体層の上に第3窒化物半導体を堆積してn型の第4半導体層を形成する第3工程を備え、
前記第2工程では、前記第1半導体層の上に、アンドープの前記第2窒化物半導体を堆積して前記第3半導体層を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項8】
請求項5〜7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1工程では、シリコンから構成された前記第1半導体層の上に前記第2半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図1A】
【図1B】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図5D】
【図5E】
【図1B】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図5D】
【図5E】
【公開番号】特開2011−222804(P2011−222804A)
【公開日】平成23年11月4日(2011.11.4)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−91268(P2010−91268)
【出願日】平成22年4月12日(2010.4.12)
【出願人】(000004226)日本電信電話株式会社 (13,992)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成23年11月4日(2011.11.4)
【国際特許分類】
【出願日】平成22年4月12日(2010.4.12)
【出願人】(000004226)日本電信電話株式会社 (13,992)
【Fターム(参考)】
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