【課題】直列接続されたデバイスのためのシャント保護モジュールおよび方法を提供する。
【解決手段】シャント保護モジュール１０は、複数のシャント半導体と１つの制御部を使用する。シャント半導体は、複数のターゲットデバイス２０，３０に対応し、該ターゲットデバイスに並列に接続する。制御部は、シャント半導体のトリガー端子と接続する。各シャント半導体は、より高い電圧がトリガー端子に入力されるほどシャント端子間の電位差がより低くなる特性を有し、制御部は、故障したターゲットデバイスに対応するシャント半導体に、少なくとも２つの隣接したターゲットデバイス上の電位差に等しいトリガー電圧を出力するので、動作時にはシャント半導体上の電位差は低い。シャント保護モジュールは、故障したターゲットデバイスに対応するシャント半導体に高いトリガー電圧を提供することを確実にするので、シャント保護モジュールの電力消失は低減される。 （もっと読む）

【課題】コンタクト部における光吸収の抑制と、電極と半導体層との良好なオーミック接触との両立を図り、順方向電圧をさほど上昇させることなく発光出力を向上させることが可能な紫外光を発する半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子１００は、第１伝導型の半導体層１０５と、発光層１０４と、第２伝導型の半導体層１０３とをこの順に含む半導体積層体１０６と、第１伝導型半導体層１０５上に、コンタクト層１０７とオーミック電極層１０８とが積層してなるコンタクト部１０９と、オーミック電極層１０８に接し、第１伝導型半導体層１０５と電気的に接続する第１電極１１３と、第２伝導型半導体層１０３に電気的に接続する第２電極１１２と、を有し、コンタクト部１０９には第１伝導型半導体層１０５が露出する複数の島状の開口部１１１を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】調光時など負荷回路に対して供給する電力が小さい場合でも力率の低下を防ぎ、電源装置における電力損失を抑えつつ、力率改善回路の動作を安定させる。
【解決手段】力率改善回路１１０は、交流電圧を入力し、入力した交流電圧を直流電圧に変換して、変換した直流電圧を出力するとともに、入力する交流電流の力率を高める。制御回路１４０は、力率改善回路１１０に入力される交流電圧の電圧値が高いほど、力率改善回路１１０が出力する直流電圧の電圧値を高くする。制御回路１４０は、調光信号入力回路１８０に入力される調光信号が表わす調光度が低いほど、上記力率改善回路１１０が出力する直流電圧の電圧値を高くする。 （もっと読む）

【課題】半極性面上に設けられ発光に必要なバイアス電圧の上昇が抑制された窒化物半導体発光素子と、この窒化物半導体発光素子の作製方法とを提供すること。
【解決手段】半極性面の主面１３ａを有する六方晶系窒化物半導体からなる支持基体上に設けられた発光層１７の多重量子井戸構造は、井戸層１７ａ及び井戸層１７ｃとバリア層１７ｂとからなり、バリア層１７ｂは、井戸層１７ａ及び井戸層１７ｃの間に設けられ、井戸層１７ａ及び井戸層１７ｃは、ＩｎＧａＮからなり、井戸層１７ａ及び井戸層１７ｃは、０．１５以上０．５０以下の範囲にあるインジウム組成を有し、六方晶系窒化物半導体のｃ面に対する主面１３ａの傾斜角αは、５０度以上８０度以下の範囲、及び、１３０度以上１７０度以下の範囲、の何れかの範囲にあり、バリア層１７ｂの膜厚の値Ｌは、１．０ｎｍ以上４．５ｎｍ以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】発光素子を効率的に駆動可能な駆動回路を提供する。
【解決手段】基準電圧源３４は、制御電圧Ｖ_ＣＮＴおよびそれと連動する基準電圧Ｖ_ＲＥＦを生成する。電流設定端子ＩＳＥＴには、電流設定抵抗Ｒ_ＳＥＴが接続される。第２トランジスタＭ２の一端は電流設定端子ＩＳＥＴと接続される。電流電圧変換回路３６は、第２トランジスタＭ２に流れる電流Ｉ_Ｍ２を、第１の変換係数で制御電圧Ｖ_ＣＮＴに変換するとともに、第２の変換係数で中間電圧Ｖｂに変換する。第３誤差増幅器ＥＡ３、第３トランジスタＭ３、第２抵抗Ｒ２および第３抵抗Ｒ３は、中間電圧Ｖｂに比例する基準電圧Ｖ_ＲＥＦを生成する。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ_２Ｏ_３基板と窒化物半導体層の間の電気抵抗が低い結晶積層構造体及びその製造方法、並びにその結晶積層構造体を含む低電圧駆動の半導体素子を提供する。
【解決手段】一実施の形態においては、Ｇａ_２Ｏ_３基板２と、Ｇａ_２Ｏ_３基板２上のＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなるバッファ層３と、バッファ層３上の、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなる窒化物半導体層４と、を含み、Ｇａ_２Ｏ_３基板２の表面の窒化物半導体層４の直下の領域をバッファ層３が被覆する割合が１０％以上、１００％未満であり、窒化物半導体層４の一部がＧａ_２Ｏ_３基板２の表面に接触する、結晶積層構造体１を提供する。 （もっと読む）

【課題】 広範囲を照らすことが可能な照明装置であって、各半導体発光素子の消費電力を抑えることで、製品寿命を長くすることが可能な照明装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 照明装置１であって、開口部Ｈを有するフレーム２と、フレーム２内に設けられた、第１半導体発光素子３が設けられる第１実装面Ｒ１および第２半導体発光素子４が設けられる第２実装面Ｒ２を有し、第１実装面Ｒ１および第２実装面Ｒ２が開口部Ｈに向かって配置され、且つ断面視して第１実装面Ｒ１と第２実装面Ｒ２とが交差するとともに、当該交差個所に凹部Ｃが形成された屈曲基板５と、開口部Ｈの縁に沿って設けられた、屈曲基板５を覆う透光性カバー６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】視認性を損なうことなく消費電流の低減が可能なＬＥＤ点灯装置を提供する。
【解決手段】電源に対して並列に接続したＬＥＤ１，２のいずれか一方を点灯する場合（図２（ａ）のＩまたはＩＩ）、人間が視覚的に残像として認識できる５０Ｈｚ〜１０ｋＨｚで間欠点灯して、見かけ上連続点灯させる。ＬＥＤ１，２を同時に点灯する場合（図２（ａ）のＩＩＩ）、間欠点灯のタイミングをずらし、一方を点灯させる間は他方を消灯させる。 （もっと読む）

【課題】
コストおよび閾値電圧が上がることなく、静電耐圧特性を向上させた発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
基板上に、ｎ側窒化物半導体層、活性層、およびｐ側窒化物半導体層が順に積層され、前記ｎ側窒化物半導体層上および前記ｐ側窒化物半導体層上に、それぞれｎ側電極およびｐ側電極が設けられた発光素子において、前記ｎ側窒化物半導体層が、前記ｎ型電極と接する上部ｎ型コンタクト層と下部ｎ型コンタクト層とで構成されるｎ型コンタクト層を有し、前記上部ｎ型コンタクト層と前記下部ｎ型コンタクト層との間に、前記上部ｎ型コンタクト層および前記下部ｎ型コンタクト層のいずれとも組成の異なるＡｌＮ層が設けられており、前記ＡｌＮ層と前記ｎ側電極との間の距離が、前記ＡｌＮ層と前記基板との間の距離よりも短いことを特徴とする、発光素子。 （もっと読む）

【課題】低電圧で高輝度の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１、第２電極層、第１、第２半導体層、発光層及び第１中間層を含む半導体発光素子が提供される。第１電極層は、金属部を有する。金属部には、円相当直径が１０ｎｍ以上５μｍ以下の複数の貫通孔が設けられている。第２電極層は光反射性である。第１半導体層は、第１電極層と第２電極層との間に設けられ第１導電形である。第２半導体層は第１半導体層と第２電極層との間に設けられ第２導電形である。発光層は、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられる。第１中間層は、第２半導体層と第２電極層との間に設けられ、光透過性である。第１中間層は、複数の第１コンタクト部と、第１非コンタクト部と、を含む。第１非コンタクト部は、積層方向に対して垂直な平面内において第１コンタクト部と並置される。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系化合物半導体素子においてｐ型層を形成するための新規な技術を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系化合物半導体素子は、基板と、基板上方に形成され、ＮがドープされたＺｎＯ系化合物半導体層と、ＮがドープされたＺｎＯ系化合物半導体層上に形成され、ＮとＶＩ族元素とがコドープされたｐ型ＺｎＯ系化合物半導体層とを有する。 （もっと読む）

【課題】白色ＬＥＤ用の励起光源に適したＧａＮ系発光ダイオード素子を提供すること。
【解決手段】ＧａＮ系発光ダイオード素子は、ｎ型導電性のｍ面ＧａＮ基板と、該ｍ面ＧａＮ基板のおもて面上にＧａＮ系半導体を用いて形成された発光ダイオード構造と、該ｍ面ＧａＮ基板の裏面に形成されたｎ側オーミック電極とを有し、当該発光ダイオード素子に印加される順方向電流が２０ｍＡのときの順方向電圧が４．０Ｖ以下である。 （もっと読む）

【課題】光透過率が高く、かつ電極との接触抵抗が低いβ−Ｇａ_２Ｏ_３系基板、そのβ−Ｇａ_２Ｏ_３系基板を含むＬＥＤ素子、及びＬＥＤ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ドナー含有β−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる低ドナー濃度層２ａと、低ドナー濃度層２ａ上に積層された、ドナー含有β−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる、第１電極３を接続するための高ドナー濃度層２ｂとを含むβ−Ｇａ_２Ｏ_３系基板２を提供する。高ドナー濃度層２ｂは、厚さが１μｍ以下であり、低ドナー濃度層２ａよりも薄く、低ドナー濃度層２ａよりもドナー濃度が高い。 （もっと読む）

【課題】
従来に比較して順方向電圧を低くできる窒化物半導体素子を提供する。
【課題手段】ＳｉがドープされたＧａＮからなるｎ側コンタクト層を含むｎ側窒化物半導体層と活性層とｐ側窒化物半導体層とを備え、ｎ側窒化物半導体層にｎ側コンタクト層よりＳｉ不純物濃度の高いＡｌｘＧａ１−ｘＮ（１＞ｘ＞０）層を有する。 （もっと読む）

【課題】ｐクラッド層の特性悪化を防止すること。
【解決手段】発光層１４上に、８００〜９５０℃でＭｇドープＡｌＧａＩｎＮからなるｐクラッド層１５を形成した（図２（ｂ））。次に、ｐクラッド層１５上に、ｐクラッド層１５形成時と同じ温度でノンドープＧａＮからなる厚さ５〜１００Åのキャップ層１６を形成した（図２（ｃ））。キャップ層１６にはＭｇ濃度５×１０¹⁹／ｃｍ³ 以下の範囲でＭｇをドープしてもよい。次に、温度を次工程のｐコンタクト層１７の成長温度まで昇温した。この昇温時において、キャップ層１６が形成されているため、ｐクラッド層１５表面が露出しておらず、Ｍｇの過剰ドープや不純物の混入が抑制される。そのため、ｐクラッド層１５の特性悪化が防止される。次に、キャップ層１６上に９５０〜１１００℃でｐコンタクト層１７を形成した（図２（ｄ））。 （もっと読む）

【課題】省電力化が図られる液晶表示装置と、その液晶表示装置に用いられる照明装置ユニットおよび太陽電池と、を提供する。
【解決手段】液晶表示装置１０は、表示面２２を有する液晶パネル２１と、液晶パネル２１に対して表示面２２が形成される側とは反対側に配置され、液晶パネル２１に向けて照明光を照射するバックライト６１と、液晶パネル２１とバックライト６１との間に配置され、バックライト６１から発せられた照明光を液晶パネル２１に向けて透過させることが可能な光透過型の太陽電池３１とを備える。太陽電池３１は、液晶パネル２１を透過した外光を利用して光電変換を行なう光電変換層３２と、バックライト６１から照射された照明光を利用して光電変換を行なう光電変換層４２とを有する。 （もっと読む）

【課題】力率改善回路の効率を高めたＬＥＤ照明駆動用電源回路を提供する。
【解決手段】電源回路１１５は、ＰＦＣ回路１０３と、ＰＦＣ回路１０３に接続された整流平滑回路１０４とを備え、ＰＦＣ回路１０３は、チョークコイル１３と、トランジスタ１９とを含み、整流平滑回路１０４は、整流用ダイオード１４と、サーミスタ１５とを含み、ＰＦＣ回路１０３を電流連続モードで動作させる制御回路１０５を設けた。 （もっと読む）

【課題】電力損失を低減することが可能なＬＥＤユニットおよびそれを用いた照明器具を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ１が実装された配線基板２と、ＬＥＤ１から放射された光を出射する出射部８を有し配線基板２を収納可能な筐体４と、配線基板２に電気的に接続され筐体４から導出される一対の配線３ａ，３ｂとを備える。一対の配線３ａ，３ｂは、ＬＥＤ１のアノード電極側に電気的に接続された一方の配線３ａと、ＬＥＤ１のカソード電極側に電気的に接続された他方の配線３ｂとからなる。筐体４内で各配線３ａ，３ｂおよび配線基板２の各々とは電気的に絶縁され筐体４から導出される１本の電線７が設けられる。 （もっと読む）

【課題】照明装置の輝度均一性を向上しつつ、効率的に省電力化を図ることができる、液晶表示装置、バックライトユニット、透光板および導光体を提供する。
【解決手段】表示面１８を構成する液晶表示パネル２と、液晶表示パネル２の表示面１８側とは反対側である下方に配置され、複数の光源６が設けられた発光層５と、発光層５と液晶表示パネル２との間に配置された光電変換層１９とを備えている。光電変換層１９は、光源６の上方の位置に形成された、表示面１８側とは反対側に向いた受光面を有する複数の光電変換部３を含む。 （もっと読む）