接合下向き実装を改良するＬＥＤ接着構造及びＬＥＤ接着構造の製造方法を提供する。ＬＥＤチップは、Ｓｎ、ＡｕＳｎ又はその他の金属のような、熱超音波接着又は熱圧着に適したボンド・パッドを含む。ボンド・パッドの物理的寸法は、鑞を用いる又は用いない熱圧着又は熱超音波接着の間に、ハンダの押し出しを発生し難くする又は防止するように選択する。実施形態によっては、押し出しを生ずることなく、３０ｇ〜７０ｇ又はそれ以上の力を受け入れるように、ＡｕＳｎボンド・パッドを設計する。
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【課題】表示灯及び照明用途などのためのフリップチップ発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード（１０）は、最小電極分離（ｄ_電極）を形成する少なくとも１つのｎ型電極（１４）と少なくとも１つのｐ型電極（１２）とが配置された背面及び正面を有する。結合パッド層（５０）は、最小電極分離（ｄ_電極）よりも大きい最小結合パッド分離（ｄ_パッド）を形成する少なくとも１つのｎ型結合パッド（６４）と少なくとも１つのｐ型結合パッド（６２）とを含む。発光ダイオード（１０）の正面と結合パッド層（５０）の間に置かれた少なくとも１つの扇形拡大層（３０）は、少なくとも１つのｎ型電極（１４）と少なくとも１つのｎ型結合パッド（６４）の間、及び少なくとも１つのｐ型電極（１２）と少なくとも１つのｐ型結合パッド（６２）の間の電気連通をもたらすために誘電体層（３２、５２）のバイア（３４、５４）を通過する複数の導電路を含む。 （もっと読む）

【課題】発光層への注入電流を許容範囲に抑えつつ、発光効率を向上させることが可能な、半導体発光装置等を提供すること。
【解決手段】ＧａＮ系半導体からなるｐ−ＧａＮ層１０とｎ−ＧａＮ層１４とで多重量子井戸発光層１２を挟んだ量子井戸構造を有し、ｎ−ＧａＮ層１４側から光を取り出す構成としたＬＥＤチップ２において、ｐ側電極２４を以下の構成とした。ｐ側電極２４のｐ−ＧａＮ層１０に臨む面を、円柱状をした複数の凸部２４Ａが略一様に分散されてなる凹凸面２４Ｂに形成し、前記凸部２４Ａの頂部とｐ−ＧａＮ層１０を接合することとした。 （もっと読む）

本発明は、超微細凹凸構造が適用された半導体層に光が反射されずに外部に放出されることに従って、光抽出効率が向上した発光ダイオード素子を提供する。
本発明は 基板、Ｎ型半導体層、光を発生させる活性層、Ｐ型半導体層を具備する発光ダイオード素子において、前記活性層及び前記Ｐ型半導体層をエッチングして少なくとも前記Ｎ型半導体層の一部を露出させた第１露出面と、前記第１露出面に形成された第１オーミック電極と、前記Ｐ型半導体層上に形成されており、前記Ｐ型半導体層の一部が第２露出面を有するように開口部を具備した第２オーミック電極とを含み、前記第２露出面の少なくとも一部が超微細凹凸構造である。
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本発明は、光電素子、多数の光電素子を有する装置および光電素子の製造方法に関する。アクティブゾーン（４００）およびラテラル方向のメイン延在方向を有する半導体機能領域（２）を含んでいる光電素子（１）を提示する。この半導体機能領域は、アクティブゾーンを通る少なくとも１つの孔部（９、２７、２９）を有しており、孔部の領域内に接続導体材料（８）が配置されている。この接続導体材料は、アクティブゾーンから、少なくとも孔部の部分領域において電気的に絶縁（１０）されている。さらにこのような光電素子の製造方法および多数の光電素子を有する装置を提示する。この素子および装置は完全にウェハ結合において製造される。
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電磁ビーム（１９）を主ビーム方向（１５）に放射するアクティブ層（７）と、主ビーム方向（１５）においてアクティブ層（７）の後段に配置されている第１の窒素化合物半導体材料からなる電流拡散層（９）と、主ビーム方向（１５）に放射されたビーム（１９）を出力結合する主面（１４）と、主面（１４）上に配置されている第１のコンタクト層（１１，１２，１３）とを備えた薄膜ＬＥＤにおいて、電流拡散層（９）の横方向導電性が二次元の電子ガスまたはホールガスの形成により高められている。二次元の電子ガスまたはホールガスの形成は有利には、第２の窒素化合物半導体材料からなる少なくとも１つの層（１０）を電流拡散層（９）に埋め込むことによって行われる。
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【課題】ベアチップの周囲のみに蛍光体膜を配した状態で、プリント配線板等に設けられた凹部底部に実装可能な半導体発光装置等を提供すること。
【解決手段】ＳｉＣ基板４の上面に結晶成長によって形成された発光層１４を含む半導体多層膜８〜１８からなるＬＥＤ６ａ，６ｂ，…，６ｃ，６ｄがブリッジ配線３０によって直列に接続されてＬＥＤアレイチップが構成されている。各ＬＥＤ６ａ〜６ｄを覆うように蛍光体膜４８が配されている。ＳｉＣ基板４の下面には、電気的に互いに独立した２個の給電端子３６、３８が形成されていて、直列接続されたＬＥＤ６ａ〜６ｄの内の、低電位側末端のＬＥＤ６ａのカソード電極３２と給電端子３６とがブリッジ配線４０およびスルーホール４２によって接続され、高電位側末端のＬＥＤ６ｄのアノード電極３４と給電端子３８とがブリッジ配線４４およびスルーホール４６によって接続されている。 （もっと読む）

【課題】発光素子とその製造方法において、発光効率が高く、かつ実装が容易な発光素子の実現とその製造の容易化を図る。
【解決手段】発光素子１は、ｎ型窒化物半導体層２、ｐ型窒化物半導体層３を一部に非積層部２０を設けて積層した一方の面に、半導体層２，３に電流を注入するための半導体面電極２１，３１、半導体層２，３を保持する絶縁層４、実装用の実装面電極５とを備える。絶縁層４は、実装面電極５と半導体面電極２１，３１を導通させるＶＩＡ１０を備える。透明結晶基板上に半導体層２，３と半導体面電極２１，３１とを積層し、ビルドアップ基板工程を用いて、絶縁層４と実装面電極５及びＶＩＡ１０を形成した後、透明結晶基板を半導体層２から分離して発光素子１が製造される。実装面電極５により、プリント基板と同様に実装ができる。半導体層２，３から直接、効率良く光を外部に取り出すことができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、１回のワイヤボンディングで済み、位置合わせの容易な実装が可能で、工数の低減につながるチップを作製することを課題とする。
【解決手段】 基板11の一面上に、ｎ型半導体薄膜層13と、活性層と、ｐ型半導体薄膜層17とを積層形成し、このｐ型半導体薄膜層17上面に一方の電極32を基板11の他面上に他方の電極33aを設ける化合物半導体発光素子の製造方法において、基板11の他面側から電極33aと接続されるｎ型半導体薄膜層13に到達する深さの縦穴20を波長が５００ｎｍ以下の短波長レーザを照射して設け、基板11の他面に設けた電極33aとｎ型半導体薄膜層13を縦穴20に形成した導電性材料30を介して電気的に接続し、電極32を基台100の第１のリード電極101に接続し、電極33aを第２のリード電極103にワイヤボンド線104で接続する。 （もっと読む）

【課題】各発光素子の発光強度を均等にして、高性能かつ高信頼性のＬＥＤアレイを提供する。
【解決手段】単結晶基板１上に一導電型半導体層２と逆導電型半導体層３と個別電極４とを順次積層し、この一導電型半導体層２を引き出した延在部７の上に共通電極５と絶縁膜６とを並設して成る発光素子を複数個配列して成る発光素子群９にて構成され、この発光素子群９内における各発光素子の延在部７における共通電極５に至る電極間隔ｘが異なるとともに、一方の発光素子の電極間隔ｘと他方の発光素子の電極間隔ｘとを同じにして、双方の共通電極５を通電せしめるように成し、そして、前記延在部７と共通電極５との接触面積ｓを、電極間隔ｘが長くなるにしたがって、大きくしている。 （もっと読む）

【課題】各発光素子間にて発光強度を均等にしたＬＥＤアレイを提供する
【解決手段】高抵抗シリコン基板１上に一導電型半導体層２と逆導電型半導体層３とを順次積層し、一導電型半導体層２を引き延ばした延在部７の上に共通電極５を接続して設けている。４個の発光素子を並べて発光素子群と成し、さらに複数の発光素子群をアレイ状に配列している。発光素子群においては、各発光素子間において逆導電型半導体層３の延在部７における共通電極５に至る電極間隔Ｓが異なり、そして、他方の発光素子群の発光素子との間にて、その電極間隔Ｓが同じになるように各共通電極５との間を電気的に接続している。さらに発光素子の延在部７における共通電極５に至る電極間隔Ｓが長くなるにしたがって、その幅を広くしている。 （もっと読む）

【課題】 発光素子及び静電気保護素子のバンプによる接合形態の改良により製品歩留り、配光性及び発光輝度を向上し得る半導体発光装置を提供する。
【解決手段】 静電気保護素子としてのツェナーダイオード２をリードフレーム１０のマウント部１０ａに搭載し、フリップチップ型の半導体発光素子１を上面にｐ側及びｎ側の電極を導通させて搭載し、半導体発光素子１の搭載面側と反対側を主光取出し面とした半導体発光装置において、発光素子１とツェナーダイオード２のそれぞれに、両者間を相互に逆極性で導通させるｐ側とｎ側のバンプのいずれかを振り分けて形成し、発光素子１とツェナーダイオード２にバンプを１個ずつ振り分けることで製品の不良率を低下させる。 （もっと読む）