【課題】簡便な方法で電極面の周辺部から漏れ出す光を減少させたフリップチップ実装用の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板１７の周囲に存在し、ＬＥＤ素子１０をウェハー３１から切り出す際の切りしろとなったストリートライン２３の上に、遮光部材として金属膜１１，１２を配置した。金属膜１１，１２はスリット１８で４分割している。また金属膜１１，１２は、ｐ側及びｎ側の突起電極１３，１４のアンダーバンプメタル層である金属膜２２と等しい材料からなっている。 （もっと読む）

【課題】発光ユニットの樹脂内を伝播する光による悪影響を低減することの可能な発光ユニットおよびそれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】発光ユニット１は、３つの発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂと、各発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを覆う絶縁体２０と、各発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに電気的に接続された端子電極３１，３２を備える。３つの発光素子１０のうち少なくとも最も短波長の光を発する発光素子１０Ｂの側面Ｓ１および下面には、第１絶縁層１６、金属層１７、第２絶縁層１８およびパッド電極１９からなる積層体が設けられている。 （もっと読む）

【課題】高効率な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、第１の電極と、第２の電極と、第１の絶縁層と、第１の配線層と、第２の配線層と、第１の金属ピラーと、第２の金属ピラーと、第２の絶縁層とを備えた。第１の電極は半導体層の第２の主面に設けられた。第２の電極は半導体層における発光層と第１の主面との間の部分の側面に設けられた。第１の配線層は、第２の主面に対する反対側の第１の絶縁層上及び第１の開口内に設けられ、第１の電極と接続された。第２の配線層は、第２の主面に対する反対側の第１の絶縁層上及び第２の開口内に設けられ、側面に設けられた第２の電極と接続された。 （もっと読む）

【課題】放射放出が作製期間中に目標領域に調整設定可能である半導体チップ構造。
【解決手段】放射放出半導体チップの明るさを、ウェハの放射放出半導体層列（３）の放射放出特性の測定後の半導体チップの作製期間に、１つまたは複数の吸収性および／または部分絶縁性の明るさ調整設定層（１２，６，９）をウェハの放射出力結合面（１０）に被着することによって調整設定する。 （もっと読む）

【課題】配光パターンのばらつきが少ない半導体発光装置及び配光パターンのばらつき低減、コスト低減及び製造時間の短縮を図ることができる製造方法を提供すること。
【解決手段】パターン電極が形成された実装基板と、半導体層の第１主面上にｐ側電極及び接合層が順次形成されて構成された少なくとも１つの半導体発光素子と、半導体発光体素子の側面を覆うパッシベーション層と、半導体発光素子の第２主面の一部、パッシベーション層及びパターン電極の上に形成されたｎ側電極と、有し、ｎ側電極は、半導体発光素子の第２主面上に位置する遮光電極部と、パッシベーション層の上及びパターン電極の上に遮光電極部に連続して形成されてパターン電極と遮光電極部とを電気的に接続する給電電極部と、が一括形成されていること。 （もっと読む）

【課題】 色ムラを軽減し、小型化が可能な混色発光の発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の発光装置は、発光素子１と、発光素子の上面の周縁部に連続して設けられた電極７と、電極の内側に設けられた蛍光部材８と、を有することを特徴とする。本発明の発光装置の製造方法は、半導体積層構造体を準備する工程と、半導体積層構造体の上面に複数の領域を除いて電極を形成する工程と、複数の領域に電極が側壁となるように蛍光部材を設ける工程と、半導体積層構造体を切断して複数の発光装置とする工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 灯具ユニット数を増やさずに斜めカットオフラインを有するすれ違い配光パターンを形成することができる車両用灯具を提供する。
【解決手段】 車両用前照灯１０は、平面発光部２５の水平カット部２５ａ及び斜めカット部２５ｂが、それぞれ投影されたすれ違い配光パターンの水平カットオフライン及び斜めカットオフラインを形成するように光源２４の平面発光部２５を配置することにより、透光部材２２の後面２２ｂにおける十字領域で反射された平面発光部２５からの光によってすれ違い配光パターンにおける鮮明な水平カットオフライン及び斜めカットオフラインが形成される。また、透光部材２２の後面２２ｂにおける斜め反射領域で反射された平面発光部２５からの光によって、すれ違い配光パターンにおける水平方向に拡がった拡散パターンが形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は光抽出効率が改善された窒化物半導体発光素子及び製造方法を提供する。
【解決手段】前記窒化物半導体発光素子は、第１及び第２導電型窒化物半導体層とその間に形成された活性層を有する発光積層構造物と、前記第１及び第２導電型窒化物半導体層に夫々電気的に接続されるように形成された第１及び第２電極パッドと、前記第２電極パッドの下部に少なくとも前記第１導電型窒化物半導体層の一部までの深さを有するように形成された複数のパターンと、前記複数のパターンにより露出された発光積層構造物の領域と前記第２電極パッドが電気的に絶縁されるように前記複数のパターンの内部面に形成された絶縁膜を含む。 （もっと読む）

【課題】 少ない駆動用ＩＣで時分割駆動することができる発光素子アレイ、およびこの発光素子アレイを備える小形な発光装置、ならびにこの発光装置を備える画像形成装置を提供する。
【解決手段】 スイッチ用サイリスタＳと、スイッチ用サイリスタＳのゲート電極ｇｓに個別に接続されるｎ個の発光禁止部Ｄおよびｎ本のゲート横配線ＧＨと、ｎ本のゲート横配線ＧＨのうちのいずれか１つとＮゲートｇｔが接続される複数の発光用サイリスタＴとを含んで発光素子アレイチップ１を構成する。スイッチ用サイリスタＳのアノードａｓに共通の選択信号が入力されている発光素子アレイチップ１を発光させることができるので、発光信号および制御信号を複数の発光素子アレイチップ１間で共用する時分割駆動を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】発光素子の斜面からの光の、電極における反射を防止する。
【解決手段】少なくとも一導電型半導体層と逆導電型半導体層とが積層された発光素子が、複数個配列された発光素子列と、前記発光素子と離間して配置された、前記発光素子の配列方向に連続した電極層と、が基板上に設けられており、前記発光素子は、少なくとも前記電極層が設けられている側に、前記一導電型半導体層の端面と前記逆導電型半導体層の端面との境界部が少なくとも露出した斜面を有し、前記電極層の少なくとも一部が、遮光層によって覆われているＬＥＤアレイを提供する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で迷光を防止することができるＬＥＤアレイ、ＬＥＤアレイヘッド及び画像記録装置を得る。
【解決手段】ＬＥＤ２８の、金属配線層４６の配設方向の反対側に溝部５０を形成している。この溝部５０によって、ＬＥＤ２８を分断し、発光層２８Ａと非発光層となる立壁５２とに分けている。このように、発光層２８Ａの端面と対面する立壁５２を設けることで、発光層２８Ａの端面から横方向に漏れる光を遮ることができる。これにより、ＬＥＤ２８からの光による散乱光や迷光を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】偏光比の高い光を取り出し可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１は、基板２と、基板２上に積層された窒化物半導体積層構造３と、アノード電極４と、カソード電極６と、吸収層７とを備えている。基板２は、ＧａＮ単結晶からなり、基板２の主面は、無極性面であるｍ面で構成されている。窒化物半導体積層構造３は、光を発光可能な活性層１２を含み、ＧａＮ層、ＩｎＧａＮ層及びＡｌＧａＮ層からなる。吸収層７は、活性層１２で発光された光のうち光取出方向Ａとは反対方向または水平方向に進行する光を吸収するためのものであって、ＳｉＮからなる。吸収層７は、基板２の底面２ａ及び側面２ｂと、窒化物半導体積層構造３の側面３ａの一部と、アノード電極４の側面４ｂの一部とを覆うように形成されている。 （もっと読む）

【課題】照射面積を拡大させたＬＥＤの提供。
【解決手段】本発明は一種の照射面積を拡大させた発光ダイオード（ＬＥＤ）であり、それはＬＥＤチップ及び遮断層を含む。このうち前記遮断層は前記ＬＥＤチップの発光面上方に設けられ、かつ前記遮断層の長さは前記ＬＥＤチップの発光面の長さより長い、短い、或いはこれに等しい。そのため、前記ＬＥＤチップにより発射される光線は前記遮断層を経て回折し、ＬＥＤの照射面積を拡大させるのである。 （もっと読む）

【課題】 受光効率の高い発光サイリスタ、発光状態を正確に転送することができ、かつ長寿命の光走査型スイッチ装置、この光走査型スイッチ装置を備える発光装置、およびこの発光装置を備える画像形成装置を提供する。
【解決手段】 発光サイリスタ２０は、第１のＮ型半導体層４２と、第１のＰ型半導体層４３と、第２のＮ型半導体層４４と、第２のＰ型半導体層４５とを含んで構成される。第２のＮ型半導体層４４は、厚み方向Ｚにおいて第１のＰ型半導体層４３寄りの突出部４７と、第２のＰ型半導体層４５寄りの退避部４６とから成る。厚み方向一方Ｚ１から見て、退避部４６は、突出部４７の内側に退避して形成される。 （もっと読む）

【課題】 走査信号伝送路の本数を減らして、走査信号を与えるための駆動回路を簡略化することができる光走査装置を提供する。
【解決手段】 各スイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓには、各発光部Ｔｓの極性が配列方向Ｘに交互に反転するように、走査信号伝送路１５が接続される。また各スイッチ素子Ｔのうち、配列方向Ｘに１つおきに配置される各スイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓには、１つおきの各スイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓに一定レベルの電圧Ｖｃｃを印加するための定電圧供給路３０２が接続される。走査信号伝送路１５は、各スイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓに同じタイミングで走査信号φ１を与える。 （もっと読む）

【課題】 高性能な発光素子を励起光源に用いて、蛍光体または燐光体で生じた光を効率よく外部に取り出すことのできる、高効率の照明装置を提供すること。
【解決手段】 照明装置は、窒化ガリウム系化合物半導体から成る一導電型半導体層、窒化ガリウム系化合物半導体から成る活性層、及び窒化ガリウム系化合物半導体から成る逆導電型半導体層を具備した窒化ガリウム系化合物半導体層多層体と、一導電型半導体層の主面もしくは逆導電型半導体層の主面に形成された反射層と、窒化ガリウム系化合物半導体層多層体の外部に設けられ、活性層で発光した光を受けて光を発する蛍光体及び燐光体の少なくとも一方とを具備し、反射層は、波長選択性を有し、活性層の発光波長λ_１に対しては透過性であり、発光波長λ_１より長い波長λ_２に対しては反射性である。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＤチップを実装する基板やその周囲に反射用の加工や反射部材等を設けることなく、チップ本体に形成される電極部によって特定の方向に指向性を有した発光効果を得ることができると共に、小型且つ薄型のパッケージに収容可能な発光ダイオードチップを提供することである。
【解決手段】 チップ本体１２と、このチップ本体１２の発光面１５ａに形成されるワイヤ１７の接続用の電極部１４とを備えた発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ１１において、前記電極部１４によって発光面１５ａの全域を被覆すると共に、電極部１４に前記発光面１５ａの一部を露出させる開口部１６を設けた。 （もっと読む）

【課題】ｎ導電性領域４およびｐ導電性領域５を有している半導体基体３を含んでいる放射放出半導体チップ１を、内部量子効率の、作動電流密度に対する低減された依存性を有していて簡単化されて実現可能であるようにする。
【解決手段】ｎ導電性領域とｐ導電性領域との間に、放射生成に適している活性領域６が配置されており、該活性領域においてｎ導電性領域を介して活性領域に導かれる電子およびｐ導電性領域を介して活性領域に導かれる正孔が放射生成下で再結合し、活性領域の、ｐ導電性領域とは反対の側に正孔障壁層７が配置されており、該正孔障壁層はＩＩＩ−Ｖ半導体材料系Ｉｎ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ａｌ_ｘＮ、ただし０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１およびｘ＋ｙ≦１から成る材料を含んでおり、ここで該正孔障壁層は電子に対して透過性である。 （もっと読む）

【課題】 残光による画像劣化を防止できるとともに、発光効率を改善した、蛍光を用いた表示装置を提供する。
【解決手段】 表示装置１に、励起光を吸収して可視光を発する蛍光体を含有する蛍光体部２Ｒ，２Ｇと、蛍光体部２Ｒ，２Ｇよりも前方に設けられ蛍光体部２Ｒ，２Ｇに含有された蛍光体から発せられた可視光を光量を調節して前方に透過させる光シャッター３と、蛍光体部２Ｒ，２Ｇに対応して設けられ蛍光体部２Ｒ，２Ｇに向けて蛍光体の励起光を発する光源４とを設ける。 （もっと読む）

【課題】 装置の構造を複雑にすることなく、可及的に少ない信号伝送路によって、配列される複数の発光素子を選択的に発光させることができ、かつ複数並べて用いるときに発光素子を一列に配列することができ、生産性が向上された発光装置およびこれを備える画像形成装置を提供する。
【解決手段】 スイッチ素子Ｔは、走査信号φに応答して、対応する各発光素子Ｌのゲート１９にトリガ信号を与え、発光素子Ｌはゲート１９にトリガ信号が与えられ、しきい電圧またはしきい電流よりも高い電圧または大きい電流の発光信号φが与えることによって発光する。各スイッチ素子アレイ１３は、各発光素子Ｔの配列方向Ｘおよび幅方向Ｙに発光素子アレイ１１の一方側および他方側に分割して配置され、各スイッチ素子アレイ１３の前記配列方向Ｘに沿って隣接した領域に、発光素子アレイ１１に沿って信号伝送路接続部７６が設けられる。 （もっと読む）