反射空洞中に位置付けられた半導体発光デバイスをパッケージングする方法が提供されている。第１の量の封入材料が、発光デバイスを備える反射空洞中に分配され、反射空洞中の第１の量の封入材料が硬化される。第２の量の封入材料が硬化された第１の量の封入材料の上に分配される。レンズが、反射空洞中に、分配された第２の量の封入材料の上に位置付けられる。分配された第２の量の封入材料が硬化され、レンズが反射空洞中に取り付けられる。
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【課題】光活性シートを作成する方法。
【解決手段】 導電性表面を有する底部基板が提供される。ホットメルト接着剤シートが提供される。ＬＥＤダイなどの光活性半導体要素が、ホットメルト接着剤シートにおいて埋め込まれる。ＬＥＤダイは、それぞれ、上部電極および底部電極を有する。透明導電層を有する上部透明基板が提供される。埋め込まれたＬＥＤダイを有するホットメルト接着剤シートは、積層体を形成するために、導電性表面と透明導電層との間に挿入される。積層体は、ホットメルト接着剤シートを溶融し、上部基板を電気的に絶縁して、底部基板に結合するために、加熱圧力ローラ・システムを通って進行する。ホットメルト・シートが柔らかくなるにつれ、ＬＥＤダイは分断され、それにより、上部電極は、上部基板の透明導電層と電気接触し、底部電極は、底部基板の導電性表面と電気接触する。それにより、各ＬＥＤダイのｐ側およびｎ側は、上部導電層および底部導電性表面と自動的に接続される。各ＬＥＤダイは、可撓性ホットメルト接着剤シート層の基板間において封入されて固定される。底部基板、ホットメルト接着剤（埋め込まれたＬＥＤダイを有する）、および上部基板は、材料のロールとして提供することができる。ロールは、連続ロール製作プロセスにおいて共にされ、ライティング材料の可撓性シートとなる。 （もっと読む）

【課題】発光層への注入電流を許容範囲に抑えつつ、発光効率を向上させることが可能な、半導体発光装置等を提供すること。
【解決手段】ＧａＮ系半導体からなるｐ−ＧａＮ層１０とｎ−ＧａＮ層１４とで多重量子井戸発光層１２を挟んだ量子井戸構造を有し、ｎ−ＧａＮ層１４側から光を取り出す構成としたＬＥＤチップ２において、ｐ側電極２４を以下の構成とした。ｐ側電極２４のｐ−ＧａＮ層１０に臨む面を、円柱状をした複数の凸部２４Ａが略一様に分散されてなる凹凸面２４Ｂに形成し、前記凸部２４Ａの頂部とｐ−ＧａＮ層１０を接合することとした。 （もっと読む）

本発明は、能動オプトエレクトロニクスを有する光学素子とモノリシックのオプトエレクトロニクスシステムとの組み合わせに関する。能動光学部品（２）を含むオプトエレクトロニクスウエハー（１）には（マイクロ）光学構造が備えられる。光学構造（１２、１３）は能動光学部品（２）に割り当てられ、すなわち、これらは能動光学部品（２）に影響を与え、および／もしくは、所望の方法でそこから発生する光に影響するように構成される。この目的のため、これらは光学部品に整列されるか、この目的を果たすべくその他の方法で調整されるかのどちらかである。組み合わされた能動光学部品／光学構造は、たとえば、光学構造を有する半導体ウエハーを少なくとも１つの能動光学部品（２）および少なくとも１つの光学構造（１２，１３）を含む部分に切断することによって分離される。
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発光ダイオード（ＬＥＤ）と光学的に透過性のカバーとＬＥＤを支持するためのベースとを含む発光ダイオード（ＬＥＤ）アセンブリ。光学的に透過性のカバーはＬＥＤをカプセル入りにし、このカバーのベース部を補強する補強材を含む。ベースは、ＬＥＤに電気的に接続されていて、ベースから延びる導線を含む。カバーを作るために少なくとも一つの支持フレームが実質的に剛性の材料のストリップ上に形成される。上記少なくとも一つの支持フレームはストリップの加工部分に接続される。少なくとも一つのレンズは加工部分に接続された少なくとも一つの支持フレームの上にオーバーモールドされる。オーバーモールドされた支持フレームは、ストリップの加工部分から取り外される。 （もっと読む）

本発明のＬＥＤ照明光源１００は、上面を有する基板２０と、基板２０の上面上に配列された複数のＬＥＤ素子１０と、各ＬＥＤ素子１０から発せられた光の少なくとも一部を反射する反射面を有する反射板３０とを備えている。そして、反射板３０は、樹脂と、樹脂よりも曲げ剛性の大きな材料から形成された骨格とを備えている。 （もっと読む）

本発明は、支持体エレメントと、該支持体エレメントに取り付けられておりかつ該支持体エレメントの接続電極に電気的に接続されている少なくとも１つの半導体素子であって、放射結合面を有している、電磁放射を放出するまたは検出するための半導体素子と、半導体素子に配属されている少なくとも１つの光学的な装置とを備えている光電モジュールに関する。放射結合面と光学的な装置との間に、放射透過性の、変形可能な材料から成っている接続層が配置されており、ここで光学的な装置および半導体素子は、これらが互いの方に向かって圧縮されるように相対的に相互に固定されておりかつこれにより接続層は、該接続層が光学的な装置および放射出力結合面を離れる方向に押そうとする力を生成するように押し潰されている。本発明はさらに、この種の光電モジュールを製造するための方法に関する。
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半導体発光デバイス（１２）用のサブマウントは、発光デバイス（１２）を受け取るように構成されたキャビティ（１６）をその中に有する半導体基板（１４）を含む。第１のボンドパッド（２２Ａ）は、キャビティ内で、キャビティ内で受け取られた発光デバイスの第１のノードに結合するように位置決めされる。第２のボンドパッド（２２Ｂ）は、キャビティ内で、その中で位置決めされた発光デバイスの第２のノードに結合するように位置決めされる。中実波長変換部材（３２）を含む発光デバイスと、それを形成するための方法もまた提供される。

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【課題】ベアチップの周囲のみに蛍光体膜を配した状態で、プリント配線板等に設けられた凹部底部に実装可能な半導体発光装置等を提供すること。
【解決手段】ＳｉＣ基板４の上面に結晶成長によって形成された発光層１４を含む半導体多層膜８〜１８からなるＬＥＤ６ａ，６ｂ，…，６ｃ，６ｄがブリッジ配線３０によって直列に接続されてＬＥＤアレイチップが構成されている。各ＬＥＤ６ａ〜６ｄを覆うように蛍光体膜４８が配されている。ＳｉＣ基板４の下面には、電気的に互いに独立した２個の給電端子３６、３８が形成されていて、直列接続されたＬＥＤ６ａ〜６ｄの内の、低電位側末端のＬＥＤ６ａのカソード電極３２と給電端子３６とがブリッジ配線４０およびスルーホール４２によって接続され、高電位側末端のＬＥＤ６ｄのアノード電極３４と給電端子３８とがブリッジ配線４４およびスルーホール４６によって接続されている。 （もっと読む）

表面実装発光パッケージは、上部及び下部の主表面を有するチップキャリアを含む。少なくとも１つの発光チップは、チップキャリアの上部主表面に取付けられる。リードフレームは、チップキャリアの上部主表面に取付けられる。付随する支持体に表面実装されるときに、チップキャリアの下部主表面はリードフレームが間に介在することなく付随する支持体と熱接触する。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの発光ダイオードチップ（１）と、高伝熱性材料、特に金属、からなるベース（５）を有する多層基板（１７）と、発光ダイオードチップ（１）の発光表面と基板（１７）との間に設けられる電気絶縁・伝熱接続層（２）と、を備えた発光ダイオードの構成に関する。
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１つの発光ダイ・パッケージが開示される。ダイ・パッケージは、基板、反射板、及びレンズを含む。基板は、熱伝導性ではあるが電気的には絶縁性の材料から、又は熱伝導性であり且つ導電性の材料から作ることができる。基板が導電性材料から作られる実施形態では、基板は、導電性材料上に形成された電気的に絶縁性であるが熱伝導性の材料をさらに含む。基板は、取り付けパッドにおいて発光ダイオード（ＬＥＤ）に接続するための複数のトレースを有する。反射板は基板に結合され、取り付けパッドを略囲む。レンズは、取り付けパッドを略覆う。動作中にＬＥＤから生成される熱は、基板（底部ヒート・シンクとして働く）及び反射板（上部ヒート・シンクとして働く）の両方によってＬＥＤから逃される。反射板は、ＬＥＤからの光を所望の方向に向けるための反射面を含む。

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【課題】異なる色の発光素子の組み合わせからなる半導体発光装置において、色むらの低減を図ること。
【解決手段】ＬＥＤチップアレイ（２）は、青色ＬＥＤ（６）と赤色ＬＥＤ（８）を有する。青色ＬＥＤ（６）は、ＳｉＣ基板（４）上に結晶成長によって形成されている。ＳｉＣ基板（４）上には、半導体プロセスによるボンディングパッド（４６）、（４８）が形成されている。赤色ＬＥＤ（８）は、青色ＬＥＤ（６）とは別途に作製され、前記ＳｉＣ基板（４）上の前記ボンディングパッド（４６）、（４８）にフリップチップ実装されている。 （もっと読む）