【課題】構造を肥大化させることなく、良好な光伝達効率または光量ムラ軽減が可能な光伝達素子を提供する。
【解決手段】基端面を光導入面９ａ、先端面を光導出面９ｂ、側周面９ｃを内向きの反射面とし、前記光導入面９ａから内部に導入した光を前記光導出面９ｂから射出する光伝達素子９であって、前記側周面９ｃに、内部を進む光が外部に漏れないように全反射される角度を限度として傾斜する凹凸面９ｃ１を形成した。 （もっと読む）

ｎ−型領域とｐ−型領域の間に設置された発光層を有する半導体発光装置は、発光層によって放射される光の光路に設置されたセラミック層と一体化される。セラミック層は、蛍光体のような波長変換材料で構成され、あるいはそのような材料を有する。本発明の実施例による発光セラミック層は、従来の蛍光体層よりも頑丈で、温度に対する感度が低い。また、発光セラミック層は、散乱が少ないため、従来の蛍光体層を超える高い変換効率が得られる。
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照明光源は、総光放射表面積Ｓ_０を有する少なくとも一つの光放射表面（２１２）全体に、光を放射するように適合された非コヒーレントな半導体光源と；前記非コヒーレントな半導体光源からの前記光を受光するように適合された、少なくとも一つの受光表面（２２２）、および第１の表面積Ｓ_１を有する光抽出領域（２２４）を有する光循環装置（２２０）と；Ｓ_１＜Ｓ_０の前記光抽出領域において、前記光抽出装置からの前記光を抽出する光抽出装置（２３０）と；を有する。このように、より小さな領域全体での光の分布によって、光の見かけの輝度が向上する。発光ダイオード（ＬＥＤ）を有する実施例について示した。
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【課題】発光層への注入電流を許容範囲に抑えつつ、発光効率を向上させることが可能な、半導体発光装置等を提供すること。
【解決手段】ＧａＮ系半導体からなるｐ−ＧａＮ層１０とｎ−ＧａＮ層１４とで多重量子井戸発光層１２を挟んだ量子井戸構造を有し、ｎ−ＧａＮ層１４側から光を取り出す構成としたＬＥＤチップ２において、ｐ側電極２４を以下の構成とした。ｐ側電極２４のｐ−ＧａＮ層１０に臨む面を、円柱状をした複数の凸部２４Ａが略一様に分散されてなる凹凸面２４Ｂに形成し、前記凸部２４Ａの頂部とｐ−ＧａＮ層１０を接合することとした。 （もっと読む）

発光面を有するエミッタ（７２、７２’、７２”）とエミッタ上に発光面を覆って載置された角錐集光器（１２）とを含む光源モジュールが開示されている。また複数の光源モジュールを含み、各光源モジュールが発光面を有するエミッタとエミッタ上に発光面を覆って載置された角錐集光器とを備える照明システムが開示されている。照明システムは照明対象（１７）と、少なくとも１つの光源モジュールと照明対象との間に配置された光学素子（１４、１８、１６、１９）系とをさらに含む。
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半導体発光デバイス（１２）用のサブマウントは、発光デバイス（１２）を受け取るように構成されたキャビティ（１６）をその中に有する半導体基板（１４）を含む。第１のボンドパッド（２２Ａ）は、キャビティ内で、キャビティ内で受け取られた発光デバイスの第１のノードに結合するように位置決めされる。第２のボンドパッド（２２Ｂ）は、キャビティ内で、その中で位置決めされた発光デバイスの第２のノードに結合するように位置決めされる。中実波長変換部材（３２）を含む発光デバイスと、それを形成するための方法もまた提供される。

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照射（４００）装置が、硬化させるか偏光によって配列を作ることなどによって第１の材料（６５０）を改質する放射線を発生するための複数の固体放射線源（１０４）を含む。固体放射線源（１０４）は、アレイパターンで配置することができる。対応するアレイパターンで配列された光学集中装置（１２０）が、対応する固体放射線源（１０４）から放射線を受ける。集中された放射線は、また対応するアレイパターンで配列された複数の光導波路（１３０）によって受けられる。各光導波路は、放射線を受けるための第１の端部（１３２）と、放射線を出力するための第２の端部（１３３）とを含む。固体放射線源（１０４）と電気的に通信する制御装置（３０４）が、該固体放射線源にパルス放射線を発生させる。放射線改質装置は、連続基板、シート、ピースパーツ、スポット硬化、および／または３Ｄ放射線硬化プロセスのために使用することができる。
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【課題】放熱性と光取出し効率とが改善されると共に、メタルワイヤーの影が被照射面に生じにくい半導体発光装置等を提供すること。
【解決手段】ＬＥＤベアチップ（半導体発光装置）２は、ｐ−ＧａＮ層１２、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸発光層１４、ｎ−ＧａＮ層１６からなる多層エピタキシャル構造６を有している。ｐ−ＧａＮ層１６にはｐ側電極１８が、ｎ−ＧａＮ層１６にはｎ側電極２０が形成されている。ｐ側電極１８側にあって、多層エピタキシャル構造６を支持すると共に、前記発光層１４からの熱を伝導するＡｕメッキ層４が設けられている。Ａｕメッキ層４は、ポリイミド部材１０を介して、電気的に２分割されている。分割された一方のＡｕメッキ層４Ａは、ｐ側電極１８と接続されアノード給電端子として構成されており、他方のＡｕメッキ層４Ｋは、配線２２を介して接続されカソード給電端子として構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤまたは白熱光源の放射エネルギのほぼ全部を効率的に集め、必要な照明分布を有する指向ビームとして投射する。
【解決手段】ＬＥＤまたは白熱光源を反射鏡の中の所定位置に置き、この場合、反射鏡は、その反射鏡によって画定される周辺部前方立体角内にＬＥＤまたは白熱光源から放射されたＬＥＤまたは白熱光源からの光を反射するように取り合わせられている。レンズをＬＥＤまたは白熱光源の縦方向前方に配置し、この場合、レンズは、そのレンズによって画定される中央部立体角内にＬＥＤまたは白熱光源から放射された光を所定のパターンに集光する。この組合せから成る装置は、中央部前方立体角内および周辺部前方立体角内に放射された光で構成された光のビームを投射する。 （もっと読む）

半導体発光装置用の実装基板は、半導体発光装置をその内部に実装するように構成されたキャビティをその１つの面に有する固体金属ブロックを含む。キャビティに絶縁被覆を設け、キャビティの絶縁被覆上に、半導体発光装置に接続するように構成された離間した第１および第２の導電性トレースを設ける。実装基板は、半導体発光装置をその内部に実装するように構成されたキャビティをその１面に含む固体アルミニウムブロックを設けることによって製造してもよい。この固体アルミニウムブロックを酸化して、その上に酸化アルミニウム被覆を形成する。キャビティの酸化アルミニウム被覆上に、第１および第２の離間した電気トレースを製造する。

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ＩＲカメラシステムには、アレイ状の熱チューナブル光学フィルタ画素と、ＮＩＲ源と、ＮＩＲ検出器アレイと、が含まれる。更に、ＩＲカメラシステムには、画像化対象シーンからのＩＲ放射線をアレイ状の熱チューナブル光学フィルタ画素に導くためのＩＲ光学系と、ＮＩＲ源からのＮＩＲ光をフィルタ画素及びＮＩＲ検出器アレイに導くためのＮＩＲ光学系と、が含まれる。ＮＩＲ源は、ＮＩＲ光をアレイ状の熱チューナブル光学フィルタ画素に導く。ＮＩＲ検出器アレイは、アレイ状の熱チューナブル光学フィルタ画素によって修正されたＮＩＲ光を受光し、また、ＮＩＲ検出器アレイが受光するＮＩＲ光に対応する電気信号を生成する。
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【課題】
【解決手段】 発光素子ベースのディスプレイ用方法及び装置が開示されている。ＬＥＤｓアレイが第１の位置に配置されており、特定の位置に移動する。ＬＥＤｓが特定された位置にあるかどうかを決定した後入力ディスプレイ信号を受信する。ＬＥＤｓはその入力ディスプレイ信号によって電圧印加される。ＬＥＤｓが端部位置にない場合は、ＬＥＤｓアレイを移動させるプロセスを繰り返す。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＤ素子１個あたりの光出力を増加させてＬＥＤ素子を主光源として使用可能にし、照明器具としての寿命を延ばす。
【解決手段】 商用電源からの交流電圧を、降圧を含めて整流および平滑などして所定レベルの直流の低電圧を得る図外のＬＥＤ電源供給部と、本体１１１、器具外郭１１２、ＬＥＤユニット１１３およびレンズ体１１４により構成される本体部とを備えた。ＬＥＤユニット１１３には複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）が実装される。レンズ体１１４にはＬＥＤの前方に配置されるレンズ１１４ｄが配置される。そして、ＬＥＤユニット１１３およびレンズ体１１４を、本体１１１および器具外郭１１２により構成される器体内部に収納し、その器体内部から取り外すことができるようにして、ＬＥＤユニット１１３を交換自在に構成される。 （もっと読む）