本明細書において、固体照明デバイスおよび関連する製造方法を開示する。一実施形態において、固体照明デバイスは、Ｎ型窒化ガリウム（ＧａＮ）材料、Ｎ型ＧａＮ材料から離間したＰ型ＧａＮ材料、ならびに直接Ｎ型ＧａＮ材料およびＰ型ＧａＮ材料の直接間にある窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）材料を備える発光ダイオードを含む。Ｎ型ＧａＮ材料、ＩｎＧａＮ材料、およびＰ型ＧａＮ材料のうちの少なくとも１つは、非平面を有する。 （もっと読む）

【課題】極性の影響を回避するとともに、結晶学的な表面が得られる素子形成用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】素子形成用基板の製造方法は、ａ−面またはｍ−面を主面とするＧａＮ基板１２０を準備するステップと、ＧａＮ基板１２０の主面をマスク１６０によってマスキングするステップと、マスキングされたＧａＮ基板１２０をエッチング液に曝して、結晶学的な表面を形成するステップと、を含む。エッチング液として、水酸化カリウム（ＫＯＨ）を用いることができる。素子形成用基板は、特に、半導体レーザダイオードの製造に用いることができ、結晶学的な表面を鏡面としてもちいることができる。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体部材の新規な加工技術を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体素子の製造方法は、（ａ）ウルツァイト構造を持ち、一方の面が＋Ｃ面でその反対側の面が−Ｃ面であるＺｎＯ系半導体基板と、ＺｎＯ系半導体基板の＋Ｃ面の上方にエピタキシャル成長され、第１の導電型を有する第１のＺｎＯ系半導体層と、第１の半導体層の上方にエピタキシャル成長され、第１の導電型と反対の第２の導電型を有する第２のＺｎＯ系半導体層とを含むＺｎＯ系半導体ウエハを準備する工程と、（ｂ）ＺｎＯ系半導体ウエハを酸性エッチング液でウエットエッチングすることにより、ＺｎＯ系半導体基板の−Ｃ面をエッチングする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板上に成膜されるＳｉエピタキシャル層中の結晶欠陥、特に双晶欠陥を低減する。
【解決手段】サファイア基板１０のＲ面１２上にエピ成長によりＳｉ膜１４を成膜する工程、Ｓｉ膜上にＳｉＯ₂膜を形成する工程、ＳｉＯ₂膜を格子状にパターニングして、被エッチング領域２４を形成する工程、ＳｉＯ₂膜パターン２２をマスクとして、ＫＯＨを含む溶液で被エッチング領域のエッチングを行い、ＳｉＯ₂膜パターン直下に、Ｓｉ膜由来のファセット面を有する成長用マスク前駆体２６を形成する工程、成長用マスク前駆体の表面に絶縁膜２８を形成して成長用マスク３０を作成する工程、及び露出したＲ面に選択エピ成長法で、成長用マスクで囲まれた領域を充填して、成長用マスクの高さよりも厚い単結晶Ｓｉ層４１を平坦に成長させる工程を備える。 （もっと読む）

【課題】 精度の高いマスクのアライメントを行うことができる半導体装置の製造方法を実現する。
【解決手段】 半導体基板１０の基板面１０ａに第１アライメントマーク１１を形成し、第１アライメントマーク１１の上方にその形状に対応した第２アライメントマーク１３が形成されるエピタキシャル層１２を基板面１０ａ上に形成する。続いて、ＫＯＨ溶液を用いてエピタキシャル層１２をエッチングすることにより、第２アライメントマーク１３が基板面１０ａである（１１０）面と異なる方位の（１１１）面に沿って優先的にエッチングされるので、エピタキシャル層１２の表面と第２アライメントマーク１３との境界を明確にすることができる。これにより、露光装置により第２アライメントマーク１３の位置及び形状を正確に認識することができ、精度の高いマスクのアライメントを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】
異方性ウエットエッチングしてエッチング難易面を形成することにより結晶方位精度の高いウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明によるウエハの製造方法は、オリフラを機械的にカットしたインゴット又はスライスしたウエハのオリフラ端面のみをウエハの材質及び使用したいオリフラ方位に適した異方性エッチング液でウエットエッチングを行うことにより、オリフラの結晶方位精度を高くすることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】光源の反射面として用いられる、優れた表面平滑度を有する半導体基板の４５度面を形成するための方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の｛１１０｝面又は｛１００｝面と結晶学的に等価な面を形成する方法が以下のステップを含んでいる。まず、｛１００｝面又は｛１１０｝面と結晶学的に等価な上面を有する半導体基板を用意する。次に、エッチング窓を有するエッチングマスクを、｛１００｝面又は｛１１０｝面と結晶学的に等価な面に形成する。エッチング窓は、半導体基板の＜１００＞方向又は＜１１０＞方向と結晶学的に等価な方向に対してある傾斜角度をなす向きの側壁を有する。傾斜角度は、０度より大きくて９０度より小さく、且つ４５度に等しくない。その後、エッチング窓を用いて選択的な異方性エッチング処理を行い、半導体基板に｛１１０｝面又は｛１００｝面と結晶学的に等価な面を形成する。 （もっと読む）