【課題】半導体装置の生産性を向上させる。
【解決手段】複数の第１電極１１、第２電極１２が設けられたプリント基板１０と、プリント基板１０上に搭載され、上面の外周に沿った第１列Ｌ１をなす複数の第１接続パッド２１及び第１列Ｌ１と平行かつ第１列Ｌ１よりも内側に離間した第２列Ｌ２をなす複数の第２接続パッド２２が設けられた半導体チップ２０と、第１電極１１、第２電極１２と第１接続パッド２１、第２接続パッド２２とを接続する第１ボンディングワイヤ３１、第２ボンディングワイヤ３２とを備え、半導体チップ２０の電源電圧端子、システムリセット端子は、第１接続パッド２１のいずれかが用いられ、複数の第２接続パッド２２と接続される第２ボンディングワイヤ３２は、複数の第１接続パッド２１と接続される第１ボンディングワイヤ３１よりも上方に設けられている。 （もっと読む）

【課題】ダイシング後にパッドの表面に接続される金属物の密着性を改善することができ
る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１の製造方法において、半導体基板１０の上方の層間絶縁膜３６
上に金属パッド４０を形成する工程と、酸素含有雰囲気内において熱処理を行い、金属パ
ッド４０の表面にアルミニウム又はアルミニウム合金を有する金属酸化膜４１を形成する
工程と、半導体基板１０を分割してチップを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 ボンディングパッドの下部に設けられた静電気保護ダイオードにおいて、ボンディングの際の衝撃に強く、より信頼性の高い保護ダイオードを提供する。
【解決手段】 半導体装置１００のように、ボンディングパッド下部の埋め込み層２をカソード、半導体基板と半導体エピタキシャル層３につくられた半導体基板１と同じ導電型をもつ低濃度不純物領域４をアノードとするダイオード素子を構成し、高濃度不純物層６と配線層８のコンタクトをボンディングパッド電極層１０と配線層８のコンタクトから離して設けてある。 （もっと読む）

【課題】
ワイヤボンディングする際に、チップが電子素子の放電により生成される電流により破損されることを回避できる電子素子の放電方法を提供する。
【解決手段】
本発明は、ワイヤボンダーの金属ピンを電子素子と電気的に接続された基板上の特定のボンディングエリアに電気的に接続させる。これにより、電子素子に蓄積された電荷をボンディングエリア及び金属ピンを介しワイヤボンダーへ流して放電させる。また、ワイヤボンダーのキャピラリーから突き出た金属ワイヤを金属ボールに形成し、キャピラリーを移動してこの金属ボールをボンディングエリアに電気的に接続させる。これにより、電子素子に蓄積された電荷をワイヤボンダーへ流して放電させる。さらに、本発明は半導体パッケージを提供する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の小型化と静電破壊耐圧の向上とを両立することができる半導体装置の保護回路を実現する。
【解決手段】 保護回路２３において、Ｐｃｈ保護用ボンディングパッド１６の下方にＰｃｈ保護ダイオード１４を、Ｎｃｈ保護用ボンディングパッド１７の下方にＮｃｈ保護ダイオード１５を個別に形成することにより、Ｐｃｈ保護回路２１及びＮｃｈ保護回路２２が形成されているため、各ボンディングパッドの下方に、作動しない保護回路が形成されることがない。これにより、保護回路２３が占める面積を小さくすることができ、半導体装置１０の小型化に寄与することができる。各ボンディングパッドの下方の領域を有効に利用しているため、Ｐｃｈ保護ダイオード１４及びＮｃｈ保護ダイオード１５の形成面積を増大させることができるので、静電耐圧を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体集積装置内で発生したノイズを他ブロックへの回り込みを低減し、かつ静電破壊防止効果の両立を実現するための半導体集積装置の製造方法を提供する。
【解決手段】端子に接続されるパッドを分離してパッド間はワイヤーで接続され、他の同一機能端子のパッドと接続する事で、分離によりノイズの回り込み低減と、パッド間接続によって静電破壊防止効果を両立させた半導体集積装置を実現できる。 （もっと読む）

【課題】保護回路を設けたりかつ集積回路に電気的ノイズをのせたりすること無く、ダミーパッドの帯電による絶縁破壊が発生しない半導体装置と半導体装置の絶縁破壊防止方法を提供する。
【解決手段】半導体基体２００と該半導体基体上２００に形成された内部回路４とを備えた半導体装置１において、前記内部回路４に接続されていないダミーパッド２１が、前記半導体基体２００に電気的に接続されたシールリング３に、電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高集積度を維持しつつ、静電耐圧の強化を実現した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に設置された複数のボンディングパッド（以下パッド）下層を含む上記半導体基板上に延在するＮ型の第１拡散層を備える。上記パッドのそれぞれに対応し、上記第１拡散層内に設けられたＰ型の第２拡散層を備える。上記パッドのうち第１電圧に接続されるパッドは上記第１拡散層と上記第２拡散層に接続される。上記パッドのうち信号が伝達されるものは、上記第２拡散層と接続される。上記信号が伝達されるパッドに接続された上記第２拡散層は上記第１拡散層と第１ダイオードを形成する。上記第１ダイオードは上記第１電圧にカソードが、上記信号伝達されるパッドにアノードが接続される。上記複数のパッドと上記第１拡散層、上記第２拡散層との接続は、コンタクトホールを介して行われる。 （もっと読む）