説明

Fターム[5F044HH04]の内容

ボンディング (23,044) | ワイヤショート防止 (110) | ボンディング時に補助部材を用いるもの (7)

Fターム[5F044HH04]に分類される特許

1 - 7 / 7


【課題】モールド樹脂注入時にワイヤが倒れることを防止し、チップエッジからワイヤまでの距離を大きくして絶縁距離を確保する電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】ワイヤで接続された制御チップとパワーチップがモールド樹脂10により封止された電力用半導体装置100であって、パワーチップは、ワイヤがウエッジボンディングされた接合部と、接合部の近傍に設けられたバンプとをその表面上に有し、ワイヤは、バンプの上を通って延びる。 (もっと読む)


【課題】電極パッド間を接合する際の接合不良を低減する。
【解決手段】パッケージ基体12上に第1半導体チップ13と第2半導体チップとが並設されている。第1半導体チップ13上には、Al膜32が露呈した電極パッド18が形成されている。第2半導体チップ14上には、Al膜42が露呈した電極パッド19が形成されており、Al膜42の表面上にAuバンプ44が形成されている。電極パッド18と電極パッド19との間を金線のワイヤ20を用い、ワイヤボンディング法で接続する際、第1ターゲットとしての電極パッド18上にボールボンディングを行い、第2ターゲットとしての電極パッド19のAuバンプ44上にステッチボンディングを行う。電極パッド18,19は、それぞれ複数形成されており、互いに接続される電極パッド18と電極パッド19とは、一対一に等しい距離で等間隔に配置されている。 (もっと読む)


【課題】半導体チップ上の同一の電極に複数本のワイヤを接続する構造において、電極面積を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、図3(a)〜図3(d)に示すように、半導体チップ1上の電極3にボールボンディングを行って接続部7aを形成した後、図3(e)〜図3(g)に示すように、インナーリード4aにウェッジボンディングを行う。続いて、図3(h)、図3(i)に示すように、ボール11bを接続部7aに直上から圧着するボールボンディングを行って接続部7bを形成した後、図3(j)〜図3(l)に示すように、インナーリード4aにウェッジボンディングを行う。 (もっと読む)


【課題】ループ形成のためのリバース動作に制約が生じる場合においても、形状ばらつきが小さく、ワイヤ量についての許容範囲が広くて安定したループを形成できるワイヤボンディング方法を提供する。
【解決手段】半導体チップのパッド19へワイヤ23を接合する第1ボンドと、パッケージ側のリード14へワイヤ23を接合する第2ボンドとの間に、ワイヤ23を繰り出すキャピラリ22の先端が曲げ形成点を経由するものであり、曲げ形成点が第1ボンドのパッド19と第2ボンドのリード14とを結ぶ直線方向においてパッド19を基準として半導体チップの中心側に位置し、かつ半導体チップの上部に一体的に設けられたガラス20より高く位置しており、キャピラリ22の先端が曲げ形成点を経由するまでにガラス20とワイヤ23との接触が起きる。 (もっと読む)


【課題】 可撓性フィルムからなるベース基板1上の全域に絶縁膜を配置した場合、ベース基板1に反り、歪み等の変形が生じる。
【解決手段】 可撓性フィルムからなるベース基板1の一表面に配線導体(バンプ接続用電極パッド2、配線3、ワイヤ接続用電極パッド4、メッキ用配線5)が配置され、前記可撓性フィルムの表面上に接着材12を介在して半導体チップ10が搭載される半導体装置であって、前記配線導体上に絶縁膜9を複数個に分割して配置する。 (もっと読む)


【課題】ワイヤボンディング用の金属線が半導体チップと当接することによって生じるショートや、ダイボンディング剤の這い上がりによるワイヤボンディング不良の発生を防止可能とした半導体チップ及びその製造方法並びに半導体装置を提供する。
【解決手段】ウエハに設けたスクライブラインに沿ってダイシングして半導体チップを形成するものであって、スクライブラインに沿ってウエハに設けたスクライブライン領域に、スクライブラインの伸延方向に沿った稜線を有する凸条体を絶縁材で形成した後にダイシングすることにより、半導体チップの外周縁に沿って凸条体の裾部からなる凸状壁を設ける。凸条体は、半導体チップの薄型化のためにウエハ裏面を研磨する研磨工程でウエハに接着剤を介して貼着した対向基板を剥離させる際に、スクライブライン領域に接着剤を残存させて形成する。 (もっと読む)


【課題】ボンディングワイヤが他の配線に接触するおそれをなくし、ボンディングワイヤのループの変形に起因する電気的なショートの発生を防止する。
【解決手段】基板1上に配設された信号配線パターン5aと、基板1上に固定された半導体チップ2とをボンディングワイヤ7により電気的に接続する際に、基板1に設けた絶縁状態にあるCuなどの配線パターン14上に、ボンディングワイヤ7と同一の材料からなる補強用のボンディングワイヤ12を設けて、信号配線パターン5aにボンディングした各ボンディングワイヤ7に対する補強用,支持用の支柱とする。 (もっと読む)


1 - 7 / 7