【課題】積層型半導体装置において、半導体装置の反りを抑制し、信頼性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板１１上にフリップチップ接続された半導体素子１２を有し、基板１１と半導体素子１２の間にはアンダーフィル樹脂１３が充填されている。半導体素子の外周部には接合ランド１４が設けられ、基板１１全域が樹脂１５により封止されている。また、樹脂１５上面から接合ランド１４に至る開口部１６か形成されている。 （もっと読む）

【課題】電子部品の各突起電極とそれぞれ対応する基板の各端子電極との接合時に、位置ずれを自動補正することを目的としている。
【解決手段】半導体素子に突起電極１１よりも高い位置合わせ突起１２が形成されていて、基板上の前記位置合わせ突起１２に対応して凹部１４が形成されていて、まず位置合わせ突起１２が、基板の前記凹部１４に挿入されたことにより変形し、前記突起電極１１が前記基板の配線電極１３に近づくように電子部品を横滑りさせて自動補正する。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュール及びその製造方法が開示される。
【解決手段】半導体モジュールは、外部接続端子を有する半導体パッケージ、及び外部接続端子と電気的に接続されたターミナルランドを有する印刷回路基板を含む。印刷回路基板は、前記ターミナルランドが露出されるように前記外部接続端子を収容して前記半導体パッケージよりも狭い幅を有する凹部を有する。従って、凹部に収容された半導体パッケージのエッジが印刷回路基板と接触されるので、半導体パッケージのエッジの破損が防止される。 （もっと読む）

【課題】
微細、狭ピッチなバンプを有する半導体素子をフリップチップで接続する際、半導体素子の位置ズレによる接続不良を防止し、装置の信頼性を確保する。
【解決手段】
接続用電極の周囲に、絶縁性樹脂によって形成された位置ズレ防止の為のガイドを設ける。半導体素子接続装置の位置決め誤差をδとする場合、ガイドの接続部側面の傾斜角をθとすると、前記絶縁性樹脂層の厚みをδｔａｎθ以上とする。 （もっと読む）

【課題】微細なピッチで電極端子が配置された半導体チップを、不良を生じさせることなく搭載可能な配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板１ａは、電極端子６及びバンプ７がペリフェラル配置された半導体チップ５を搭載するものであり、表層の配線３−１の表面が、表層の絶縁層２−１の表面よりも低く形成することで凹部が形成され、実装時に半導体チップ５のバンプ７が凹部に嵌り、位置ずれが抑制され、接続不良の発生が防止される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の実装構造に関し、回路配線基板上の電極のレイアウト等に簡単な改変を加えることで、鉛フリーはんだを用いた場合に発生し易いパッケージ外周部に於ける回路オープン不良を抑止して、信頼性が高い半導体装置の実装構造を提供する。
【解決手段】パッケージ型半導体装置１４に於ける電極１５と回路配線基板１１に於ける電極１２との間に鉛フリーはんだバンプ１６を介在して両者を接続した半導体装置の実装構造に於いて、半導体装置１４の実装エリア内の何れかの箇所好ましくは中心付近の少なくとも１箇所以上に設けられた位置決めバンプ１７と、半導体装置１４の各電極１５と対応して接続される回路配線基板１１の電極１２ははんだリフロー接続する為に加熱されてはんだ凝固点に達した際に各電極１２の中心座標が半導体装置１４の各電極１５の中心座標と略一致するように予め電極配設パターンを選択して形成される。 （もっと読む）

【課題】電極同士の位置ずれを接合時に解消することができる電極および半導体チップの電極接続構造を提供する。また、これら電極および電極接続構造を備えることにより、接続信頼性を向上させた半導体チップ、基板、半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１側には、突起状の電極１１Ａが形成されている。基板２側には、挿入開口部２２を有する電極２１が形成されている。電極１１Ａは、電極２１Ａの挿入開口部２２の開口縁に沿って、前記電極２１Ａの中心に向かう方向に摺動しながら挿入開口部２２に挿入されて、電極２１Ａと接続される。 （もっと読む）

【課題】電子部品を支持体に保持する際に、電子部品と支持体との位置ズレを抑制して、チップ間の導通不良を低減可能とする電子部品の保持構造及び電子部品の保持構造の製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品１０は、その一面に、一面と平行な断面における外接円の直径がＲａである胴体部５ｂと、一面と平行な断面における外接円の直径がＲａよりも大きいＲｂである先端部５ａとからなる突起部５を備え、支持体２０は、その一面側の内部に、一面と平行な断面における内接円の直径がＲｃであり先端部を収容可能な空洞部１６と、一面と平行な断面における内接円の直径がＲｃよりも小さいＲｄであり空洞部を外部に開口する開口部１５とからなる穴部を備え、Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄが、Ｒａ≦Ｒｄ、及び、Ｒｄ＜Ｒｂ≦Ｒｃの関係を満たし、穴部が空洞部に先端部を収容して突起部を保持する構成３０とする。 （もっと読む）

【課題】基板の平面方向の投影面積を減少させるように小型化しつつ、さらに、接続抵抗を小さくし、製造工程を少なくしたことで歩留まり向上及びコストの低減及び製造時間の短縮を実現した積層実装構造体を提供すること。
【解決手段】少なくとも一方の主面上に接合部が形成された複数の基盤１０１ａ、１０１ｂと、対向する基板１０１ａ、１０１ｂ上に形成された電極１０７ａ、１０７ｂとの間隙に配置されている弾性導電ボール１１０とを有し、中間基板１０３には貫通孔１２０が設けられ、接合部１０５ａ等によって基板同士が接合されることによって、弾性導電ボール１１０が貫通孔１２０において変形、埋没し、基板同士が電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】高密度化された電極を有する半導体チップが安定して結合される。
【解決手段】重心から外周部までの直線距離が略同一である充填路２と、充填路２と異なる領域に形成され、格子状に配列した複数のバンプ電極１が形成されたバンプ電極領域１ａと、を有する半導体チップ３と、半導体チップ３と複数のバンプ電極１を介して接合された回路基板と、結合された半導体チップ３と回路基板との間に、充填された封止樹脂と、が構成されることによって、封止樹脂の流入が制御される。 （もっと読む）

【課題】基板上に半導体装置を確実に固定するとともに、生産効率を向上させることが可能な半導体装置の実装方法を提供すること。
【解決手段】基板に形成された凹部に、該凹部の深さ寸法より厚み寸法が小さい半導体装置をフリップチップ実装する半導体装置の実装方法であって、凹部２４ａに半導体装置２０を仮固定した後、凹部２４ａの開口面積より小さく半導体装置２０の外形より大きい接触面を有するとともに、接触面と半導体装置２０とが接触している状態で、接触面と反対の面が凹部２４ａの開口している側の基板の表面より上方に位置するような厚みを有する介在部材３５を用い、該介在部材３５の接触面を半導体装置２０に接触させ、ボンディングツール３６により介在部材３５を加圧し、半導体装置２０を凹部２４ａに本固定することを特徴とする。 （もっと読む）

回路ボード（ＣＢ）上に実装された集積回路（ＩＣ）ダイを備えるＣＢアセンブリの熱伝導性を改善するための方法および装置。高熱伝導性（ＨＴＣ）素子が第１の端部上でダイの表面に取り付けられる。ダイがＣＢ上に実装される場合、ＣＢ内に形成された空隙がＨＴＣ素子の第２の端部を受け、ＨＴＣ素子の第２の端部がＣＢの一部分と接触する。ダイの動作中、ダイによって発生する熱は、ＨＴＣ素子から、およびＣＢ内に消散する。
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【課題】先にアンダーフィル用樹脂の塗布を行うフリップチップボンディングにおいて、導電性ペーストの導電粒子を節約すると共に電気的接続の信頼性を得る。
【解決手段】配線並びに所定の位置にパッド２が形成された配線基板１上に、パッド２を露出させたソルダーレジスト３を形成する。パッド２を囲んでソルダーレジストの形状がすり鉢状となるようにする。配線基板のパッド２上に、樹脂４に導電粒子５添加してなる導電性ペースト６を供給する。導電粒子５は重力により沈降する〔(ａ)〕。配線基板１を水平方向に振動させる〔(ｂ)〕と、導電粒子５はソルダーレジスト平坦部からすり鉢状形状の底の方へ滑落する〔(ｃ)〕。電極８上にバンプ９が形成された半導体チップ７を配線基板１上に搭載する。半導体チップ７に荷重を加えつつ、加熱して樹脂４を硬化させる〔(ｄ)〕。 （もっと読む）

【課題】信頼性の良好な半導体実装モジュールを実現する。
【解決手段】絶縁膜２３に設けられた絶縁膜不形成部２７と、この絶縁膜不形成部２７に設けられた接続ランド２８とを含んだ配線基板２２と、この配線基板２２に装着される半導体素子２４と、この半導体素子２４に接続されるとともに接続ランド２８と対応する位置に設けられたはんだバンプ２５ａ、２５ｂと、半導体素子２４と配線基板２２との間の隙間３２に充填された樹脂３３とを備え、接続ランド２８とはんだバンプ２５ａ、２５ｂとの間は、凹版転写によって形成された凹版転写導体３０ａ、３０ｂで接続されたものである。これにより、樹脂３３中のボイドやはんだ粒などの発生を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明はバンプを用いて半導体素子をフリップチップ実装を行うフリップチップ実装基板及びフリップチップ実装方法に関し、ボイドの発生を抑制することにより実装信頼性を高めることを課題とする。
【解決手段】基板本体２６上に、ソルダーレジスト３０と、半導体チップ１に設けられた中央バンプ３がフリップチップ接合される中央パッド２８とを有しており、前記半導体チップ１が実装された後にアンダーフィルレジン３５が配設されるフリップチップ実装基板において、前記ソルダーレジスト３０に中央パッド２８を露出させる中央開口部３２を形成すると共に、このソルダーレジスト３０の中央開口部３２を形成する縁部が中央パッド２８の外周部において一部重なった構成とする。 （もっと読む）

【課題】 基板間の接続強度面での接続信頼性に優れた接続端子を有する回路装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体基板（１）と、半導体基板（１）に設けられた導電性バンプ（２）と、回路基板（３）と、回路基板（３）に設けられ、先端が開口した中空の弾性体からなる導電性スプリング（４）と、を備え、導電性スプリング（４）は、回路基板（３）との設置面から漸次内径を拡大せしめたテーパ形状を有し、導電性バンプ（２）は、導電性スプリング（４）の開口部から嵌入し、導電性バンプ（２）の側面が導電性スプリング（４）の内側のテーパ面に接触することで半導体基板（１）と回路基板（３）とを電気的に接続せしめる。 （もっと読む）

【課題】精度の高い位置合わせが可能なデバイスの配置方法を提供する。
【解決手段】デバイスの配置方法は、界面を有するデバイスを備える工程を含む。上記界面上には、該界面の所定の領域に複数の調整機構が備えられる。上記デバイスにおける上記調整機構のそれぞれは、第１の濡れ性を有する第１領域と、該第１の濡れ性よりも低い濡れ性である第２の濡れ性を有する第２領域とを有する。複数の液滴は、上記デバイスの所定の領域において、上記調整機構の配置に対応した位置に供給される。それぞれの上記液滴おける少なくとも一部が上記デバイスの調整機構に対応する内部領域に接触して、上記デバイスが上記複数の液滴の配置に対して配置されるように上記液滴上に上記デバイスを配置する。 （もっと読む）

【課題】
内部応力が緩和され基板の端子と被接続部材の端子と接続信頼性に優れた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法、実装構造体の製造方法及び接着材を提供する。
【解決手段】
ＮＣＦ２５に設けられた第１の凹状部４０と、基板４の基板側入力端子列と基板側出力端子列との間の領域とが図４に示すように平面的に重なるようにＮＣＦ２５と基板４とを位置合わせする工程（Ｓ２）と、位置合わせされたＮＣＦ２５を基板４に配置する（貼り付ける）工程（Ｓ４）と、ドライバ側入力端子２３、ドライバ側出力端子２４がそれぞれ基板側入力端子１１ａ、基板側出力端子１４ａにそれぞれ平面的に重なるようにドライバＩＣ１７を位置合わせする工程（Ｓ５）と、位置合わせされたドライバＩＣ１７をＮＣＦ２５を介して基板４に実装する工程（Ｓ６）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】電磁放射線検出用の大規模アレイ型装置の製造に応用可能である、マイクロエレクトロニクスの分野の相互連結バンプを用いる異なる部材のハイブリッド形成方法及びその装置を提供する。
【解決手段】第１部材１に、突起物を収容するための第１パッド３を設けること、− 第２部材２に、突起物を収容するための第２パッド５を設けること、− 第１パッド及び／又は第２パッドに可融性材料からなる突起物４、及び少なくとも３つの大きな突起物６を設けること、− 第１部材及び第２部材を上下に配置すること、− 第１部材、第２部材、及びはんだ突起物から成るアセンブリの温度をはんだ付け温度にして、パッドの各ペアの第１パッドと第２パッドを、これらパッドに突起物をはんだ付けする事により相互連結すること、及び− 最後に、上記のようにして得られたはんだ付け連結部を冷却することを含むハイブリッド形成方法。 （もっと読む）

【課題】 接合基板の貼り合わせ所定位置に対して半導体部品を高精度で一括して貼り合わせることができる半導体部品接合装置および半導体部品接合方法を実現する。
【解決手段】 接合前の半導体部品７の位置と半導体部品接合位置とのズレ量を測長し、定盤１１上で定盤１１上の半導体部品７の位置を固定する固定ピン３を、上記ズレ量が所定値以下になるような半導体部品支持位置に配置し、上記固定ピン３で半導体部品７の位置が固定された状態で半導体部品７を半導体部品接合位置に接合させる。 （もっと読む）