【課題】 電子素子を所定の位置に実装するための新規な実装方法を提供する。
【解決手段】 分散媒２１と分散媒２１に入れられた１つだけの素子チップ２２とを含む液滴２０を、基板１０の一主面上に配置する工程と、液滴２０から分散媒２１を除去することによって、素子チップ２２を基板１０上に配置する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 セルフアライメントにより、重量の重い部品が基板に半田接合された半田付け実装構造を実現する。
【解決手段】 本発明のカメラモジュール構造は、プリント基板１に形成された基板電極２と、そのプリント基板１に実装されたカメラモジュール３に形成された実装電極４とが、半田接合部５を介して接合され、基板電極２と実装電極４とが、セルフアライメントにより位置合わせされている。そして、半田接合部５が、特性の異なる第１の半田６と第２の半田７から構成されている。 （もっと読む）

【課題】コーナー部の突起電極に加わる応力を抑制すると共に、プリント基板の面積の増大を抑制すること。
【解決手段】矩形形状を有するインターポーザ基板１１と，インターポーザ基板１１の表面上に設けられた半導体チップ１２と，インターポーザ基板１１の裏面上の第１の領域に設けられ、半導体チップ１２と電気的に接続するハンダボール１３と，インターポーザ基板１１の裏面上の第１の領域外のコーナー部に設けられ、融点が２５０度以上の補助ピン１４とを具備する半導体装置１０と、半導体装置１０が実装されたプリント基板２０と、補助ピン１４をプリント基板２０に固定するための接着部材２４とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】バンプ頭頂部の湾曲に起因するチップ搭載位置ずれを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１が回路基板５上にフェースダウンで搭載され、前記半導体チップ１と前記回路基板５との間隙に封止材料となる樹脂シート７が介在する構造の半導体装置であって、前記半導体チップ１上に、前記半導体チップ１上に形成されたバンプ３の全高よりも高い支柱４を複数個形成することにより、バンプ３が形成された直後の半導体チップ１の移送時におけるバンプ頭頂部の湾曲を防止することができ、半導体チップ１を回路基板５上に搭載する際、位置ずれを起こすことがない。 （もっと読む）

【課題】電子部品を搭載する基板の特定箇所に、電子部品の特定部位を正確かつ高速で位置決めする方法を提供する。
【解決手段】電子部品の特定部位に他の部位よりも強い磁性を付与し、この電子部品に所定方向から磁場を印加することにより、特定部位を所定方位に配列させる工程を有する位置決め方法。この方法において、基板の特定箇所もしくはその近傍に仮配置した電子部品に所定方向から磁場を印加する方法、および仮配置用部材の所定箇所に配置した電子部品に所定方向から磁場を印加した後、その配列状態を維持したまま電子部品を基板に移転させる方法が好ましい。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性に優れた電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置９９は、配線導体４を有した絶縁基体１の下面に、配線導体４と電気的に接続される電極バンプ２が設けられている配線基板３と、絶縁基板１１の上面に穴部１１ａを有し、穴部１１ａの底面に、電極バンプ２と電気的に接続される接続パッド１２が設けられている回路基板１４と、を備え、電極バンプ２の下部領域を穴部１１ａに挿入するとともに、該挿入部を導電性接続材２０を介し接続パッド１２に接合して電極バンプ２を接続パッド１２に電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】 冷熱耐久性を低下させることなく、半田接合不良を防止することができる電子回路装置及び電子回路装置の製造方法を提供することを提供すること。
【解決手段】 半導体パッケージ１０は、モールド体１１、ランド１２、絶縁性フィルム１３、半田材１５（充填半田１５ａ、半田ボール１５ｂ）などを備える。モールド体１１は、プリント基板２０と対向する面に中継材１４ａとなる金属粒子１４が分散された絶縁性フィルム１３を備える。この絶縁性フィルム１３は、ランド１２に対応する位置に複数の貫通穴１６を備え、充填半田１５ａが充填される。そして充填半田１５ａの露出面には、複数の半田ボール１５ｂが形成される。プリント基板２０は、複数のスルーホール２２、ランド２３が形成された基材２１を備える。そして、スルーホール２２内において半田ボール１５ｂとランド２３とが接合するように半導体パッケージ１０をプリント基板２０上に搭載する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子の実装方法に関するもので、電気的信頼性の高い実装の実現を目的とする。
【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、まず樹脂シート１０２の上面に電気絶縁性基材１０１を形成し、次にこの電気絶縁性基材１０１の上面にカバーフィルム１１０を形成し、その後このカバーフィルム１１０の上面から前記樹脂シート１０２に達する穴を形成し、次にこの穴に導電性ペースト１０４を充填し、その後前記カバーフィルム１１０を除去し、次に回路基板１０５に接続パッド１０６を形成し、その後この接続パッド１０６と前記穴の開口部とが接するよう前記回路基板１０５と前記電気絶縁性基材１０１とを接合し、次に半導体素子１０７の電極が前記穴内に収まるように前記半導体素子１０７を前記樹脂シート１０２側から前記回路基板１０５に押圧する半導体素子の実装方法としたものである。 （もっと読む）

【課題】小型で高密度、高機能な半導体システムを実現するため、複数の異なる半導体チップ間を貫通電極を用いて最短の配線長で三次元的に接続し、低ノイズな高速動作を可能とする方法について、公知例に対比して非常に低コスト、短ＴＡＴ、かつ常温での接合が可能で接続信頼性に優れた三次元の接続方法を提供する。
【解決手段】例えば、異なる上下の半導体チップの中間に上下チップ間を接続するためのインターポーザ基板を配した三次元のチップ積層構造において、半導体チップ及びインターポーザ基板裏面側に表層電極に達するまでの貫通孔を形成し、孔の側壁及び裏面側周囲に金属製のメッキ膜を施し、前記金属製のメッキ膜が施された貫通孔内部に、上段側に積層される半導体チップの金属製バンプを圧接によって変形注入させ、半導体チップ及びインターポーザ基板内に形成された貫通孔内部に前記金属製バンプを幾何学的にかしめて電気的に接続させる。 （もっと読む）

【課題】ロウ材の位置ずれを防止できる構造を具備し、不良が少なく、低コストの積層配線基板を提供するとともに、１回の熱処理によって複数の絶縁基板及び電子素子を同時に接合しても、ロウ材の位置ずれの少ない積層配線基板の実装方法を提供する。
【解決手段】第１の絶縁基板１ａ、第２の絶縁基板１ｂ、及び第３の絶縁基板１ｃをこの順に積層し、前記第１の絶縁基板１ａの表面に設けられた複数の接続用電極１２ｂと前記第２の絶縁基板１ｂの表面に設けられた複数の接続用電極２２ａとの間、及び前記第２の絶縁基板１ｂの他の表面に設けられた複数の接続用電極２２ｂと前記第３の絶縁基板１ｃの表面に設けられた複数の接続用電極３２との間、をロウ材４、５、６によってそれぞれ接合してなり、前記接続用電極の少なくとも一部に、接合時のロウ材４、５、６のずれを防止するためのロウ材保持部３を形成してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップ接合時の合わせズレを防ぐことができ、安定した接続を可能にする半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 パッド電極１を有する半導体基体２上に絶縁層３を形成する工程と、パッド電極１上の絶縁層３を選択的に除去して、絶縁層３にパッド電極１を露出させて凹部５を形成する工程とによって第１半導体チップ部６を作製し、第１半導体チップ部６の凹部５に第２半導体チップ部９のバンプ電極８を嵌入する工程と、バンプ電極８とパッド電極１とを接続して第１半導体チップ部６と第２半導体チップ部９とを接合する工程とを有する、半導体装置１０の製造方法、及びこの製造方法により得られる半導体装置１０。 （もっと読む）

【課題】 突起電極とランドの位置ずれを生じずかつその接続部に封止樹脂が空房を生じることなく充填されて電気的接続に高い信頼性を確保できる半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体素子１を回路基板２上にフリップチップ実装し、半導体素子１と回路基板２との間に封止樹脂７を充填して成る半導体装置において、半導体素子１の電極３に突起電極４を設け、回路基板２の突起電極４を接合するランド５に、突起電極４の先端部が挿入される凹孔８と凹孔８の内部空間を側方に開放する開放溝９を形成する断続環状突部などの位置規制突部６を設け、位置規制突部６にて突起電極４の位置ずれを防止し、開放溝９にて封止樹脂７が空房を生じることなく充填されるようにした。 （もっと読む）

【課題】電子部品を電子部品搭載用基板上に載置後に、振動、衝撃等の外力による載置位置からのずれを制御するとともに、ロウ材による電子部品電極と搭載用電極の接続ずれを低減した高信頼性の電子部品搭載用基板、電子装置および電子部品搭載用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品７と電気的に接続される搭載用電極３を有した絶縁基板５の主面に、電子部品の搭載領域よりも外方に、前記搭載用電極よりも厚みの厚い凸部２を形成してなる電子部品搭載用基板１をもちい、電子部品を４つの側面が凸部に沿って当接されるようにしてロウ材６を介して搭載する。 （もっと読む）

【課題】 エリアアレイ型電子部品を、電気的に接合される電子回路基板の接合位置に対して高精度に位置決め可能にする。
【解決手段】 電子回路基板１は、エリアアレイ型電子部品４の突起電極６に接続される複数個の電極ランド２を有し、最外周の少なくとも４隅に他の電極ランド２に比較して大きなアライメントランド２ａを設ける。一方、エリアアレイ型電子部品４は前記アライメントランド２ａに接合される低融点のはんだ材料からなるアライメント電極５を有し、それ以外の突起電極６を高融点のはんだ材料で構成する。リフローはんだ付け工程において、電子回路基板１とエリアアレイ型電子部品４間で、融点の差により、前記低融点のはんだ材料が先に溶融し、この優先溶融はんだ７の表面張力の作用により、エリアアレイ型電子部品４の接合位置決めが行われる。 （もっと読む）