パターニングされた基板上に改良された品質の窒化物の薄い薄膜を成長させる方法が開示され、窒化物薄膜は大気圧で成長する。パターニングされた基板と、パターニングされた基板からの１つ以上の窒化物層直接成長とを備え、横方向のエピタキシャルの成長のない領域、および、表面への発光デバイス品質の窒化物層の後の堆積に十分であるほど滑らかである実質的に合体した表面を備えている、窒化物テンプレートが開示される。窒化物薄膜を備えている発光ダイードもまた開示される。
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半導体構造は、窒化物半導体材料の第１の層、前記窒化物半導体材料の第１の層上の実質的に歪みのない窒化物中間層、及び前記窒化物中間層上の窒化物半導体材料の第２の層を含む。前記窒化物中間層は第１の格子定数を有し、アルミニウム及びガリウムを含むこと、並びにｎ型ドーパントで導電的にドープすることができる。前記第１の層及び前記第２の層は、全体として少なくとも約０．５μｍの厚さを有する。前記窒化物半導体材料は、前記第１の層が前記窒化物中間層の一方の側において、前記第２の層が前記窒化物中間層の他方の側で受け得るより大きい引っ張り歪みを受けることができるような、第２の格子定数を有することが可能である。
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【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えた素子が得られる、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、金属材料とＶ族元素を含んだガスとをプラズマで活性化して反応させることによってＩＩＩ族窒化物化合物からなる中間層１２を成膜し、該中間層１２上に、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなるｎ型半導体層１４、発光層１５、及びｐ型半導体層１６を順次積層する製造方法とし、前記Ｖ族元素を窒素とし、中間層１２を成膜する際の、前記ガス中における窒素のガス分率を２０％超９９％以下の範囲とする。 （もっと読む）

【課題】ウェハの反りを抑制しつつ、リーク電流を一層低減させることができる半導体電子デバイスを提供すること。
【解決手段】基板１上にバッファ層２，３を介して積層された半導体動作層４を備える電界効果トランジスタ１００において、バッファ層３は、Ａｌ組成が０．２以下の窒化物系化合物半導体を用いて形成された第１の層１１上に、Ａｌ組成が０．８以上の窒化物系化合物半導体を用いて形成された第２の層１２が積層された複合層１０を有する。 （もっと読む）

【課題】ガス導入部への反応生成物の付着を抑制することができるとともに、基板の表面における原料ガスの気相反応の均一性を向上することができるＭＯＣＶＤ装置およびＭＯＣＶＤ法を提供する。
【解決手段】成長室と、少なくともＩＩＩ族系ガスとＶ族系ガスと不活性ガスとを成長室に導入するためのガス導入部と、を備え、ガス導入部は、ＩＩＩ族系ガスを導入するためのＩＩＩ族系ガス導入孔と、Ｖ族系ガスを導入するためのＶ族系ガス導入孔と、不活性ガスを導入するための不活性ガス導入孔と、を有し、不活性ガス導入孔は、ＩＩＩ族系ガス導入孔とＶ族系ガス導入孔との間に配置され、不活性ガスの導入量をＩＩＩ族系ガスの導入量およびＶ族系ガスの導入量の少なくとも一方よりも少なくするための制御部を備えたＭＯＣＶＤ装置とその装置を用いたＭＯＣＶＤ法である。 （もっと読む）

低温度（ＬＴ）でマグネシウム（Ｍｇ）をドーピングした窒化物半導体の薄膜を堆積させることによって、改善された品質のデバイスを成長させるための方法である。該低温度でＭｇドーピングした窒化物半導体の薄膜は、５０ｎｍより大きい厚さを有し得る。多重量子井戸（ＭＱＷ）の活性層は、成長温度において成長させられ得、該ＬＴ Ｍｇドーピング窒化物半導体の薄膜は、該成長温度を超え、１５０℃以下である基板温度において、該ＭＱＷ活性層に堆積され得る。
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ハイドライド気相エピタキシャル成長法（ＨＶＰＥ）を用いたアルミニウムを含むＩＩＩ族窒化物薄膜の成長方法が開示され、その方法は、ＨＶＰＥ反応系内に耐腐食性材料を使用し、該耐腐食性材料を含んでいるＨＶＰＥ反応系の領域はハロゲン化アルミニウムと接触する領域であることを特徴とする使用工程と、アルミニウムを含む原料を有する原料ゾーンを所定の温度以上にまで加熱する工程と、耐腐食性材料を含むＨＶＰＥ反応系内でアルミニウムを含むＩＩＩ族窒化物薄膜を成長する工程とを施す。
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【課題】 良好な結晶品質の化合物半導体結晶を得ることができる化合物半導体の製造方法およびそれを製造する気相成長装置を提供する。
【解決手段】 本発明の化合物半導体の製造方法は、窒素原料と、少なくとも１種の窒素原料以外のＶ族元素を含むＶ族原料と、ＩＩＩ族原料とを用いて、窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を気相成長する化合物半導体製造方法であって、前記原料のいずれかに塩素を含む。 （もっと読む）

【課題】Ｖ族として窒素を含むIII−Ｖ化合物半導体を成長するためのプロセスウインドウを広げることが可能な結晶成長方法を提供する。
【解決手段】Ｖ族として窒素および他の元素を含むIII−Ｖ化合物半導体層を成長する方法では、III−Ｖ化合物半導体層を成長するための有機窒素原料Ｇ４をヒータ５９を用いて加熱して、有機窒素原料Ｇ４の少なくとも一部分を分解させる。有機窒素原料Ｇ４の少なくとも一部分を分解させた後に、分解された原料を有機金属気相成長炉５１の反応室５７に供給してIII−Ｖ化合物半導体層を基板Ｗ上に成長する。有機窒素原料は、ジメチルヒドラジン、モノメチルヒドラジン、およびターシャリブチルヒドラジンの少なくともいずれかを含む。 （もっと読む）

【課題】ｐ型層を得ることができ、しかも大面積にわたって均一にオキシカルコゲナイド系薄膜を成長させることができ、量産性に優れているオキシカルコゲナイド系薄膜の成長方法を提供する。
【解決手段】オキシカルコゲナイド系薄膜の成長に溶液気化ＣＶＤ法を用いる。例えば、ＹＳＺ基板やＭｇＯ基板などからなる基板１０１上にＣｕ薄膜１０２を形成した後、溶液気化ＣＶＤ法によりアモルファスＬａＣｕＯＳ薄膜１０３を成長させる。Ｌａ原料として例えばＬａ（ＥＤＭＤＤ）₃ 、Ｃｕ原料として例えばＣｕ（ＥＤＭＤＤ）₂ を用いる。成長温度は４００℃以下とする。この後、反応性固相エピタキシャル成長法によりアモルファスＬａＣｕＯＳ薄膜１０３を結晶化させ、結晶性ＬａＣｕＯＳ薄膜１０４を得る。 （もっと読む）

少なくともある程度のインジウムを含有する（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ核形成層を使用した有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）による、デバイス品質平面半極性窒化物半導体薄膜の成長を促進するための方法。具体的には、該方法は、反応容器に基板を装填するステップと、窒素および／または水素および／またはアンモニアのフロー中で基板を加熱するステップと、加熱された基板上にＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ核形成層を堆積させるステップと、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ核形成層上に半極性窒化物半導体薄膜を堆積させるステップと、窒素過圧下で基板を冷却するステップとを含む。
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【課題】成長用治具の熱の分布を均一にさせることにより、エピタキシャルウェハ内での結晶特性のバラツキを低減させる熱均一性成長用治具を提供する。
【解決手段】治具本体２の表面に基板３を保持し、治具本体２の裏面からヒーター４で加熱して基板３に結晶をエピタキシャル成長させる治具１において、治具本体２の裏面に多数の凹凸部５を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】作製条件に特段の制限を設けることなく、III族窒化物結晶における結晶品質の改善を実現する。
【解決手段】単結晶の基材１とその主面上にエピタキシャル形成されたIII族窒化物結晶膜からなる上部層２とで構成されたエピタキシャル基板１０を、窒素雰囲気下で１６５０℃以上の温度で加熱処理した。その結果、表面におけるピットが低減し、係る加熱処理がIII族窒化物結晶の表面平坦性の改善に効果があることが確認された。また、III族窒化物結晶内の転位密度が熱処理前の１／２以下となることも確認された。 （もっと読む）

半極性窒化物半導体薄膜の成長の前に基板上に、窒化物の核生成層または緩衝層を成長することを特徴とする、基板上に有機金属化学気相成長法 （ＭＯＣＶＤ）によって半極性窒化物半導体薄膜を成長するための方法。
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【課題】単結晶窒化物系半導体基板及びこのような単結晶基板と発光構造体とを用いた垂直型窒化物系発光素子を製造する方法。
【解決手段】最初の基板上にシード物質層が形成され、シード物質層から多機能性基板が成長する。多機能性基板上には窒化物系バッファ層が積層される。シード物質層は良質の単結晶窒化物系半導体基板の成長及び単結晶窒化物系半導体基板と発光構造体とを用いた高信頼性窒化物系発光素子の製造のために必要な高品質の多機能性基板の成長を優先してアシストし、窒化物系発光素子製作のとき、生産収率を高める。高品質の多機能性基板層は高温及び水素雰囲気で下部のシード物質層の変形と分解とを防止することができ、良質の単結晶窒化物系半導体基板を成長するために六方晶構造である単結晶または多結晶構造を有する。 （もっと読む）

特定のデバイス応用に対する所望の材料特性を同定するステップと、前記所望の材料特性に基づいて半極性成長方位を選択するステップと、選択された半極性成長方位の成長のための適当な基板を選択するステップと、前記基板上に平坦な半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎテンプレートまたは核形成層を成長するステップと、および前記平坦な半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎテンプレートまたは核形成層上に半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ薄膜、ヘテロ構造あるいはデバイスを成長するステップとを備えた半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ薄膜、ヘテロ構造、およびデバイスの成長と作製の方法が提供される。前記の方法を用いることにより基板表面に平行な、大きな面積をもつ半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ薄膜、ヘテロ構造、およびデバイスが実現できる。
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【課題】結晶欠陥の少ない高品質なＧａ含有窒化物半導体単結晶を提供する。
【解決手段】下記（ａ）〜（ｃ）の１以上を満たすＧａ含有窒化物半導体単結晶。（ａ）Ｇａ含有窒化物半導体単結晶に波長４５０ｎｍの光を照射して測定される最大反射率が２０％以下であり、最大反射率と最小反射率との差が１０％以内である。（ｂ）カソードルミネッセンス法により測定される転位密度の最大値と最小値の比（最大値／最小値）が１０以下である。（ｃ）時間分解フォトルミネッセンス法により測定される寿命が９５ｐｓ以上である。 （もっと読む）

【課題】 結晶品質の高い窒化物半導体を提供する。
【解決手段】 ホウ素を含有する窒化物半導体であって、基板１１上に、ホウ素の組成が０．０５未満の第１の窒化物半導体層１２，１４と、厚さが１０ｎｍ未満で、ホウ素の組成が０．０５以上０．５未満の第２の窒化物半導体層１３とを交互に積層し、第２の窒化物半導体層１３を第１の窒化物半導体層１２，１４で挟んだ多層構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 簡単な装置により、装置内の温度を均一にし、反応ガス及びセレン、硫黄との接触性を向上させる。
【解決手段】 装置内に雰囲気均一手段であるファン３を設けると共に、反応ガスの対流が円滑となる前記対象物の配置方法、即ち、複数の平板状の対象物２を一定の間隙を設けて、装置の長軸方向に平行に且つその板面を垂直に対象物を配置し、前記対象物群内部の内部流路、上部、下部、両側部のガス流路を有する方法により、各対象物が装置内の反応ガスと接触し易くなり、装置内の温度が均一になり、反応ガス及びセレン、硫黄との接触性が向上する。 （もっと読む）

【課題】３ｅＶ前後の禁止帯幅をもたらすＢＰ結晶層の形成方法が開示されていないため、リン化硼素（ＢＰ）及びＢＰ系混晶を利用した耐環境型半導体素子を提供できない問題を解決する。
【解決手段】気相成長法を用いて、室温での禁止帯幅を２．８ｅＶ以上で３．４ｅＶ以下とするリン化硼素（ＢＰ）層またはそのリン化硼素を含む一般式Ｂ_αＡｌ_βＧａ_γＩｎ_1-α-β-γＰ_δＡｓ_εＮ_1-δ-ε（０＜α≦１、０≦β＜１、０≦γ＜１、０＜α＋β＋γ≦１、０＜δ≦１、０≦ε＜１、０＜δ＋ε≦１）で表記されるリン化硼素（ＢＰ）系混晶層を具備する半導体素子を作製する。 （もっと読む）