【課題】 高温でエピタキシャル成長を行うことが可能なＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 両端に開口部を有する反応管１６内で原料ガスを反応させ基板３０上に炭化ケイ素薄膜を堆積させるＣＶＤ装置１０であって、反応管１６の一端の開口部から前記原料ガスを供給するミキシングチャンバ１４と、反応管１６の内部に設置され且つ基板３０を加熱するサセプタ２８と、反応管１６内で基板３０上を通過した前記原料ガスを反応管１６の他端の開口部から排出する排出管１８と、透過した光量を低減する不透明減光部材からなり、前記反応管内で生じた輻射光の光量を低減する拡散用減光シャワー板２４及び減光板５０と、を備えたＣＶＤ装置１０である。
である。 （もっと読む）

基板１２を反応管１１内に載置する工程の後、３族元素を含む第１の材料ガスを反応管内の基板上に供給する工程と、窒素元素を含む第２の材料ガスを反応管内の基板上に供給する工程と、を交互に行うことにより、窒化物半導体結晶を基板上に直接堆積する窒化物半導体の結晶成長方法である。第１の材料ガスに含まれる３族元素のモル数に対する第２の材料ガスに含まれる窒素元素のモル数の比は２００以上である。
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プロセシング中にウエハを加熱するための装置及び方法。該装置は、プロセシング領域を画定するプロセシング管を内部に収容するプロセスチャンバを有する。プロセシング管は第１及び第２の壁を有し、両者の間に中空キャビティ即ち通路が画定される。第２の壁には複数の孔即ち出口が形成され、中空キャビティとプロセシング領域とを連通させている。該装置は、プロセシング管に隣接した位置に複数の抵抗性加熱要素も有する。抵抗性加熱要素から放出される熱エネルギーが中空キャビティを通して流れるガスを加熱するように構成される。中空キャビティを通して流れるガスは、前記複数の孔を通して中空キャビティから流出し、対流の効果を利用してプロセシング管に配置されたウエハの温度を変化させる。
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【課題】高いシートキャリア濃度を維持しつつ高い電子移動度が実現された半導体素子等を提供する。
【解決手段】基板３の上に少なくともＡｌを含むIII族窒化物からなる下地層４を設けた上で、III族窒化物、好ましくはＧａＮからなる第１半導体層５と、ＡｌＮからなる第２半導体層６と、少なくともＡｌを含むIII族窒化物、好ましくはＡｌ_xＧａ_1-xＮであってｘ≧０．２である第３半導体層７が積層されてなる半導体層群を形成することにより、格子欠陥や結晶格子の不規則性などに起因した電子移動度の低下が抑制され、１５Ｋにおいて１×１０¹³／ｃｍ²以上のシートキャリア濃度と２００００ｃｍ²／Ｖ・ｓ以上の電子移動度とを有するＨＥＭＴ素子が実現される。 （もっと読む）

熱処理中に発生する基板のスリップ転位欠陥発生を少なくし、高品質な半導体装置を製造することができる熱処理装置、半導体装置の製造方法及び基板の製造方法を提供することを目的としている。基板支持体３０は、本体部５６と支持部５８とから構成されている。本体部５６は、多数の載置部６６が平行に延び、この載置部６６に支持部５８が設けられている。この支持部５８に基板６８が載置される。支持部５８は、基板平坦面の面積よりも面積が小さく、前記基板の厚さよりも厚いシリコン製の板から構成されており、熱処理中の変形が小さくなるようにしてある。また、支持部５８は、シリコン製であり、支持部５８の基板載置面には炭化珪素（ＳｉＣ）がコーティングされた層が形成されている。
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シリコンウェーハの表裏面をＳＣ−１液およびＳＣ−２液で洗浄した後、シリコンウェーハの表裏両面をＨＦ系溶液で洗浄して共に撥水面とする。この後、表面にシリコンのエピタキシャル層を成膜する。成膜後の積層欠陥を低減でき、裏面のクモリ発生を低減できる。または、シリコンウェーハの表裏面をＳＣ−１液およびＳＣ−２液で洗浄する。この後、シリコンウェーハの裏面をＨＦ系溶液で洗浄して撥水面とするとともに、その表面を純水洗浄して親水面とする。この後、表面にシリコンのエピタキシャル層を成膜する。表面マウンドを低減でき、裏面のクモリ発生を低減できる。 （もっと読む）

ケイ素クラスターを気相中で分裂させる、炭化ケイ素層の形成方法。ケイ素クラスターは、ＶＩＩ族含有成分等のケイ素エッチングガスにより分裂させることができる。本発明の方法により形成した層を有する半導体デバイスも開示される。
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