【課題】温度変更を迅速に行なうことが可能な気相成長装置および当該気相成長装置を用いた半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】気相処理装置１は、処理室４と、サセプタ２と、ヒータ５と、壁部冷却部材５２と、反応ガス供給部材９とを備える。サセプタ２は、処理室４の内部に表面が露出し、当該表面に基板８を搭載する。ヒータ５は、サセプタ２を加熱する。壁部冷却部材５２は、処理室４の壁面を冷却する。反応ガス供給部材９は、処理室４の内部に反応ガスを供給する。ヒータ５の昇温速度は１００℃／分以上であり、かつ、投入可能最大熱量は１０ｋＷ以上である。壁部冷却部材５２の冷却能力はヒータ５の投入可能最大熱量より大きい。反応ガス供給部材９は、水素ガスおよび窒素ガスの少なくともいずれか一方を含むガスを処理室４の内部に１００ｓｃｃｍ以上の流量で供給可能である。サセプタ２の熱容量は５０Ｊ／Ｋ以上５００Ｊ／Ｋ以下である。ヒータ５の熱容量は１０Ｊ／Ｋ以上１００Ｊ／Ｋ以下である。 （もっと読む）

【課題】高密度のゲッタリングサイトが形成された基板上に良質のエピタキシャル層を形成することができるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】エピタキシャルウェーハの製造方法であって、少なくとも、シリコン単結晶基板の表面に有機膜を形成する工程と、該有機膜を通してイオン注入することによって前記シリコン単結晶基板にイオン注入層を形成する工程と、前記有機膜を除去する工程と、前記有機膜を除去された表面上にエピタキシャル層を形成する工程とを有することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ヒータを通電加熱して半導体ウェハ上に薄膜を形成するなどの半導体製造プロセスの熱処理実行中に連続した状態でヒータ断線の予知情報を得て適切な対策を講じることができる半導体製造装置を実現すること。
【解決手段】加熱処理用のヒータを備えた半導体製造装置において、前記ヒータの駆動電流波形をサンプリングする手段と、このサンプリングデータに基づきヒータの抵抗値を求める手段と、駆動電流に重畳するノイズ成分の振幅を求める手段と、これらヒータ抵抗値とヒータ抵抗値上昇の傾きとノイズ成分の振幅に基づきヒータ断線予知アラームを判定する手段、を有することを特徴とするもの。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に緻密なダイヤモンド薄膜を形成させるためのシリコン基板及びその製造方法であって、１０００℃以上の高温でも孔形態が変化せず、核発生密度も維持でき、熱膨張係数差に伴う応力の緩和機構も備えたダイヤモンド薄膜形成用シリコン基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】サブミクロン〜ミクロンサイズの柱状多孔質層とナノサイズシリコン粒子層からなる２層構造を、所定濃度のフッ酸系電解液中で、シリコン単結晶基板を陽極酸化する電解酸化することによって、シリコン単結晶基板表面に設ける。 （もっと読む）

【課題】結晶性および平坦性に優れた半導体層を備えた光半導体素子を提供することにある
【解決手段】遅い成長速度の第１の層３１と速い成長速度の第２の層３２とを２組以上積層することにより、高い結晶性を維持しながら、上面の凹凸を大幅に低減したバッファ層３を形成することができる。この上に半導体層４，５を形成することにより、高い結晶性と平坦性とを兼ね備えた半導体層４，５を成長させることができる。よって、発光素子として用いた場合には発光強度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】誘導加熱により加熱対象物を加熱する加熱装置において、加熱対象物の温度分布を制御すること。
【解決手段】加熱対象物をその内部に収容する処理容器と、処理容器を囲むように設けられたコイルと、前記コイルに高周波を供給し、加熱対象物の周囲に誘導磁界を形成して、電磁誘導により加熱対象物を誘導加熱するための高周波電源と、コイルにより形成される前記誘導磁界中に設けられ、その周囲の誘導磁界を緩和して加熱対象物の温度分布を制御するための導体により構成される温度分布制御部材と、を備えるように加熱装置を構成する。例えば前記温度分布制御部材を、コイルに対して任意の位置に移動することができるように構成し、処理条件に応じてその位置を調整することで容易に温度制御を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】素子層全体を面内均一に低転位化させることができ、簡便に、低転位領域の大面積化を図ることができる化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１上にＳｉＣ層２をＣＶＤ法により形成する工程と、前記ＳｉＣ層２との界面まで達する深さの逆六角錐状または逆六角錐台状のピット５を複数有するＩｎ_WＧａ_xＡｌ_1-w-xＮ単結晶（０≦ｗ＜１、０≦ｘ＜１、ｗ＋ｘ＜１）からなる中間層３をＭＯＣＶＤ法により形成する工程と、Ｉｎ_yＧａ_zＡｌ_1-y-zＮ単結晶（０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１、ｙ＋ｚ＜１）からなる窒化物半導体単結晶層４をＭＯＣＶＤ法により形成する工程とを経て、化合物半導体基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】垂直方向への貫通転位が抑制されて、結晶品質が優れたＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＩＩＩ族窒化物層２上にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）なる組成のＥＬＯ成長層４が形成されてなり、ＥＬＯ（Epitaxial Lateral Overgrowth）成長層４は、ＩＩＩ族窒化物層２上に形成された炭素からなるマスクパターン３を用いて形成されたＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャル基板１０。 （もっと読む）

【課題】基板を処理する領域内にある炭化珪素製の部材の表面から外部拡散する金属元素による基板の汚染を生じにくくすることができる基板処理装置、熱処理用部材、及び熱処理用部材の製造方法を提供する。
【解決手段】熱処理装置１０は、基板５４を処理する領域内に、炭化珪素製の部材である支持具３０を有する。支持具３０は、表面が酸化によりシリコン酸化膜３０ｄに変化された後に、シリコン酸化膜３０ｄが除去されてなり、酸化は、支持具３０の酸化速度が、支持具３０内に含まれる金属元素の、支持具３０内での拡散速度よりも大きくなるような条件で行われる。 （もっと読む）

化学気相成長プロセス中半導体ウェハをサポートするサセプタは、反対に設けられている上面と下面とを有する本体を含む。サポートボスは、本体の下面から下方に延び、各サポートボスは、サセプタをサポートポスト上に載置するため、化学気相成長装置のサポートポストを受容するような大きさ及び形状に形成されたボス開口部を有する。
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【課題】熱処理中に発生する基板のスリップ転位欠陥、基板裏面傷の発生を抑制し、高品質な半導体装置（デバイス）や基板を製造することができる熱処理方法を提供する。
【解決手段】複数枚の基板を処理室に搬入する工程と、前記基板のエッジからデバイス作製領域に至るまでの領域に対応する裏面部分においてのみ前記基板と接触するよう炭化珪素から構成されてなるリング状の支持部により前記基板を略水平状態で間隔をもって縦方向複数段に渡って支持する工程と、前記処理室内にて、前記基板を前記支持部により支持した状態で、水素雰囲気のもと、１２００℃以上の温度で熱処理する工程と、熱処理後の前記基板を前記処理室より搬出する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】十分微細なパーティクルを検出することができる程度に高精度に平坦化された表面を有し、かつ、ダミーウエハはもちろん、高い表面平坦性が要求されるパーティクルモニタウエハとしても、比較的多くの回数にわたって繰り返し利用することができるモニタウエハ、およびこのようなモニタウエハの作製方法を提供する。
【解決手段】モニタウエハは、ＣＶＤ法で形成されたＳｉＣ結晶からなるＳｉＣウエハと、このＳｉＣウエハ上の最表層に設けられ、非透明性を有する膜と、を有する。非透明性を有する膜は、低圧気相成長法で形成された多結晶Ｓｉ膜である。 （もっと読む）

【課題】 雰囲気ガスたとえばアンモニア(NH₃)、酸素(O₂)、湿気(H₂O)などに対する耐ガス特性を向上させ、使用温度が１４００℃〜１７００℃において６ヶ月〜２年の長寿命に耐える気相成長装置用ヒーターを安価に提供する。
【解決手段】 グラファイトからなる基体を兼ねたヒーター本体部１０の外面に、保護被膜として第一層に熱分解窒化ホウ素(ＰＢＮ)２０を厚さは５０μｍ〜１００μｍに、第二層に熱分解グラファイト(ＰＧ)３０を１０μｍ〜５０μｍ厚さに、第三層(最上層)に炭化珪素(ＳｉＣ)４０を５０μｍ〜１００μｍ厚さに順次、積層することにより使用温度１４００℃前後でヒーター寿命を２年以上に延ばせる。１０℃／秒の急速加熱を行っても積層被膜間の層間剥離を生じにくい。 （もっと読む）

【課題】半導体生産性の向上と共に、気相成長反応の副生成物による金属部品の腐食を防止することを可能とする気相成長膜形成装置および気相成長膜形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる気相成長膜形成装置は、ウェーハＷが挿入されるチャンバ２と、前記チャンバ２内で前記ウェーハＷを所定の回転速度で回転させる回転駆動手段６と、前記ウェーハＷを加熱する加熱手段８と、前記チャンバ２内に気相成長膜を形成するための第一の原料ガスを供給する第一の原料ガス供給手段１１と、前記チャンバ２内に前記第一の原料ガスとは異なる第二の原料ガスを供給する第二の原料ガス供給手段１３と、前記チャンバ２内にキャリアガスを供給するキャリアガス供給手段１２と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 反応管内の高効率な金属汚染の低減を容易にする熱処理炉の空焼き方法を提供する。
【解決手段】 熱処理炉の反応管あるいは熱処理用部材の空焼きは、熱処理炉の反応管内に所定ガスを供給し、この所定ガスの反応管内でのガス圧力Ｐを大気圧より陽圧状態にして時間的に変動させ、上記反応管の加熱温度Ｔを例えば室温Ｔ_０から所要温度Ｔ_１に昇温し一定に保持して行われる。ここで、大気圧をＰ_０とし、基準陽圧をＰ_１として、ガス圧力Ｐは、Ｐ＝Ｐ_１＋α（ｔ）を満たすように周期的に変動させるとよい。このα（ｔ）は基準陽圧Ｐ_１を中心圧として、圧力変動幅α_０、変動周期β_０で周期的に変化する圧力変動因子である。 （もっと読む）

【課題】六方晶系の非極性面（ａ面、ｍ面）または半極性面で結晶成長させたＡｌＧａＮ混晶と、活性層に用いたＡｌＧａＮ結晶のＡｌＮとＧａＮのモル分率を最適化させ、発光効率を向上させ、低しきい値電流密度化を実現し、深紫外線波長のレーザ光を発生する。
【解決手段】ｍ面基板１０と、ｍ面基板上に配置され，ｎ型不純物をドープされたＡｌＧａＮ層（１２，１４）と、ＡｌＧａＮ層上に配置され，Ａｌ_XＧａ_1-XＮ障壁層とＡｌ_YＧａ_1-YＮ井戸層からなる量子井戸構造を有するＡｌ_XＧａ_1-XＮ/Ａｌ_XＧａ_1-XＮ活性層１６と、Ａｌ_XＧａ_1-XＮ/Ａｌ_XＧａ_1-XＮ活性層上に配置され，ｐ型不純物をドープされたＡｌＧａＮ層（１８，２０）とを備え、ｃ軸が結晶成長の主面の法線方向から４０°〜９０°の範囲内で傾いた面を結晶成長の主面とし、光の電界成分Ｅが主にｃ軸と平行（Ｅ//ｃ）なる偏光特性を示す紫外線窒化物半導体発光素子およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】比較的安価な多結晶ＳｉＣ基板を母材基板として歪みが少なく大型で結晶性の良い単結晶ＳｉＣ基板を安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ母材層２に所定厚さの表面Ｓｉ層３と埋め込み酸化物層４が形成されたＳＯＩ基板１に対し、表面Ｓｉ層３側からＰイオンを注入することにより、埋め込み酸化物層４をＰＳＧ層６に変成させて軟化点を低下させるＰイオン注入工程と、ＰＳＧ層６が形成されたＳＯＩ基板１を炭化水素系ガス雰囲気中で加熱して表面Ｓｉ層３をＳｉＣに変成させたのち冷却させて表面に単結晶ＳｉＣ層を形成するＳｉＣ形成工程とを行なう。 （もっと読む）

【課題】製造歩留り及び信頼性を高くする。
【解決手段】予め薄層化された結晶成長基板１４の裏面と支持基板１０の表面とをＩｎ１２を介して接着させた窒化物半導体結晶成長基板１５を用い、その結晶成長基板の表面に窒素ベース雰囲気中での有機金属気相成長法により窒化物半導体結晶層１６を形成し、ウェーハプロセス工程を行う。その後、結晶成長基板保持基板２０を窒化物半導体結晶層の表面に接着材１８を介して接着して、Ｉｎの融点以上の温度で加熱し支持基板を分離除去した後、結晶成長基板保持基板、接着材及び結晶成長基板を一括してダイシング２２を行う。 （もっと読む）

【課題】ウエーハに曇りを発生させず、鉄による汚染を低減させ、更にガス導入管が熱によって変形することが防止されている熱処理装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、炭化珪素で作製された反応管と、基板を保持するための熱処理用ボートと、基板を加熱するためのヒータと、雰囲気ガスを前記反応管内に導入するために前記反応管内に挿入されたガス導入管と、前記雰囲気ガスを排気するためのガス排気管とを有する熱処理装置において、前記ガス導入管は、前記熱処理装置内に挿入された部分は石英だけで作製されたものであって、かつ該ガス導入管の変形を防止するための保護管に覆われたものであることを特徴とする熱処理装置。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャル層のエピタキシャル成長を中断した部分の抵抗率の上昇を抑制できるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供すること。
【解決手段】 エピ成長炉内で複数回に分けてエピタキシャル成長を行なうことにより、ウェーハ上にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記エピタキシャル成長を中断して再開する前に、前記エピ成長炉内にドーパントガスを流入させるエピタキシャルウェーハの製造方法とする。 （もっと読む）