【課題】厚エピウェーハにおいて、エピタキシャル層の厚さ分布に起因して発生していたデバイス露光工程時のエッジショットを施す領域におけるデフォーカス不良を低減する。
【解決手段】チャンバ内に設けられた水平状態で回転するサセプタの上に複数枚のオリエンテーションフラット又はノッチ付き半導体ウェーハをサセプタ中心から一定の距離に位置しかつそれぞれ隣り合わせたウェーハの間隔が等間隔となるように水平に載置し、サセプタを回転させながらチャンバ内に水平方向に流れるように原料ガスを供給して、載置した複数枚のウェーハの表面にそれぞれ２０μｍ以上の厚さでエピタキシャル層を形成するエピタキシャルウェーハの製造方法の改良であり、ウェーハのオリエンテーションフラットの平坦縁又はノッチがサセプタ中心からの放射状方向に対して±４５度の角度に位置するように複数枚のウェーハをサセプタ上にそれぞれ載置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数のウェハをボートに乗せて熱処理を行う際に生じるウェハの反りによるウェハ間の接触傷等を防止する。
【解決手段】半導体製造方法は、複数枚のウェハ６０が乗せられたボート５０を熱処理炉４０内へ導入して、それらのウェハ６０を加熱する加熱工程と、熱処理炉４０からボート６０を導出し、センサ４３，４４により、複数枚のウェハ６０の反り方向を検出する反り方向検出工程と、反り方向が同一のウェハ６０を分別し、反り方向が同一のウェハ６０を別々のボートへ再収容する分別処理工程と、反り方向が同一のウェハ６０が収容されたボートを熱処理炉４０へ導入して、所定温度で熱処理を行う熱処理工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】反応炉への副生成物の付着を効果的に低減することのできる技術を提供する。
【解決手段】反応炉１内に処理対象のウェーハＷを収容し、ウェーハＷにエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウェーハをするエピタキシャルウェーハ製造方法において、ウェーハＷにエピタキシャル層を形成するためのトリクロロシラン（ＴＣＳ）を供給して気相成長させる気相成長工程において、トリクロロシランと共に塩化水素を供給するようにする。これにより、気相成長工程中に炉内に付着する副生成物を低減することができる。このため、気相成長工程後において副生成物の除去を行う必要性を低下させることや、副生成物を除去する頻度を低減させることができ、生産性の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】成膜工程における金属汚染を抑え、ウェーハ上に均一に成膜することができ、歩留の低下を抑えるとともに、半導体装置の信頼性の向上を図ることが可能なサセプタ、半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のサセプタ１１は、外径がウェーハｗの径より小さく、ウェーハｗの中心部を保持する第１のサセプタパーツ１２と、ウェーハｗの最外周を保持するスペーサ１４と、第１のサセプタパーツ１２とスペーサ１４を保持する第２のサセプタパーツ１３を備え、スペーサ１４の熱伝導率は、第１および第２のサセプタパーツ１２、１３の熱伝導率より低い。 （もっと読む）

【課題】支持基板の上に結晶性及び平坦性が高い窒素とガリウムを含む半導体層を有する半導体ウェハを提供する。
【解決手段】支持基板１と、上面２ｂが少なくとも単結晶となっているIII族窒化物系半導体の第１の窒化物系半導体層２と、第１の窒化物系半導体層２の上面２ｂに設けられ、窒素とガリウムを含む第２の窒化物系半導体層３とを備える。 （もっと読む）

【課題】熱処理の効果を損なうことなく、スリップ転位の伸展を効果的に抑制可能なシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】本発明によるシリコンウェーハの熱処理方法は、８００℃を超える温度領域においてシリコンウェーハを一定温度に保持することなく、シリコンウェーハを昇温させる昇温区間とシリコンウェーハを降温させる降温区間からなる昇降温プロセスを複数回繰り返すことを特徴とする。本発明によれば、スリップ転位が伸展しやすい８００℃を超える温度領域においてシリコンウェーハを一定温度に保持することなく昇降温を行っていることから、スリップ転位の伸展を抑制することが可能となる。しかも、昇降温プロセスを複数回繰り返していることから、加熱時における積算時間の確保も可能となり、シリコンウェーハに十分な高温熱履歴を与えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】成長面内における膜質および内部応力などが均一にして、完全性の高い、直径１インチ（２.５４ｃｍ）以上の大面積の単結晶膜を得ることができるエピタキシャルダイヤモンド膜および自立したエピタキシャルダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】排気系５１、マスフローコントローラ５２を備え、装置中央部には、水冷台５３上部に設置された下地基板４０の上方に、直流電源５６が接続された平板型陰極５５が配置され、さらに、接地と浮動電位との切り替えが可能に構成された可動式のＭo製シャッタ５７を備えた平行平板型対向電極直流プラズマＣＶＤ装置５０において、平行平板型対向電極５５間に発生する直流プラズマを用いて、エピタキシャルダイヤモンド膜および自立したエピタキシャルダイヤモンド基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】同一のＳｉＣ薄膜形成プロセスの進行中に、基板の前処理段階（昇温過程および高温過程）および基板上への薄膜の成長段階において、あるいは更に降温段階において、供給する炭化水素ガス種を瞬時に切り替えて、各段階に最適な種類の炭化水素ガスを供給できるＣＶＤによるＳｉＣ薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶の薄膜を成長させる基板１４を保持するサセプタ１２を内蔵したＣＶＤ反応容器１０、および該ＣＶＤ反応容器にそれぞれ接続されたＳｉ原料ガスの供給器２６および炭化水素ガスの供給器２８を備えたＳｉＣ薄膜形成装置において、上記炭化水素ガスの供給器は、それぞれ相互に独立して供給を制御可能な複数の炭化水素ガス源Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３に接続されている。 （もっと読む）

【課題】高純度で光学特性に優れた窒化アルミニウム単結晶基板を提供する。
【解決手段】無機ベース基板１１上に、第一の窒化アルミニウム単結晶層１２を成長させて、第一の積層体１５を製造し、第一の積層体１５から無機ベース基板１１を分離して窒化アルミニウム単結晶自立基板１６を準備する。前記窒化アルミニウム単結晶自立基板１６は、酸素濃度を、例えば、２．５×１０^１７ａｔｏｍ／ｃｍ^３を超え２．０×１０^１９ａｔｏｍ／ｃｍ^３以下とする。続いて、前記窒化アルミニウム単結晶自立基板１６の温度を１４００〜１９００℃の範囲に制御し、かつ、該窒化アルミニウム単結晶自立基板１６の窒素極性を有する面１４上に、ハロゲン化アルミニウムガス、および窒素源ガスを供給し、窒化アルミニウム単結晶層１７を成長させて積層体１８を製造し、該窒化アルミニウム単結晶自立基板１６を分離することにより、窒化アルミニウム単結晶基板１９を製造する。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶基板上に、欠陥密度が低く高品質なエピタキシャル層を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】バッファ層１２は、シリコン基板１１の格子定数と、エピタキシャル層１３の格子定数との間の格子定数をもつ、第３族元素と第５族元素との化合物が選択されればよい。例えば、エピタキシャル層１３が上述した３Ｃ−ＳｉＣから形成される場合、シリコン基板１１の格子定数０．５４３ｎｍと、エピタキシャル層１３の格子定数０．４３５ｎｍとの間の、０．４６９ｎｍの格子定数をもつ砒化ホウ素が好ましく選択される。 （もっと読む）

【課題】 三族元素の有機化合物やアンモニア等の反応活性な雰囲気下、１，２００〜１，４００℃に達する高温で、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、安定して使用可能なサセプタやその周辺部材を提供する。
【解決手段】 Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、ＡｌＮ６０質量％以上８５質量％以下、ＢＮ１５質量％以上４０質量％以下かつ１，４００℃のＮ_２中で６時間加熱した後の減量が０．１％以下のＡｌＮ−ＢＮ複合焼結体を用いる３−５族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。好ましくは、相対密度９８％以上かつＡlＮの最大粒径が４μｍ以下である３−５族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの跳ね現象を抑え、ウェーハ上に均一に成膜を行うとともに、歩留り、生産性の低下を抑え、半導体装置の信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造方法は、反応炉内にウェーハを搬入し、反応炉内に設置され、ウェーハを載置するための突き上げシャフトを上昇させて、突き上げシャフト上にウェーハを載置し、突き上げシャフトを上昇させた状態で、予備加熱により面内温度分布を制御して、ウェーハを凹状態とし、ウェーハが凹状態のまま突き上げシャフトを下降させてサセプタ上にウェーハを保持し、ウェーハを所定の温度に加熱し、ウェーハを回転させ、ウェーハ上にプロセスガスを供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上に各種薄膜を高速で連続的に形成することのできる連続薄膜の形成方法、形成装置、成膜ガラス基板及び半導体素子を提供する。
【解決手段】核形成ゾーン１１５には、第１の反応ガス１１を供給するための第１供給口１３１と排気するための第１排気口１３５が設けられており、結晶成長ゾーン１１６には、第２の反応ガス１２を供給するための第２供給口１３２と排気するための第２排気口１３６が設けられている。核形成に用いる第１の反応ガス１１と結晶成長に用いる第２の反応ガスとして、それぞれで好適な別種類の反応ガスを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン層のスリップ転位を防止するとともに特性を向上させる。
【解決手段】本発明の半導体基板の製造方法は、埋め込み酸化膜上にシリコン層が設けられた半導体基板の製造方法であって、膜厚が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の埋め込み酸化膜上にシリコン層のシード層を有するベース基板を準備する工程と、シード層を１０００℃以上１３００℃以下の温度でエピタキシャル成長させることにより、膜厚が１μｍ以上２０μｍ以下のシリコン層を形成する工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の不純物分析をするために、基板の主表面をエッチングして基板を処理するときのエッチングの精度を向上し、高感度にシリコン基板の不純物を分析することができる基板処理装置およびシリコン基板の不純物分析方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板の不純物の分析に用いる基板処理装置であって、少なくとも、被処理基板を保持するステージと、エッチング溶液を貯留する容器と、前記エッチング溶液の蒸気を前記基板の主表面に局所的に噴射するノズルと、前記ノズルを前記基板の主表面に沿って移動する移動機構と、前記容器から前記ノズルに前記エッチング溶液の蒸気を供給するエッチングガス供給管とを備え、前記ノズルおよび／または前記エッチングガス供給管の外側周囲に前記エッチング溶液の蒸気を加熱するヒーターが設置されているものであることを特徴とする基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板とその上に形成される窒化物半導体単結晶層との間に、ＳｉＮ_x層を生成することなく、低抵抗であり、窒化物半導体単結晶層の結晶性に優れた窒化物半導体基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ（１１１）基板１上に、ＴｉおよびＶのいずれか１種以上からなる金属膜を形成する工程と、前記金属膜を窒化して、ＴｉＮ、ＶＮおよび両者の化合物のいずれか１種以上からなる窒化物中間層２を形成する工程と、前記窒化物中間層上に、ＧａＮ（０００１）、ＡｌＮ（０００１）およびＩｎＮ（０００１）のうちの少なくともいずれか１種以上からなる窒化物半導体単結晶層３を形成する工程とを経て、窒化物半導体基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】個々の単結晶基板の反りに対する核生成層の最適な成長温度を設定することにより、ウェハ面内の結晶成長分布のバラツキを低減できる化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】複数元素からなる単結晶基板１に、核生成層２を形成し、その核生成層上に、単層或いは複数層の窒化物半導体層３を形成する化合物半導体エピタキシャルウェハ１０の製造方法において、核生成層２を形成する前に、単結晶基板１の反りα（μｍ）を測定し、核生成層２を形成する際の成長温度Ｔ（℃）を、単結晶基板１の反りα（μｍ）に対し、Ｔ＜４α＋１１８０とするものである。 （もっと読む）

【課題】コストメリットがあり、かつ、特性の優れた高周波動作用の半導体素子を実現できるエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】導電性を有するＳｉＣまたはＳｉからなる基材の上に、絶縁性を有する第１のIII族窒化物からなる下地層をＭＯＣＶＤ法によって、表面に実質的に非周期的な凹凸構造を有するようにエピタキシャル形成し、下地層の上に、ＧａＮからなるチャネル層をエピタキシャル形成し、チャネル層の上に、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ＜１）からなる障壁層をエピタキシャル形成する。 （もっと読む）

【課題】光の外部取り出し効率を向上させ、かつ素子の駆動電圧を低減させることのできる窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】支持基板上に形成された反射層と、反射層上方に順次積層されたｐ型窒化物系半導体層、発光層およびｎ型窒化物系半導体層とを含む窒化物系半導体発光素子であって、ｎ型窒化物系半導体層上方に位置する光取り出し面に凹凸が形成されており、凹凸は、成長用基板上にｎ型窒化物系半導体層、発光層およびｐ型窒化物系半導体層を成長した後に成長用基板を除去したｎ型窒化物系半導体層面上にｎ型窒化物系半導体層と同じ結晶からなる凹凸を設けることにより形成された窒化物系半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】 基板に曇りを生じることなく、ガス導入管の破損を防止しガス導入管を容易にガス供給管と接続できる縦型熱処理装置を提供することにある。
【解決手段】 少なくとも、反応管と、基板を保持するための熱処理用ボートと、基板を加熱するためのヒータと、反応管内に雰囲気ガスを導入するためのガス導入管と、ガス導入管と接続されるガス供給管と、反応管の下に設けられたフランジ体又は反応管に形成され、ガス導入管が挿通されるガスポート部を有する縦型熱処理炉において、ガス導入管とガス供給管の接続は、反応管外でジョイントを介して行われ、該ジョイントは少なくともフランジ部を有する金属製短管を有し、該金属製短管のフランジ部がガスポート部に設けられたフランジ部とＯリングを介して接続され形成された貫通孔に、ガス導入管が挿通されてジョイントでガス供給管と接続されたものであることを特徴とする縦型熱処理炉。 （もっと読む）