【課題】複数枚の基板に、ＳｉＣエピ膜を均一良く成膜出来る基板処理装置及び基板製造方法を提供する。
【解決手段】積層された基板１４を処理する反応室４４と、第１のガス供給系２１０ａ〜２１３ｂ，２２２，６０，６８と、第２のガス供給系２１０ｄ〜２１３ｄ，２６０，７０，７２と、第３のガス供給系２１０ｃ〜２１３ｃと、前記基板の積層方向に延在され、該基板の積層領域に１以上の第１、第２のガス供給口６８、７２を有する第１、第２のガス供給ノズル６０、７０と、第１のガス供給口から少なくとも前記Ｓｉ含有ガスと前記Ｃｌ含有ガスを前記反応室内へ供給し、前記第２のガス供給口から少なくとも前記還元ガスを前記反応室内へ供給し、前記第３のガス供給系が前記第１のガス供給口又は前記第２のガス供給口からＣ含有ガスを前記反応室内へ供給し、炭化ケイ素膜を形成する様制御するコントローラとを備える基板処理装置及び基板製造方法。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体からなる電子デバイスにおいてバッファ層に生じるリーク電流を抑制できる窒化物半導体エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】化合物半導体エピタキシャルウェハは、単結晶基板１０１と、前記単結晶基板上にエピタキシャル成長された核生成層１０２と、前記核生成層の上に成長された窒化物半導体の単層あるいは複数層からなるバッファ層１０３と、前記バッファ層の上にエピタキシャル成長された窒化物半導体のチャネル層１０４と、前記チャネル層の上にエピタキシャル成長された窒化物半導体のキャリヤ供給層１０５とから成り、かつ前記核生成層からチャネル層までの合計の膜厚が１μm以下であること。 （もっと読む）

【課題】発光層の材料としてＡｌＧａＩｎＮ系の材料、特に、ＡｌＧａＮ系の材料を用いつつ、深紫外光の発光強度を高めるための要素技術を提供する。
【解決手段】まず、サファイア面上にＡｌＮ層を成長する。このＡｌＮ層はＮＨ_３リッチな条件下で成長を行う。ＴＭＡｌのパルス供給のシーケンスは、ＡｌＧａＮ層の成長を１０秒間行った後に、ＮＨ_３を除くために５秒の成長中断を行い、その後にＴＭＡｌを１ｓｃｃｍ、５秒間導入した。その後は、再び５秒の成長中断を行った。以上のシーケンスを１周期として合計で５周期分だけ成長を行った。このように成長を行うことにより、Ａｌがリッチの極性を持たせることができる。尚、上記シーケンスは例示であり、種々の変形が可能であるが、基本的に、成長中断と、Ａｌソースの供給とを繰り返す工程により、Ａｌ極性を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長処理において、裏面デポジションの成長を抑えることにより、得られるエピタキシャルウェーハの平坦度を向上させるエピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長炉２内に付着したシリコン堆積物を塩化水素含有ガスによりエッチング除去するクリーニング処理工程と、クリーニング処理工程に引き続き、エピタキシャル成長炉内にシリコンソースガスを供給してサセプタ表面にグレーンサイズが０．７μｍ〜０．３μｍのポリシリコン膜を形成するポリシリコン成膜工程とを有することを特徴とするエピタキシャル成長方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの裏面の定義されたかつ有利な特性を有する半導体ウェハを提供すること
【解決手段】ａ） シリコン棒をウェハに切断することにより半導体ウェハを準備する工程、ｂ） 前記半導体ウェハのエッジを丸めることで、前記半導体ウェハは前面及び裏面が平坦な面とエッジ領域で丸められかつ傾斜する面とを有する工程、ｃ） 前記半導体ウェハの前面及び裏面を研磨し、前記前面の研磨は、研磨パッド中に固定された砥粒を有していない研磨パッドを使用する化学機械的研磨を有し、前記半導体ウェハの裏面の研磨は、それぞれ研磨パッド中に結合された研磨材料を有する研磨パッドを使用してかつ前記半導体ウェハの裏面に研磨圧力を加える３つの工程で行い、第１の工程では、固体を有していない研磨剤を前記研磨パッドと前記半導体ウェハの裏面との間に導入し、第２及び第３の工程では研磨材料を有する研磨剤を導入し、第１の及び第２の工程の８〜１５ｐｓｉの研磨圧力を、第３の工程では０．５〜５ｐｓｉに低下させる工程を有する半導体ウェハの製造方法 （もっと読む）

【課題】成長温度が1050℃以下のAlGaNやGaNやGaInNだけでなく、成長温度が高い高Al組成のAl_xGa_1-xNにおいても結晶性の良いIII族窒化物半導体エピタキシャル基板、III族窒化物半導体素子、III族窒化物半導体自立基板およびこれらを製造するためのIII族窒化物半導体成長用基板、ならびに、これらを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面部分がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板と、前記表面部分上に形成されたスカンジウム窒化物膜とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質であり所望の導電型や導電性に制御された炭化シリコン膜を低コストで効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化シリコン膜の製造方法は、不純物領域を有する炭化シリコン膜の製造方法である。表層にシリコン膜１６ａを有する基板１１のシリコン膜１６ａを炭化処理して、炭化された膜を含んだ炭化シリコン膜１３を形成する工程を有する。不純物領域になる部分のシリコン膜を炭化処理する前に、この部分に不純物を注入する。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ発光パターンを改善することにより、発光効率を向上させることが可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体素子）は、ｍ面に対してａ軸方向にオフ角度を有する面を成長主面１０ａとするｎ型ＧａＮ基板１０と、ｎ型ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に形成された窒化物半導体層２０とを備えている。上記ｎ型ＧａＮ基板１０は、成長主面１０ａから厚み方向に掘り込まれた凹部２（掘り込み領域３）と、掘り込まれていない領域である非掘り込み領域４とを含んでいる。また、ｎ型ＧａＮ基板１０上に形成された窒化物半導体層２０は、凹部２（掘り込み領域３）に近づくにしたがって層厚が傾斜的に減少する層厚傾斜領域５と、層厚変動の非常に小さい発光部形成領域６とを有している。そして、上記発光部形成領域６にリッジ部２８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 サファイア基板上又はＳｉ基板上に良質のＡｌＮ結晶を高速成長させることができるＡｌＮのエピタキシャル成長方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
第一ガス導入ポート１２から、ＨＣｌ＋Ｈ_２を導入し７５０℃以下でＡｌ金属とＨＣｌを反応させＡｌＣｌ_３を生成する。第二ガス導入ポート１４からＮＨ_３＋Ｈ_２を導入し混合部でＮＨ_３とＡｌＣｌ_３とを混合させる。混合したガスを基板部に輸送し反応させＡｌＮを生成する。混合部は原料反応部で生成されたＡｌＣｌ_３の石英反応チャンバー１８内での析出が起きない温度で、かつ、混合部でのＡｌＮの析出が起きない温度範囲８０℃以上７５０℃以下に保つ。基板結晶２４は、高周波加熱によって９００℃から１７００℃に維持される。この結果、基板結晶２４への途中でＡｌＮが析出してしまうことを防止し、ＡｌＮエピタキシャル成長速度が向上する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥密度が低減され、表面が平滑な窒化アルミニウム単結晶層を有する積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板１上に、アルミニウム原子に対する窒素原子のモル比が３０００以上７０００以下となるように原料ガスを供給し、第一の窒化アルミニウム単結晶層２を形成する第一成長工程、並びに、前記第一の窒化アルミニウム単結晶層２上に、アルミニウム原子に対する窒素原子のモル比が３０００未満となるように原料ガスを供給し、第二の窒化アルミニウム単結晶層３を形成する第二成長工程とを含むことを特徴とする積層体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 基材の熱伝導率よりも低い熱伝導率の膜で表面全体あるいは一部を覆うことで、被覆された部分の熱伝導を減少させ、周囲部材曲部や細部に熱応力が発生することを防止することが目的である。
【解決手段】 プラズマ環境に曝される耐食部材であって、耐熱基材１の表面の少なくとも一部を耐食性の高い膜で覆われており、前記耐熱基材１の熱伝導率よりも低い熱伝導率の膜で覆われている耐食部材である。 （もっと読む）

【課題】結晶成長時に結晶中に取り込まれる不純物量を低減して、Ａｌ含有率が高いIII族窒化物半導体を品質よく製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、組成式Ａｌ_ＡＧａ_ＢＩｎ_ＣＮで表され、Ａ＋Ｂ＋Ｃ＝１．０，Ｂ≧０，Ｃ≧０，０．５≦Ａ≦１．０である関係を満足するＡｌＧａＩｎＮ層１３が形成されたIII族窒化物半導体を製造する方法であって、反応炉１内に設置したダミー基板上に、組成式Ａｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＮで表され、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１．０，Ｙ≧０，Ｚ≧０，０．５≦Ｘ≦１．０であり、かつＹ≦Ｂ、Ｚ≦Ｃである関係を満足するダミー層を１１００℃以上の温度で形成する準備処理工程と、反応炉内からダミー基板を取り出し、ダミー基板とは異なる基板１１を反応炉１内に設置し、該基板１１上に、組成式Ａｌ_ＡＧａ_ＢＩｎ_ＣＮで表される前記ＡｌＧａＩｎＮ層を形成する第一製造工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ウェーハへの欠陥の発生を防止しつつ、ウェーハを適切に冷却することのできる技術を提供する。
【解決手段】反応炉内に処理対象のウェーハＷを収容し、ウェーハＷにエピタキシャル層を気相成長させ、その後、ウェーハＷを冷却することによりエピタキシャルウェーハを製造するエピタキシャルウェーハ製造方法であって、ウェーハＷをランプにより加熱しつつ、エピタキシャル層を気相成長させ、エピタキシャル層が形成された高温のウェーハＷをランプの出力を制御することにより、ウェーハＷの温度の冷却速度が所定の速度（例えば、３度／秒）以下となるようにしてウェーハＷを冷却する。 （もっと読む）

【課題】反応炉内圧力の制御を正確に行うことを可能とする半導体製造装置を提供する。
【解決手段】排気管８６のマニホールドとの接続側と反対側である下流側には、処理室から排気されたガスを冷却するガス冷却体９０および圧力調整装置９２を介して真空ポンプ等の真空排気装置９４が接続されている。また、圧力センサ９６は、ガス冷却体９０の上流側に設けられている。このようにして、処理室内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】生産性の維持を図りつつ、ウェーハにスリップが発生することを抑制することができるウェーハ熱処理方法を提供する。
【解決手段】略水平状態に配置される複数のウェーハＷを、上下方向にほぼ一定のピッチを空けて積み重ね、これらウェーハＷに対して所定の処理温度での熱処理を施すウェーハ熱処理方法において、ピッチをＰｍｍ、処理温度に対する昇降温レートをＲ℃／ｍｉｎとした際に、Ｒ≦０．０４５１×Ｐ^{１．５８８} …（１）の関係を満たす昇降温レートＲでもってウェーハＷに熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】300mm径以上、特に、450mm径の半導体シリコン基板を熱処理する際に発生が懸念されるスリップを低減させ、かつ基板上のパーティクルを抑制することができる半導体シリコン基板の熱処理治具およびその治具を用いた熱処理方法を提供する。
【解決手段】厚さが10〜50μm、かつ表面粗度Raが0.5〜2μmのクリストバライト化させた酸化膜を形成した熱処理治具を用いて、熱処理用のシリコン基板を支持し、熱処理をする。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ含有率が高いIII族窒化物半導体上にＧａＮ層が形成された積層体の製造時において、ＧａＮ層の形成直後から、その表面が平滑にされたIII族窒化物積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＡｌＧａＩｎＮ層１５とＧａＮ層１６とを有し、ＡｌＧａＩｎＮ層を組成式Ａｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＮで表した場合に、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１．０，Ｙ≧０，Ｚ≧０，０．５≦Ｘ≦１．０である関係を満足するIII族窒化物積層体を製造する方法であって、ＡｌＧａＩｎＮ層１５上にＧａＮ層１６を形成する工程を有し、ＧａＮ層を形成する工程において、ＧａＮ層の成長速度が０．２〜０．６μｍ／ｈ、III族原料に対するＶ族原料のモル比を示すＶ／III比が４０００以上である。このようにすることで、Ａｌ含有率が高いＡｌＧａＩｎＮ層１５上において、ＳＫモードではなく、疑似ＦＭモードでＧａＮ層１６を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】石英治具とその製造方法、及び半導体装置の製造方法において、半導体ウエハに欠けが発生するのを防止すること。
【解決手段】
鉛直上向きに開口した複数の溝１０ａの各々に半導体ウエハWを立てて保持する石英治具の製造方法１０であって、粒度の下限値と上限値とが予め定められたビーズを用いて、溝１０ａの底面に対してブラスト処理を行う石英治具の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】貫通転位が少なく、平坦性の高いIII 族窒化物半導体結晶を製造すること。
【解決手段】サファイア基板１０の凹凸が設けられている側の表面に、バッファ層を介して、ＳｉをドープしたＧａＮ層１１をＭＯＣＶＤ法によって形成した（図１（ａ））。ＧａＮ層１１のＳｉ濃度は１×１０¹⁸〜１×１０²⁰／ｃｍ³ とし、厚さは１μｍとした。次に、ＧａＮ層１１上に、ＭｇがドープされたＧａＮ層１２をＭＯＣＶＤ法によって形成した（図１（ｂ））。このＧａＮ層１２の形成において、温度、圧力等の成長条件については変更せず、ＧａＮ層１１形成時と同様の成長条件とした。また、Ｍｇ濃度は１×１０¹⁷〜１×１０²⁰／ｃｍ³ となるようにした。以上のようにして形成したＧａＮ層１２は、貫通転位の密度が低く、表面平坦性が高い良質な結晶である。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体を用いた紫外発光素子における発光効率を高める
【解決手段】Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮの電子ブロック層（厚さ２０ｎｍ）のｘ値が大きいほど（ａ〜ｃ）、２６０ｎｍ帯でのＰＬ強度が大きくなり、一方、Ａｌのモル比が０．８９（図の符号ａ）においては、２９０ｎｍ付近にブロードな発光ピーク、すなわちｐ−ＡｌＧａＮ層２１による発光ピークが観測されており、ＭＱＷからの電子のオーバーフローが生じていること、Ａｌのモル比が０．９７、１．０の場合には、この波長帯でのＰＬ強度はほとんど観測されず、高い電子ブロック層を用いることで、電子のオーバーフローが良好に抑制されていることがわかった。このように、Ａｌのモル比の高い、例えば、Ａｌのモル比として０．９５以上のＡｌ（Ｇａ）Ｎ電子ブロック層を設けることで、外部量子効率を高めるとともに、発光強度自体も高くすることができ、実用性の高い良好な値を得ることができることがわかる。 （もっと読む）