【課題】成膜処理する基板の歩留まりを向上できる技術を提供する。
【解決手段】ガス供給ノズル２３２１ａのクリーニング工程において、ガス供給ノズル２３２１ａからはエッチングガスＥＧが放出されるが、ガス供給ノズル２３２１ａとは別のガス供給ノズル２３２１ｂから希釈ガスを放出している。この結果、インナーチューブ２３０内の処理室２０１内へ放出されたエッチングガスＥＧが処理室２０１内に配置されたウェハ２００へ到達することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド基板上に、クラックが抑制され、かつ膜厚が厚い単結晶窒化物層を有する半導体積層構造を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド基板上に直接成長した窒化物層が多結晶となる上記課題を解決するため、本発明に係る半導体積層構造は、ダイヤモンド基板と、ダイヤモンド基板上の、Ｓｉを含む第１の層と、第１の層上の、単結晶窒化物で構成される第２の層とを備える。Ｓｉを含む第１の層をダイヤモンド基板と第２の層との間に設けることにより、第２の層の膜厚を大きくしても、第２の層を構成する窒化物を、クラックの抑制された単結晶とすることができる。したがって、当該半導体積層構造を利用することで、高いドレイン電流および出力電力密度を有する電界効果トランジスターを実現することが可能である。 （もっと読む）

【課題】複数のタイル基板を用いて主表面におけるピットの発生が少ない大型のＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、平面充填ができる三角形および凸四角形のいずれかの形状である主表面１０ｍを有するタイル基板１０を複数準備する工程と、タイル基板１０の頂点部が互いに向かい合う任意の点において互いに向かい合う頂点部の数が３以下であるように、複数のタイル基板１０を平面充填させて配置する工程と、配置された複数のタイル基板１０の主表面１０ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が少なく、かつ平坦性に優れた高品質の立方晶炭化珪素膜を容易に得ることができる立方晶炭化珪素膜の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１の表面を炭化させて下地層２を形成し、次いで、Ｓｉ基板１の下地層２上に原料ガスｇ２を供給しつつ、この原料ガス雰囲気にて立方晶炭化珪素層３をエピタキシャル成長させ、次いで、この立方晶炭化珪素層３の表面３ａをクリーニングして異物を除去し、次いで、この立方晶炭化珪素層３上に再度、原料ガスｇ２を供給しつつ、この原料ガス雰囲気にて立方晶炭化珪素層４をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】デバイス特性に優れたＨＥＭＴ構造またはＭＩＳ（ＭＯＳ）型ＨＥＭＴ構造の半導体素子を提供する。
【解決手段】基板２の上に少なくともＡｌを含むIII族窒化物からなる下地層(バッファー層)３を設けた上で、III族窒化物、好ましくはＧａＮからなる第１の半導体層(チャネル層)４と、少なくともＡｌを含むIII族窒化物、好ましくはＡｌｘＧａ１−ｘＮであってｘ≧０．２である第２の半導体層（電子供給層）６が積層されてなる半導体層群を有する半導体積層構造において、バッファー層３と第１の半導体層４とをＭＯＣＶＤ法で形成し、第２の半導体層６をＭＢＥ法で形成する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤや高電子移動度トランジスタなどのデバイス用として有用なＩＩＩ−Ｖ族窒化物品の提供。
【解決手段】自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板上に堆積したＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を含むホモエピタキシャルＩＩＩ−Ｖ族窒化物品であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が１Ｅ６／ｃｍ²未満の転位密度を有しており、（ｉ）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間に酸化物を有するか、（ii）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間にエピ中間層を有するか、
（iii）前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板がオフカットされており、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が非（０００１）ホモエピタキシャルステップフロー成長結晶を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 気相成長技術において、半導体膜の成長速度を速くする技術を提供する。
【解決手段】 １２００〜１４００℃に加熱されている基板の表面に、その表面に直交する方向から、塩化シランガスとキャリアガスとを含む混合原料ガスを供給する工程を有している。塩化シランガスの供給量は、基板の表面の１ｃｍ^２当たり２００μｍｏｌ／分以上である。キャリアガスは、アルゴン、キセノン、クリプトン及びネオンから選択される少なくとも１種類以上のガスと、水素ガスとを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】発光デバイスの発光の波長領域内における波長の光に関して低い吸収係数を有し、かつ、所定値以下の比抵抗を有し、その発光デバイスに好適なＧａＮ基板を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板１０は、波長が３８０ｎｍの光および波長が１５００ｎｍの光に関する吸収係数が７ｃｍ^-1以上であり、少なくとも波長が５００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光に関する吸収係数が７ｃｍ^-1未満であり、比抵抗が０．０２Ωｃｍ以下である。ここで、波長が５００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光に関する吸収係数を７ｃｍ^-1未満とすることができる。 （もっと読む）

【課題】欠陥のほとんどないシリコンエピタキシャル層を形成できるエピタキシャルウェーハの製造方法、当該方法により製造されたエピタキシャルウェーハ及び撮像用デバイスの製造方法を提供することを目的とする
【解決手段】前記シリコン基板に急速熱処理を施すことによって、少なくとも前記シリコン基板の表面から０．５μｍの深さまでの領域に存在するＲＩＥ法により検出される欠陥を消滅させるＲＩＥ欠陥消滅工程と、前記ＲＩＥ法により検出される欠陥を消滅させたシリコン基板の表面上に前記シリコンエピタキシャル層を形成する工程とを具備するエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＡｌＮ／ＧａＮヘテロ構造を有し、かつオーミックコンタクト特性の優れた半導体素子用のエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】半導体素子用エピタキシャル基板１０Ａが、下地基板１と、ＧａＮからなるチャネル層３と、ＡｌＮからなるスペーサ層４と、III族元素としてＩｎとＡｌとＧａとを含む障壁層５と、を備え、障壁層が、Ｉｎ_xＡｌ_1-xＮ（０＜ｘ＜１）からなるマトリックス層にＧａ原子がドープされ、障壁層のＧａ原子の濃度が１．２×１０²⁰ｃｍ^-3以下であるようにする。 （もっと読む）

【課題】 ＨＶＰＥ法を用いて、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮの結晶を成長させる場合に、結晶組成値ｘを速やかに且つ正確に設定することによって、組成グレーディングを容易に実現する。
【解決手段】 アルミニウム原料と、ガリウム原料と、アンモニア原料と、キャリアガスとを用いたＨＶＰＥ法によって、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮを結晶成長させる。この結晶成長装置１１０は、水素ガス供給ポート３０を備えている。この水素ガス供給ポート３０を介してＨ_２＋ＩＧガスを炉中に導入することによって、原料ガスの濃度は一定に保ったまま、水素ガスの濃度（分圧比）を調節する。その結果、成長部の水素ガス濃度（分圧比）を速やかに変化させることができるので、成長させる結晶中の結晶組成値ｘを所望の値に速やかに且つ正確に設定することができる。その結果、組成グレーディングを効率よく実行することができる。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板に不純物が均一にドーピングされた炭化珪素膜を成膜することができる半導体製造装置及び基板の製造方法及び基板処理装置を提供する
【解決手段】反応室内に延在されて設けられる第１のガス供給ノズル６０及び第２のガス供給ノズル７０と、第１のガス供給ノズルの基板の主面と平行であって、第２のガス供給ノズルの方向に１以上分岐され1以上の第１のガス供給口６８を有する第１の分岐ノズルと、第２のガス供給ノズルの基板の主面と平行であって、第１のガス供給ノズルの方向に１以上分岐され、1以上の第２のガス供給口７２を有する第２の分岐ノズルとを備え、第１のガス供給口と第２のガス供給口とが基板の積層方向に隣接するように設けられた基板処理装置によって課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】作業工数、特に、孔加工工数を低減することができる基板処理装置用の多孔板の製造方法を提供する。
【解決手段】予め多数の第１の貫通孔４２が形成されたカーボン基台４１の表面に、化学蒸着（ＣＶＤ）法によって、例えば厚さ５ｍｍのＳｉＣ膜４３を形成させ、その後、第１の貫通孔４２に対応する第２の貫通孔４４が多数設けられた表層の多孔ＳｉＣ膜４３を切り出し、加熱してＳｉＣ膜４３に付着したカーボンを燃焼、除去し、必要に応じて表面を研削し、また表面処理を施す。 （もっと読む）

【課題】 高耐圧化とカレントコラプス現象の低減ないしは解消との両立を可能とした窒化物半導体エピタキシャルウェハおよびその製造方法ならびに電界効果型トランジスタ素子を提供する。
【解決手段】 基板１と、前記基板１の上に形成された第１の窒化物半導体層３と、前記第１の窒化物半導体層３の上に形成された、前記第１の窒化物半導体層３よりも電子親和力の小さい第２の窒化物半導体層５とを有し、前記第１の窒化物半導体層３には、その表面から深さ方向に、近似式；ＮＦｅ＝Ａ×ｅｘｐ（Ｂ×Ｃ）、（ＮＦｅ：第１の窒化物半導体層における鉄濃度、Ａ：１Ｅ１４〜１Ｅ１７［ｃｍ^−３］、Ｂ：３〜８［μｍ^−１］、Ｃ：第１の窒化物半導体層における表面からの深さ）によって表わされる深さ方向プロファイルで鉄がドーピングされており、かつ前記第１の窒化物半導体層の表面側には、前記鉄の濃度よりも高い濃度でシリコンをドーピングしてなるシリコンドーピング領域４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＣ部材の表面近傍に残留している金属元素を、ＳｉＣ部材の破損を抑制しつつ、短時間かつ低コストで除去する。
【解決手段】 炭化珪素からなる部材が内部に露出した反応容器と、反応容器内を加熱する加熱部と、反応容器内に非酸化性ガスを供給するガス供給部と、反応容器内を排気する排気部と、反応容器内に非酸化性ガスを供給しつつ反応容器内を排気すると共に、反応容器内を処理温度に加熱して所定時間保持するように、ガス供給部、排気部、及び加熱部を制御する制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 成長用基板の上に形成する半導体層が薄くても、再現性よく半導体層から成長用基板を分離する方法が望まれる。
【解決手段】 表面に凹凸が形成された成長用基板の、該表面の凸部の上面に離散的に分布し、化合物半導体からなる複数の支柱を形成する。支柱によって成長用基板の上に支えられ、化合物半導体からなる半導体層を形成する。半導体層の上に、支持基板を接着する。成長用基板を半導体層から分離する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハの端面に角張った形状の結晶層を成長させることなく、半導体ウエハ上に厚い単結晶層を成長させることができる技術を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハ１０上に単結晶層３０が形成されたエピタキシャルウエハの製造方法であって、平坦な上面１２と、平坦な下面１４と、上面１２と下面１４を接続する端面１６を有する半導体ウエハ１０の端面１６上に、アモルファス層２０を形成するアモルファス層形成工程と、アモルファス層形成工程後に、半導体ウエハ１０の上面１２上に、８０μｍ以上の厚みを有する単結晶層３０を気相成長させる単結晶層形成工程を有する。 （もっと読む）

【課題】誘導加熱方式を使用した基板処理装置を構成する被誘導体の破損を抑制できる技術を提供する。
【解決手段】本発明では、サセプタ２１８Ｈの上段にさらに、少なくとも、ダミーサセプタＤＭＹ１が配置され、または、サセプタ２１８Ｌの下段に、さらに、少なくとも、ダミーサセプタＤＭＹ３が配置されている。これらのダミーサセプタＤＭＹ１、ＤＭＹ３には、ウェハ２００が搭載されておらず、サセプタ２１８Ｈもしくはサセプタ２１８Ｌに載置されたウェハ２００を加熱する。 （もっと読む）

【課題】基板の異物付着を低減し、生産性を向上させることができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内に収納された基板を加熱する加熱部と、加熱部近傍の温度を検出する第１の温度検出部と、第１の温度検出部よりも基板の近傍に位置し、基板近傍の温度を検出する第２の温度検出部と、基板が入炉されてから所定時間内の加熱部の加熱制御を第１の温度検出部の検出温度に基づいて行う制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板上に高品質なＩＩＩ族窒化物を結晶成長させ、高品質な半導体装置を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】直接窒化されたサファイア基板２上のＡｌＮ層にラジカル源５から窒素ラジカル又は窒素イオンを含む気体を所定時間照射する。その後、成長させるＩＩＩ族窒化物の構成元素からなるターゲット３ａに窒素雰囲気中でパルスレーザ光を照射するＰＬＤ(パルスレーザ堆積)法によってＩＩＩ族窒化物を結晶成長させることにより、極めて高品質なＮ極性結晶を得ることができる。 （もっと読む）