【課題】Ｎ型の超低抵抗率（２ｍΩ・ｃｍ以下）のシリコン単結晶基板を用いた、ミスフィット転位の発生を抑制することができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法とシリコンエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】少なくとも、チョクラルスキー法によって育成したシリコン単結晶棒を加工してシリコン単結晶基板を作製し、該シリコン単結晶基板の主表面上にシリコン薄膜を気相成長させるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、前記チョクラルスキー法で前記シリコン単結晶棒を育成する際に、該シリコン単結晶棒に抵抗率が２ｍΩ・ｃｍ以下となるように燐をドープし、かつ前記シリコン薄膜の気相成長前に、前記シリコン単結晶基板に対して前記燐の拡散長が０．２４μｍ以上となるように時間と温度を調整した熱処理を行うことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

本発明は、ガス分配装置およびこれを備える基板処理装置に関するものであり、少なくとも２種以上のプロセスガスを相異なるルートを介して基板の上に噴射する第１のガス分配部と、少なくとも２種以上のプロセスガスの分解温度の平均よりも高い分解温度を有するプロセスガスを基板の上に噴射する第２のガス分配部と、を備え、第１のガス分配部は少なくとも２以上に分割されて第２のガス分配部を中心として配置され、互いに結合および分離可能なガス分配装置およびこれを備える基板処理装置を提供する。
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【課題】シリコン薄膜にミスフィット転位が発生しにくい超低抵抗率のシリコンエピタキシャルウェーハとこれを低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、シリコン単結晶基板と、該シリコン単結晶基板の主表面上に気相成長によって形成されたシリコン薄膜からなるシリコンエピタキシャルウェーハであって、前記シリコン単結晶基板は、抵抗率が２ｍΩ・ｃｍ以下で、かつ燐及びゲルマニウムが、前記燐の濃度〔Ｐ〕と前記ゲルマニウムの濃度〔Ｇｅ〕の比〔Ｇｅ〕／〔Ｐ〕が、０．５５≦〔Ｇｅ〕／〔Ｐ〕＜１．５となるようにドープされたものであることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。 （もっと読む）

【課題】近赤外線放出源によって加熱され近赤外放射に対して透過性の処理チャンバ内で熱処理を行っている間に、回転サセプタの円形のポケット内にある半導体ウェハの不適正な位置を識別する方法において、サセプタのポケット内の半導体ウェハの実際の位置を求め、誤差が発生している場合にはこの誤差およびその原因を検出して解消すること。
【解決手段】パイロメータによって検出される測定スポットの一部は前記半導体ウェハ上であり、該測定スポットの一部は該半導体ウェハの外側であって前記回転サセプタ上であるように前記パイロメータを方向決めし、前記半導体ウェハの不適正な位置とは、前記回転サセプタのポケット内の偏心位置である方法。 （もっと読む）

【課題】従来よりも結晶品質の優れたIII族窒化物結晶およびその形成方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物結晶の形成方法が、所定の基材の上に全III族元素におけるＡｌの割合が８０モル％以上である第１のIII族窒化物からなる下地層２をエピタキシャル形成する下地層形成工程と、下地層２を基材ともども下地層２の形成温度よりも高くかつ１２５０℃以上の加熱温度で加熱する熱処理により下地層２の表面形状を変換する表面形状変換工程と、表面形状変換工程を経た下地層２の上に第２のIII族窒化物からなる結晶層４をエピタキシャル形成する結晶層形成工程と、を備える。このような界面構造のもとでは、成長下地層２に元から存在する転位、あるいは界面で新たに発生した転位ｄが内部を貫通し、島状結晶２Ｉの側面２Ｓにまで達していたとしても、空隙５の存在ために該転位ｄはその場所が終端ｔとなり、結晶層４へは伝搬しない。 （もっと読む）

複数のウェハ上に薄膜を同時に堆積できるようにするエピタキシャルリアクタを開示する。堆積中、狭い間隔で配置された複数のウェハキャリアプレートを含むウェハスリーブ内に複数のウェハを収容してプロセス容積を最小限に抑える。プロセスガスをウェハスリーブの内部容積に優先的に流入させ、これを１又はそれ以上のランプモジュールによって加熱する。パージガスをリアクタチャンバ内のウェハスリーブの外側に流してチャンバの壁への堆積を最小限に抑える。また、ランプモジュール内の個々のランプの照射のシーケンシングにより、ウェハスリーブ内の堆積速度の変化の直線性をさらに改善することができる。均一性を改善するために、プロセスガス流の方向をクロスフロー構成に変更することができる。複数のリアクタシステム内でランプシーケンシングをクロスフロー処理と組み合わせることにより、膜が良好に均一化した高スループットの堆積及びプロセスガスの効率的使用が可能となる。 （もっと読む）

【課題】非極性ＩＩＩ族窒化物層を有する多層構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に複数の核形成層を形成する工程と、該核形成層上に非極性ＩＩＩ族窒化物層を形成する工程とを備え、複数の核形成層がそれぞれ独立して下記式（Ｉ）で表される窒化物から選択される。


上記式において、ＡとＢは異なっており、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、ＩＮ又はＴｌから選択され、且つ０≦ｘ≦１である。該複数の核形成層によって、応力の緩和、格子不整合（ｍｉｓｍａｔｃｈ）の減少、転位延長の阻止、転位密度の低減に有利になるため、表面が平坦で且つ結晶品質の良いＩＩＩ族窒化物層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】電子のトラッピング現象を緩和すると共に、ヘキサゴナル欠陥の発生を抑制可能な窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に核生成層２を形成し、その核生成層２上に第一の窒化物半導体層３を形成し、その第一の窒化物半導体層３上に、前記第一の窒化物半導体層３よりも電子親和力の小さい第二の窒化物半導体層４を形成する窒化物半導体エピタキシャルウェハ１０の製造方法において、前記第一の窒化物半導体層３を形成する際の成長温度が、前記第二の窒化物半導体層４を形成する際の成長温度よりも低くするものである。 （もっと読む）

【課題】ｐｎ接合において整流性を保った状態で発光効率や発光強度を高めることが可能な発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明に係る発光素子１０は、ダイヤモンド半導体層からなり、ｐ型のα層２とｎ型のβ層３との間に一つまたは複数のγ層４を配してなる発光素子であって、前記α層と前記β層は各々、電流を注入するための電極（第一電極５、第二電極６）を備えており、前記α層及び前記β層における電流の伝導機構が何れも３００Ｋの温度においてホッピング伝導であるとともに、前記α層と前記β層とを貫通する順方向に電流を流した際に、紫外線を放出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】抵抗率が２０［ｍΩ・ｃｍ］以下のようなミスフィット転位が発生しやすいシリコン単結晶基板にシリコンエピタキシャル層を成長させるに際して、ミスフィット転位の発生を効果的に抑制することができるシリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法並びにエピタキシャル成長用シリコン単結晶基板を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶基板上にシリコンエピタキシャル層が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハであって、前記シリコン単結晶基板はドープ剤として少なくともボロンとガリウムの両方が添加されたものであり、かつ抵抗率が２０［ｍΩ・ｃｍ］以下であることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。 （もっと読む）

【課題】サセプタで支持された基板上へのエピタキシャル膜の成膜において、成膜装置内への基板の搬入から基板上での成膜処理までの間で発生する基板の変形を抑制する成膜方法を提供する。
【解決手段】昇温した基板Ｗ支持用のサセプタ２０を、基板Ｗの成膜処理を行う初期位置から上昇させ、成膜室２内に搬入された基板を受け取り、当該サセプタ２０を下降させて、初期位置に復帰させ、サセプタ２０上で基板Ｗを成膜温度に加熱し、気相成長反応を行う成膜方法において、サセプタ２０が基板Ｗを受け取る前、搬入された基板Ｗ下方の停止位置で昇温したサセプタ２０を停止させる。そして、基板Ｗを昇温したサセプタ２０により加熱し、所定温度に基板Ｗを加熱した後、さらにサセプタ２０を上昇させて基板Ｗを受け取るようにする。 （もっと読む）

【課題】従来技術と比較して改善された全体的平坦度を有するエピタキシコーティングされたシリコンウェーハの製造法を提供する。
【解決手段】エピタキシコーティングされたシリコンウェーハの製造法において、少なくとも前面が研磨された複数のシリコンウェーハを用意し、かつ引き続き、用意したシリコンウェーハのそれぞれ１つをエピタキシリアクタ中のサセプタに載置し、第一の工程では水素雰囲気下でのみ前処理し、かつ第二の工程では水素雰囲気に１．５〜５ｓｌｍの流量でエッチング剤を添加して前処理し、その際、水素流量は双方の工程において１〜１００ｓｌｍであり、引き続きその研磨された前面上でエピタキシコーティングし、かつエピタキシリアクタから取り出すという手法により個々にそれぞれエピタキシリアクタ中でコーティングすることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】半導体製造用部材などの物品のＣＶＤ‐ＳｉＣ膜の表層を酸化と酸洗浄とにより清浄化する工程が、より効果的にかつより効率良く行える手段を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ‐ＳｉＣ膜１０６の表面汚染層１０８の厚さ（例えば０．２５μｍ）より幾分厚くなるように、ＣＶＤ‐ＳｉＣ膜１０６の表層から除去されるべき取代の厚さＤ１（例えば０．５μｍ）が設定される。次に、ＣＶＤ‐ＳｉＣ１０６の表層に成長させるべき酸化珪素膜１１０の厚さＴ１が取代厚さＤ１の２倍以上、好ましくはＴ１＝Ｄ１÷０．４５で設定される（例えばＴ１＝１１１１ｎｍ）。その後、設定された膜厚Ｔ１分の酸化珪素膜１１０を形成して除去するために要する、酸化と酸洗浄の工程を最適な実行回数が、各回の酸化時間とトータルの処理時間の計算結果に基づいて決定される。そして、決定された回数分だけ酸化と酸洗浄が繰り返される。 （もっと読む）

半導体素子、発光素子及びこれの製造方法が開示される。半導体素子は、基板と、前記基板上に配置される多数個の柱と、前記柱の間及び前記基板上に配置される多数個の粒子と、前記柱上に配置される第１半導体層と、を含む。また、半導体素子の製造方法は、基板を提供する段階と、前記基板上に多数個の第１粒子を配置する段階と、前記第１粒子をエッチングマスクとして前記基板の一部をエッチングし、多数個の柱を形成する段階と、を含む。半導体素子は、粒子によって、発生される光を上方に効率的に反射させ、これによって向上された光効率を有する。また、第１粒子によって。柱が容易に形成され得る。
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【課題】ウェーハとサセプタとの間のスティッキングによるエピタキシャルウェーハの裏面の歪みを低減しながら、リフトピンの存在によるエピタキシャルウェーハの平坦度の低下を防止するようなエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の製造方法は、半導体ウェーハの裏面に酸化膜からなる親水部を形成させる酸化膜形成工程Ｓ１と、前記酸化膜の一部を前記半導体ウェーハと同心の円形状に除去して、半導体ウェーハの裏面が露出してなる疎水部を設けるエッチング工程Ｓ２と、前記半導体ウェーハの裏面を下側にして、前記半導体ウェーハを前記ウェーハ載置部に載置するウェーハ載置工程Ｓ３と、前記半導体ウェーハの主表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長工程Ｓ４と、を備え、サセプタの底面に円周上に設けられたリフトピンからなるリフトピン設置円周が前記疎水部の直径よりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】改善された光子／電子の変換効率を備える半導体基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体基板の製造方法に関する。当該方法は、絶縁型基板上に第１の半導体層（７）を設けるステップと、拡散バリア層（９）を設けるステップと、第２の半導体層（１１）を設けるステップとを備える。拡散バリア層を設けることにより、高ドープされた第１の半導体層から第２の半導体層への拡散を抑制することが可能になる。本発明はまた、これに相当する半導体基板、および当該基板を備えるオプトエレクトロニクスデバイスに関する。 （もっと読む）

【課題】性質の揃った複数の単結晶ダイヤモンド基板を比較的簡単な操作によって接合して良質な大面積の単結晶基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】（１）単結晶ダイヤモンドからなる親基板にイオン注入により分離層を形成する。（２）親基板から１個又は２個以上の単結晶ダイヤモンド層を分離する。（３）分離された複数の単結晶ダイヤモンド層を、平坦な支持台上に、互いの側面が接触し、且つ親基板から分離された面が該支持台面に接する状態で載置する工程、（４）支持台上に載置された複数の単結晶ダイヤモンド層の上に、気相合成法で単結晶ダイヤモンドを成長させて、複数の単結晶ダイヤモンド層を接合する。（５）接合された単結晶ダイヤモンド層を支持台上で反転させた後、気相合成法で単結晶ダイヤモンドを成長させて、親基板から分離された面上に単結晶ダイヤモンドを成長させる工程を含む単結晶ダイヤモンドからなる大面積基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】処理基板上への異物の付着を抑制できる熱処理装置を提供する。反応副生成物の反応室壁面への付着を抑制する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板移載機２６に備えられたガス吹出し部３４は、基板支持具３０に向かって、ウエハ積載方向と平行方向にガスを噴射する。排気処理装置３８は、基板支持具３０をガス吹出し部３４とで挟むように配置され、ガス吹出し部３４から噴射された気体及びこの気体によって吹き飛ばされた異物を回収し、排気できるように構成されている。異物の除去は、ガス吹出し部３４が移動することで、基板支持具３０の異物が蓄積した個所に接近させ、異物に対し正確に位置制御してガスを噴射することによって行われる。 （もっと読む）

【課題】歪み層形成に供されるウェーハで転位発生に対して耐性が高いエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】シリコン単結晶から切り出されたシリコン基板表面にシリコンエピタキシャル層が成膜堆積されたエピタキシャルウェーハであって、
前記シリコンエピタキシャル層表面の酸素濃度が１．０×１０^１７〜１２×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３ とされてなる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素製の部材に形成される酸化膜の剥がれが原因で発生する異物を低減する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素製の反応管内に基板を搬入する工程と、前記反応管内に酸化性ガスを供給して熱酸化により基板表面に酸化膜を形成する処理を行う工程と、前記反応管内から処理済基板を搬出する工程と、前記反応管内から処理済基板を搬出した状態で、前記反応管内の温度を、一旦、前記熱酸化により前記反応管の内壁面に形成された酸化膜の温度が少なくともひずみ点に相当する温度に到達するまで昇温させた後、前記処理済基板を前記反応管内から搬出する時の温度よりも低い温度まで降温させる工程とを有する。 （もっと読む）