【課題】電極が形成される半導体層の表面平坦性や、シート抵抗などが何れも優れた、高性能化や小型化に好適な電界効果トランジスタを実現すること。
【解決手段】ノンドープのＧａＮ結晶から成る半導体層１０３（バッファ層）の上には、厚さ約４０ｎｍのノンドープのＡｌ_0.2 Ｇａ_0.8 Ｎから成る半導体層１０４が積層されている。この半導体層１０４は、本発明に基づく厚さ約３０ｎｍの急峻界面提供層１０４１と、本発明に基づく厚さ約１０ｎｍの電極接続面提供層１０４２の計２層の半導体層から構成されている。これらは双方共に上記の通りノンドープのＡｌ_0.2 Ｇａ_0.8 Ｎから形成されているが、急峻界面提供層１０４１を結晶成長させる際には、キャリアガスとしてＨ₂ を使用した。また、電極接続面提供層１０４２を結晶成長させる際には、キャリアガスとしてＮ₂ を使用した。 （もっと読む）

【課題】Ｈ₂ＳｅまたはＤＥＴｅを用いたノンアロイ層付ＨＥＭＴ等のエピタキシャルウェハを成長する前後での電気的特性の変動を、Ｎ₂ガスを用いて効果的に低減すること、すなわち反応炉内のＨ₂Ｓｅの「メモリー効果」を低減すること。
【解決手段】目的とするｎ型のノンアロイコンタクト層７を有する電子デバイス構造のためのエピタキシャル層の成長を終了した後、断熱圧縮された窒素ガスを反応炉内に多量、且つバースト状に送り込むプロセスを行い、その後に再び目的とするｎ型のノンアロイコンタクト層７を有する電子デバイス構造のためのエピタキシャル層の成長を行う。 （もっと読む）

【課題】 メモリー効果の抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１０上にバッファ層１１、チャネル層１２、スペーサ層１３、電子供給層１４、コンタクト層１５を順次成長させた後、その基板１０を気相成長装置から取り出し、他の気相成長装置でコンタクト層１５上にノンアロイコンタクト層１６を別途成長させてメモリー効果の影響を排除するようにしたものでる。 （もっと読む）

半絶縁ＩＩＩ族窒化物層および半絶縁ＩＩＩ族窒化物層の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物層を浅い準位のｐ型ドーパントでドーピングすること、およびＩＩＩ族窒化物層を、例えば深い準位の遷移金属ドーパントなどの深い準位のドーパントでドーピングすることを有する。このような層および／または方法はまた、ＩＩＩ族窒化物層をおよそ１×１０^１７ｃｍ^−３よりも小さい濃度を有する浅い準位のドーパントでドーピングすること、およびＩＩＩ族窒化物層を深い準位の遷移金属ドーパントでドーピングすることを有する。深い準位のドーパントの濃度は、浅い準位のｐ型ドーパントの濃度よりも大きい。
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【数１】


方向または
【数２】


方向に主に向かう＜０００１＞方向から、約０．２〜約１０度の範囲のオフカット角度でオフカットされた（０００１）表面を含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物、例えばＧａＮ基板。表面が５０×５０μｍ^２ＡＦＭ走査により測定された１ｎｍ未満のＲＭＳ粗さと、３Ｅ６ｃｍ^−２未満の転位密度とを有する。この基板は相当するブールまたはウェハブランクのオフカットスライスにより、オフカットラッピングまたは相当する微傾斜へテロエピタキシャル基板、例えばオフカットサファイア上の基板本体の成長により形成することができる。この基板はＩＩＩ−Ｖ族窒化物系超小型電子および光電子デバイスの作製におけるホモエピタキシャル蒸着に有用に用いられる。
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高い熱伝導率の金属マトリックスを含む非連続なダイヤモンド粒子、およびこれらの複合材料を製造する方法が提供される。この製造方法は、ダイヤモンド粒子上に、拡散して結合され、機能的に勾配を有するインタラクティブＳｉＣ表面層が形成される薄層反応を含む。インタラクティブ表面転化ＳｉＣコーティングされたダイヤモンド粒子は、ついで型内に配置され、加圧下に、粒子間で急速に個体化される。ダイヤモンド粒子上の表面転化インタラクティブＳｉＣコーティングは、金属マトリックスと最小の界面熱抵抗、良好な機械的強度および複合材料の剛性を与え、複合材料の理論的な熱伝導率に近いレベルを達成する。ダイヤモンド金属複合材料は二次的に薄いシート製品を製造するために使用することができる。 （もっと読む）

本発明は、半導体基板を含み、その上部に少なくとも薄層歪緩和バッファを有し、本質的に３層のスタックから成っている半導体装置に関するものであり、その薄層歪緩和バッファは半導体装置のアクティブ部分でなく、さらに、薄層歪緩和バッファを形成する前記３層が本質的に一定のＧｅ濃度を有することを特徴としている。前記３層は以下の通りである：Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘの第１エピタキシャル層、ｘはＧｅ濃度である；前記第１エピタキシャル層上の、Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ：Ｃの第２エピタキシャル層、Ｃの量は少なくとも０．３％である；前記第２層上のＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘの第３エピタキシャル層。

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